JP3329038B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造プロ
セスにおいて用いられる酸化シリコン系材料層のドライ
エッチング方法に関し、特に例えば接続孔のエッチング
において、対シリコン系下地材料層選択比および対レジ
スト選択比に優れ、かつエッチングレート、パーティク
ル汚染のいずれにも優れたドライエッチング方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化にと
もない、例えば酸化シリコン系層間絶縁膜に開口するコ
ンタクトホールやビアホール等の接続孔ドライエッチン
グ工程においては、技術的要求がますます厳しくなりつ
つある。

【０００３】すなわち、高度の多層配線構造の導入や、
ＤＲＡＭにおいてはスタック型キャパシタ等の採用によ
り下地材料層の段差が増大し、また一方電極・配線等の
デザインルールがハーフミクロンからクォータミクロン
のレベルへと微細化されつつある。このため、段差凹部
の層間絶縁膜は厚さが１．５μｍを超える箇所もあり、
例えば０．３５μｍのデザインルールの場合には、ここ
に開口する接続孔のアスペクト比は４を超える場合があ
る。接続孔の開口径が縮小しアスペクト比が大きくなる
と、エッチングガスおよび反応生成物の拡散律速で規制
されることから、エッチングレートは大幅に低下するこ
とは周知の事実である。

【０００４】他方、ウェハサイズが例えば８インチ以上
の大口径となると、大面積基板の面内均一性を確保する
ことが課題となる。これに合わせてＡＳＩＣに代表され
るように、多品種少量生産が一部で要求されること等の
背景から、ドライエッチング装置の主流は従来のバッチ
式から枚葉式に移行しつつある。このため、従来と同等
以上のスループットを確保するにはウェハ一枚あたりの
エッチング速度を向上しなければならない。

【０００５】また、半導体デバイスの動作速度の向上や
デザインルールの微細化を図るために、不純物拡散領域
の接合深さが浅くなり、また各種材料層も薄くなってい
る状況下にあっては、従来以上に対下地選択比に優れ、
下地ダメージのないエッチングプロセスが要求される。

【０００６】さらに、対レジストパターン選択比の向上
も見逃せない課題である。サブミクロンデバイスにおい
ては、これまでは問題とされなかったレジストの膜減り
および後退による僅かの寸法変換差も許容されなくなっ
てきているからである。

【０００７】従来より酸化シリコン系材料層のドライエ
ッチングは、強固なＳｉ−Ｏ結合を切断しかつ異方性形
状を得る必要から、平均自由行程を伸ばした低ガス圧条
件下でイオン性を高めたモードで行われている。典型的
なエッチングガスはＣＨＦ₃、ＣＦ₄ 等ＣＦ系ガスであ
り、これらガスから解離生成するＣＦ_x ⁺ イオンの入射
エネルギを利用して方向性のあるエッチングを施こすの
である。しかしエッチングレートを高めるためにはこの
入射イオンエネルギを大きくすることが必要であり、こ
れではエッチング反応が物理的なスパッタに近くなるこ
とから下地材料層やレジストマスクとの選択比がとれな
くなり、高速性への要求と高選択比・低ダメージへの要
求は相入れない背反事象であった。

【０００８】そこで通常は、ＣＦ系のエッチングガスに
にＨ₂ を添加したり、堆積性のＣＨ系ガスを加えてエッ
チング反応系のＣ／Ｆ比（炭素原子数とフッ素原子数の
比）を増大させ、エッチングガス反応と競合して起こる
炭素系ポリマの堆積を促進し、これを側壁保護膜等に利
用して高選択比を確保している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法で充分に高い選択比を得るためには、ある程度厚く
炭素系ポリマを堆積する必要があった。かかる炭素系ポ
リマ堆積量の増大はエッチング速度の低下や、パーティ
クル汚染の発生という新たな問題を招く。近年のドライ
エッチング装置は枚葉処理が主流であるから、ウェハ一
枚あたりのエッチング所要時間が延びたり、あるいはエ
ッチングチャンバのクリーニング等のメンテナンス頻度
が高くなることは、生産性や経済的観点からは重大な支
障となる。

