JP2009050854A - 窒化チタンの除去方法 - Google Patents
窒化チタンの除去方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009050854A JP2009050854A JP2008315724A JP2008315724A JP2009050854A JP 2009050854 A JP2009050854 A JP 2009050854A JP 2008315724 A JP2008315724 A JP 2008315724A JP 2008315724 A JP2008315724 A JP 2008315724A JP 2009050854 A JP2009050854 A JP 2009050854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium nitride
- substrate
- process gas
- gas
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
Abstract
【課題】反応器内の内壁や部品に付着した窒化チタン残留物の効果的な除去方法を提供する。
【解決手段】(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化して富化された処理ガスを生成させ、この富化を第一の場所で行うこと、(c)基体表面の少なくとも一部が窒化チタンで被覆されている基体を、50℃を超える基体温度で供給すること、そして(d)当該基体表面の窒化チタンを、富化された処理ガスと接触させて基体表面から窒化チタンを揮発、除去し、この接触を第一の場所とは異なる第二の場所で行うこと、を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法。
【選択図】図1
【解決手段】(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化して富化された処理ガスを生成させ、この富化を第一の場所で行うこと、(c)基体表面の少なくとも一部が窒化チタンで被覆されている基体を、50℃を超える基体温度で供給すること、そして(d)当該基体表面の窒化チタンを、富化された処理ガスと接触させて基体表面から窒化チタンを揮発、除去し、この接触を第一の場所とは異なる第二の場所で行うこと、を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、窒化チタンの除去方法に関し、更に詳細には、反応器内の内壁や部品に付着する窒化チタン残留物の効果的な除去方法に関する。
窒化チタンは、通常、導電性物質が絶縁体やトランジスタの活性領域に拡散又は移行して入り込むことを防止するために働く、集積回路における拡散バリアとして使用されている。それは、また、導電体とそれを囲む絶縁、誘電体との間の離層や空隙を排除する定着剤としても使われている。最終物質並びに反応体を含むTiN残留物の析出中に、それが反応器内の内壁に沿って、また部品表面に析出する。これら残留物の付着から粒子の発生を軽減させるために、反応器内のチェンバーや部品は、定期的に洗浄しなければならない。したがって、かかる窒化チタンに係る効果的な除去方法が必要とされている。
半導体の製造における有用性に加えて、窒化チタンは、屡、航空宇宙や自動車の用途における塗膜として使用される。窒化チタンの薄膜を析出させるために使われる反応器は、工程の均一性を確保するために、一定のスケジュールで洗浄しなければならない。その結果として、これらの反応器を洗浄する迅速で経済的な手段を講じることが必要となる。
また、窒化チタンは、種々の機械部品を被覆するためにも使われている。時には、塗工の作業中あるいはその後に、塗膜が剥離したり、部品に要求される均一性が損なわれたりすることがある。度々、かかる「欠陥のある」部品は廃棄するか、低価格で欠陥部品として売却しなければならない。仮に、当該塗膜が、内在する部品表面や形態を損傷すること無しに部品から取り除くことができるならば、そのときは「下塗」部品として再塗工され、使用することが可能となる。
現在、スクラビングやブラスチングのような機械的手段、又は湿式化学溶液法が、通常、窒化チタンの処理チェンバー及び当該チェンバーから外された部品を洗浄するために使われている。
湿式洗浄又は機械洗浄と比較すると、反応性ガス洗浄では、反応器の真空を存続しているので、結果として、チェンバーの停止時間を極度に最小限度に抑え、またウェファーの処理量を増大させることが可能となる。反応性ガス洗浄法の特徴は、他の場面でも有効であることが知られているが、かかる方法は、表面からの窒化チタンの除去にとって完全に満足するということはなかった。例えば、C2F6及びO2のような酸素とフッ素を含有するガス混合物源を励起させる遠隔プラズマを用いて、W/TiNゲート構造から窒化チタンの薄膜を除去する乾式エッチング法を教示する米国特許第5,948,702号明細書には、約110nm/分未満の窒化チタンのエッチング速度しか開示されていない。
