JP2904723B2 - クリーニングガス - Google Patents
クリーニングガスInfo
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- JP2904723B2 JP2904723B2 JP9698595A JP9698595A JP2904723B2 JP 2904723 B2 JP2904723 B2 JP 2904723B2 JP 9698595 A JP9698595 A JP 9698595A JP 9698595 A JP9698595 A JP 9698595A JP 2904723 B2 JP2904723 B2 JP 2904723B2
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- JP
- Japan
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- gas
- cleaning
- ocf
- cleaning gas
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜、厚膜、粉体、ウ
イスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積
した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスに
関する。
イスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積
した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスに
関する。
【０００２】
【従来技術とその解決しようとする問題点】半導体工業
を中心とした薄膜デバイス製造プロセスや超鋼材料製造
プロセスでは、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル
法、蒸着法を用いて種々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカ
が製造されている。これらを製造する際に、膜、ウイス
カ、粉体を堆積させるべき目的物上以外の反応器内壁、
目的物を担持する冶具等にも堆積物が生成する。不要な
堆積物が生成するとパーティクル発生の原因となり、良
質な膜、粒子、ウイスカを製造することが困難になるた
め随時除去しなければならない。
を中心とした薄膜デバイス製造プロセスや超鋼材料製造
プロセスでは、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル
法、蒸着法を用いて種々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカ
が製造されている。これらを製造する際に、膜、ウイス
カ、粉体を堆積させるべき目的物上以外の反応器内壁、
目的物を担持する冶具等にも堆積物が生成する。不要な
堆積物が生成するとパーティクル発生の原因となり、良
質な膜、粒子、ウイスカを製造することが困難になるた
め随時除去しなければならない。
【０００３】このような不要な堆積物の除去を行うクリ
ーニングガスに求められる性能としては、クリーニン
グ対象物に対する反応速度が速い、排ガスの処理が比
較的容易である、比較的大気中で不安定であり、地球
温暖化に対する影響が小さいこと、等が望まれる。現状
では、このような不要な堆積物を除去するために、Ｃ2
Ｆ6、ＣＦ4等のガスが使用されている。しかしながら、
これらのガスは、非常に安定な化合物であり、クリーニ
ング後の排ガスの処理が困難であり、また処理のために
高温が必要となるためランニングコストが比較的高くな
る。さらに、大気中での分解速度が遅く長寿命であり、
環境中に安定に存在し地球温暖化係数が高いため環境へ
の悪影響が問題となっている。
ーニングガスに求められる性能としては、クリーニン
グ対象物に対する反応速度が速い、排ガスの処理が比
較的容易である、比較的大気中で不安定であり、地球
温暖化に対する影響が小さいこと、等が望まれる。現状
では、このような不要な堆積物を除去するために、Ｃ2
Ｆ6、ＣＦ4等のガスが使用されている。しかしながら、
これらのガスは、非常に安定な化合物であり、クリーニ
ング後の排ガスの処理が困難であり、また処理のために
高温が必要となるためランニングコストが比較的高くな
る。さらに、大気中での分解速度が遅く長寿命であり、
環境中に安定に存在し地球温暖化係数が高いため環境へ
の悪影響が問題となっている。
【０００４】
【問題点を解決するための具体的手段】本発明者らは、
鋭意検討の結果、薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造す
る装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積
物を効率的に除去するためのクリーニングガスを見いだ
し本発明に到達したものである。
鋭意検討の結果、薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造す
る装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積
物を効率的に除去するためのクリーニングガスを見いだ
し本発明に到達したものである。
【０００５】すなわち、本発明は、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6等よ
りも解離しやすく、排ガス処理が比較的容易で、かつ大
気中での分解速度が速く地球環境への悪影響が少ないヘ
テロ原子を含むパーフルオロカーボンを含有するガスを
用いることにより、装置内に堆積した不要な堆積物を除
去するためのクリーニングガスを提供するものである。
りも解離しやすく、排ガス処理が比較的容易で、かつ大
気中での分解速度が速く地球環境への悪影響が少ないヘ
テロ原子を含むパーフルオロカーボンを含有するガスを
用いることにより、装置内に堆積した不要な堆積物を除
去するためのクリーニングガスを提供するものである。
【０００６】本発明が対象とするクリーニングを行うべ
き物質は、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物であり、具体的に
は酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金である。
き物質は、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物であり、具体的に
は酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金である。
【０００７】また、本発明におけるクリーニングガス
は、（ＣＦ3)3Ｎ〔ｔｒｉ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔ
ｈｙｌａｍｉｎｅ〕、（Ｃ2Ｆ5)3Ｎ〔ｔｒｉ−ｐｅｎｔ
ａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ〕、（Ｃ3Ｆ7)3Ｎ
〔ｔｒｉ−ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌａｍｉ
ｎｅ〕、Ｃ6Ｆ11ＮＦ2〔ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｃ
ｙｃｌｏｈｅｘｙｌａｍｉｎｅ〕、Ｃ5Ｆ10ＮＦ〔ｕｎ
ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｐｉｐｅｒｉｄｉｎｅ〕、（Ｃ2
Ｆ5)2ＮＣ3Ｆ7〔Ｎ，Ｎ−ｄｉ−ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒ
ｏｅｔｈｙｌ−ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌａ
ｍｉｎｅ〕、（ｉ−Ｃ3Ｆ7)2ＮＣ2Ｆ5〔Ｎ，Ｎ−ｄｉ−
ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−ｐｅｎｔ
ａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ〕、ＣＦ3ＯＣＦ3
〔ｄｉ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅ
ｒ〕、Ｃ2Ｆ5ＯＣ2Ｆ5〔ｄｉ−ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏ
ｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ3Ｆ7ＯＣ3Ｆ7〔ｄｉ−ｈ
ｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ
4Ｆ9ＯＣ4Ｆ9〔ｄｉ−ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌ
ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ4Ｆ9ＯＣＦ3〔ｎｏｎａｆｌｕｏｒ
ｏｂｕｔｙｌ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔ
ｈｅｒ〕、ＣＦ3ＯＣＦ2ＣＦ2ＯＣＦ3〔ｄｅｃａｆｌｕ
ｏｒｏ−ｇｌｙｃｏｌ ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅ
ｒ〕、Ｃ6Ｆ11ＯＣＦ3〔ｕｎｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｃｙ
ｃｌｏｈｅｘｙｌ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ
ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ4Ｆ8Ｏ〔ｏｃｔａｆｌｕｏｒｏｔｅｔ
ｒａｍｅｔｈｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ〕、Ｃ5Ｆ10Ｏ
〔ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｅｎｅ
ｏｘｉｄｅ〕、ＣＦ3ＣＯＦ〔ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａ
ｃｅｔｈｙｌ ｆｌｕｏｒｉｄｅ〕、Ｃ2Ｆ5ＣＯＦ〔ｐ
ｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｉｏｎｙｌ ｆｌｕｏｒ
ｉｄｅ〕、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ〔ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｂｕ
ｔｙｒｙｌ ｆｌｕｏｒｉｄｅ〕、ＣＦ3ＣＯＣＦ3〔ｈ
ｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎｅ〕等が挙げられる。
特に好ましくは、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3、ＣＦ3Ｃ
ＯＣＦ3、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ4Ｆ8Ｏが挙げられる。
は、（ＣＦ3)3Ｎ〔ｔｒｉ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔ
ｈｙｌａｍｉｎｅ〕、（Ｃ2Ｆ5)3Ｎ〔ｔｒｉ−ｐｅｎｔ
ａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ〕、（Ｃ3Ｆ7)3Ｎ
〔ｔｒｉ−ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌａｍｉ
ｎｅ〕、Ｃ6Ｆ11ＮＦ2〔ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｃ
ｙｃｌｏｈｅｘｙｌａｍｉｎｅ〕、Ｃ5Ｆ10ＮＦ〔ｕｎ
ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｐｉｐｅｒｉｄｉｎｅ〕、（Ｃ2
Ｆ5)2ＮＣ3Ｆ7〔Ｎ，Ｎ−ｄｉ−ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒ
ｏｅｔｈｙｌ−ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌａ
ｍｉｎｅ〕、（ｉ−Ｃ3Ｆ7)2ＮＣ2Ｆ5〔Ｎ，Ｎ−ｄｉ−
ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−ｐｅｎｔ
ａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ〕、ＣＦ3ＯＣＦ3
〔ｄｉ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅ
ｒ〕、Ｃ2Ｆ5ＯＣ2Ｆ5〔ｄｉ−ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏ
ｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ3Ｆ7ＯＣ3Ｆ7〔ｄｉ−ｈ
ｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ
4Ｆ9ＯＣ4Ｆ9〔ｄｉ−ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌ
ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ4Ｆ9ＯＣＦ3〔ｎｏｎａｆｌｕｏｒ
ｏｂｕｔｙｌ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔ
ｈｅｒ〕、ＣＦ3ＯＣＦ2ＣＦ2ＯＣＦ3〔ｄｅｃａｆｌｕ
ｏｒｏ−ｇｌｙｃｏｌ ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅ
