JPH0793276B2 - 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法Info
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- JPH0793276B2 JPH0793276B2 JP5313339A JP31333993A JPH0793276B2 JP H0793276 B2 JPH0793276 B2 JP H0793276B2 JP 5313339 A JP5313339 A JP 5313339A JP 31333993 A JP31333993 A JP 31333993A JP H0793276 B2 JPH0793276 B2 JP H0793276B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板等の試料面
に薄膜を形成するプラズマ励起化学気相成長(Plasma En
hanced ＣＶＤ) 法を利用した薄膜形成前処理方法ある
いは薄膜形成方法に関する。
に薄膜を形成するプラズマ励起化学気相成長(Plasma En
hanced ＣＶＤ) 法を利用した薄膜形成前処理方法ある
いは薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体基板等の試料面に薄膜
を形成するためには、反応容器内に導入した原料ガスに
高周波を印加してプラズマを発生させ、該原料ガスを活
性化させることにより化学反応を促進し、生成した反応
生成物を試料面に堆積させるプラズマ励起化学気相成長
（以下、ＰＥＣＶＤという）法が、広く利用されてい
る。
を形成するためには、反応容器内に導入した原料ガスに
高周波を印加してプラズマを発生させ、該原料ガスを活
性化させることにより化学反応を促進し、生成した反応
生成物を試料面に堆積させるプラズマ励起化学気相成長
（以下、ＰＥＣＶＤという）法が、広く利用されてい
る。
【０００３】特に、ＡｌまたはＡｌ合金からなる配線間
の層間絶縁膜あるいは配線保護膜（パッシベーション
膜）に使用される窒化膜（ＳｉＮ膜）は、先ず、配線の
素材のため低温形成が要求される。この点において、Ｐ
ＥＣＶＤ法はエネルギの高いプラズマ状態で反応を起こ
すので、７００℃以上の形成温度が要求される高温熱Ｃ
ＶＤ法と比較すると、例えば、４５０℃以下といった大
幅な低温化によるプロセスの実現が可能となる。したが
ってＰＥＣＶＤ法は、層間絶縁膜あるいはパッシベーシ
ョン膜としての薄膜形成を可能にし、デバイスの信頼性
向上に寄与している。
の層間絶縁膜あるいは配線保護膜（パッシベーション
膜）に使用される窒化膜（ＳｉＮ膜）は、先ず、配線の
素材のため低温形成が要求される。この点において、Ｐ
ＥＣＶＤ法はエネルギの高いプラズマ状態で反応を起こ
すので、７００℃以上の形成温度が要求される高温熱Ｃ
ＶＤ法と比較すると、例えば、４５０℃以下といった大
幅な低温化によるプロセスの実現が可能となる。したが
ってＰＥＣＶＤ法は、層間絶縁膜あるいはパッシベーシ
ョン膜としての薄膜形成を可能にし、デバイスの信頼性
向上に寄与している。
【０００４】ＰＥＣＶＤ装置には、平行平板電極型、誘
導コイル型、マイクロ波放電型等があり、それぞれバッ
チ処理式、連続処理式、枚葉式等が開発されている。近
年においては、プロセス安定性、パーティクル（汚染粒
子）対策等の見地から平行平板電極型の枚葉式の装置が
主流となりつつある。また、デバイス集積度の向上によ
り、サブミクロン・スケールに対応したプロセスが必須
なものとなり、これに伴い、デバイスの信頼性・歩留ま
りの低下を招くパーティクルの発生防止もまた重要な課
題となっている。
導コイル型、マイクロ波放電型等があり、それぞれバッ
チ処理式、連続処理式、枚葉式等が開発されている。近
年においては、プロセス安定性、パーティクル（汚染粒
子）対策等の見地から平行平板電極型の枚葉式の装置が
主流となりつつある。また、デバイス集積度の向上によ
り、サブミクロン・スケールに対応したプロセスが必須
なものとなり、これに伴い、デバイスの信頼性・歩留ま
りの低下を招くパーティクルの発生防止もまた重要な課
題となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、更なる大規模集
積回路（ＬＳＩ）の高集積化の実現要求に伴い、ＰＥＣ
ＶＤにおいてもサブミクロン・スケールでの微細化形成
技術の開発が極めて重要になってきた。層間絶縁膜ある
いは配線保護膜として使用される窒化膜は、デバイスの
高集積化の実現要求により薄膜化が進み、一方、耐湿性
面を考えるとさらに緻密な膜質が要求されている。
積回路（ＬＳＩ）の高集積化の実現要求に伴い、ＰＥＣ
ＶＤにおいてもサブミクロン・スケールでの微細化形成
技術の開発が極めて重要になってきた。層間絶縁膜ある
いは配線保護膜として使用される窒化膜は、デバイスの
高集積化の実現要求により薄膜化が進み、一方、耐湿性
面を考えるとさらに緻密な膜質が要求されている。
【０００６】一方、上記ＰＥＣＶＤ装置において、電極
間に高周波プラズマを発生させ、原料ガスの分解または
反応を行わせると、電極ないし反応室の側壁等にも堆積
物が形成される場合が多い。これらの反応室内部への堆
積物はやがて剥離して基板上に落下し、パーティクルと
なって基板上の均一な成膜の形成を妨げるばかりでな
く、ピンホールあるいは配線間のショートを起こし、不
良デバイス発生原因となる。また、前述の堆積物の増加
は、成膜速度、分布等にも変化を与え、サブミクロン・
スケールのデバイスを製造する上でのプロセスマージン
（Process Margin)を狭くしてしまう。そこで、定期的
にこの堆積物を除去するクリーニングプロセスが必要と
なる。
間に高周波プラズマを発生させ、原料ガスの分解または
反応を行わせると、電極ないし反応室の側壁等にも堆積
物が形成される場合が多い。これらの反応室内部への堆
積物はやがて剥離して基板上に落下し、パーティクルと
なって基板上の均一な成膜の形成を妨げるばかりでな
く、ピンホールあるいは配線間のショートを起こし、不
良デバイス発生原因となる。また、前述の堆積物の増加
は、成膜速度、分布等にも変化を与え、サブミクロン・
スケールのデバイスを製造する上でのプロセスマージン
（Process Margin)を狭くしてしまう。そこで、定期的
にこの堆積物を除去するクリーニングプロセスが必要と
なる。
【０００７】このクリーニングプロセスに有効なものと
