KR100260775B1 - 플라즈마처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판전극과 카운터 전극 사이에 고주파전압을 인가시켜 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼상에 이산화실리콘막을 형성하기 위해 플라즈마 CVD 처리후 플라즈마 처리장치를 플라즈마 에칭세정 하는데 있어서, 기판전극이 주변 외주부를 피복하도록 놓인 탄화실리콘 절연덮개를 가지며, 카운터전극이 접지되며, 탄화불소 가스가 챔버로 도입되며, 기판전극은 고주파전원이 공급되어 챔버에칭을 실시하여 플라즈마 CVD 처리에 의해 챔버내에 형성된 바람직하지 않은 이산화실리콘을 제거한다.

Description

플라즈마 처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 플라즈마 처리장치의 플라즈마 에칭세정방법 또는 챔버에칭방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스의 제조시 박막을 형성하는 것으로는, CVD (화학적 증기증착) 법이 알려져 있다. 또한, 극초 LSI (대규모 집적회로) 와 같은 고집적회로를 다루기 위해, 양질의 이산화실리콘층과 같은 신뢰성 있는 절연 박막 또는 층의 형성에, 플라즈마 CVD 법을 사용하고 있다. 플라즈마 CVD 처리는 플라즈마 처리장치를 사용하여 수행한다.
플라즈마 처리장치는 기판전극, 및 챔버내에서 소정의 간격을 두고 기판전극과 대면하는 카운터전극을 구비한다. 웨이퍼는 기판전극 표면상에 배치되어 지지된다. 기판전극에는 그 기판전극의 주변 외주부를 피복하는 절연덮개가 설치된다. 챔버에 실란 반응가스를 도입하고, 기판전극을 접지시키는 동안에 고주파 전력을 카운터전극에 인가한다. 즉, 두 기판사이에 글로우 방전을 발생시켜 고도로 여기된 반응가스의 플라즈마를 발생시킨다. 그 결과, 웨이퍼상에 이산화실리콘막이 효율적으로 증착되지만, 전극의 주변 부품, 특히 기판전극의 절연덮개상에 반응 부산물이 바람직하지 않은 실리콘층으로서 부착되게 된다.
다양한 웨이퍼상에 산화실리콘막을 형성하기 위해, 플라즈마 CVD 장치를 반복 사용한 후, 점착된 반응 부산물이 축적되어 두꺼운 이산화실리콘층을 형성하므로, 바람직하지 않은 산화실리콘막이 박리되어, 플라즈마 방전을 방해하게 된다.
그러므로, 소정수의 웨이퍼상에 산화실리콘층을 형성하는데 플라즈마 처리장치를 사용한 후에는, 플라즈마 처리장치를 플라즈마 에칭 또는 챔버에칭 처리를 행하여, 챔버내의 부품, 특히 기판전극과 그 기판전극의 절연덮개를 세정하여야 한다.
챔버에칭은 실란 반응가스 대신에 탄화불소가스를 챔버내로 도입하여 플라즈마 처리를 행함으로써 이루어진다. 불화탄소, 예를 들면 CF4는 이산화실리콘과 반응하여 SiF4및 CO2를 형성한 후, 가스 배출구를 통해 챔버외부로 배출된다. 즉, 바람직하지 않은 산화실리콘을 제거한다.
그러나, 반복적인 플라즈마 CVD 처리 후에, 기판전극의 절연덮개에 증착된 이산화실리콘이 박리됨으로써, 플라즈마 처리장치에 입자가 발생하게 된다. 여기서, 절연덮개는 통상 알루미나 (Al2O3) 로 제조된다.
이러한 반복적인 CVD 처리 후에 발생하는 입자의 문제점을 해결하기 위해, JP-A-2 70066 호는 절연덮개로서 탄화실리콘 (SiC) 을 사용할 것을 제안하고 있다. 이 JP-A-2 70066 호에 따르면, Al2O3절연덮개가 CF4와 반응하여 챔버에칭동안 절연덮개 상에 AlF3가 증착된다. 그 후, 플라즈마 증착이 반복되어 이산화실리콘층의 두께가 증가하면, AlF3의 표면에너지가 작기 때문에, 박리되어 바람직하지 않은 입자를 발생시킨다. 한편, SiC 는 CF4와 반응하여 SiF4및 CO2를 형성한 후, 가스 배출구를 통해 챔버외부로 배출된다.
