JP2015195381A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O2、CO、COF2、CF4、C2F6、C4F8、F2、Cl2及びNF3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを用い、(A)及び(E)の体積流量比をそれぞれ5〜95%:5〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法を用いる。
【選択図】図1
Description
(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O2、CO、COF2、CF4、C2F6、C4F8、F2、Cl2及びNF3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを用い、(A)及び(E)の体積流量比をそれぞれ5〜95%:5〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O2、CO、COF2、CF4、C2F6、C4F8、F2、Cl2及びNF3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、Arを用い、(A)、(E)、及びArの体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O2、CO、COF2、CF4、C2F6、C4F8、F2、Cl2及びNF3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、H2とを用い、(A)、(E)、H2の体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O2、CO、COF2、CF4、C2F6、C4F8、F2、Cl2及びNF3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、H2と、Arを用い、(A)、(E)、H2、及びArの体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:1〜50%:3〜93%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
2.アース
3.高周波電源装置
4.第一ガス導入口(表1のガス1、CF3C≡CHをマスフローコントローラーで制御して導入)
5.第二ガス導入口(表1のガス2、O2、CO、COF2、F2、Cl2、NF3をマスフローコントローラーで制御して導入)
6.第三ガス導入口(表1のガス2又は3、Ar、CHF3、CF4、C2F6、C3F8、H2をマスフローコントローラーで制御して導入)
7.サファイア管
8.電子式圧力計
9.排ガスライン
10.試料ホルダ
11.試料
Claims (4)
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- (A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O2、CO、COF2、CF4、C2F6、C4F8、F2、Cl2及びNF3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、Arを用い、(A)、(E)、及びArの体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
- (A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O2、CO、COF2、CF4、C2F6、C4F8、F2、Cl2及びNF3からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、H2とを用い、(A)、(E)、H2の体積流量比をそれぞれ5〜95%:1〜50%:4〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法。
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