して、ＮＦ3 等のフッ素化合物を使用したプラズマによ
るクリーニングが知られている。しかしながら、このフ
ッ素化合物クリーニングを行った後に窒化膜を形成する
と、その形成初期段階においては反応室の内部に残留し
ていたフッ素成分が、基板表面上に吸着してＳｉ−Ｆあ
るいはＡｌ−Ｆ等の結合をなし、その結果、成膜の内部
にも混入して純度の高い窒化膜の形成を妨げる。これは
フッ素が窒化膜中に混入しＳｉ−Ｎ結合を弱め、膜質の
緻密性に影響を与え、したがって耐湿性の劣化を招くだ
けでなく、下地基板の材質によっては成膜の密着性にも
影響を与える。つまり、ＡｌまたはＡｌ合金等の材質上
にフッ素成分を含んだ膜質の窒化膜が形成されたなら
ば、成膜の剥がれ（ピーリング）を生じ、これがピンホ
ール・配線ショート等の発生原因となり、デバイスの信
頼性、歩留まりの低下を招くといった問題点があった。
して、ＮＦ3 等のフッ素化合物を使用したプラズマによ
るクリーニングが知られている。しかしながら、このフ
ッ素化合物クリーニングを行った後に窒化膜を形成する
と、その形成初期段階においては反応室の内部に残留し
ていたフッ素成分が、基板表面上に吸着してＳｉ−Ｆあ
るいはＡｌ−Ｆ等の結合をなし、その結果、成膜の内部
にも混入して純度の高い窒化膜の形成を妨げる。これは
フッ素が窒化膜中に混入しＳｉ−Ｎ結合を弱め、膜質の
緻密性に影響を与え、したがって耐湿性の劣化を招くだ
けでなく、下地基板の材質によっては成膜の密着性にも
影響を与える。つまり、ＡｌまたはＡｌ合金等の材質上
にフッ素成分を含んだ膜質の窒化膜が形成されたなら
ば、成膜の剥がれ（ピーリング）を生じ、これがピンホ
ール・配線ショート等の発生原因となり、デバイスの信
頼性、歩留まりの低下を招くといった問題点があった。
【０００８】本発明は、このような従来のＰＥＣＶＤ法
の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は更な
るデバイスの高集積化・高信頼化に対応し得る薄膜形成
前処理方法および薄膜形成方法を提供することにある。
の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は更な
るデバイスの高集積化・高信頼化に対応し得る薄膜形成
前処理方法および薄膜形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の目的は、本発明の
薄膜形成前処理方法によれば、基板を収容する反応容器
内において、フッ素化合物を含む反応性ガスに高い周波
数を有する第１の電力を印加し、プラズマを発生させて
反応容器内部をエッチングするクリーニングステップ
と、窒素化合物を含む還元ガスに高い周波数を有する第
２の電力を印加し、プラズマを発生させて該の反応容器
内の残留フッ素成分を除去する還元ステップとを備える
ことにより達成される。あるいは、本発明の薄膜形成方
法によれば、基板を収容する反応容器内において、フッ
素化合物を含む反応性ガスに高い周波数を有する第１の
電力を印加し、プラズマを発生させて反応容器内部をエ
ッチンングするクリーニングステップと、窒素化合物を
含む還元ガスに高い周波数を有する第２の電力を印加
し、プラズマを発生させて該反応容器内の残留フッ素成
分を除去する還元ステップと、原料ガスに高い周波数を
有する第３の電力を印加し、プラズマを発生させて反応
生成物を反応容器内に収容された基板上に堆積させる成
膜ステップとを備えることにより達成される。
薄膜形成前処理方法によれば、基板を収容する反応容器
内において、フッ素化合物を含む反応性ガスに高い周波
数を有する第１の電力を印加し、プラズマを発生させて
反応容器内部をエッチングするクリーニングステップ
と、窒素化合物を含む還元ガスに高い周波数を有する第
２の電力を印加し、プラズマを発生させて該の反応容器
内の残留フッ素成分を除去する還元ステップとを備える
ことにより達成される。あるいは、本発明の薄膜形成方
法によれば、基板を収容する反応容器内において、フッ
素化合物を含む反応性ガスに高い周波数を有する第１の
電力を印加し、プラズマを発生させて反応容器内部をエ
ッチンングするクリーニングステップと、窒素化合物を
含む還元ガスに高い周波数を有する第２の電力を印加
し、プラズマを発生させて該反応容器内の残留フッ素成
分を除去する還元ステップと、原料ガスに高い周波数を
有する第３の電力を印加し、プラズマを発生させて反応
生成物を反応容器内に収容された基板上に堆積させる成
膜ステップとを備えることにより達成される。
【００１０】
【作用】本発明の薄膜形成前処理方法によれば、基板を
収容する反応容器内において、フッ素化合物を含む反応
性ガスに高い周波数を有する第１の電力を印加し、プラ
ズマを発生させ、このプラズマ中に存在するフッ素化合
物の原子または分子のラジカルを反応容器の内部に形成
された堆積物に作用させることにより化学エッチング
し、続いて窒素化合物を含む還元ガスに高い周波数を有
する第２の電力を印加し、プラズマを発生させ、窒素化
合物のラジカルまたはイオン等の活性種を反応容器内の
残留フッ素成分に作用させることによりフッ素成分との
結合を水素成分との結合に還元しこれを除去する。
収容する反応容器内において、フッ素化合物を含む反応
性ガスに高い周波数を有する第１の電力を印加し、プラ
ズマを発生させ、このプラズマ中に存在するフッ素化合
物の原子または分子のラジカルを反応容器の内部に形成
された堆積物に作用させることにより化学エッチング
し、続いて窒素化合物を含む還元ガスに高い周波数を有
する第２の電力を印加し、プラズマを発生させ、窒素化
合物のラジカルまたはイオン等の活性種を反応容器内の
残留フッ素成分に作用させることによりフッ素成分との
結合を水素成分との結合に還元しこれを除去する。
【００１１】本発明者の知見によれば、窒化膜を形成す
るＰＥＣＶＤ法において、反応室の内部にある電極ない
し内壁に形成される堆積物を除去するには、ＮＦ3 等の
フッ素化合物を用いたプラズマクリーニングが有効であ
り、このフッ素化合物クリーニングにより、サブミクロ
ンルールのデバイスに対しても許容しうる程度にパーテ
ィクル発生量を抑制することが可能となった。しかしな
がら、従来技術においてはフッ素化合物クリーニングを
実施した後、反応室の内部にはフッ素成分が残留してし
まい、これが原因となって、次のステップにて形成され
る薄膜中にフッ素成分が含有されてしまい、膜質が低下
