JP2013030531A - ドライエッチング剤 - Google Patents
ドライエッチング剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013030531A JP2013030531A JP2011164008A JP2011164008A JP2013030531A JP 2013030531 A JP2013030531 A JP 2013030531A JP 2011164008 A JP2011164008 A JP 2011164008A JP 2011164008 A JP2011164008 A JP 2011164008A JP 2013030531 A JP2013030531 A JP 2013030531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- gas
- etching
- dry etching
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
Abstract
【解決手段】(A)式:CaFbHc(式中、a、b及びcは、それぞれ正の整数を表し、2≦a≦5、c<b≧1、2a+2>b+c、b≦a+cの関係を満たす。但し、a=3、b=4、c=2の場合を除く。)で表される含フッ素不飽和炭化水素と、(B)O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2及びYFn(但し、YはCl、Br又はIを表す。nは1〜5整数を表す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、(C)N2、He、Ar、Ne、Xe及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスとを、それぞれ特定の体積%で含む、ドライエッチング剤を提供する。
【選択図】図1
Description
で表される含フッ素不飽和炭化水素と、(B)O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、及びYFn(但し、YはCl、Br又はIを表し、nは1〜5の整数を表す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、(C)N2、He、Ar、Ne、Xe、及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスとをドライエッチング剤として用い、かつ各々のガスを特定の体積%の範囲で使用してエッチングすることで、良好な加工形状が得られることを見出し、本発明を完成した。
で表される含フッ素不飽和炭化水素と、(B)O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2及びYFn(但し、YはCl、Br又はIを表す。nは1〜5の整数を表す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、(C)N2、He、Ar、Ne、Xe及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスとを含み、かつ(A)、(B)及び(C)の体積%が、それぞれ5〜40%、5〜40%及び20〜90%(但し、各々のガスの体積%の合計は100%である。)である、ドライエッチング剤。
含フッ素不飽和炭化水素が、1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロペン又は1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペンである、発明1に記載のエッチング剤。
還元性ガスが、H2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、CO、NO及びNH3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをさらに含む、発明1又は2に記載のドライエッチング剤。
CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及びC5F10からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをさらに含む、発明1乃至3の何れかに記載のドライエッチング剤。
発明1乃至4の何れかに記載のドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングする、ドライエッチング方法。
(A)1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロペンと、(B)H2、O2、CO及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種以上のガスと、Arとを用い、(A)、(B)及びArの体積流量比をそれぞれ5〜40%、5〜40%及び20〜90%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100%である。)とし、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングする、ドライエッチング方法。
(A)1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペンと、(B)H2、O2、CO及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種以上のガスと、Arとを用い、(A)、(B)及びArの体積流量比をそれぞれ5〜40%、5〜40%及び20〜90%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100%である。)とし、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングする、ドライエッチング方法。
(B)O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2及びYFn(但し、YはCl、Br又はIを表す。nは1〜5の整数を表す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種のガス(本明細書では当該ガス群を「酸化性ガス」、「含酸素ガス」、「含ハロゲンガス」)と言うことがある。)と、
(C)N2、He、Ar、Ne、Xe及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガス(本明細書では当該ガス群を「不活性ガス」と言うことがある。)とを、それぞれ好ましい体積%の範囲で混合させたものである。
1. チャンバー
2. 圧力計
3. 高周波電源
4. 下部電極
5. 上部電極
6. ガス導入口
7. 排ガスライン
8. 試料
[図2の説明]
a. 側壁の削れ量
b. 開口部線幅
Claims (7)
- (A)式[1]:
で表される含フッ素不飽和炭化水素と、(B)O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2及びYFn(但し、YはCl、Br又はIを表す。nは1〜5の整数を表す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、(C)N2、He、Ar、Ne、Xe及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスとを含み、かつ(A)、(B)及び(C)の体積%が、それぞれ5〜40%、5〜40%及び20〜90%(但し、各々のガスの体積%の合計は100%である。)である、ドライエッチング剤。 - 含フッ素不飽和炭化水素が、1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロペン又は1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペンである、請求項1に記載のエッチング剤。
- 還元性ガスが、H2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、CO、NO及びNH3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをさらに含む、請求項1又は2に記載のドライエッチング剤。
- CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及びC5F10からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをさらに含む、請求項1乃至3の何れかに記載のドライエッチング剤。