이 JP-A-2 70066 호에 따르면, 플라즈마 CVD 처리 및 챔버에칭 동안에 기판전극을 접지한다. 그러므로, CVD 처리 동안에 바람직하지 않은 산화실리콘이 절연덮개 상에, 카운터전극에 비해, 다량 증착되지만, 챔버에칭시 절연덮개 상의 바람직하지 않은 산화실리콘이 카운터전극상의 것에 비해 쉽게 에칭되지 않게 된다. 따라서, 절연덮개 상의 바람직하지 않은 산화실리콘의 에칭시에 많은 시간이 소요된다는 문제점이 여전히 남아 있다.
챔버에칭의 에칭속도를 향상시키고 플라즈마 처리장치의 보수작업 횟수를 감소시키기 위해, 플라즈마 CVD 처리동안 형성된 산화실리콘막 대 SiC 의 에칭 선택비를 향상시키는 것이 필요하다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 과도에칭으로 인한 절연덮개의 열화 가능성이 없고 입자를 발생시키지 않으면서도 짧은 세정시간으로 플라즈마 처리장치를 챔버에칭에 의해 세정하는 방법을 제공하는데 있다.
도 1 은 종래 플라즈마 처리장치의 개략단면도.
도 2 는 본 발명의 실시예 1 에 따른 플라즈마 처리장치의 개략단면도.
도 3 은 본 발명의 실시예 2 에 따른 플라즈마 처리장치의 개략단면도.
도 4 는 기판전극을 접지시킨 경우와 비교한, 챔버에칭동안 기판전극을 전원에 접속하는 경우의 절연덮개상의 SiO2의 에칭속도를 나타낸 도면.
도 5 는 서로 다른 가스, CF4가스, SF6가스 및 NF3가스를 사용하여 챔버에칭하는 동안 SiO2막과 SiC 에 대한 에칭선택비를 나타낸 도면.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전원 2 : 기판전극
3 : 혼 (카운터전극) 4, 5 : 제 1 및 제 2 자석
6 : 절연덮개 7 : 가스 도입구
8 : 플라즈마 챔버 9 : 가스 배출구
본 발명은 플라즈마 처리장치의 챔버에칭 방법을 제공한다. 상기 장치는
시료 웨이퍼를 지지하는 기판전극;
기판전극의 주변 외주부를 피복하도록 배치된 탄화실리콘의 절연덮개, 및
챔버 내에 기판전극과 대면하는 카운터전극을 구비하되,
챔버내에서 플라즈마 반응가스를 사용한 CVD 처리에 의해 웨이퍼상에 이산화실리콘층이 형성되며, 또한 절연덮개 및 전극을 포함한, 챔버내 부품 표면상에도 이산화실리콘층이 바람직하지 않은 이산화실리콘층으로서 형성된다.
본 발명은, 이러한 부품 표면상의 바람직하지 않은 이산화실리콘층을 제거하기 위한 것으로,
기판전극을 고주파 전원에 접속시키는 단계;
챔버에 불화탄소 가스를 도입하는 단계; 및
챔버에칭을 행하여 바람직하지 않은 이산화실리콘층을 제거하기 위하여, 고주파전원으로부터 기판전극에 고주파 전력을 공급하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일태양에 따르면, 플라즈마 CVD 처리에 의해 웨이퍼상에 이산화실리콘층을 형성하는데 사용하며 챔버에칭을 실시하기에 적당한 플라즈마 처리장치가 얻어진다.
