JP3513811B2 - 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 - Google Patents
炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3513811B2 JP3513811B2 JP2000239277A JP2000239277A JP3513811B2 JP 3513811 B2 JP3513811 B2 JP 3513811B2 JP 2000239277 A JP2000239277 A JP 2000239277A JP 2000239277 A JP2000239277 A JP 2000239277A JP 3513811 B2 JP3513811 B2 JP 3513811B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- main component
- coating film
- film containing
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭素または炭素を
主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法に
関するものである。
主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】炭素膜は、従来より耐摩耗性、高平滑
性、絶縁性及び耐薬品性等に優れており、多くの特性を
有する材料としてその応用が期待されており、その炭素
膜をコーティングする技術としては、特開昭56-146930
号公報が知られている。
性、絶縁性及び耐薬品性等に優れており、多くの特性を
有する材料としてその応用が期待されており、その炭素
膜をコーティングする技術としては、特開昭56-146930
号公報が知られている。
【０００３】しかし、同一反応器による複数回の成膜
は、真空度の低下、フレークの問題等により困難であり
１回ないし２回成膜後は、反応器内部のクリーニングが
必要となる。従来のクリーニングに用いられる気体は、
固体被膜の成分から、例えば炭素系であればプラズマ反
応によって揮発性ガスとする為、水素、酸素、弗化物気
体があげられる。
は、真空度の低下、フレークの問題等により困難であり
１回ないし２回成膜後は、反応器内部のクリーニングが
必要となる。従来のクリーニングに用いられる気体は、
固体被膜の成分から、例えば炭素系であればプラズマ反
応によって揮発性ガスとする為、水素、酸素、弗化物気
体があげられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】炭素膜または炭素膜を
主成分とする被膜をエッチングする技術は、炭素膜を応
用する上で大きな問題となっている。例えば、エッチン
グの際水素を用いて炭素膜と反応させＣxＨy等を生じさ
せる炭化水素系ガス化反応を行わせる方法は、反応器内
の汚染は低減されるが、エッチング速度が遅く量産性の
面で問題が多い。
主成分とする被膜をエッチングする技術は、炭素膜を応
用する上で大きな問題となっている。例えば、エッチン
グの際水素を用いて炭素膜と反応させＣxＨy等を生じさ
せる炭化水素系ガス化反応を行わせる方法は、反応器内
の汚染は低減されるが、エッチング速度が遅く量産性の
面で問題が多い。
【０００５】一方、炭素膜のプラズマエッチングに用い
るガスとしては、Ｏ2が最も簡便で揮発性ガス化反応に
よりＣＯ、ＣＯ2等として排気されるものが大部分であ
るが、未反応の壁でＯ、Ｏ2あるいはＣＯ、ＣＯ2として
反応室内壁に吸着し、クリーニング後に成膜する際それ
らが内壁から離脱し、気相中にアウトディフェージョン
し、膜内にオートドーピングあるいは界面にトラップさ
れ、膜質、界面特性（主に密着性）を低下させる原因と
なっていた。
るガスとしては、Ｏ2が最も簡便で揮発性ガス化反応に
よりＣＯ、ＣＯ2等として排気されるものが大部分であ
るが、未反応の壁でＯ、Ｏ2あるいはＣＯ、ＣＯ2として
反応室内壁に吸着し、クリーニング後に成膜する際それ
らが内壁から離脱し、気相中にアウトディフェージョン
し、膜内にオートドーピングあるいは界面にトラップさ
れ、膜質、界面特性（主に密着性）を低下させる原因と
なっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題を解
決する為に従来のエッチングガスによる反応容器内部の
基体、または基板等の被膜成形面以外に堆積している炭
素系被膜の除去後に不活性ガス、例えばＡｒまたは活性
ガス、例えばＨ2によるプラズマクリーニング処理を行
ない、内壁に残存しているＯ、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2等を除
去または置換することにより、反応室内を清浄化するこ
とを特徴とする。
決する為に従来のエッチングガスによる反応容器内部の
基体、または基板等の被膜成形面以外に堆積している炭
素系被膜の除去後に不活性ガス、例えばＡｒまたは活性
ガス、例えばＨ2によるプラズマクリーニング処理を行
ない、内壁に残存しているＯ、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2等を除
去または置換することにより、反応室内を清浄化するこ
とを特徴とする。
【０００７】図１にエッチング用気体であるＮＦ3、
Ｈ2、Ｏ2を用いてビッカース硬度1000kg／mm2及び2000k
g／mm2の硬質炭素膜をエッチングした場合のエッチング
速度及び高周波印加電極側に生じるセルフバイアスを示
した。
Ｈ2、Ｏ2を用いてビッカース硬度1000kg／mm2及び2000k
g／mm2の硬質炭素膜をエッチングした場合のエッチング
速度及び高周波印加電極側に生じるセルフバイアスを示
した。
【０００８】図中○は、セルフバイアスを表し、□はビ
ッカース硬度1000kg／mm2、◇はビッカース硬度2000kg
／mm2に対するエッチング速度を表す。この場合、高周
波エネルギーは60ｗ、エッチング用気体の流量は50ＳＣ
ＣＭ、温度は室温、反応圧力は３Ｐaで行った。
ッカース硬度1000kg／mm2、◇はビッカース硬度2000kg
／mm2に対するエッチング速度を表す。この場合、高周
波エネルギーは60ｗ、エッチング用気体の流量は50ＳＣ
ＣＭ、温度は室温、反応圧力は３Ｐaで行った。
【０００９】次に本発明において、反応容器内部のエッ
チングとクリーニング及び置換方法についての組合せの
例を以下に示す。 〔１〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリーニ
ング 〔２〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリー
ニング 〔３〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ 〔４〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニ
ング 〔５〕Ｈ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ
チングとクリーニング及び置換方法についての組合せの
例を以下に示す。 〔１〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリーニ
ング 〔２〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリー
ニング 〔３〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ 〔４〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニ
ング 〔５〕Ｈ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ
【００１０】
【実施例】 以下に本発明を実施例に従って説明する。
図２に本発明の実施に使用した炭素または炭素を主成分
とする被膜をエッチング除去した後プラズマクリーニン
グするための平行平板形のプラズマ装置の概要を示す。
図２に本発明の実施に使用した炭素または炭素を主成分
とする被膜をエッチング除去した後プラズマクリーニン
グするための平行平板形のプラズマ装置の概要を示す。
【００１１】図面では、ガス系（１）においてキャリア
ガスである水素を（２）より、反応性気体である炭化水
素気体、例えばメタン、エチレンを（３）より、炭素膜
のエッチング用気体である弗化物気体、例えばＮＦ3を
（３）より、またアルゴン、水素、酸素等のエッチング
及びクリーニング用気体を（４）よりバルブ（６）、流
量計（７）をへて反応系（８）中のノズル（９）より導
入する反応系（８）では、減圧下にて炭素膜の成膜また
は炭素膜のエッチング処理を行った。
ガスである水素を（２）より、反応性気体である炭化水
素気体、例えばメタン、エチレンを（３）より、炭素膜
のエッチング用気体である弗化物気体、例えばＮＦ3を
（３）より、またアルゴン、水素、酸素等のエッチング
及びクリーニング用気体を（４）よりバルブ（６）、流
量計（７）をへて反応系（８）中のノズル（９）より導
入する反応系（８）では、減圧下にて炭素膜の成膜また
は炭素膜のエッチング処理を行った。
【００１２】反応室（８）では第１の電極（１０）、第
２の電極（１１）を有し、一対の電極（１０）、（１
１）間には高周波電源（１２）よりマッチングトランス
（１３）、直流バイアス電源（１４）より電気エネルギ
ーが加えられ、プラズマが発生する。
２の電極（１１）を有し、一対の電極（１０）、（１
１）間には高周波電源（１２）よりマッチングトランス
（１３）、直流バイアス電源（１４）より電気エネルギ
ーが加えられ、プラズマが発生する。
【００１３】反応性気体のより一層の分析を行なうため
には、2.45ＧＨｚのマイクロ波にて200ｗ〜２ｋｗのマ
イクロ波励起（１５）を与えてもよい。すると活性の反
応性気体の量を増やすことができ、例えば炭素系被膜の
酸素によるエッチング速度を約４倍に向上することがで
きた。
には、2.45ＧＨｚのマイクロ波にて200ｗ〜２ｋｗのマ
イクロ波励起（１５）を与えてもよい。すると活性の反
応性気体の量を増やすことができ、例えば炭素系被膜の
酸素によるエッチング速度を約４倍に向上することがで
きた。
【００１４】これらの反応性気体は、反応空間（１６）
で0.01〜１Torr例えば0.１Torrとし、高周波による電磁
エネルギーにより50ｗ〜５ｋｗのエネルギーが加えられ
る。直流バイアスは、被膜形成面上に−200〜600ｖ（実
質的には−400〜400ｖ）を加えられる。なぜなら、直流
バイアスが零のときは、自己バイアスが−200ｖ（第２
の電極を接地レベルとして）を有しているためである。
で0.01〜１Torr例えば0.１Torrとし、高周波による電磁
エネルギーにより50ｗ〜５ｋｗのエネルギーが加えられ
る。直流バイアスは、被膜形成面上に−200〜600ｖ（実
質的には−400〜400ｖ）を加えられる。なぜなら、直流
バイアスが零のときは、自己バイアスが−200ｖ（第２
の電極を接地レベルとして）を有しているためである。
【００１５】基板としてＳｉウェハを用いたものと、Al
の板に磁気記録媒体であるγＦｅ2Ｏ3をつけたものとを
用いて本発明方法により反応室を清浄化した後、公知の
方法により図３に示すように炭素系被膜を成膜した。本
実施例では反応室の清浄化方法としてエッチング用気体
にＨ2プラズマのみを用いる方法とエッチング用気体に
Ｏ2プラズマのみを用いる方法と、エッチング用気体に
Ｏ2プラズマを用いその後にＨ2プラズマクリーニングす
る方法とを行った。
の板に磁気記録媒体であるγＦｅ2Ｏ3をつけたものとを
用いて本発明方法により反応室を清浄化した後、公知の
方法により図３に示すように炭素系被膜を成膜した。本
実施例では反応室の清浄化方法としてエッチング用気体
にＨ2プラズマのみを用いる方法とエッチング用気体に
Ｏ2プラズマのみを用いる方法と、エッチング用気体に
Ｏ2プラズマを用いその後にＨ2プラズマクリーニングす
る方法とを行った。
【００１６】表１に成膜した炭素系被膜に対して粒径１
〜２μｍのダイヤモンドペーストを使用したアブレシブ
テストを行った結果を示す。
〜２μｍのダイヤモンドペーストを使用したアブレシブ
テストを行った結果を示す。
【００１７】評価は○、○△、△、△×、×の５段階で
おこなった。その結果、酸素プラズマエッチッグのみの
場合に比べて顕著な差が見られた。
おこなった。その結果、酸素プラズマエッチッグのみの
場合に比べて顕著な差が見られた。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１の如くγＦｅ2Ｏ3と炭素系被膜は、通
常界面にＣ−Ｏボンディングを形成する為、密着性が極
端に低下することがあり、磁気ディスク等の保護膜とし
て応用する場合大きな問題となっている。
常界面にＣ−Ｏボンディングを形成する為、密着性が極
端に低下することがあり、磁気ディスク等の保護膜とし
て応用する場合大きな問題となっている。
【００２０】そこで、表１に示すような比較をおこなっ
た結果基本的にはＯ2を使わないプロセスが良いと思わ
れるが、例え使ってもＨ2でプラズマ処理して置換する
工程を取り入れれば、密着性は大きく改善されることが
判明した。Ｓｉウエハの場合は界面の化学結合がＳｉ−
Ｃとなる為、大きな差は出ないがＳｉ表面に酸素原子、
分子、ラジカル等が吸着していると密着性を低下させる
原因となる。
た結果基本的にはＯ2を使わないプロセスが良いと思わ
れるが、例え使ってもＨ2でプラズマ処理して置換する
工程を取り入れれば、密着性は大きく改善されることが
判明した。Ｓｉウエハの場合は界面の化学結合がＳｉ−
Ｃとなる為、大きな差は出ないがＳｉ表面に酸素原子、
分子、ラジカル等が吸着していると密着性を低下させる
原因となる。