【００１０】そこで本発明は、対下地および対レジスト
パターン選択性の向上、対下地低ダメージ性はもちろ
ん、高速性、低汚染性にも優れた酸化シリコン系材料層
のドライエッチング方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、上述の目的を解決するために発案したもので
あり、下地材料層上に形成された酸化シリコン系材料層
を、アルコール、エーテルおよびケトンから選ばれる少
なくとも１種類の化合物と、フッ素系ガスとを含む混合
ガスを用いてエッチングするものである。

【００１２】また本発明は、下地材料層上に形成された
酸化シリコン系材料層を、アルコール、エーテルおよび
ケトンから選ばれる少なくとも１種類の化合物と、フッ
素系ガスとを含む混合ガスを用いてジャストエッチング
した後、アルコール、エーテルおよびケトンから選ばれ
る少なくとも１種類の化合物の混合比を高めた前記混合
ガスによりオーバーエッチングするものである。

【００１３】さらに本発明は、上記エッチングを、被エ
ッチング基板を室温以下に制御しながらエッチングする
ものである。

【００１４】本発明で用いるところの、アルコール、エ
ーテルおよびケトンの各例としては、メタノール、エタ
ノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブ
タノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−
ブタノール、メチルエチルエーテル、ジエチルエーテ
ル、アセトン、メチルエチルケトンおよびメチルイソブ
チルケトン等を使用することが可能である。

【００１５】本発明で用いるところの、フッ素系ガスと
しては、一般式Ｃ_n Ｆ_2n+2で表される飽和ＣＦ系ガス、
一般式Ｃ_n Ｆ_2nで表されル不飽和ＣＦ系ガス（ｎは自然
数を表す）、これらＣＦ系ガスのＦ原子がＨ原子で置換
されたガス等があげられる。

【００１６】なお、本願で言うところの室温以下に制御
とは、通常の半導体プロセスのクリーンルームの雰囲気
温度以下ということであり、好ましくは０℃以下に被エ
ッチング基板温度を冷却制御することが望ましい。

【００１７】

【作用】本発明のポイントは、側壁保護膜として機能す
るエッチング反応生成物であるＣＦ系プラズマポリマの
構成元素中に占めるフッ素を減らし、炭素の割合を高め
ることにより側壁保護膜の強度を高め、堆積量を減らし
ても充分な異方性加工を達成し、対レジストパターン、
対下地選択性を実現することである。

【００１８】本発明でエッチングガスとして使用するア
コール、エーテルおよびケトン（いずれも一般的な分子
式Ｃ_x Ｈ_y Ｏ_z で表記される）は、放電プラズマ中でＣ
−Ｈ結合やＣ−Ｏ結合等分極構造を有する原子団を解離
生成する。これら原子団は重合促進性を有し、プラズマ
重合生成物である炭素系プラズマポリマの重合度を上昇
し、イオン入射やラジカルのアタックに対する耐性を高
める。

【００１９】また、放電プラズマ中に遊離生成するＨ原
子やＣＯが、エッチング種として同時に導入したフッ素
ラジカルを捕捉し、ＣＦ系プラズマポリマ中のフッ素元
素濃度を低減することが可能となり、またＣＦ系プラズ
マポリマ分子鎖中に上記分極構造を有する原子団が導入
される。かかるカルボニル基等が導入された構造の炭素
系プラズマポリマは、単に -（ＣＦ₂ ）_{n -} の繰り返し
単位構造からなる従来のＣＦ系プラズマポリマよりも、
化学的、物理的安定性が増すことは近年の研究から明ら
かになっている（ｎは自然数を表す）。これは、２原子
間の結合エネルギで比較すると、Ｃ−Ｏ結合（１０７７
ｋＪ／ｍｏｌ）がＣ−Ｃ結合（６０７ｋＪ／ｍｏｌ）よ
り大きいことからも支持される。

【００２０】さらに、上記官能基の導入によりＣＦ系プ
ラズマポリマの極性が増大し、被エッチング基板に対す
る付着力が大きくなるので側壁保護膜機能が強化できる
ことがあげられる。

【００２１】このように、ＣＦ系プラズマポリマ自身の
膜質が強固なものとなることにより、異方性エッチング
に必要な入射イオンエネルギの低減が可能となり、レジ
ストパターンや下地材料層に対する選択性が向上するほ
か、下地スパッタによる下地材料層のプラズマダメージ
も少なくなる。またＣＦ系プラズマポリマの堆積量を低
減しても充分異方性加工を達成できるので、パーティク
ル汚染を減少することができる。