이 장치는, 플라즈마 CVD 처리 동안에는 반응가스가 도입되어 이산화실리콘을 형성하고 챔버에칭동안에는 불화탄소가스를 도입하는 가스 도입용 가스 도입구와, 배출가스를 배출하기 위한 가스 배출구를 갖는 챔버;
챔버 외부에 노출된 기판전극 단자를 가지며 챔버내에서 고정된 기판전극으로서, 플라즈마 CVD 처리 동안 웨이퍼가 기판전극의 표면 중앙부에 배치되어 지지되는, 기판전극;
기판전극의 주변 외주부에 고정된 탄화실리콘 절연덮개;
소정의 간격을 두고 기판전극과 대면하며 챔버 외부에 노출된 카운터전극 단자를 갖는 카운터전극;
고주파 전기에너지를 공급하는 전원; 및
기판전극 단자와 카운터전극 단자 중 한 단자를 전원에 접속하고 나머지 전극단자를 접지시키는 전원 스위칭수단을 구비하고,
플라즈마 CVD 처리동안에는 전원으로 카운터전극에 고주파 전기에너지를 공급하고, 반면에 챔버에칭동안에는 전원으로 기판전극에 고주파 전기에너지를 공급한다.
본 발명의 또다른 태양에 따르면, 플라즈마 CVD 처리에 의해 웨이퍼상에 이산화실리콘을 형성하는데 사용하며 챔버에칭방법을 실시하기에 적당한 플라즈마 처리장치가 얻어진다. 이 장치는
플라즈마 CVD 처리 동안에는 반응가스를 도입하여 이산화실리콘을 형성하고, 챔버에칭 동안에는 탄화불소 가스를 도입하는 가스 도입용 가스 도입구와, 배출가스를 배출하기 위한 가스 배출구를 갖는 챔버;
챔버의 외부에 노출된 기판전극 단자를 가지며 챔버내에 고정되는 기판전극으로서, 플라즈마 CVD 처리 동안에 웨이퍼가 기판전극의 표면 중앙부에 놓여서 지지되는, 기판전극;
기판전극의 주변 외주부에 고정된 탄화실리콘 절연덮개;
소정의 간격을 두고 기판전극과 대면하며, 챔버 외부에 노출된 카운터전극 단자를 갖는 카운터전극;
제 1 고주파 전기에너지를 공급하는 제 1 전원;
제 2 고주파 전기에너지를 공급하는 제 2 전원;
플라즈마 CVD 처리 동안에는 기판전극단자를 접지에 접속시켜 기판전극을 접지시키고, 챔버에칭동안에는 기판전극 단자를 제 1 전원에 접속하는 제 1 전원 스위칭수단; 및
플라즈마 CVD 처리 동안에는 제 2 전원을 카운터전극에 접속시키고, 챔버에칭 동안에는 카운터전극단자를 접지에 접속시켜 카운터단자를 접지시키는 제 2 전원 스위칭수단을 포함한다.
상기 장치에서, 카운터전극은 탄화실리콘으로 형성된 외주부를 가질 수도 있다.
상기 장치는 혼 (horn) 형 카운터전극을 갖는 전자 사이클로트론 공명형 일 수도 있다.
상기 장치는 기판전극과 카운터전극이 서로 평행하게 놓인 평행 평판전극형일 수 있다.
본 발명의 실시예의 설명에 앞서, 도 1 을 참조하여 JP-A-2 70066 호에 기재된 플라즈마 처리장치에 대해 설명한다.
도 1 을 참조하면, RF 전원 (41) 에 샤워전극 (카운터전극 : 42) 이 접속되어 있으며 서셉터 (기판측 전극 : 43) 는 접지된다. 그 서셉터 (43) 에 웨이퍼 (44) 가 놓이며 그 서셉터 (43) 의 외주부는 SiC 로 이루어진 절연덮개 (45) 로 피복된다. 절연링 (46) 은 필요할 경우 SiC 로 이루어진다. 그 절연링 (46) 에는, 장치의 챔버로 반응가스를 도입하기 위하여, 가스 도입구 (47) 가 형성되어 있다. 이 플라즈마 처리장치는, 절연덮개로 SiC 를 사용하여 다수의 웨이퍼에 대해 플라즈마 CVD 처리를 행한 후에도, 절연덮개 상에 증착된 산화실리콘층이 쉽게 박리되지 않는다. 그러나, 기판전극의 절연덮개로서 SiC 를 사용하는 것은 종래기술에 설명한 바와 같은 단점을 여전히 갖고 있다.