してしまうのは防止できなかった。
るＰＥＣＶＤ法において、反応室の内部にある電極ない
し内壁に形成される堆積物を除去するには、ＮＦ3 等の
フッ素化合物を用いたプラズマクリーニングが有効であ
り、このフッ素化合物クリーニングにより、サブミクロ
ンルールのデバイスに対しても許容しうる程度にパーテ
ィクル発生量を抑制することが可能となった。しかしな
がら、従来技術においてはフッ素化合物クリーニングを
実施した後、反応室の内部にはフッ素成分が残留してし
まい、これが原因となって、次のステップにて形成され
る薄膜中にフッ素成分が含有されてしまい、膜質が低下
してしまうのは防止できなかった。
【００１２】これに対して、本発明の薄膜成長方法にお
いては、フッ素化合物クリーニング後に、窒素化合物の
プラズマ中に存在するラジカル等の活性粒子をこの残留
するフッ素成分あるいはフッ素結合に対して作用させる
ことにより、フッ素成分を含有した反応生成物として減
圧により除去し、したがって反応室の内部にある電極治
具および反応室の内壁あるいは基板の表面を活性化する
ことができる。したがって、本発明によれば、フッ素化
合物クリーニング後の成膜初期におけるフッ素成分を含
有した（Ｓｉ−Ｆ−Ｎ結合を有する）窒化膜の形成を抑
制し、成膜初期から成膜終了の全域にわたって緻密で均
一な膜質を有する窒化膜を形成することが可能となる。
その結果、高集積化に伴い微細構造を有する大規模集積
回路（ＬＳＩ）においても、良好な層間絶縁膜あるいは
パッシベーション膜が形成され得る。
いては、フッ素化合物クリーニング後に、窒素化合物の
プラズマ中に存在するラジカル等の活性粒子をこの残留
するフッ素成分あるいはフッ素結合に対して作用させる
ことにより、フッ素成分を含有した反応生成物として減
圧により除去し、したがって反応室の内部にある電極治
具および反応室の内壁あるいは基板の表面を活性化する
ことができる。したがって、本発明によれば、フッ素化
合物クリーニング後の成膜初期におけるフッ素成分を含
有した（Ｓｉ−Ｆ−Ｎ結合を有する）窒化膜の形成を抑
制し、成膜初期から成膜終了の全域にわたって緻密で均
一な膜質を有する窒化膜を形成することが可能となる。
その結果、高集積化に伴い微細構造を有する大規模集積
回路（ＬＳＩ）においても、良好な層間絶縁膜あるいは
パッシベーション膜が形成され得る。
【００１３】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明において「フッ素化合物」として
は、Ｆ原子を含む化合物であって、常温（２５℃）で気
体が好ましい。具体的には、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 またはＮ
Ｆ3 が好ましく用いられる。これらの中でも、反応室内
部の堆積物を化学エッチングする点から、ＮＦ3 が好ま
しい。
は、Ｆ原子を含む化合物であって、常温（２５℃）で気
体が好ましい。具体的には、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 またはＮ
Ｆ3 が好ましく用いられる。これらの中でも、反応室内
部の堆積物を化学エッチングする点から、ＮＦ3 が好ま
しい。
【００１５】本発明において「窒素化合物」としては、
Ｎ原子を含む化合物であって、常温（２５℃）で気体が
好ましい。具体的には、ＮＨ3 、Ｎ2 またはＮ2 Ｏが好
ましく用いられる。これらの中でも、反応室内部に残留
するフッ素成分を除去する点から、ＮＨ3 が好ましい。
Ｎ原子を含む化合物であって、常温（２５℃）で気体が
好ましい。具体的には、ＮＨ3 、Ｎ2 またはＮ2 Ｏが好
ましく用いられる。これらの中でも、反応室内部に残留
するフッ素成分を除去する点から、ＮＨ3 が好ましい。
【００１６】本発明の方法により形成される窒化膜の厚
さは、通常、０．１〜１．０μｍ程度であることが好ま
しい。
さは、通常、０．１〜１．０μｍ程度であることが好ま
しい。
【００１７】本発明に使用する「反応性ガス」は、上記
したＮＦ3 等のフッ素化合物を少なくとも含むものであ
るが、必要に応じて、Ｎ2 Ｏ等の窒素酸化物またはＯ2
を含んでもよい。
したＮＦ3 等のフッ素化合物を少なくとも含むものであ
るが、必要に応じて、Ｎ2 Ｏ等の窒素酸化物またはＯ2
を含んでもよい。
【００１８】また、本発明に使用する「還元ガス」と
は、ＳｉＦ結合をＳｉＨ結合に変換できる還元性気体を
いい、上記したＮＨ3 等の窒素化合物以外に、Ｎ2 、Ｓ
ｉＨ4、Ｈ2 等を含んでもよい。
は、ＳｉＦ結合をＳｉＨ結合に変換できる還元性気体を
いい、上記したＮＨ3 等の窒素化合物以外に、Ｎ2 、Ｓ
ｉＨ4、Ｈ2 等を含んでもよい。
【００１９】さらに、本発明に使用する原料ガスは、Ｓ
ｉＨ4 と、ＮＨ3 およびＮ2 から選ばれた少なくとも一
種類からなるガスとを含むのが好ましい。
ｉＨ4 と、ＮＨ3 およびＮ2 から選ばれた少なくとも一
種類からなるガスとを含むのが好ましい。
【００２０】上記「窒素化合物」は、必要に応じて、原
料ガスのキャリアガスとして用いることも可能である。
原料ガスがこの窒素化合物を含む態様においては、プラ
ズマ放電の安定により膜厚の均一性およびその分布を更
に向上させることが可能となる。
料ガスのキャリアガスとして用いることも可能である。
原料ガスがこの窒素化合物を含む態様においては、プラ
ズマ放電の安定により膜厚の均一性およびその分布を更
に向上させることが可能となる。
【００２１】本発明においては、上記した以外の反応条
件としては、例えば、以下のような条件を好ましく使用
することができる。
件としては、例えば、以下のような条件を好ましく使用
することができる。
【００２２】本発明の薄膜形成前処理方法あるいは薄膜
形成方法に使用可能な反応装置については、基板を収容
する反応容器と、フッ素化合物等の反応性ガス、窒素化
合物等の還元ガスおよびシラン等の原料ガスをこの反応
容器に導入可能な導入系と、これらのガスに高い周波数
を印加する電極とを有する反応装置である限り特に制限
されないが、例えば、図１に模式断面図として示される
ようなＰＥＣＶＤ装置が好ましく用いられる。
形成方法に使用可能な反応装置については、基板を収容
する反応容器と、フッ素化合物等の反応性ガス、窒素化
合物等の還元ガスおよびシラン等の原料ガスをこの反応
容器に導入可能な導入系と、これらのガスに高い周波数
を印加する電極とを有する反応装置である限り特に制限
されないが、例えば、図１に模式断面図として示される