【００２２】さらに、被エッチング基板が室温以下、好
ましくは０℃以下に制御した状態でエッチングをおこな
うことにより、Ｆ^* によるラジカル反応を抑制すること
が可能となる。これにより、主としてラジカルモードで
エッチングが進行するレジストパターンやＳｉ材料のエ
ッチング速度が相対的に低下し、すなわちこれら材料と
のエッチング選択比が向上するのである。

【００２３】本発明は以上のような原理を基本としてい
るが、さらに一層の異方性加工、低パーティクル汚染化
と低ダメージを目指す方法をも提案する。

【００２４】それは、エッチングを２段階に分け、オー
バーエッチング工程においてはフッ素系ガスに対するア
ルコール、エーテルおよびケトンから選ばれる少なくと
も１種類の化合物の混合比を高めることにより、下地材
料層直上の酸化シリコン系材料層のエッチングにおい
て、フッ素含有量のより少ない強固なＣＦ系プラズマポ
リマが効果的に生成されるようになる。このため、ジャ
ストエッチング工程よりイオンエネルギを低減した条件
でオーバーエッチングを続行できるので、さらなる高選
択比、低ダメージさらには低汚染化を達成しうるのであ
る。

【００２５】なお、本発明に類似の先願として、ＣＦ₄
に酢酸ブチル等を混入させておき、このエッチングガス
を用いて窒化膜等のプラズマエッチングを行う方法が特
開昭５６−１１１２２９号公報に記載されている。エッ
チング条件等の開示は無いが、エッチング速度の向上
と、エッチング速度のウェハ面内均一性を向上するもの
であり、選択性の向上や低ダメージ、低パーティクルを
目的とする本発明のガスケミストリーとは別種のもので
ある。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき説明す
る。

【００２７】実施例１ 本実施例は、本発明をコンタクトホール加工に適用し、
ＣＦ₄ とＣＨ₃ ＯＨ（メタノール、ｂｐ＝６４．６℃）
との混合ガスを用いてＳｉＯ₂ からなる層間絶縁膜のエ
ッチングを行った例である。このプロセスを図１を参照
しながら説明する。

【００２８】まず、図１（ａ）に示すように、被エッチ
ング基板として、予め不純物拡散層２が形成されたＳｉ
ウェハ１上にＳｉＯ₂ からなる層間絶縁膜３を形成し、
さらにこの層間絶縁膜３のエッチングマスクとしてレジ
ストマスク４が形成されたものである。なお、レジスト
マスク４にはコンタクトホールに対応する例えば０．３
５μｍ幅の開口部４ａが設けられている。

【００２９】つぎに、この被エッチング基板を、アルコ
ール冷媒によるチラーを使用して０℃以下に温度制御で
きる基板ステージを備えたマグネトロンＲＩＥ装置にセ
ットし、例えば下記の条件により層間絶縁膜３をエッチ
ングした。 ＣＦ₄ ４５ ｓｃｃｍ ＣＨ₃ ＯＨ １５ ｓｃｃｍ ガス圧力 ２．０ Ｐａ ＲＦパワー密度 ２．２ Ｗ／ｃｍ² （１３．５
６ＭＨｚ） 磁界強度 ０．１５×１０^-2 Ｔ 基板温度 −３０ ℃ 基板温度はエッチング終了迄−３０℃を維持した。ここ
でＣＨ₃ ＯＨは室温では液体であるので、原料容器を加
熱して気化させてエッチングチャンバに導入した。導入
配管はリボンヒータ等で加熱し、メタノールガスの凝縮
を防いだ。

【００３０】このエッチング工程では、開口部４ａ内に
露出する層間絶縁膜３の表面において、ＣＦ₄ が解離し
て生成するＣＦ_x ⁺ によるＳｉＯ₂ のエッチングが約４
００ｎｍ／分のレートで進行し、この結果図１（ｂ）に
示されるように、良好な異方性形状を有する０．３５μ
ｍ径のコンタクトホール５が形成された。

【００３１】本実施例ではまた、レジストマスク４やシ
リコン基板１に対する選択性が向上した。この理由の一
つには、側壁保護膜として機能する反応生成物であるＣ
Ｆ系プラズマポリマ中のフッ素含有量が減ったことによ
り、その強度が高まり、少量の堆積であっても高いエッ
チング耐性を発揮し、レジストマスク４やシリコン基板
１に形成された拡散層２のエッチングレートが大幅に低
減したからである。