이하, 본 발명의 실시예 1 에 따른 플라즈마 처리장치를, 도 2 를 참조하여, 설명한다.
도 2 를 참조하면, 여기에 도시된 플라즈마 처리장치는 ECR (전자 사이클로트론 공명) 형이다.
이 ECR 형 플라즈마 처리장치는 전원 (1), 기판전극 (2), SiC 로 이루어지며 기판전극 (2) 의 외주부를 피복하도록 구성된 절연덮개 (6), 및 혼 (카운터전극 : 3) 을 구비한다. 기판전극 (2), 혼 (3), 및 절연덮개 (6) 는 플라즈마 챔버 (8) 내에 배치된다. 챔버 (8) 의 외부에는, 자기장을 제어하기 위하여 제 1 자석 (4) 및 제 2 자석 (5) 이 제공된다. 가스 도입구 (7) 가 챔버 (8) 로 가스를 도입하기 위하여 제공되며, 배출가스 배출구 (9) 가 챔버 (8) 외부로 배출가스를 배출시키기 위하여 제공된다.
혼 (3) 을 전원 (1) 에, 및 기판전극에 접지시킨 플라즈마 처리장치를 사용하여, 웨이퍼상에 이산화실리콘 (SiO2) 을 형성한 후, 상기 장치를 세정하기 위하여, 다른 웨이퍼를 올려놓지 않고 챔버에칭을 수행한다.
챔버에칭시, 가스 도입구 (7) 를 통해 가스를 챔버 (8) 로 도입하고, 예를 들면 2.45 ㎓ 의 마이크로파를 2.0 ㎾ 의 마이크로파 전력하에서 혼으로부터 챔버 (8) 로 도입하고, 1.5 ㎾ 에서 13.56 ㎒ 의 바이어스를 혼 (3) 과 기판전극 (2) 을 통해 인가하여, 챔버에칭을 수행한다.
이 챔버에칭은 서로 다른 조건에서 행하였다.
여기서, 절연덮개 (6) 상의 SiO2막의 에칭속도를 두가지 경우에 대해 측정하였다. 한 경우는, 도 2 에 도시된 바와 같이, 기판전극 (2) 을 챔버 (8) 의 외부에 노출된 단자를 통해 전원 (1) 에 접속하고, 혼 (3) 을 챔버 (8) 의 외부에 노출된 단자를 통해 접지한다. 다른 경우는, 혼 (3) 을 전원 (1) 에 접속하고 기판전극 (2) 을 접지시킨다. 이 측정 결과를 도 4 에 나타내었다.
도 4 로부터, 기판전극 (2) 을 전원 (1) 에 접속하여 전원 기판전극으로서 사용한 경우에는 절연덮개 (6) 상의 SiO2막이 에칭되어 제거되지만, 기판전극을 접지시켜 접지된 기판전극으로서 사용한 경우에는 거의 제거되지 않음을 알 수 있다.
다음으로, 전원 기판전극으로서 기판전극 (2) 을 사용하여, 약 100 sccm 의 속도로 도입된 3가지 다른 가스, 즉, CF4, SF6및 NF3에 대해 챔버에칭을 수행한다. 각 가스의 사용시, 절연덮개 (6) 의 SiO2대 SiC 의 에칭선택비를 측정하였다. 그 결과를 도 5 에 나타내었다.
도 5 로부터, CF4로 에칭을 수행할 경우에 에칭선택비가 높고, SF6및 NF3으로 에칭을 수행할 경우에는 에칭 선택비가 낮음을 명확히 알 수 있다.
불화탄소계 가스를 에칭 작업시에 사용하는 경우, SiO2가 불화탄소의 불소와 반응하여 실온에서 가스상태인 SiF4를 방출하고, 또한 탄소와 반응하여 CO2를 방출한다. 즉, SiO2가 효과적으로 제거된다.
