JP2972786B2 - ドライエッチング用ガス - Google Patents
ドライエッチング用ガスInfo
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- etching
- etching gas
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング用
ガス及びそれを用いる半導体材料の加工方法に関するも
のである。
ガス及びそれを用いる半導体材料の加工方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣの製造において、ドライエッチング
技術は微細パターンの形成を可能にしたため、ウエット
エッチングに代わって、超ＬＳＩ等の製造に使用されて
いる。半導体材料、例えば、二酸化シリコン（以下、Ｓ
ｉＯ2とも記す）のドライエッチングにおいては、その
下地となるシリコン（以下、Ｓｉとも記す）やポリシリ
コン（以下、ＰｏｌｙＳｉとも記す）に対するＳｉＯ2
のエッチング速度比を充分に大きくするために、エッチ
ング用ガスとしては、ＣＦ4とＨ2との混合ガス、ＣＨＦ
3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8又はこれらの混合ガスが用
いられている。しかしながら、ドライエッチング用ガス
成分として用いられている前記ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ
2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8等の含フッ素ガスは、いずれも、大気中で
長寿命で地球温暖化係数が大きく、大気中に放出される
と長期間分解しないで滞留し、温室効果ガス（以下ＧＨ
Ｇとも記す）として地球の温暖化に寄与する。地球温暖
化は、現在騒がれている数ある地球環境問題の中でも最
大の問題であり、その防止のために１９９２年に気候変
動枠組み条約が採択され、現在同条約の締約国会議にお
いて、ＧＨＧの具体的な規制の方法及びそのスケジュー
ル化が議論されている。このような地球温暖化問題に対
応するために、各種のＧＨＧの放出削減対策が検討さ
れ、多くの代替技術の開発が進められている。しかし、
半導体材料のエッチング用ガスの代替品については、有
効な代替物は見い出されていない。そのため現在の対応
策はエッチング使用後の排出ガスを分解することによ
り、大気中へのＧＨＧの放出を抑制する方法が主流とな
っている。
技術は微細パターンの形成を可能にしたため、ウエット
エッチングに代わって、超ＬＳＩ等の製造に使用されて
いる。半導体材料、例えば、二酸化シリコン（以下、Ｓ
ｉＯ2とも記す）のドライエッチングにおいては、その
下地となるシリコン（以下、Ｓｉとも記す）やポリシリ
コン（以下、ＰｏｌｙＳｉとも記す）に対するＳｉＯ2
のエッチング速度比を充分に大きくするために、エッチ
ング用ガスとしては、ＣＦ4とＨ2との混合ガス、ＣＨＦ
3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8又はこれらの混合ガスが用
いられている。しかしながら、ドライエッチング用ガス
成分として用いられている前記ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ
2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8等の含フッ素ガスは、いずれも、大気中で
長寿命で地球温暖化係数が大きく、大気中に放出される
と長期間分解しないで滞留し、温室効果ガス（以下ＧＨ
Ｇとも記す）として地球の温暖化に寄与する。地球温暖
化は、現在騒がれている数ある地球環境問題の中でも最
大の問題であり、その防止のために１９９２年に気候変
動枠組み条約が採択され、現在同条約の締約国会議にお
いて、ＧＨＧの具体的な規制の方法及びそのスケジュー
ル化が議論されている。このような地球温暖化問題に対
応するために、各種のＧＨＧの放出削減対策が検討さ
れ、多くの代替技術の開発が進められている。しかし、
半導体材料のエッチング用ガスの代替品については、有
効な代替物は見い出されていない。そのため現在の対応
策はエッチング使用後の排出ガスを分解することによ
り、大気中へのＧＨＧの放出を抑制する方法が主流とな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は地球温暖化等
の地球環境の問題を生じることのないドライチング用ガ
ス及びそれを用いる半導体材料の加工方法を提供するこ
とをその課題とする。
の地球環境の問題を生じることのないドライチング用ガ
ス及びそれを用いる半導体材料の加工方法を提供するこ
とをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、炭素とフッ素と水
素と酸素より構成され、炭素数２〜６のハイドロフルオ