他の材料に関する窒化チタンのエッチング選択性を高めるか、あるいは窒化チタンのエッチング速度を高める目的で、高温にされた基体温度を使用することが示唆されてきた。例えば、基体が最初50〜200℃に加熱され、次いでCF4、C2F6、及びCHF3のようなハロカーボンの供給ガスから発生するプラズマに曝されるプラズマエッチングによって、耐熱珪化金属の下層に対して耐熱窒化金属層を選択的にエッチングする方法を開示する米国特許第5,419,805号明細書、及び、例えば、高温エッチングがRF動力源電極の裏面側へのヘリウム冷却を止めることで発生するパッドエッチングによって、集積回路の導体を覆う反射防止膜を除去する方法を教示する米国特許第6,177,355号明細書を参照されたい。高温を使用するにも拘わらず、これらの方法によって達成されるエッチング速度には、改良の余地が残されている。
処理チェンバーから生じる薄膜を洗浄する方法が、日本国特許第2,833,684号明細書において論じられている。この特許には、薄膜処理装置内で生じる窒化チタンを含む化学物質の析出物を洗浄する方法が開示されている。特に、当該特許には、150〜600℃の温度下で、三フッ化窒素に対してフッ素を添加する方法が教示されている。この特許には、単に熱的加熱を用いること以外に、プラズマの使用については教示がない。
同一反応系でプラズマを使用する窒化チタンのプラズマエッチングを教示する参考文献には、WO98/42020、WO00/19491及びWO02/013241号公報が含まれる。当該処理ガスは、Cl含有又はF含有化合物のいずれか、例えば、Cl2、HCl、BCl3、CF4、SF6、CHF3、もしくはNF3であってよい。
WO00/19491号公報には、窒化チタンの析出チェンバーを洗浄することの関係で、高温を使用することが教示されている。当該出願では、現場でのプラズマ活性化を用い、あるいは用いないで、高温下で塩素ガスをチェンバー内に導入することによる現場での処理チェンバーの洗浄に焦点を合わせている。本願で教示されている500〜700℃という高温は、実質的に、処理チェンバーに係る熱的予算を増加させ、また所有コストを増加させることになる。
したがって、本発明では、処理チェンバー又は部品の表面のようなそれぞれの表面から、高いエッチング速度で、窒化チタンを除去する方法を提供することを目的とする。また、本発明では、当該チェンバー又は部品の表面を損傷すること無しに、かかる除去を達成する方法を提供することを目的とする。更に、本発明では、表面から窒化チタンを除去する、効率的でかつ効果的である反応性ガス法を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化し、この富化を第一の場所で行うこと、(c)基体表面の少なくとも一部が窒化チタンで被覆されている基体を、50℃を超える基体温度で供給すること、そして(d)当該基体表面の窒化チタンを、富化された処理ガスと接触させて基体表面から窒化チタンを揮発、除去し、この接触を第一の場所とは異なる第二の場所で行うこと、を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化して、富化された処理ガスを生成させること、(c)基体表面の少なくとも一部が窒化チタンで被覆されている基体を、50℃〜900℃の基体温度で供給すること、そして(d)当該基体表面の窒化チタンを、実質的にイオンを含まない富化された処理ガスと接触させて、180nm/分を超えるエッチング速度で基体表面から窒化チタンを揮発、除去すること、を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法が提供される。
更に、本発明の他の態様によれば、(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化して、富化された処理ガスを生成させ、この富化を第一の場所で行うこと、(c)基体を、50℃〜900℃の基体温度で供給すること、そして(d)当該基体表面上のチタンと窒素との二成分系化合物を含む塗膜を、富化された処理ガスと接触させて、180nm/分を超えるエッチング速度で基体表面から当該塗膜を揮発、除去し、この接触を第一の場所とは異なる第二の場所で行うこと、を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法が提供される。
更に本発明によれば、処理反応器とは別個の洗浄処理反応器、離れた位置にあるプラズマ発生器、洗浄処理反応器全体にわたってガス流を供給するために用いられるガスディストリビュータ、加熱装置、及び洗浄処理反応器から反応性ガスを除去し、生成物を揮発させるために用いられるポンプ設備を含んでなる、本発明方法を行うための装置が提供される。
本明細書には、反応性ガス洗浄を用いて基体表面から窒化チタンを除去する方法が記載されている。反応性ガス洗浄の要件は、固体の非揮発性材料を、(例えば、真空ポンプによって)除去が可能な揮発性化学種に転換することである。熱力学的に好ましいことに加えて、転換のための化学反応は、また、反応速度論的にも、実行可能性のあることが必要である。窒化チタンが化学的に不活性であることに起因して、当該反応が進むような、活性エネルギーのバリアを克服するための外部エネルギー源が必要である。外部エネルギー源は、熱的賦活の形態で提供されることが好ましい。熱的賦活に含まれる比較的高い温度では、化学反応が促進されて、反応副産物をより揮発性にする。しかしながら、製造チェンバー内の温度に関しては実行上の限界がある。