한편, SiC 는 불화탄소의 불소와 반응하여 SiF4를 방출하지만 SiC 에 C 가 존재하기 때문에 불화탄소의 탄소는 반응하지 않는다. 그러므로, SiC 의 에칭이 효과적으로 진행되지 않는다. 그 결과, 기판전극의 SiC 로 이루어진 외주부가 과도 에칭에 의해서도 열화되지 않아, 플라즈마 처리장치를 입자발생이 적게 사용할 수 있다.
본 발명의 실시예 1 에서는, 혼 (카운터전극) 의 외주부를, 가능하다면 SiC 로 형성할 수도 있다.
이상 본 발명의 실시예 1 은 ECR 형 플라즈마 처리장치와 결합하여 설명하였다. 또한, 본 발명은 기판전극과 카운터전극이 평평하고 서로 평행하게 배치된 평행 전극형태의 플라즈마 처리장치에도 적용할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 실시예 2 를, 도 3 을 참조하여 설명한다.
도 3 을 참조하면, 도시된 플라즈마 처리장치는 병렬전극형이다. 플라즈마 처리장치는 또한 전원전극 및 접지전극을 스위칭하는 기능을 제공하는 것을 특징으로 한다.
플라즈마 처리장치는 제 1 RF 전원 (21), 샤워전극 (카운터전극 : 22), 샤워전극 (22) 을 제 1 RF 전원 (21) 또는 접지에 접속하는 제 1 전환스위치 (28), 웨이퍼 (24) 를 지지하는 서셉터 (기판전극 : 23), SiC 로 형성되며 서셉터 (23) 에 근접하여 배치된 절연덮개 (25), 제 2 전원 (26), 서셉터 (23) 를 제 2 RF 전원 (26) 또는 접지에 접속하는 제 2 전환스위치 (29), 챔버에 가스를 도입하기 위한 가스 도입구 (27), 및 챔버외부로 배출가스를 방출하기 위한 가스 배출구 (30) 를 구비한다.
실시예 2 에 따른 플라즈마 처리장치를 사용하여 웨이퍼 (24) 상에 이산화실리콘막을 형성하기 위해, 제 2 전환스위치 (29) 를 B 측으로 돌려서 서셉터 (기판전극 : 23) 를 접지에 접속하고, 제 1 전환스위치를 B 측으로 돌려서 샤워전극 (22) 을 제 1 RF 전원 (21) 에 접속한다. 가스 도입구 (27) 를 통해 실란 반응가스를 도입하여 이산화실리콘의 증착을 실시한다.
웨이퍼상에 이산화실리콘이 형성되지만, 기판전극 이외의 모든 부품의 SiC 로 된 절연덮개 (25) 상에도 대부분 증착된다.
그후, 플라즈마 처리장치의 챔버에칭을 실시하기 위해, 제 1 전환스위치 (28) 를 A 측 방향으로 돌려서 샤워전극 (22) 을 접지시키고, 제 2 전환스위치 (29) 를 A 측 방향으로 돌려서 서셉터 (기판전극) 를 제 2 RF 전원 (26) 에 접속한다.
그후, CF4를 50 내지 200 sccm 으로 가스 도입구 (27) 를 통해 챔버로 유입시키고, 서셉터 (23) 에 13.56 ㎑ 의 RF 바이어스를 인가하여 0.1 ~ 1 Torr 범위 내의 압력하에서 챔버에칭을 수행한다. SiC 로된 절연덮개 (25) 상에서 이산화실리콘의 에칭속도가 높아, 전체 에칭효율을 향상시킬 수 있다. 또한, CF4가스를 에칭가스로서 사용하기 때문에, SiC 대한 SiO2의 에칭선택비가 높아 SiC 로 이루어진 부품들이 거의 열화되지 않는다. 따라서, 과도에칭의 정도를 약간 초과하게 설정함으로써, 챔버에칭 세정후 장치를 사용하는 동안에 입자가 발생하는 것을 거의 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예 2 에서는, 2 개의 전원을 사용한다. 그러나, 장치는 챔버에칭과 CVD 처리를 위해 1 개의 전원을 사용하여 동작될 수 있음을 알 수 있다. 이때, 1 개의 전원을 기판전극과 카운터전극 중 한 전극에 선택적으로 접속한다.