ロエーテルを用いることにより前記課題を解決し得るこ
とを見い出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発
明によれば、炭素、フッ素、水素及び酸素から構成さ
れ、炭素数２〜６のハイドロフルオロエーテルからなる
ドライエッチング用ガスが提供される。また、本発明に
よれば、前記ドライエッチング用ガスをプラズマ化して
得られるプラズマガスを用いて半導体材料を加工するこ
とを特徴とする半導体材料の加工方法が提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、炭素とフッ素と水
素と酸素より構成され、炭素数２〜６のハイドロフルオ
ロエーテルを用いることにより前記課題を解決し得るこ
とを見い出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発
明によれば、炭素、フッ素、水素及び酸素から構成さ
れ、炭素数２〜６のハイドロフルオロエーテルからなる
ドライエッチング用ガスが提供される。また、本発明に
よれば、前記ドライエッチング用ガスをプラズマ化して
得られるプラズマガスを用いて半導体材料を加工するこ
とを特徴とする半導体材料の加工方法が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いるドライエッチング
用ガスは、炭素、フッ素、水素及び酸素から構成され、
炭素数２〜６のハイドロフルオロエーテルである。この
ハイドロフルオロエーテルにおいて、その沸点は８０℃
以下、好ましくは２０℃以下である。本発明者らは、こ
のハイドロフルオロエーテルの原子組成とエッチング効
果との関係について検討を加えたところ、下記式（１）
を満足するものがすぐれたエッチング効果を示すことを
見出した。 ［Ｃ］／（［Ｆ］＋［Ｏ］−［Ｈ］）＜０．８ （１） 前記式［Ｃ］／（［Ｆ］＋［Ｏ］−［Ｈ］）の好ましい
値Ｒは、０．７〜０．４、より好ましくは０．６〜０．
４の範囲である。前記式の値Ｒが０．８以上になると、
エッチングに際し、半導体表面に堆積するフルオロカー
ボン重合膜量が多くなり、半導体材料のエッチング阻害
が起きるようになる。本発明で好ましく用いられるハイ
ドロフルオロエーテルの具体例を示すと、例えば、ＣＨ
Ｆ2ＯＣＦ3（Ｒ＝０．４）、ＣＦ3ＣＨＦＯＣＦ3（Ｒ＝
０．４３）、ＣＦ3ＣＨＦＯＣＦ3（Ｒ＝０．４３）、Ｃ
ＨＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ3（Ｒ＝０．４４）等が挙げられ
る。本発明で用いるドライエッチング用ガスは、プラズ
マ化してプラズマガスとして被加工物に適用される。
用ガスは、炭素、フッ素、水素及び酸素から構成され、
炭素数２〜６のハイドロフルオロエーテルである。この
ハイドロフルオロエーテルにおいて、その沸点は８０℃
以下、好ましくは２０℃以下である。本発明者らは、こ
のハイドロフルオロエーテルの原子組成とエッチング効
果との関係について検討を加えたところ、下記式（１）
を満足するものがすぐれたエッチング効果を示すことを
見出した。 ［Ｃ］／（［Ｆ］＋［Ｏ］−［Ｈ］）＜０．８ （１） 前記式［Ｃ］／（［Ｆ］＋［Ｏ］−［Ｈ］）の好ましい
値Ｒは、０．７〜０．４、より好ましくは０．６〜０．
４の範囲である。前記式の値Ｒが０．８以上になると、
エッチングに際し、半導体表面に堆積するフルオロカー
ボン重合膜量が多くなり、半導体材料のエッチング阻害
が起きるようになる。本発明で好ましく用いられるハイ
ドロフルオロエーテルの具体例を示すと、例えば、ＣＨ
Ｆ2ＯＣＦ3（Ｒ＝０．４）、ＣＦ3ＣＨＦＯＣＦ3（Ｒ＝
０．４３）、ＣＦ3ＣＨＦＯＣＦ3（Ｒ＝０．４３）、Ｃ
ＨＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ3（Ｒ＝０．４４）等が挙げられ
る。本発明で用いるドライエッチング用ガスは、プラズ
マ化してプラズマガスとして被加工物に適用される。
【０００６】図１に本発明で用いるドライエッチング装
置の模式図を示す。図１において、１は真空容器を示
し、２，３は一対の平板状電極を示し、４はエッチング
すべき被加工物である。このドライエッチング装置を用
いて被加工物のエッチングを行うには、ドライエッチン
グ用ガスを導管６を介して真空容器１内に導入し、容器
内を真空に保持する。次に、高周波電源７を用いて電極
２，３に高周波電圧を印加して、対向する電極２，３の
間にプラズマを発生させ、導入したガスを分解及び励起
させて被加工物４をエッチングする。
置の模式図を示す。図１において、１は真空容器を示
し、２，３は一対の平板状電極を示し、４はエッチング
すべき被加工物である。このドライエッチング装置を用
いて被加工物のエッチングを行うには、ドライエッチン
グ用ガスを導管６を介して真空容器１内に導入し、容器
内を真空に保持する。次に、高周波電源７を用いて電極