ようなＰＥＣＶＤ装置が好ましく用いられる。
【００２３】以下に、このＰＥＣＶＤ装置の概略構成を
図１に基いて説明する。図１を参照して、外気から密封
された反応室１を実現するための反応容器２内に対向電
極３、４が収容されている。一方の電極４は、アース電
位に保持されるとともに、対向面に薄膜形成用の半導体
基板５が載置され、他方の電極３にはプラズマ発生用の
高周波発振源８から出力された高周波電力がインピーダ
ンスマッチング回路９を介して印加されるようになって
いる。また、電極３の上側から反応室１へ配管６を介し
て反応ガスが導入されるとともに、反応容器２の排気口
から排気する構造となっている。また、電極４側には温
度制御用のヒータ７が設けられている。
図１に基いて説明する。図１を参照して、外気から密封
された反応室１を実現するための反応容器２内に対向電
極３、４が収容されている。一方の電極４は、アース電
位に保持されるとともに、対向面に薄膜形成用の半導体
基板５が載置され、他方の電極３にはプラズマ発生用の
高周波発振源８から出力された高周波電力がインピーダ
ンスマッチング回路９を介して印加されるようになって
いる。また、電極３の上側から反応室１へ配管６を介し
て反応ガスが導入されるとともに、反応容器２の排気口
から排気する構造となっている。また、電極４側には温
度制御用のヒータ７が設けられている。
【００２４】
【実施例】以下、図面と共に本発明の好適な実施例につ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
【００２５】図１に示した構成のＰＥＣＶＤ装置におい
て、本発明の薄膜形成方法によりクリーニングプロセ
ス、還元プロセス、および窒化膜の成膜プロセスを順次
に行った。
て、本発明の薄膜形成方法によりクリーニングプロセ
ス、還元プロセス、および窒化膜の成膜プロセスを順次
に行った。
【００２６】実施例１ 実施例１のプロセスフローについて図２に示し、各プロ
セスについて以下に説明する。
セスについて以下に説明する。
【００２７】（クリーニングプロセス）反応室１内に、
ＮＦ3 あるいはＮＦ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｏ2 系の反応性ガスを
導入し、これに高周波発振源８から高い周波数を有する
第１の電力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性
化させて、化学的に活性の強い原子または分子のラジカ
ルとし、これらの活性な粒子を反応室１の内部に形成さ
れた堆積物に化学作用させてケミカルドライエッチング
を行った。以下に、好ましいプロセス条件を示す。
ＮＦ3 あるいはＮＦ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｏ2 系の反応性ガスを
導入し、これに高周波発振源８から高い周波数を有する
第１の電力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性
化させて、化学的に活性の強い原子または分子のラジカ
ルとし、これらの活性な粒子を反応室１の内部に形成さ
れた堆積物に化学作用させてケミカルドライエッチング
を行った。以下に、好ましいプロセス条件を示す。
【００２８】 圧力 ： ０．５〜３．０〔Ｔｏｒｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第１の電力 ： ５００〜１２００〔Ｗ〕 基板温度 ： ２５〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜９９９〔Ｍｉｌｓ〕 ＮＦ3 ： １００〜１０００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 Ｏ ： １００〜１０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： ５０〜１５０〔秒〕 ここで上記のＮＦ3 の代わりに、ＣＦ4 およびＣ2 Ｆ6
のいずれか一方が好ましく用いられ、この流量はＮＦ3
と同程度が好ましくは用いられる。
のいずれか一方が好ましく用いられ、この流量はＮＦ3
と同程度が好ましくは用いられる。
【００２９】（還元プロセス）続いて、上記の反応性ガ
スおよび反応生成物を減圧・除去し、反応容器２の外部
においてハロゲンランプにて予め２５〜４００℃に加熱
された半導体基板５を反応容器２内の決められた場所に
載置し、ＮＨ3 ／Ｎ2 系の還元ガスを導入した。これに
高周波発振源８から高い周波数を有する第２の電力を印
加し、プラズマ放電エネルギにより活性化された粒子で
あるラジカルを、反応室１の内部に残留するフッ素成分
に作用させて反応生成物とし、減圧・除去を行った。以
下に、このプロセス条件を示す。
スおよび反応生成物を減圧・除去し、反応容器２の外部
においてハロゲンランプにて予め２５〜４００℃に加熱
された半導体基板５を反応容器２内の決められた場所に
載置し、ＮＨ3 ／Ｎ2 系の還元ガスを導入した。これに
高周波発振源８から高い周波数を有する第２の電力を印
加し、プラズマ放電エネルギにより活性化された粒子で
あるラジカルを、反応室１の内部に残留するフッ素成分
に作用させて反応生成物とし、減圧・除去を行った。以
下に、このプロセス条件を示す。
【００３０】圧力 ： １．０〜６．５〔Ｔｏｒ
ｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第２の電力 ： １００〜８００〔Ｗ〕 基板温度 ： ３００〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜６００〔Ｍｉｌｓ〕 ＮＨ3 ： ５０〜１５００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 ： ５００〜２０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： ５〜６０〔秒〕 ここで上記の還元ガスとしてＮＨ3 のみが好ましくは用
いられる。
ｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第２の電力 ： １００〜８００〔Ｗ〕 基板温度 ： ３００〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜６００〔Ｍｉｌｓ〕 ＮＨ3 ： ５０〜１５００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 ： ５００〜２０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： ５〜６０〔秒〕 ここで上記の還元ガスとしてＮＨ3 のみが好ましくは用
いられる。
【００３１】（窒化膜の成膜プロセス）さらに、上記の
還元ガスおよび反応生成物を減圧・除去し、基板を載置
したまま、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 系の原料ガスを導入
した。これに高周波発振源８から高い周波数を有する第
３の電力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性化
させて、化学結合を分解し、原子または分子のラジカル
とする。これらの活性な粒子間による反応生成物を半導
体基板５の表面に堆積させ窒化膜を形成させた。成膜の
終了後に反応生成物を減圧・除去し、半導体基板５を反
応容器２の外部に搬出した。以下に、このプロセス条件
を示す。
還元ガスおよび反応生成物を減圧・除去し、基板を載置
したまま、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 系の原料ガスを導入
した。これに高周波発振源８から高い周波数を有する第
３の電力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性化
させて、化学結合を分解し、原子または分子のラジカル
とする。これらの活性な粒子間による反応生成物を半導
体基板５の表面に堆積させ窒化膜を形成させた。成膜の
終了後に反応生成物を減圧・除去し、半導体基板５を反
応容器２の外部に搬出した。以下に、このプロセス条件
を示す。
【００３２】圧力 ： ３．０〜６．５〔Ｔｏｒ
ｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第３の電力 ： １００〜１０００〔Ｗ〕 基板温度 ： ３００〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜６００〔Ｍｉｌｓ〕 ＳｉＨ4 ： ５０〜３００〔ＳＣＣＭ〕 ＮＨ3 ： ５０〜３００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 ： ５００〜５０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： １０〜１００〔秒〕 この条件により得られた窒化膜の成膜速度は０．２〜
１．０μｍ／ｍｉｎで、屈折率は１．９〜２．２であっ
た。
ｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第３の電力 ： １００〜１０００〔Ｗ〕 基板温度 ： ３００〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜６００〔Ｍｉｌｓ〕 ＳｉＨ4 ： ５０〜３００〔ＳＣＣＭ〕 ＮＨ3 ： ５０〜３００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 ： ５００〜５０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： １０〜１００〔秒〕 この条件により得られた窒化膜の成膜速度は０．２〜
１．０μｍ／ｍｉｎで、屈折率は１．９〜２．２であっ
た。
【００３３】実施例２ 実施例２のプロセスフローについて図３に示し、各プロ
セスについて以下に説明する。
セスについて以下に説明する。
【００３４】（クリーニングプロセス）反応室１内に、
ＮＦ3 あるいはＮＦ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｏ2 系の反応性ガスを
導入し、これに高周波発振源８から高い周波数を有する
第１の電力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性
化させて、化学的に活性の強い原子または分子のラジカ
ルとし、これらの活性な粒子を反応室１の内部に形成さ
れた堆積物に化学作用させてケミカルドライエッチング
を行った。以下に、好ましいプロセス条件を示す。
ＮＦ3 あるいはＮＦ3 ／Ｎ2 Ｏ／Ｏ2 系の反応性ガスを
導入し、これに高周波発振源８から高い周波数を有する
第１の電力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性
化させて、化学的に活性の強い原子または分子のラジカ
ルとし、これらの活性な粒子を反応室１の内部に形成さ
れた堆積物に化学作用させてケミカルドライエッチング
を行った。以下に、好ましいプロセス条件を示す。
【００３５】 圧力 ： ０．５〜３．０〔Ｔｏｒｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第１の電力 ： ５００〜１２００〔Ｗ〕 基板温度 ： ２５〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜９９９〔Ｍｉｌｓ〕 ＮＦ3 ： １００〜１０００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 Ｏ ： １００〜１０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： ５０〜１５０〔秒〕 ここで上記のＮＦ3 の代わりに、ＣＦ4 およびＣ2 Ｆ6
のいずれか一方が好ましく用いられ、この流量はＮＦ3
と同程度が好ましくは用いられる。
のいずれか一方が好ましく用いられ、この流量はＮＦ3
と同程度が好ましくは用いられる。
【００３６】（第１の還元プロセス）続いて、上記の反
応性ガスおよび反応生成物を減圧・除去し、ＮＨ3 ／Ｎ
2 系の還元ガスを導入した。これに高周波発振源８から
高い周波数を有する第２の電力を印加し、プラズマ放電
エネルギにより活性化された粒子であるラジカルを、反
応室１の内部に残留するフッ素成分に作用させて反応生
成物とし、減圧により除去を行った。ここでＮＨ3 ／Ｎ
2 系の還元ガスの代わりに、ＮＨ3 あるいはＳｉＨ4 ／
Ｎ2 ／ＮＨ3 系のガスが好ましく用いられる。以下に、
このプロセス条件を示す。