또한, 본 발명의 실시예 2 에서는, 샤워전극 (카운터전극 : 22) 의 외주부를 SiC 로 형성할 수도 있다.
또, 도 2 의 전원 스위칭회로는 ECR 형 플라즈마 처리장치에 적용할 수 있음을 알 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예 1 및 2 를, 에칭시 CF4를 사용하여 설명하였다. 이 대신에, 예를 들면 C2F6가스 및 C3F8가스와 같은 다른 불화탄소계 가스를 사용할 수도 있다. 이는 동작모드에 영향을 미치지 않는다.
또, C 의 증착을 억제키 위해, 에칭가스에 소량의 O2가스를 첨가할 수도 있다.
예를 들면, SiC 의 에칭속도를 낮추기 위해, CF4의 양에 따라 많아야 50 % 정도의 H2가스를 CF4가스에 합칠 경우, 그 혼합 생성물이 HF 를 형성하여, 결국 CxFy의 흡수를 증대시켜, SiO2막과 SiC 막에 대한 에칭선택비를 향상시키게 된다.
본 발명의 실시예들에서는, 도입될 가스의 양과 같은 양적인 인자를 설명을 위해 특정 수치로 설명하였다. 그러나, 이들 실시예에 의해 본 발명이 한정되지 않는다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 챔버에칭의 작업 준비시에 기판측 전극을 전원에 접속하여 기판전극을 전원기판전극으로 변환함으로써, 챔버에칭 시간을 단축시키고, 이에 의해, 접지된 기판전극으로 변환한 경우에 비해, 기판전극 주변부의 에칭속도를 증대시킬 수 있다.
CVD 처리동안 증착된 막을 SiO2막으로 제한하고, 동시에 챔버에칭에 사용될 가스를 불화탄소계 가스로 제한함으로써, SiC 막에 대한 SiO2막의 에칭선택비를 향상시킬 수 있다. 즉, 챔버에칭 동작이 수회 반복하는 경우에도 기판전극의 주변부가 쉽게 열화되지 않아 돌발상황의 발생을 억제할 수 있다.
장치의 보수 횟수의 감소과 입자 발생의 감소로 수율 증대에 기여할 수 있다.

Claims (8)

  1. 챔버내에서 플라즈마 반응가스를 사용하여 CVD 처리에 의해 웨이퍼상에 이산화실리콘층을 형성한 후, 절연덮개 및 전극을 구비하는 상기 챔버내 부품상에도 상기 이산화실리콘층이 원하지 않는 실리콘층으로서 형성되어지는 플라즈마 처리장치에서, 어떤 웨이퍼가 상기 챔버내에 있을 때 상기 챔버로부터 상기 웨이퍼를 꺼내고, 기판전극을 고주파 전원에 접속시키고 카운터 전극을 접지시킨 후, 상기 챔버내로 불화탄소를 도입하여 고주파 전원으로부터 상기 기판전극에 고주파 전력을 공급함으로써, 상기 챔버내의 부품 표면상에 원하지 않는 이산화실리콘층을 제거하기 위한 챔버에칭 방법에 사용하기 위한 장치로서,
    플라즈마 CVD 동안에는 반응가스를 도입하여 이산화실리콘층을 형성하고 상기 챔버에칭 동안에는 불화탄소가스를 도입하는 가스 도입용 가스 도입구와, 배출가스를 방출하기 위한 가스 배출구를 갖는 챔버;
    상기 챔버 외부에 노출된 기판전극단자를 갖고 상기 챔버내에 고정된 기판전극으로서, 플라즈마 CVD 처리 동안 웨이퍼가 기판전극의 표면 중앙부에 배치되어 지지되는, 기판전극;
    상기 기판전극의 주변 외주부에 고정된 탄화실리콘 절연덮개;
    소정의 간격을 두고 상기 기판전극에 대면하며 상기 챔버 외부에 노출된 카운터전극 단자를 갖는 카운터전극;
    고주파 전기에너지를 공급하는 전원; 및
    상기 기판전극단자와 상기 카운터전극단자 중 한 단자를 상기 전원에 접속하고 나머지 전극단자를 접지시켜, 상기 플라즈마 CVD 처리동안에는 상기 전원이 상기 카운터전극에 상기 고주파 전기에너지를 공급하고, 상기 챔버에칭 동안에는 상기 전원이 상기 기판전극에 상기 고주파 전기에너지를 공급하는 전원 스위칭수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 처리에 의해 웨이퍼상에 이산화실리콘층을 형성할 때 사용되는 플라즈마 처리장치.