２，３に高周波電圧を印加して、対向する電極２，３の
間にプラズマを発生させ、導入したガスを分解及び励起
させて被加工物４をエッチングする。
【０００７】本発明のドライエッチング用ガスは、各種
の被加工物に適用可能であるが、特に半導体材料に対し
て有利に適用される。半導体材料としては、二酸化シリ
コン、特に、シリコン膜やポリシリコン膜の表面に形成
した二酸化シリコン膜等が挙げられる。
の被加工物に適用可能であるが、特に半導体材料に対し
て有利に適用される。半導体材料としては、二酸化シリ
コン、特に、シリコン膜やポリシリコン膜の表面に形成
した二酸化シリコン膜等が挙げられる。
【０００８】本発明のドライエッチング用ガスは、大気
に放出されたときの大気寿命が著しく短く、地球温暖化
の問題を殆ど生じない。表１に、各種の含フッ素ガスの
大気寿命及び地球温暖化係数を示す。表１からわかるよ
うに、本発明のドライエッチング用ガスは、大気中では
極めて短寿命であり、既存の含フッ素エッチング用ガス
に比べて地球温暖化防止効果は大幅に改善されている。
に放出されたときの大気寿命が著しく短く、地球温暖化
の問題を殆ど生じない。表１に、各種の含フッ素ガスの
大気寿命及び地球温暖化係数を示す。表１からわかるよ
うに、本発明のドライエッチング用ガスは、大気中では
極めて短寿命であり、既存の含フッ素エッチング用ガス
に比べて地球温暖化防止効果は大幅に改善されている。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。 実施例１ 図１に本発明の実施に使用したエッチング装置の摸式図
を示す。真空容器１内に対向して設けられた。一対の平
板状電極２，３内の下部電極２上にエッチングすべき被
加工物４を置く。ガス導入口６を通してエッチング用ガ
スとＯ2の合計流量９０ｓｃｃｍ、Ｈｅを１０ｓｃｃｍ
の割合で真空容器１内に導入して、容器１内の圧力を６
０ｍＴｏｒｒに保持した。次に高周波電源７を用いて電
極に高周波電力（周波数４００ＫＨｚ、出力６００Ｗ）
を印加して対抗電極２，３間にプラズマを発生させ、導
入されたガスを分解及び励起させて上記被加工物４のエ
ッチングを行った。エッチングに使用したガスは、ＨＦ
Ｅ−１３４（ＣＨＦ2ＯＣＨＦ2）、ＨＦＥ−２４５（Ｃ
Ｈ3ＯＣＦ2ＣＦ3）、ＨＦＥ−３２９（ＣＨＦ2ＣＦ2Ｏ
ＣＦ2ＣＦ3）及びＨＦＥ−３４７（ＣＨ3ＯＣＦ2ＣＦ2
ＣＦ3）の４種類であった。４種類のＨＦＥのＳｉＯ2の
エッチング速度の測定結果を表２に示す。なお、エッチ
ング速度は１分間当りにＳｉＯ2表面から除去されるＳ
ｉＯ2量を厚さ（Å）で示したものである。
する。 実施例１ 図１に本発明の実施に使用したエッチング装置の摸式図
を示す。真空容器１内に対向して設けられた。一対の平
板状電極２，３内の下部電極２上にエッチングすべき被
加工物４を置く。ガス導入口６を通してエッチング用ガ
スとＯ2の合計流量９０ｓｃｃｍ、Ｈｅを１０ｓｃｃｍ
の割合で真空容器１内に導入して、容器１内の圧力を６
０ｍＴｏｒｒに保持した。次に高周波電源７を用いて電
極に高周波電力（周波数４００ＫＨｚ、出力６００Ｗ）
を印加して対抗電極２，３間にプラズマを発生させ、導
入されたガスを分解及び励起させて上記被加工物４のエ
ッチングを行った。エッチングに使用したガスは、ＨＦ
Ｅ−１３４（ＣＨＦ2ＯＣＨＦ2）、ＨＦＥ−２４５（Ｃ
Ｈ3ＯＣＦ2ＣＦ3）、ＨＦＥ−３２９（ＣＨＦ2ＣＦ2Ｏ
ＣＦ2ＣＦ3）及びＨＦＥ−３４７（ＣＨ3ＯＣＦ2ＣＦ2
ＣＦ3）の４種類であった。４種類のＨＦＥのＳｉＯ2の
エッチング速度の測定結果を表２に示す。なお、エッチ
ング速度は１分間当りにＳｉＯ2表面から除去されるＳ
ｉＯ2量を厚さ（Å）で示したものである。
【００１１】
【表２】
【００１２】実施例２ 実施例１と同じエッチング装置を使用し、同じ条件（Ｏ
2濃度ゼロ％）でＨＦＥ−３２９（ＣＨＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2
ＣＦ3）を用いて試験した。今回の試験では、ＳｉＯ2の
エッチング速度の他に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉに対する選択比
及びフォトレジストに対する選択比を測定した。ＳｉＯ
2のエッチング速度は３０１７Å／ｍｉｎであり、この
ときＰｏｌｙ−Ｓｉに対する選択比は１６．５、フォト
レジストに対する選択比は１２．２となり、ＳｉＯ2エ
ッチング速度及び選択比ともに既存エッチングガスと同
等かそれ以上の性能を確保できた。またこのときＯ2添
加の効果を見るために、ＨＦＥ−３２９＋Ｏ2の合計流
量を９０ｓＣＣｍに保ちながらＯ2添加量を上記の０％
から１０％、２０％と増加させた。結果はＯ2添加量１
０％のときは、ＳｉＯ2のエッチング速度は３１７６Å
／ｍｉｎ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉに対する選択比は１．７、フ