【００２１】Ｈ2プラズマエッチングは、エッチング速
度が極端に遅いのでスループットを上げ、量産性を考え
れば、Ｏ2プラズマエッチングとＨ2プラズマクリーニン
グの併用による方法が現時点では良好と考える。
度が極端に遅いのでスループットを上げ、量産性を考え
れば、Ｏ2プラズマエッチングとＨ2プラズマクリーニン
グの併用による方法が現時点では良好と考える。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、炭素または炭素を主成
分とする被膜を除去した後に、クリーニング用気体例え
ばＡｒ、Ｈ2を用い、反応室内を清浄化することが可能
になった。また、上記方法にて、清浄化後通常の膜を形
成すると、密着性に大きな改善がみられた。
分とする被膜を除去した後に、クリーニング用気体例え
ばＡｒ、Ｈ2を用い、反応室内を清浄化することが可能
になった。また、上記方法にて、清浄化後通常の膜を形
成すると、密着性に大きな改善がみられた。
【００２３】このことから、磁気記録媒体である磁気テ
ーブ、磁気ディスク等のファイナルパシベーション膜に
用いることが始めて可能となった。また、半導体集積回
路等のファイナルコーティングの絶縁膜に用いることが
可能となった。
ーブ、磁気ディスク等のファイナルパシベーション膜に
用いることが始めて可能となった。また、半導体集積回
路等のファイナルコーティングの絶縁膜に用いることが
可能となった。
【図１】各エッチング気体におけるエッチング速度及び
セルフバイアスを示した図。
セルフバイアスを示した図。
【図２】本発明に使用したプラズマ装置の概略図を示す
図。
図。
【図３】実施例で用いた基板と基板上に形成された炭素
系被膜を示す図。
系被膜を示す図。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−4068（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−92218（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−97826（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−177189（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−279521（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−50985（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−210275（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/00 - 16/56
C23F 1/00 - 4/04
H01L 21/205
H01L 21/3065
Claims (7)
- 【請求項１】反応室内で珪素からなる被形成面に炭素ま
たは炭素を主成分とする被膜を形成する方法であって、 酸素のプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着した炭
素または炭素を主成分とする被膜を除去した後、水素ガ
スのプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着した酸素
または酸素を含む化合物を除去し、 前記酸素または酸素を含む化合物を除去した後、前記珪
素からなる被形成面に 前記炭素または炭素を主成分とす
る被膜を形成することを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項２】反応室内で珪素からなる被形成面に炭素ま
たは炭素を主成分とする被膜を形成する方法であって、 弗化物気体のプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着
した炭素または炭素を主成分とする被膜を除去した後、
水素ガスのプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着し
た弗素または弗素を含む化合物を除去し、 前記弗素または弗素を含む化合物を除去した後、前記珪
素からなる被形成面に 前記炭素または炭素を主成分とす
る被膜を形成することを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項３】反応室内で珪素からなる被形成面に炭素ま
たは炭素を主成分とする被膜を形成する方法であって、 酸素のプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着した炭
素または炭素を主成分とする被膜を除去した後、不活性
ガスのプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着した酸
素または酸素を含む化合物を除去し、 前記酸素または酸素を含む化合物を除去した後、前記珪
素からなる被形成面に 前記炭素または炭素を主成分とす
る被膜を形成することを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項４】反応室内で珪素からなる被形成面に炭素ま
たは炭素を主成分とする被膜を形成する方法であって、 弗化物気体のプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着
した炭素または炭素を主成分とする被膜を除去した後、
不活性ガスのプラズマを用いて前記反応室の内壁に付着
した弗素または弗素を含む化合物を除去し、 前記弗素または弗素を含む化合物を除去した後、前記珪
素からなる被形成面に 前記炭素または炭素を主成分とす
る被膜を形成することを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項５】請求項３または請求項４において、前記不
活性ガスは、アルゴンガスであることを特徴とする炭素
または炭素を主成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項６】請求項２または請求項４において、前記弗
化物気体は、ＮＦ 3 ガスであることを特徴とする炭素ま
たは炭素を主成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
て、前記炭素または炭素を主成分とする被膜の除去は、
マイクロ波励起のプラズマを用いて行われることを特徴
とする炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239277A JP3513811B2 (ja) | 1988-08-11 | 2000-08-08 | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36989799A JP3453337B2 (ja) | 1988-08-11 | 1999-12-27 | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する反応室のクリーニング方法 |