  2. 챔버내에서 플라즈마 반응가스를 사용하여 CVD 처리에 의해 웨이퍼상에 이산화실리콘층을 형성한 후, 절연덮개 및 전극을 구비하는 상기 챔버내 부품상에도 상기 이산화실리콘층이 원하지 않는 실리콘층으로서 형성되어지는 플라즈마 처리장치에서, 어떤 웨이퍼가 상기 챔버내에 있을 때 상기 챔버로부터 상기 웨이퍼를 꺼내고, 기판전극을 고주파 전원에 접속시키고 카운터 전극을 접지시킨 후, 상기 챔버내로 불화탄소를 도입하여 고주파 전원으로부터 상기 기판전극에 고주파 전력을 공급함으로써, 상기 챔버내의 부품 표면상에 원하지 않는 이산화실리콘층을 제거하기 위한 챔버에칭 방법에 사용하기 위한 장치로서,
    플라즈마 CVD 처리 동안에는 반응가스를 도입하여 상기 이산화실리콘을 형성하고 챔버에칭동안에는 불화탄소가스를 도입하는 가스 도입용 가스 도입구와, 배출가스를 방출하기 위한 가스 배출구를 갖는 챔버;
    상기 챔버 외부에 노출된 기판전극단자를 갖고 상기 챔버내에 고정된 기판전극으로서, 플라즈마 CVD 처리동안에 웨이퍼가 상기 기판전극의 표면 중앙부에 배치되어 지지되는, 기판전극;
    상기 기판전극의 주변 외주부에 고정된 탄화실리콘 절연덮개;
    소정의 간격을 두고 상기 기판전극에 대면하며 상기 챔버외부에 노출된 카운터전극단자를 갖는 카운터전극;
    제 1 고주파 전기에너지를 공급하는 제 1 전원;
    제 2 고주파 전기에너지를 공급하는 제 2 전원;
    상기 플라즈마 CVD 처리동안에는 상기 기판전극단자를 상기 접지에 접속하여 상기 기판전극을 접지하고 상기 챔버에칭동안에는 상기 제 1 전원을 상기 기판전극단자에 접속하는 제 1 전원 스위칭수단; 및
    상기 플라즈마 CVD 처리동안에는 상기 제 2 전원을 상기 카운터전극에 접속하고 상기 챔버에칭동안에는 상기 카운터전극 단자를 접지에 접속하여 상기 카운터전극단자를 접지하는 제 2 전원 스위칭수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 처리에 의해 웨이퍼상에 이산화실리콘층을 형성할 때 사용하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 카운터전극은 탄화실리콘으로 형성된 외주부를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 혼형의 카운터전극을 갖는 전자 사이클로트론 공명형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판전극 및 상기 카운터전극은 서로 평행하게 배치된 평행 평판전극으로, 평행 전극형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 카운터전극은 탄화실리콘으로 형성된 외주부를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 장치는 혼형의 카운터전극을 갖는 전자 사이클로트론 공명형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판전극 및 상기 카운터전극은 서로 평행하게 배치된 평행 평판전극으로, 평판전극형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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