- 請求項1乃至4の何れかに記載のドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングする、ドライエッチング方法。
- (A)1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロペンと、(B)H2、O2、CO及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種以上のガスと、Arとを用い、(A)、(B)及びArの体積流量比をそれぞれ5〜40%、5〜40%及び20〜90%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100%である。)とし、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングする、ドライエッチング方法。
- (A)1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペンと、(B)H2、O2、CO及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種以上のガスと、Arとを用い、(A)、(B)及びArの体積流量比をそれぞれ5〜40%、5〜40%及び20〜90%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100%である。)とし、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングする、ドライエッチング方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011164008A JP2013030531A (ja) | 2011-07-27 | 2011-07-27 | ドライエッチング剤 |
EP12818349.8A EP2733725A4 (en) | 2011-07-27 | 2012-06-13 | DRY ETCHING AGENT |
CN201280037156.6A CN103718277B (zh) | 2011-07-27 | 2012-06-13 | 干蚀刻剂 |
US14/232,054 US20140302683A1 (en) | 2011-07-27 | 2012-06-13 | Dry etching agent |
KR1020147004416A KR20140051332A (ko) | 2011-07-27 | 2012-06-13 | 드라이 에칭제 |
PCT/JP2012/065074 WO2013015033A1 (ja) | 2011-07-27 | 2012-06-13 | ドライエッチング剤 |
TW101127357A TWI491711B (zh) | 2011-07-27 | 2012-07-27 | Dry etchant |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011164008A JP2013030531A (ja) | 2011-07-27 | 2011-07-27 | ドライエッチング剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013030531A true JP2013030531A (ja) | 2013-02-07 |
Family
ID=47600892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011164008A Pending JP2013030531A (ja) | 2011-07-27 | 2011-07-27 | ドライエッチング剤 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140302683A1 (ja) |
EP (1) | EP2733725A4 (ja) |
JP (1) | JP2013030531A (ja) |
KR (1) | KR20140051332A (ja) |
CN (1) | CN103718277B (ja) |
TW (1) | TWI491711B (ja) |
WO (1) | WO2013015033A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016051777A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日本ゼオン株式会社 | シリコン酸化膜のプラズマエッチング方法 |
KR20160091285A (ko) | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 드라이 에칭 방법 |
WO2016133673A1 (en) * | 2015-02-16 | 2016-08-25 | Applied Materials, Inc. | Gate electrode material residual removal process |
EP3070736A1 (en) | 2015-03-20 | 2016-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
KR20160112928A (ko) | 2015-03-20 | 2016-09-28 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2017503350A (ja) * | 2013-12-30 | 2017-01-26 | ザ ケマーズ カンパニー エフシー リミテッド ライアビリティ カンパニー | チャンバクリーニング及び半導体エッチング用ガス |
US9728422B2 (en) | 2015-01-23 | 2017-08-08 | Central Glass Company, Limited | Dry etching method |
WO2019026741A1 (ja) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | シャープ株式会社 | 基板及び基板の製造方法 |
WO2021225263A1 (ko) * | 2020-05-04 | 2021-11-11 | 아주대학교 산학협력단 | 펜타플루오로프로판올(pentafluoropropanol)을 이용한 플라즈마 식각 방법 |
CN114573417A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-06-03 | 西安近代化学研究所 | 一种四氟甲烷及四氟甲烷混合气体的制备方法 |
JP2022537436A (ja) * | 2019-06-21 | 2022-08-25 | ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト | 誘電絶縁または消弧流体 |
KR20220139095A (ko) | 2021-04-07 | 2022-10-14 | (주)후성 | 플루오르화 시클로프로판 가스의 제조방법 및 이를 포함하는 에칭용 가스 조성물 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114752386A (zh) * | 2013-03-28 | 2022-07-15 | 得凯莫斯公司弗罗里达有限公司 | 氢氟烯烃蚀刻气体混合物 |
TWI658509B (zh) * | 2014-06-18 | 2019-05-01 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | 用於tsv/mems/功率元件蝕刻的化學物質 |
CN104261345B (zh) * | 2014-09-04 | 2016-06-29 | 北方广微科技有限公司 | 干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法 |
KR102333443B1 (ko) | 2014-10-24 | 2021-12-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
EP3038169A1 (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-29 | Solvay SA | Process for the manufacture of solar cells |