ｒ〕、Ｃ6Ｆ11ＯＣＦ3〔ｕｎｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｃｙ
ｃｌｏｈｅｘｙｌ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ
ｅｔｈｅｒ〕、Ｃ4Ｆ8Ｏ〔ｏｃｔａｆｌｕｏｒｏｔｅｔ
ｒａｍｅｔｈｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ〕、Ｃ5Ｆ10Ｏ
〔ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｅｎｅ
ｏｘｉｄｅ〕、ＣＦ3ＣＯＦ〔ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａ
ｃｅｔｈｙｌ ｆｌｕｏｒｉｄｅ〕、Ｃ2Ｆ5ＣＯＦ〔ｐ
ｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｉｏｎｙｌ ｆｌｕｏｒ
ｉｄｅ〕、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ〔ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｂｕ
ｔｙｒｙｌ ｆｌｕｏｒｉｄｅ〕、ＣＦ3ＣＯＣＦ3〔ｈ
ｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎｅ〕等が挙げられる。
特に好ましくは、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3、ＣＦ3Ｃ
ＯＣＦ3、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ4Ｆ8Ｏが挙げられる。
【０００８】本発明におけるクリーニングガスは、除去
すべき堆積物の種類、厚み及び薄膜等を製造する装置に
使用されている材料の種類を考慮して、ヘテロ原子を含
むパーフルオロカーボンそのものを用いるか、あるいは
窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスやＨ2、Ｏ2、
Ｆ2、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5等で希釈して用いる
か、適宜選択すればよい。また、反応条件に関しても特
に制限されることはなく、上記のとおり対象材料を考慮
して適宜選択される。
すべき堆積物の種類、厚み及び薄膜等を製造する装置に
使用されている材料の種類を考慮して、ヘテロ原子を含
むパーフルオロカーボンそのものを用いるか、あるいは
窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスやＨ2、Ｏ2、
Ｆ2、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5等で希釈して用いる
か、適宜選択すればよい。また、反応条件に関しても特
に制限されることはなく、上記のとおり対象材料を考慮
して適宜選択される。
【０００９】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、かかる実施例に限定されるものではない。
が、かかる実施例に限定されるものではない。
【００１０】実施例１〜２ 熱ＣＶＤでＷ膜、ＷＳｉ膜、ＴｉＣ膜、Ｔａ2Ｏ5膜をニ
ッケル基板上（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に
５０μｍ成膜した。これら４種のテストピースをプラズ
マＣＶＤ装置の下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、Ｃ
Ｆ3ＯＣＦ3の２種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス
流量１００ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピースを
設置した下部電極に高周波電力を印加（高周波電源周波
数１３．５６ＭＨｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、
電極間距離５０ｍｍ）して２０分間クリーニングを行っ
た。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り出し
Ｘ線マイクロアナライザで分析したところＷ、Ｓｉ、Ｔ
ｉのピークは認められなかった。
ッケル基板上（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に
５０μｍ成膜した。これら４種のテストピースをプラズ
マＣＶＤ装置の下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、Ｃ
Ｆ3ＯＣＦ3の２種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス
流量１００ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピースを
設置した下部電極に高周波電力を印加（高周波電源周波
数１３．５６ＭＨｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、
電極間距離５０ｍｍ）して２０分間クリーニングを行っ
た。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り出し
Ｘ線マイクロアナライザで分析したところＷ、Ｓｉ、Ｔ
ｉのピークは認められなかった。
【００１１】実施例３〜４ 熱ＣＶＤでＭｏ膜、Ｒｅ膜、Ｎｂ膜をニッケル基板上
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５０μｍ成膜
した。これら３種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置
の下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3の
２種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００Ｓ
ＣＣＭ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部
電極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．５６
ＭＨｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５
０ｍｍ）して２０分間クリーニングを行った。その後、
テストピースをＣＶＤ装置内から取り出しＸ線マイクロ
アナライザで分析したところＭｏ、Ｒｅ、Ｎｂのピーク
は認められなかった。
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５０μｍ成膜
した。これら３種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置