応性ガスおよび反応生成物を減圧・除去し、ＮＨ3 ／Ｎ
2 系の還元ガスを導入した。これに高周波発振源８から
高い周波数を有する第２の電力を印加し、プラズマ放電
エネルギにより活性化された粒子であるラジカルを、反
応室１の内部に残留するフッ素成分に作用させて反応生
成物とし、減圧により除去を行った。ここでＮＨ3 ／Ｎ
2 系の還元ガスの代わりに、ＮＨ3 あるいはＳｉＨ4 ／
Ｎ2 ／ＮＨ3 系のガスが好ましく用いられる。以下に、
このプロセス条件を示す。
【００３７】 圧力 ： １．０〜６．５〔Ｔｏｒｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第２の電力 ： １００〜８００〔Ｗ〕 基板温度 ： ３００〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜６００〔Ｍｉｌｓ〕 ＳｉＨ4 ： ５０〜３００〔ＳＣＣＭ〕 ＮＨ3 ： ５０〜１５００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 ： ５００〜２０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： ５〜６０〔秒〕 （第２の還元プロセス）さらに、上記の還元ガスおよび
反応生成物を減圧・除去し、反応容器２の外部において
ハロゲンランプにて予め２５〜４００℃に加熱された半
導体基板５を反応容器２内の決められた場所に載置し、
ＮＨ3 あるいはＮＨ3 ／Ｎ2 系の還元ガスを導入した。
これに高周波発振源８から高い周波数を有する第３の電
力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性化された
粒子であるラジカルを、反応室１の内部に残留するフッ
素成分に作用させて反応生成物とし、減圧・除去を行っ
た。以下に、このプロセス条件を示す。
反応生成物を減圧・除去し、反応容器２の外部において
ハロゲンランプにて予め２５〜４００℃に加熱された半
導体基板５を反応容器２内の決められた場所に載置し、
ＮＨ3 あるいはＮＨ3 ／Ｎ2 系の還元ガスを導入した。
これに高周波発振源８から高い周波数を有する第３の電
力を印加し、プラズマ放電エネルギにより活性化された
粒子であるラジカルを、反応室１の内部に残留するフッ
素成分に作用させて反応生成物とし、減圧・除去を行っ
た。以下に、このプロセス条件を示す。
【００３８】 圧力 ： １．０〜６．５〔Ｔｏｒｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第３の電力 ： １００〜８００〔Ｗ〕 基板温度 ： ３００〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜６００〔Ｍｉｌｓ〕 ＮＨ3 ： ５０〜１５００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 ： ５００〜２０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： ５〜６０〔秒〕 （窒化膜の成膜プロセス）さらに、上記還元ガスおよび
反応生成物を減圧・除去し、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 系
の原料ガスを導入した。これに高周波発振源８から高い
周波数を有する第４の電力を印加し、プラズマ放電エネ
ルギにより活性化させて、化学結合を分解し、原子また
は分子のラジカルとする。これらの活性な粒子間による
反応生成物を半導体基板５の表面に堆積させ窒化膜を形
成し、半導体基板５を反応容器２の外部に搬出した。以
下に、このプロセス条件を示す。
反応生成物を減圧・除去し、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 系
の原料ガスを導入した。これに高周波発振源８から高い
周波数を有する第４の電力を印加し、プラズマ放電エネ
ルギにより活性化させて、化学結合を分解し、原子また
は分子のラジカルとする。これらの活性な粒子間による
反応生成物を半導体基板５の表面に堆積させ窒化膜を形
成し、半導体基板５を反応容器２の外部に搬出した。以
下に、このプロセス条件を示す。
【００３９】 圧力 ： ３．０〜６．５〔Ｔｏｒｒ〕 高い周波数 ： １３．５６〔ＭＨｚ〕 第４の電力 ： １００〜１０００〔Ｗ〕 基板温度 ： ３００〜４００〔℃〕 電極間距離 ： １８０〜６００〔Ｍｉｌｓ〕 ＳｉＨ4 ： ５０〜３００〔ＳＣＣＭ〕 ＮＨ3 ： ５０〜３００〔ＳＣＣＭ〕 Ｎ2 ： ５００〜５０００〔ＳＣＣＭ〕 処理時間 ： １０〜１００〔秒〕 この条件により得られた窒化膜の成膜速度は０．２〜
１．０μｍ／ｍｉｎで、屈折率は１．９〜２．２であっ
た。
１．０μｍ／ｍｉｎで、屈折率は１．９〜２．２であっ
た。
【００４０】実施例３ 次に、フッ素化合物クリーニング後に残留するフッ素成
分が、窒素化合物による還元プロセスの有無により、窒
化膜の形成プロセス時にどの程度、残存するかについて
の四重極子質量分析計(Quadrupole mass spectrometer)
を用いた反応容器からの排気の分析をした。具体的に
は、図１に示されるＰＥＣＶＤ装置において、本発明の
好ましい条件にて時系列的に、順次おこなわれるクリー
ニングプロセス、還元プロセスおよび窒化膜の形成プロ
セスのそれぞれにおいて発生する原子または分子をその
排気部においてモニターした。これにより、窒素化合物
のプラズマ処理でフッ素成分がどの程度まで除去される
のかを調べた（図２および３参照；縦軸は強度（相対
値）を表わし、横軸は時間を表わす）。ここで、窒化膜
形成の際に、大きな強度を示すＮ2 スペクトルデ−タを
参考として示した。
分が、窒素化合物による還元プロセスの有無により、窒
化膜の形成プロセス時にどの程度、残存するかについて
の四重極子質量分析計(Quadrupole mass spectrometer)
を用いた反応容器からの排気の分析をした。具体的に
は、図１に示されるＰＥＣＶＤ装置において、本発明の
好ましい条件にて時系列的に、順次おこなわれるクリー
ニングプロセス、還元プロセスおよび窒化膜の形成プロ
セスのそれぞれにおいて発生する原子または分子をその
排気部においてモニターした。これにより、窒素化合物
のプラズマ処理でフッ素成分がどの程度まで除去される
のかを調べた（図２および３参照；縦軸は強度（相対