ォトレジストに対する選択比は１．３であり、Ｏ2添加
による効果は認められなかった。なお、前記Ｐｏｌｙ−
Ｓｉに対する選択比は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速
度に対するＳｉＯ2のエッチング速度の比を示し、フォ
トレジストに対する選択比は、フォトレジストのエッチ
ング速度に対するＳｉＯ2エッチング速度の比を示す。
2濃度ゼロ％）でＨＦＥ−３２９（ＣＨＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2
ＣＦ3）を用いて試験した。今回の試験では、ＳｉＯ2の
エッチング速度の他に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉに対する選択比
及びフォトレジストに対する選択比を測定した。ＳｉＯ
2のエッチング速度は３０１７Å／ｍｉｎであり、この
ときＰｏｌｙ−Ｓｉに対する選択比は１６．５、フォト
レジストに対する選択比は１２．２となり、ＳｉＯ2エ
ッチング速度及び選択比ともに既存エッチングガスと同
等かそれ以上の性能を確保できた。またこのときＯ2添
加の効果を見るために、ＨＦＥ−３２９＋Ｏ2の合計流
量を９０ｓＣＣｍに保ちながらＯ2添加量を上記の０％
から１０％、２０％と増加させた。結果はＯ2添加量１
０％のときは、ＳｉＯ2のエッチング速度は３１７６Å
／ｍｉｎ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉに対する選択比は１．７、フ
ォトレジストに対する選択比は１．３であり、Ｏ2添加
による効果は認められなかった。なお、前記Ｐｏｌｙ−
Ｓｉに対する選択比は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速
度に対するＳｉＯ2のエッチング速度の比を示し、フォ
トレジストに対する選択比は、フォトレジストのエッチ
ング速度に対するＳｉＯ2エッチング速度の比を示す。
【００１３】実施例３ 実施例１と同じ装置を用いて、同じ条件でＨＦＥ−２２
７（ＣＦ3ＣＨＦＯＣＦ3）を用いてエッチングを行っ
た。結果は、Ｏ2添加量０％のときは、ＳｉＯ2のエッチ
ング速度は３６３２Å／ｍｉｎ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉに対す
る選択比は１６．９、フォトレジストに対する選択比は
１１．１であり、Ｏ2添加量１０％のときは、ＳｉＯ2の
エッチング速度は３０８４Å／ｍｉｎ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
に対する選択比は４．２、フォトレジストに対する選択
比は２．９であった。またＯ2添加量２０％のときは、
ＳｉＯ2のエッチング速度は２１４７Å／ｍｉｎ、Ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉに対する選択比は１．５、フォトレジストに
対する選択比は１．２であった。実施例２と同様にＨＦ
Ｅ−２２７単独でＳｉＯ2エッチング速度及び選択比と
もに充分にあり、またＯ2添加による効果は認められな
かった。
７（ＣＦ3ＣＨＦＯＣＦ3）を用いてエッチングを行っ
た。結果は、Ｏ2添加量０％のときは、ＳｉＯ2のエッチ
ング速度は３６３２Å／ｍｉｎ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉに対す
る選択比は１６．９、フォトレジストに対する選択比は
１１．１であり、Ｏ2添加量１０％のときは、ＳｉＯ2の
エッチング速度は３０８４Å／ｍｉｎ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
に対する選択比は４．２、フォトレジストに対する選択
比は２．９であった。またＯ2添加量２０％のときは、
ＳｉＯ2のエッチング速度は２１４７Å／ｍｉｎ、Ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉに対する選択比は１．５、フォトレジストに
対する選択比は１．２であった。実施例２と同様にＨＦ
Ｅ−２２７単独でＳｉＯ2エッチング速度及び選択比と
もに充分にあり、またＯ2添加による効果は認められな
かった。
【００１４】
【発明の効果】本発明のドライエッチング用ガスは、従
来用いられている含フッ素ガスと同等かそれ以上のすぐ
れたエッチング効果を示し、しかも地球温暖化等の深刻
な地球環境上の問題を生じない。
来用いられている含フッ素ガスと同等かそれ以上のすぐ
れたエッチング効果を示し、しかも地球温暖化等の深刻
な地球環境上の問題を生じない。
【図１】本発明に適用されるドライエッチング装置の１
例を示す摸式図である。
例を示す摸式図である。