の下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3の
２種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００Ｓ
ＣＣＭ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部
電極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．５６
ＭＨｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５
０ｍｍ）して２０分間クリーニングを行った。その後、
テストピースをＣＶＤ装置内から取り出しＸ線マイクロ
アナライザで分析したところＭｏ、Ｒｅ、Ｎｂのピーク
は認められなかった。
【００１２】実施例５〜６ スパッタリングでＴｉＮ膜、Ｔｉ膜をニッケル基板上
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５μｍ成膜し
た。これら２種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3の２
種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣ
ＣＭ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部電
極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距離５０
ｍｍ）して１０分間クリーニングを行った。その後、テ
ストピースをＣＶＤ装置内から取り出しＸ線マイクロア
ナライザで分析したところＴｉのピークは認められなか
った。
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５μｍ成膜し
た。これら２種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3の２
種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣ
ＣＭ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部電
極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距離５０
ｍｍ）して１０分間クリーニングを行った。その後、テ
ストピースをＣＶＤ装置内から取り出しＸ線マイクロア
ナライザで分析したところＴｉのピークは認められなか
った。
【００１３】実施例７〜８ 真空蒸着でＡｕ膜、Ａｇ膜、Ｃｒ膜をニッケル基板上
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に２μｍ成膜し
た。これら３種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3の２
種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣ
ＣＭ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部電
極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）して１０分間クリーニングを行った。その後、テ
ストピースをＣＶＤ装置内から取り出しＸ線マイクロア
ナライザで分析したところＡｕ、Ａｇ、Ｃｒのピークは
認められなかった。
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に２μｍ成膜し
た。これら３種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3の２
種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣ
ＣＭ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部電
極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）して１０分間クリーニングを行った。その後、テ
ストピースをＣＶＤ装置内から取り出しＸ線マイクロア
ナライザで分析したところＡｕ、Ａｇ、Ｃｒのピークは
認められなかった。
【００１４】実施例９〜１０ ニッケル製のボート内にＰ、Ｔａ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｅ、
Ｂの粉体を５ｍｇづつとり、ボートをプラズマＣＶＤ装
置の下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3
の２種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００
ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストサンプルを設置した
下部電極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．
５６ＭＨｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距
離５０ｍｍ）して１０分間クリーニングした後、ボート
内及び装置内を観察したが、粉体はガス化除去できてい
た。
Ｂの粉体を５ｍｇづつとり、ボートをプラズマＣＶＤ装
置の下部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3
の２種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１００
ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストサンプルを設置した
下部電極に高周波電力を印加（高周波電源周波数１３．
５６ＭＨｚ、印加電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距
離５０ｍｍ）して１０分間クリーニングした後、ボート
内及び装置内を観察したが、粉体はガス化除去できてい
た。
【００１５】実施例１１〜１２、比較例１ プラズマＣＶＤでシリコンを硝子基板（Ｌ１００ｍｍ×
Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に１２０μｍ成膜した。こ
の時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の膜
が堆積していた。シリコンを堆積させた硝子基板を上部
電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3、Ｃ2Ｆ6
の３種のガスを、ガス圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１００
ＳＣＣＭ、室温の条件下で、下部電極に高周波電力を印