値）を表わし、横軸は時間を表わす）。ここで、窒化膜
形成の際に、大きな強度を示すＮ2 スペクトルデ−タを
参考として示した。
【００４１】図２は、窒素化合物等の還元ガスによるプ
ラズマ処理の無い場合の分析データである。これによれ
ば窒化膜を形成する初期段階においてＳｉＦ3 のスペク
トル分布に変化がみられ、フッ素成分が存在することが
確認された。
ラズマ処理の無い場合の分析データである。これによれ
ば窒化膜を形成する初期段階においてＳｉＦ3 のスペク
トル分布に変化がみられ、フッ素成分が存在することが
確認された。
【００４２】図３は、窒素化合物であるＮＨ3 を含む還
元ガスによるプラズマ処理がある場合である。これによ
れば、窒化膜を形成する初期段階において、フッ素成分
の存在を示すＳｉＦ3 のスペクトルはみられなかった。
すなわち、ＮＨ3 によるプラズマがフッ素成分の除去に
寄与することが確認された。
元ガスによるプラズマ処理がある場合である。これによ
れば、窒化膜を形成する初期段階において、フッ素成分
の存在を示すＳｉＦ3 のスペクトルはみられなかった。
すなわち、ＮＨ3 によるプラズマがフッ素成分の除去に
寄与することが確認された。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜形成
前処理方法および薄膜形成方法によれば、基板を収容す
る反応容器の内部に形成された反応生成物を含む堆積物
を、フッ素化合物のプラズマに基づく化学エッチングに
よりクリーニングし、残留するフッ素成分およびフッ素
結合は窒素化合物のプラズマに基づき反応し、フッ素成
分を含んだ反応生成物を形成した形で還元・除去される
ので、反応容器の内部表面は活性化される。続いて、基
板上に窒化膜を形成するのでフッ素成分を含んだ窒化膜
が形成されない。したがって、形成された窒化膜は成膜
の初期から終了まで、Ｓｉ−Ｎの結合が強い緻密性の高
い膜質を備えることが可能となり、層間絶縁膜あるいは
パッシベーション膜として使用した場合にも耐湿性に優
れた窒化膜の形成が可能となる。しかも、フッ素成分を
含まない窒化膜は密着性に優れており、下地基板がＡｌ
またはＡｌ合金からなる材質の配線上に形成されても剥
がれ（ピーリング）を生じない。したがって、デバイス
の歩留まりの高い窒化膜の形成が可能となる。この結
果、デバイスの高集積化・高信頼化に対応し得る薄膜形
成前処理方法および薄膜形成方法を提供し得る。
前処理方法および薄膜形成方法によれば、基板を収容す
る反応容器の内部に形成された反応生成物を含む堆積物
を、フッ素化合物のプラズマに基づく化学エッチングに
よりクリーニングし、残留するフッ素成分およびフッ素
結合は窒素化合物のプラズマに基づき反応し、フッ素成
分を含んだ反応生成物を形成した形で還元・除去される
ので、反応容器の内部表面は活性化される。続いて、基
板上に窒化膜を形成するのでフッ素成分を含んだ窒化膜
が形成されない。したがって、形成された窒化膜は成膜
の初期から終了まで、Ｓｉ−Ｎの結合が強い緻密性の高
い膜質を備えることが可能となり、層間絶縁膜あるいは
パッシベーション膜として使用した場合にも耐湿性に優
れた窒化膜の形成が可能となる。しかも、フッ素成分を
含まない窒化膜は密着性に優れており、下地基板がＡｌ
またはＡｌ合金からなる材質の配線上に形成されても剥
がれ（ピーリング）を生じない。したがって、デバイス
の歩留まりの高い窒化膜の形成が可能となる。この結
果、デバイスの高集積化・高信頼化に対応し得る薄膜形
成前処理方法および薄膜形成方法を提供し得る。
【図１】本発明による薄膜形成方法の実施例を説明する
ためのＰＥＣＶＤ装置の概略構成を示す模式断面図であ
る。
ためのＰＥＣＶＤ装置の概略構成を示す模式断面図であ
る。
【図２】本発明による好ましい実施例１のプロセスフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図３】本発明による好ましい実施例２のプロセスフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図４】本発明の実施例３における排気分析のデータを
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の実施例３における排気分析のデータを
示す図である。
示す図である。
１…反応室、２…反応容器、３、４…対向電極、５…半
導体基板、６…配管、７…ヒータ、８…高周波電源、９
…インピーダンスマッチング回路。
導体基板、６…配管、７…ヒータ、８…高周波電源、９
…インピーダンスマッチング回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦田 一男 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 岩崎 直之 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 基板を収容する反応容器内において、フ
ッ素化合物を含む反応性ガスに高い周波数を有する第１
の電力を印加し、プラズマを発生させて反応容器内部を
エッチングするクリーニングステップと、窒素化合物を
含む還元ガスに高い周波数を有する第２の電力を印加
し、プラズマを発生させて前記反応容器内の残留フッ素
成分を除去する還元ステップとを備える薄膜形成前処理
方法。 - 【請求項２】 前記フッ素化合物がＮＦ3 、ＣＦ4 およ
びＣ2 Ｆ6 から選ばれた少なくとも一種類の化合物を含
む請求項１記載の薄膜形成前処理方法。 - 【請求項３】 前記窒素化合物がＮＨ3 である請求項１
又は２記載の薄膜形成前処理方法。 - 【請求項４】 前記反応性ガスがＮ2 ＯおよびＯ2 から
選ばれた少なくとも一種類のガスを含む請求項１、２又
は３記載の薄膜形成前処理方法。 - 【請求項５】 基板を収容する反応容器内において、フ
ッ素化合物を含む反応性ガスに高い周波数を有する第１
の電力を印加し、プラズマを発生させて反応容器内部を
エッチングするクリーニングステップと、窒素化合物を
含む還元ガスに高い周波数を有する第２の電力を印加
し、プラズマを発生させて前記反応容器内の残留フッ素
成分を除去する還元ステップと、原料ガスに高い周波数
を有する第３の電力を印加し、プラズマを発生させて反
応容器内に収容された基板上に反応生成物を堆積させる
成膜ステップとを備える薄膜形成方法。 - 【請求項６】 前記フッ素化合物がＮＦ3 、ＣＦ4 およ
