JP5958600B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
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(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを用い、(A)及び(E)の体積流量比をそれぞれ5〜95%:5〜95%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、Arを用い、(A)、(E)、及びArの体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、H2とを用い、(A)、(E)、H2の体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、H2と、Arを用い、(A)、(E)、H2、及びArの体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:1〜50%:3〜93%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
2.アース
3.高周波電源装置
4.第一ガス導入口(表1のガス1、CF3C≡CHをマスフローコントローラーで制御して導入)
5.第二ガス導入口(表1のガス2、O2、CO、COF2、F2、Cl2、NF3をマスフローコントローラーで制御して導入)
6.第三ガス導入口(表1のガス2又は3、Ar、CHF3、CF4、C2F6、C3F8、H2をマスフローコントローラーで制御して導入)
7.サファイア管
8.電子式圧力計
9.排ガスライン
10.試料ホルダ
11.試料
Claims (4)
- (A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを用い、(A)及び(E)の体積流量比をそれぞれ5〜95%:5〜95%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
- (A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、Arを用い、(A)、(E)、及びArの体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
- (A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、H2とを用い、(A)、(E)、H2の体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
- (A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、H2と、Arを用い、(A)、(E)、H2、及びArの体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:1〜50%:3〜93%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
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