【００３２】他の理由として、被エッチング基板を低温
冷却していることによりＦ^* による反応が抑制され、主
にラジカルモードでエッチングされるレジスト材料やＳ
ｉ系材料のエッチング速度が、ＳｉＯ₂ 系材料のそれよ
り相対的に低下したことがあげられる。

【００３３】この結果、対レジスト選択比は約７、対シ
リコン選択比は約２５が達成され、コンタクトホールの
寸法変換差はなく、下地拡散層２のダメージも認められ
なかった。

【００３４】実施例２ 本実施例は、Ｃ₃ Ｆ₈ とＣＨ₃ ＯＣＨ₃ （ジメチルエー
テル、ｂｐ＝−２４℃）との混合ガスを用いて同じくＳ
ｉＯ₂ からなる層間絶縁膜のエッチングを行った例であ
る。

【００３５】被エッチング基板とエッチング装置は前出
のものと同一であるので、説明を省略する。エッチング
条件の一例を下記にしめす。 Ｃ₃ Ｆ₈ ３５ ｓｃｃｍ ＣＨ₃ ＯＣＨ₃ １５ ｓｃｃｍ ガス圧力 ２．０ Ｐａ ＲＦパワー密度 ２．０ Ｗ／ｃｍ² （１３．５
６ＭＨｚ） 磁界強度 ０．１５×１０^-2 Ｔ 基板温度 −３０ ℃ 基板温度はエッチング終了迄−３０℃を維持した。

【００３６】このエッチング工程では、開口部４ａ内に
露出する層間絶縁膜３の表面において、Ｃ₃ Ｆ₈ から解
離する大量のＣＦ_x ⁺ によるＳｉＯ₂ のエッチングが約
８００ｎｍ／分の大きなレートで進行した。この結果図
１（ｂ）に示されるように、良好な異方性形状を有する
０．３５μｍ径のコンタクトホール５が得られた。レジ
ストマスク４の大幅な膜減りやパターンエッジの後退、
下地シリコン基板１の浅い拡散層２の破壊等はいずれも
認められなかった。なお、本実施例において対レジスト
選択比は約５、対シリコン選択比は約２５であった。

【００３７】実施例３ 本実施例は、Ｃ₂ Ｆ₆ とＣＨ₃ ＣＯＣＨ₃ （アセトン、
ｂｐ＝５６．５℃）との混合ガスを用いて同じくＳｉＯ
₂ からなる層間絶縁膜のエッチングを行った例である。

【００３８】被エッチング基板とエッチング装置は前出
のものと同一であるので、説明を省略する。エッチング
条件の一例を下記にしめす。 Ｃ₂ Ｆ₆ ３５ ｓｃｃｍ ＣＨ₃ ＣＯＣＨ₃ １５ ｓｃｃｍ ガス圧力 ２．０ Ｐａ ＲＦパワー密度 ２．０ Ｗ／ｃｍ² （１３．５
６ＭＨｚ） 磁界強度 ０．１５×１０^-2 Ｔ 基板温度 −３０ ℃ 基板温度はエッチング終了迄−３０℃を維持した。

【００３９】このエッチング過程では、開口部４ａ内に
露出する層間絶縁膜３の表面において、Ｃ₂ Ｆ₆ から解
離生成するＣＦ_x ⁺ によるＳｉＯ₂ のエッチングが約６
００ｎｍ／分のレートで進行した。この結果図１（ｂ）
に示されるように、良好な異方性形状を有する０．３５
μｍ径のコンタクトホール５が得られた。レジストマス
ク４の大幅な膜減りやパターンエッジの後退、下地シリ
コン基板１の浅い拡散層２の破壊等はいずれも認められ
なかった。なお、本実施例において対レジスト選択比は
約５、対シリコン選択比は約２５であった。

【００４０】実施例４ 本実施例は、Ｃ₄ Ｆ₈ とＣＨ₃ ＯＨの混合ガスを用いて
同じくＳｉＯ₂ からなる層間絶縁膜のエッチングを行っ
た例であり、下地シリコン基板が露出する直前、あるい
は直後までのジャストエッチング工程と、引き続くオー
バーエッチング工程に分けた２段階エッチングを行った
例であり、図２を参照して説明する。なお同図では、図
１と同じ機能を有する部分には同じ参照番号を付与す
る。