びＣ2 Ｆ6 から選ばれた少なくとも一種類の化合物を含
む請求項５記載の薄膜形成方法。 - 【請求項７】 前記窒素化合物がＮＨ3 である請求項５
又は６記載の薄膜形成方法。 - 【請求項８】 前記反応性ガスがＮ2 ＯおよびＯ2 から
選ばれた少なくとも一種類のガスを含む請求項５、６又
は７記載の薄膜形成方法。 - 【請求項９】 前記原料ガスがＳｉＨ4 、ＮＨ3 および
Ｎ2 から選ばれた少なくとも一種類のガスを含む請求項
５〜８のいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313339A JPH0793276B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313339A JPH0793276B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201738A JPH07201738A (ja) | 1995-08-04 |
| JPH0793276B2 true JPH0793276B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=18040060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5313339A Expired - Fee Related JPH0793276B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793276B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6355571B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device |
| US20010049181A1 (en) * | 1998-11-17 | 2001-12-06 | Sudha Rathi | Plasma treatment for cooper oxide reduction |
| WO2001042529A1 (en) | 1999-12-09 | 2001-06-14 | Tokyo Electron Limited | METHOD FOR FORMING TiSiN FILM, DIFFUSION PREVENTIVE FILM COMPRISING TiSiN FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD, AND APPARATUS FOR FORMING TiSiN FILM |
| JP3657942B2 (ja) | 2003-01-16 | 2005-06-08 | 沖電気工業株式会社 | 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP5241499B2 (ja) | 2006-09-19 | 2013-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマクリーニング方法、プラズマｃｖｄ方法、およびプラズマ処理装置 |
| JP5084343B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2012-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN103650169A (zh) * | 2011-07-27 | 2014-03-19 | 夏普株式会社 | 含硅薄膜的制造方法 |
| CN105448659A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种提高清洗效率的方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5749221A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma gas phase method |
| JPH02240267A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Fujitsu Ltd | Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法 |
| JPH03130368A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-06-04 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハプロセス装置の洗浄方法 |
| JPH04323377A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-12 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| JPH05129285A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05152256A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | ドライクリーニング方法 |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP5313339A patent/JPH0793276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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| JPS5749221A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma gas phase method |
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| JPH05129285A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07201738A (ja) | 1995-08-04 |
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