| JP2000239277A JP3513811B2 (ja) | 1988-08-11 | 2000-08-08 | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36989799A Division JP3453337B2 (ja) | 1988-08-11 | 1999-12-27 | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する反応室のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001107246A JP2001107246A (ja) | 2001-04-17 |
| JP3513811B2 true JP3513811B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=32095326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000239277A Expired - Lifetime JP3513811B2 (ja) | 1988-08-11 | 2000-08-08 | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3513811B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4209253B2 (ja) | 2003-05-22 | 2009-01-14 | 忠弘 大見 | フッ素添加カーボン膜の形成方法 |
| JP2006169589A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Shinko Seiki Co Ltd | 表面処理装置 |
| JP5751895B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2015-07-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
| DE102011105645A1 (de) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Entschichtungsverfahren für harte Kohlenstoffschichten |
| JP7422540B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
-
2000
- 2000-08-08 JP JP2000239277A patent/JP3513811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001107246A (ja) | 2001-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3801730B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法 | |
| US5006220A (en) | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma | |
| US5176791A (en) | Method for forming carbonaceous films | |
| JP2001335937A (ja) | 金属汚染低減方法及びプラズマ装置の再生方法 | |
| JP3513811B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JP3453337B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する反応室のクリーニング方法 | |
| JP3520577B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2837087B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3180332B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法 | |
| JP3355892B2 (ja) | 炭素膜の形成方法 | |
| JP3256209B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JP2571957B2 (ja) | バッファ層を介した炭素または炭素を主成分とする被膜及びその作製方法 | |
| JP3187487B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜の保護膜付き物品 | |
| JPH04343430A (ja) | 過フッ化炭化水素ポリマ膜を基板に接着する方法および基板 | |
| JPH1167727A (ja) | プラズマ処理装置及びその方法 | |
| JP3616315B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JP2722724B2 (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
| JP2744970B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0793276B2 (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
| JP2852380B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 | |
| JPH0610135A (ja) | 炭素膜の製造方法 | |
| JPH09326384A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4029624B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JPH06248458A (ja) | プラズマ処理装置およびその装置を用いた磁気ディスク製造方法 | |
| JP3172384B2 (ja) | 硬質炭素被膜形成装置及びこれを用いた被膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20031224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20031226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 |