【００４１】図２（ａ）に示す被エッチング基板とエッ
チング装置は前出のものと同一であるので、説明を省略
する。ジャストエッチング条件の一例を下記にあげる。 Ｃ₄ Ｆ₈ ４０ ｓｃｃｍ ＣＨ₃ ＯＨ １０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ２．０ Ｐａ ＲＦパワー密度 ２．０ Ｗ／ｃｍ² （１３．５
６ＭＨｚ） 磁界強度 ０．１５×１０^-2 Ｔ 基板温度 ０ ℃ 本エッチング条件により、下地シリコン基板１、より正
確にいえば下地シリコン基板１に形成した拡散層２が露
出する直前あるいは露出する直後までエッチングする。
この状態が図２（ｂ）であり、３ａは層間絶縁膜の残余
部である。本ジャストエッチング工程は、下地拡散層２
にダメージを与えない限り、その一部が露出する迄継続
してもよい。

【００４２】続けて、ＣＨ₃ＯＨの混合比を高めた、一
例として下記条件により、オーバーエッチングを施す。 Ｃ₄Ｆ₈ ３０ ｓｃｃｍ ＣＨ₃ＯＨ ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ２．０ Ｐａ ＲＦパワー密度 １．２ Ｗ／ｃｍ²（１３．５６ＭＨｚ） 磁界強度 ０．１５×１０^-2 Ｔ 基板温度 ０ ℃ 基板温度はエッチング終了迄０℃を維持した。なお、本
明細書においては、層間絶縁膜の残余部３ａの除去工程
も、広い意味でオーバーエッチング工程と呼ぶこととす
る。

【００４３】本オーバーエッチング工程により、図２
（ｃ）に示すように下地拡散層２にダメージを与えるこ
となく良好な異方性形状をもつコンタクトホール５を形
成することができた。

【００４４】本実施例は、ジャストエッチング工程にお
いてＣ₃ Ｆ₈ から解離する大量のＣＦ_x ⁺ によりＳｉＯ
₂ からなる層間絶縁膜３を高速でエッチングする一方、
オーバーエッチング工程ではＣＨ₃ ＯＨの混合比を高
め、かつＲＦパワー密度を下げて入射イオンエネルギを
低減することにより、下地拡散層のダメージを抑えなが
ら、一層の選択比向上を図る思想に基づくものである。
したがって、被エッチング基板は実施例１ないし３ほど
には低温冷却しないにもかかわらず、優れた選択性、低
ダメージ、高速性、低汚染性が達成された。これは、エ
ッチング装置に組み込むチラーに対する負担を軽減する
ことにつながる。

【００４５】以上、本発明を４例の実施例をもって説明
したが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもので
はない。

【００４６】例えば、アルコール、エーテルおよびケト
ンの各例として上述の実施例で用いたメタノール、ジメ
チルエーテル、アセトンの他に、エタノール（ｂｐ＝７
８．３℃）、ｎ−プロパノール（ｂｐ＝９７．４℃）、
ｉ−プロパノール（ｂｐ＝８２．７℃）、ｎ−ブタノー
ル（ｂｐ＝１１７℃）、ｉ−ブタノール（ｂｐ＝１０８
℃）、ｓｅｃ−ブタノール（ｂｐ＝１００℃）、ｔ−ブ
タノール（ｂｐ＝８３℃）、メチルエチルエーテル、ジ
エチルエーテル（ｂｐ＝３６．６℃）、メチルエチルケ
トンおよびメチルイソブチルケトン等、沸点が大略１０
０℃程度迄の蒸気圧が大きい化合物を好ましく用いるこ
とが可能である。

【００４７】上記化合物のうち、室温で液体のものにつ
いては上述の実施例のごとく液体容器をヒータ等で加熱
して気化しエッチングチャンバへ導入すればよい。液体
容器とは別体の加熱気化室を経由して導入してもよい。
この場合には液体マスフローメータを液体容器と加熱気
化室の間に設けることにより、正確な流量制御が可能と
なる。またＨｅ等の希ガスによりバブリングして、キャ
リアガスと共に導入してもよい。この際にもバブラを加
熱したり、ガス導入配管をリボンヒータ等で加熱し、化
合物ガスが配管中で凝縮しないように配慮すればよい。