１ 真空容器 ２，３ 電極 ４ 被加工物 ５ 排気管 ６ ガス導入管 ７ 高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 000002004 昭和電工株式会社 東京都港区芝大門１丁目13番９号 (73)特許権者 000002200 セントラル硝子株式会社 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 (73)特許権者 000002853 ダイキン工業株式会社 大阪府大阪市北区中崎西２丁目４番12号 梅田センタービル (73)特許権者 000003034 東亞合成株式会社 東京都港区西新橋１丁目14番１号 (73)特許権者 000174851 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 東京都千代田区猿楽町１丁目５番18号 (74)上記９名の代理人 弁理士 池浦 敏明 (72)発明者 関屋 章 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術 院物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 高垣 哲也 東京都千代田区丸の内３丁目２番２号 社団法人日本電子機械工業会内 (72)発明者 森川 眞介 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 山下 俊一 東京都千代田区丸の内１丁目２番１号 関東電化工業株式会社内 (72)発明者 高市 侃 東京都港区芝大門１丁目13番９号 昭和 電工株式会社内 (72)発明者 日比野 泰雄 埼玉県川越市今福中台2805番地 セント ラル硝子株式会社化学研究所内 (72)発明者 古高 靖久 大阪府摂津市西一津屋１−１ ダイキン 工業株式会社化学事業部内 (72)発明者 岩崎 正巳 東京都港区西新橋１丁目14番１号 東亞 合成株式会社内 (72)発明者 大塚 宣文 東京都千代田区猿楽町１丁目５番18号 三井・デュポン フロロケミカル株式会 社内 審査官 柳 和子 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 13/08 H01L 21/3065 C23F 1/12,4/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (6)
- 【請求項１】 炭素、フッ素、水素及び酸素から構成さ
れ、炭素数２〜６のハイドロフルオロエーテルからなる
ドライエッチング用ガス。 - 【請求項２】 該ハイドロフルオロエーテルが、下記式 ［Ｃ］／（［Ｆ］＋［Ｏ］−［Ｈ］）＜０．８ （式中、［Ｃ］は炭素原子の数、［Ｆ］はフッ素原子の
数、［Ｏ］は酸素原子の数及び［Ｈ］は水素原子の数を
示す）を満足するハイドロフルオロエーテルである請求
項１のドライエッチング用ガス。 - 【請求項３】 ハイドロフルオロエーテルが、ＣＨＦ 2
ＯＣＦ 3 、ＣＦ 3 ＣＨＦＯＣＦ 3 又はＣＨＦ 3 ＣＦ 2 ＯＣＦ 2
ＣＦ 3 である請求項１のドライエッチング用ガス。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかのドラエッチン
グ用ガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用い
て半導体材料を加工することを特徴とする半導体の加工
方法。 - 【請求項５】 該半導体材料が、二酸化シリコンである
請求項４の方法。 - 【請求項６】 該半導体材料が、シリコン膜又はポリシ
リコン膜の表面に形成した二酸化シリコン膜である請求
項４の方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308742A JP2972786B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | ドライエッチング用ガス |
| KR1019997003982A KR100563796B1 (ko) | 1996-11-05 | 1997-11-05 | 드라이에칭용 가스 |
| DE69739349T DE69739349D1 (de) | 1996-11-05 | 1997-11-05 | Gas für trocknerätzung |
| PCT/JP1997/004028 WO1998020526A1 (fr) | 1996-11-05 | 1997-11-05 | Gaz d'attaque chimique a sec |
| EP97911455A EP1014433B1 (en) | 1996-11-05 | 1997-11-05 | Dry etching gas |
| US09/297,320 US6514425B1 (en) | 1996-11-05 | 1997-11-05 | Dry etching gas |
Applications Claiming Priority (1)
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