JP6788176B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2020-11-25 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法 |
JP6327295B2 (ja) * | 2015-08-12 | 2018-05-23 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP6748354B2 (ja) | 2015-09-18 | 2020-09-02 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法及びドライエッチング剤 |
JP6385915B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2018-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6604911B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2019-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
KR102550414B1 (ko) * | 2016-11-03 | 2023-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US10504720B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Etching using chamber with top plate formed of non-oxygen containing material |
CN110546742B (zh) | 2017-04-06 | 2023-09-29 | 关东电化工业株式会社 | 干式蚀刻气体组合物及干式蚀刻方法 |
CN111418046A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-14 | 朗姆研究公司 | 氧化硅氮化硅堆叠件楼梯踏步式蚀刻 |
JP7173799B2 (ja) * | 2018-09-11 | 2022-11-16 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法およびエッチングガス |
KR101975293B1 (ko) | 2018-10-05 | 2019-05-07 | 유지씨 주식회사 | 고소작업대용 안전 기구 및 그 안전 기구가 설치된 고소작업대 |
KR102244862B1 (ko) * | 2020-08-04 | 2021-04-27 | (주)원익머트리얼즈 | 식각 가스 혼합물과 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102399789B1 (ko) | 2021-06-21 | 2022-05-20 | 아성글로벌(주) | 고소작업을 위한 추락방지 안전대 체결링 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300616A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nippon Zeon Co Ltd | エッチング方法 |
JP2009206444A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2009206394A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 炭素系ハードマスクの形成方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63299343A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング方法 |
JP3198538B2 (ja) * | 1991-05-24 | 2001-08-13 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
JPH09191002A (ja) | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Sony Corp | プラズマエッチング方法 |
JP2972786B2 (ja) | 1996-11-05 | 1999-11-08 | 工業技術院長 | ドライエッチング用ガス |
JPH10223614A (ja) | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Daikin Ind Ltd | エッチングガスおよびクリーニングガス |
US6602434B1 (en) * | 1998-03-27 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using hexafluorobutadiene or related fluorocarbons and manifesting a wide process window |
US6387287B1 (en) | 1998-03-27 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using a hexafluorobutadiene and manifesting a wide process window |
US6174451B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch process using hexafluorobutadiene and related unsaturated hydrofluorocarbons |
US6540930B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-04-01 | 3M Innovative Properties Company | Use of perfluoroketones as vapor reactor cleaning, etching, and doping gases |
US7547635B2 (en) * | 2002-06-14 | 2009-06-16 | Lam Research Corporation | Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics |
KR20070009729A (ko) | 2004-05-11 | 2007-01-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 불화탄소 에칭 화학반응에서 H2 첨가를 이용한탄소-도핑-Si 산화물 에칭 |
JP2006193437A (ja) | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Central Glass Co Ltd | 1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペンの製造方法 |
EP2194569A4 (en) * | 2007-09-28 | 2011-06-22 | Zeon Corp | plasma etching |
JP2009091301A (ja) | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Central Glass Co Ltd | シス−1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロペンの製造方法 |
EP2549526A1 (en) * | 2011-07-18 | 2013-01-23 | Solvay Sa | Process for the production of etched items using fluorosubstituted compounds |
-
2011
- 2011-07-27 JP JP2011164008A patent/JP2013030531A/ja active Pending
-
2012
- 2012-06-13 US US14/232,054 patent/US20140302683A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-13 EP EP12818349.8A patent/EP2733725A4/en not_active Withdrawn