【００４８】その他、被エッチング基板の構成、エッチ
ング条件、エッチング装置等は適宜変更可能である。す
なわち、被エッチング基板として拡散層に臨むコンタク
トホールのエッチングだけではなく、ポリシリコン等配
線上のビアホールエッチングの場合にもすぐれた効果を
発揮する。エッチングガス組成には、Ｈｅ、Ａｒ等希ガ
スや他の添加を混合してもよい。

【００４９】酸化シリコン系材料層としてＳｉＯ₂ を例
示したが、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ、ＡｓＳＧ等不純
物添加材料であってもよい。その製法も各種ＣＶＤ、Ｐ
ＶＤ、熱酸化法、またＳＯＧによる塗布焼成法によって
もよい。もちろん、これら酸化シリコン系材料層の多層
膜により層間絶縁膜を構成することとしてもよい。

【００５０】本発明は、サブミクロン級の微細なデザイ
ンルールにもとづく高集積度半導体装置の製造プロセス
に用いて高い効果を発揮する。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は酸化シリコン系材料層のエッチングをアルコール、エ
ーテルおよびケトンのうちから選ばれる化合物と、フッ
素系ガスとを含む混合ガスを用いてエッチングすること
により、側壁保護膜として機能する炭素系プラズマポリ
マの膜質を強化し、その堆積量を減らしても高選択性、
高異方性を達成することとが可能となった。

【００５２】これにより、近年の浅い拡散層等に代表さ
れる下地材料層へのダメージが低減され、半導体装置の
信頼性向上に寄与する。

【００５３】また、レジストマスクに対する選択比が向
上することにより、レジスト膜減り、後退を防止できる
ので、寸法変換差の低減に有利である。

【００５４】さらに側壁保護膜の堆積量を減らせるの
で、低パーティクルの清浄なエッチングが可能となる。
また装置のクリーニング等メンテナンス工数の削減に役
立つ。

【００５５】アルコール、エーテルおよびケトンから選
ばれる化合物と、フッ素系ガスの混合比を切り替える２
段階エッチングの採用により、上記効果を更に一層徹底
することが可能である。

【００５６】以上の効果により、サブミクロン級の高集
積度半導体装置の製造プロセスに使用して、そのデバイ
ス性能、信頼性および経済性を共に満たすことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した実施例１、２および３を、そ
の工程順に説明する概略断面図であり、（ａ）は酸化シ
リコン系材料層上に拡散層に臨むコンタクトホール開口
用レジストマスクを形成した状態、（ｂ）はコンタクト
ホールが完成した状態である。

【図２】本発明を適用した実施例４を、その工程順に説
明するための概略断面図であり、（ａ）は酸化シリコン
系材料層上に拡散層に臨むコンタクトホール開口用レジ
ストマスクを形成した状態、（ｂ）はコンタクトホール
のジャストエッチングが終了した状態、（ｃ）はオーバ
ーエッチングを終了し、コンタクトホールが完成した状
態である。

【符号の説明】

１ シリコン基板 ２ 拡散層 ３ 層間絶縁膜（酸化シリコン系材料層） ３ａ 層間絶縁膜の残余部 ４ レジストマスク ４ａ 開口部 ５ コンタクトホール

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下地材料層上に形成された酸化シリコン
   系材料層を、エーテルおよびケトンからなる群から選ば
   れる少なくとも１種類の化合物と、フッ素系ガスとを含
   む混合ガスを用いてエッチングすることを特徴とするド
   ライエッチング方法。
2. 【請求項２】 下地材料層上に形成された酸化シリコン
   系材料層を、エーテルおよびケトンからなる群から選ば
   れる少なくとも１種類の化合物と、フッ素系ガスとを含
   む混合ガスを用いてジャストエッチングする工程と、エーテルおよびケトンからなる群 から選ばれる少なくと
   も１種類の化合物の混合比を高めた前記混合ガスを用い
   てオーバーエッチングを施す工程とを有することを特徴
   とするドライエッチング方法。
3. 【請求項３】 被エッチング基板を室温以下に制御しな
   がらエッチングすることを特徴とする、請求項１または
   請求項２記載のドライエッチング方法。