加（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力０．
３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０ｍｍ）して１２０分
間クリーニングした。クリーニング終了後、硝子基板及
び反応器内部を観察した結果を表１に示した。
Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に１２０μｍ成膜した。こ
の時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の膜
が堆積していた。シリコンを堆積させた硝子基板を上部
電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3、Ｃ2Ｆ6
の３種のガスを、ガス圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１００
ＳＣＣＭ、室温の条件下で、下部電極に高周波電力を印
加（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力０．
３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０ｍｍ）して１２０分
間クリーニングした。クリーニング終了後、硝子基板及
び反応器内部を観察した結果を表１に示した。
【００１６】
【表１】
【００１７】実施例１３〜１４、比較例２ プラズマＣＶＤで窒化シリコンを硝子基板（Ｌ１００ｍ
ｍ×Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に６０μｍ成膜した。
この時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の
膜が堆積していた。窒化シリコンを堆積させた硝子基板
を上部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3、
Ｃ2Ｆ6の３種のガスを、圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１０
０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、下部電極に高周波電力を
印加（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力
０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距離５０ｍｍ）して１２
０分間クリーニングした。クリーニング終了後、硝子基
板及び反応器内部を観察した結果を表２に示した。
ｍ×Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に６０μｍ成膜した。
この時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の
膜が堆積していた。窒化シリコンを堆積させた硝子基板
を上部電極上に設置し、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3、
Ｃ2Ｆ6の３種のガスを、圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１０
０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、下部電極に高周波電力を
印加（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力
０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距離５０ｍｍ）して１２
０分間クリーニングした。クリーニング終了後、硝子基
板及び反応器内部を観察した結果を表２に示した。
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】本発明のクリーニングガスは、極めて優
れたクリーニング性能を示す。
れたクリーニング性能を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ Ｎ (56)参考文献 特開 平６−13351（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163476（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267256（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−86236（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−106922（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C11D 7/28 C09K 13/08 C11D 7/32 H01L 21/205 H01L 21/304 H01L 21/3065
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜形成装置に堆積した金属またはその
化合物よりなる堆積物を除去するためのガスであって、
ヘテロ原子を含むパーフルオロカーボンを含有すること
を特徴とするクリーニングガス。 - 【請求項２】 ヘテロ原子を含むパーフルオロカーボン
が、パーフルオロアルキルアミン、パーフルオロアルキ
ルエーテル、パーフルオロアルキルケトン、パーフルオ
ロアルキルカルボニルフロリド、またはパーフルオロ環
状エーテルであることを特徴とする請求項１記載のクリ
ーニングガス。 - 【請求項３】 ヘテロ原子を含むパーフルオロカーボン
が、（ＣＦ3)3Ｎ、ＣＦ3ＯＣＦ3、ＣＦ3ＣＯＣＦ3、Ｃ
Ｆ3ＣＯＦ、またはＣ4Ｆ8Ｏであることを特徴とする請
求項１記載のクリーニングガス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9698595A JP2904723B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | クリーニングガス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9698595A JP2904723B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | クリーニングガス |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31452198A Division JP3186031B2 (ja) | 1995-04-21 | 1998-11-05 | エッチングガス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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