- 2012-06-13 CN CN201280037156.6A patent/CN103718277B/zh active Active
- 2012-06-13 KR KR1020147004416A patent/KR20140051332A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-06-13 WO PCT/JP2012/065074 patent/WO2013015033A1/ja active Application Filing
- 2012-07-27 TW TW101127357A patent/TWI491711B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300616A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nippon Zeon Co Ltd | エッチング方法 |
JP2009206444A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2009206394A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 炭素系ハードマスクの形成方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017503350A (ja) * | 2013-12-30 | 2017-01-26 | ザ ケマーズ カンパニー エフシー リミテッド ライアビリティ カンパニー | チャンバクリーニング及び半導体エッチング用ガス |
JP2016051777A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日本ゼオン株式会社 | シリコン酸化膜のプラズマエッチング方法 |
KR20160091285A (ko) | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 드라이 에칭 방법 |
US9728422B2 (en) | 2015-01-23 | 2017-08-08 | Central Glass Company, Limited | Dry etching method |
WO2016133673A1 (en) * | 2015-02-16 | 2016-08-25 | Applied Materials, Inc. | Gate electrode material residual removal process |
US9640385B2 (en) | 2015-02-16 | 2017-05-02 | Applied Materials, Inc. | Gate electrode material residual removal process |
US9818620B2 (en) | 2015-03-20 | 2017-11-14 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
US10224214B2 (en) | 2015-03-20 | 2019-03-05 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
US9666445B2 (en) | 2015-03-20 | 2017-05-30 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
KR20160112986A (ko) | 2015-03-20 | 2016-09-28 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
EP3070736A1 (en) | 2015-03-20 | 2016-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
KR20160112928A (ko) | 2015-03-20 | 2016-09-28 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US10957712B2 (en) | 2017-08-02 | 2021-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate and method for producing substrate |
WO2019026741A1 (ja) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | シャープ株式会社 | 基板及び基板の製造方法 |
JP2022537436A (ja) * | 2019-06-21 | 2022-08-25 | ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト | 誘電絶縁または消弧流体 |
JP7437580B2 (ja) | 2019-06-21 | 2024-02-26 | ヒタチ・エナジー・リミテッド | 誘電絶縁または消弧流体 |
WO2021225263A1 (ko) * | 2020-05-04 | 2021-11-11 | 아주대학교 산학협력단 | 펜타플루오로프로판올(pentafluoropropanol)을 이용한 플라즈마 식각 방법 |
KR20210135084A (ko) * | 2020-05-04 | 2021-11-12 | 아주대학교산학협력단 | 펜타플루오로프로판올(pentafluoropropanol)을 이용한 플라즈마 식각 방법 |
KR102461689B1 (ko) | 2020-05-04 | 2022-10-31 | 아주대학교산학협력단 | 펜타플루오로프로판올(pentafluoropropanol)을 이용한 플라즈마 식각 방법 |
KR20220139095A (ko) | 2021-04-07 | 2022-10-14 | (주)후성 | 플루오르화 시클로프로판 가스의 제조방법 및 이를 포함하는 에칭용 가스 조성물 |
CN114573417A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-06-03 | 西安近代化学研究所 | 一种四氟甲烷及四氟甲烷混合气体的制备方法 |
CN114573417B (zh) * | 2021-12-23 | 2023-12-12 | 西安近代化学研究所 | 一种四氟甲烷及四氟甲烷混合气体的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2733725A1 (en) | 2014-05-21 |
KR20140051332A (ko) | 2014-04-30 |
CN103718277B (zh) | 2016-08-31 |
CN103718277A (zh) | 2014-04-09 |
TW201313878A (zh) | 2013-04-01 |
TWI491711B (zh) | 2015-07-11 |
EP2733725A4 (en) | 2015-05-27 |
WO2013015033A1 (ja) | 2013-01-31 |
US20140302683A1 (en) | 2014-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013015033A1 (ja) | ドライエッチング剤 | |
JP5434970B2 (ja) | ドライエッチング剤 | |
TWI491710B (zh) | Dry etchants and dry etching methods using them | |
JP6327295B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP5958600B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
TW201639033A (zh) | 乾式蝕刻方法 | |
KR102303686B1 (ko) | 드라이 에칭제, 드라이 에칭 방법 및 반도체 장치의 제조방법 | |
JP2011176292A (ja) | ドライエッチング剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140206 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150618 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151215 |