本発明者らは、処理ガスが、高められた濃度の活性化学種を有するように処理されるときには、その熱的賦活温度は過度に高くないことが必要であることを見出している。熱的賦活と処理ガスの反応性化学種の富化とを組み合わせることによって、熱的賦活のみの実施よりも、一層、効果的で効率的な基体表面からの窒化チタンの除去法が得られる。
よって、熱的賦活された基体が処理ガスと接触すると、基体表面に析出した窒化チタンが揮発する。当該処理ガスは、それに反応性化学種を与える(あるいはその発生を増加させる)ように処理される。本明細書で使用される「反応性化学種」とは、窒化チタンと反応して揮発性の生成物を生成できるラジカルを意味する。フッ素及び塩素のラジカルは、特に、反応性化学種の具体例として好ましい。
離れた位置にあるプラズマ発生器は、処理ガスを反応性化学種で富化する最も好ましい手段である。しかしながら、本発明はそれに限定されない。当該処理ガス中の反応性ラジカルの濃度を高める他の手段、例えば、離れた位置にある炉内での処理ガスの加熱、及び紫外線による処理ガスの解離等も、本発明の技術的範囲内である。
その場のプラズマ発生器、並びに離れた位置にあるプラズマ発生器は、反応性化学種を与えることはできるが、その場でのプラズマ賦活では、望ましくない副作用が生じることもある。その場でのプラズマを使用すると、イオン衝撃のため、基体に損傷を与える結果となることがある。その場でのプラズマとは違って、離れた位置にあるプラズマでは、イオン衝撃により生じる基体への損傷無しに、窒化チタンの除去を容易にする反応性化学種を発生させることができる。損傷のない基体は、離れた位置にあるプラズマ発生器に存在するイオンが、離れた位置にあるプラズマ発生器から洗浄されるべき基体表面を収容する反応器までの通路において中性化されることの証拠である。よって、窒化チタンが、基体の損傷無しに基体から除去されるときには、この処理ガスには実質的にイオンが含まれていない。当該処理ガスは、そのイオン濃度が106/cmー3未満であるときに、実質的にイオンが含まれない。
加えて、離れた位置にあるプラズマ単位装置では、存続する装置システムに装置の改善を施すことが一層容易となる。よって、反応性ガスを用いて析出チェンバーを洗浄するときには、離れた位置にあるプラズマ発生器を使用することが好ましい。かかる実施態様によって、イオン衝撃による基体の損傷無しに、基体から窒化チタンの一部又は全てを除去することが可能となる。
好適なプラズマ発生器の具体例には、マイクロ波プラズマ発生器及びRFプラズマ発生器が含まれるが、これらに限定されない。
処理ガスには、少なくとも一種の反応性ガスが含まれ、そして選択的に、少なくとも一種のキャリアガスが含まれる。当該反応性ガスには、少なくとも一種の、窒化チタンと反応して揮発性の生成物を生成することが可能な(あるいは、窒化チタンと反応性の化学種を生成して揮発性の生成物を生成することが可能な)反応体が含まれる。フッ素及び/又は塩素含有物質が好ましい反応体であるが、フッ素含有物質の方がより好ましい。
非限定的なフッ素含有反応性ガスの具体例には、NF3(三フッ化窒素)、NClxF3-x(x=1〜2)、F2(元素状フッ素)、ClF3(三フッ化塩素)、ClF(一フッ化塩素)、SF6(六フッ化硫黄)、BrF3(三フッ化臭素)、BF3(三フッ化硼素)、CF4及びC2F6等のようなペルフルオロカーボン、CHF3及びC3F7H等のようなヒドロフルオロカーボン、C4F8O(ペルフルオロテトラヒドロフラン)のようなオキシフルオロカーボン、CF3OF(フルオロオキシトリフルオロメタン)、CF3OOCF3(ビストリフルオロメタンペルオキシド)、及びCOF2などが含まれる。フッ素含有反応性ガスは、種々な手段、例えば、慣用のシリンダー、安全送出設備、真空送出設備、及び使用間際に反応性ガスを発生させる固体又は液体系発生器によって送出することが可能である。
非限定的な塩素含有反応性ガスの具体例には、BCl3(三塩化硼素)、Cl2(塩素)、COCl2(ホスゲン)、HCl(塩化水素)、及びトランス−ジクロロエチレン(C2H2Cl2)(例えば、ペンシルバニア州、アレンタウンの Air Products and Chemicals 製TRANS−LC)が含まれる。
処理ガスは、10〜10000sccmの流速で、プラズマ反応器に供給することが好ましい。
処理ガスには、選択的に、少なくとも一種のキャリアガスが含まれてもよい。好適なキャリアガスには、N2、He、Ne、Kr、Xe及び/又はArが含まれるが、これらに限定されない。当該キャリアガスは、処理ガスの0〜99.9%から成ってよく、より好適には処理ガスの1〜99.9%から成ってよい。
処理ガスには、それらが処理効率を不当に妨げないことを条件として、選択的に、付加的な添加剤が含まれてもよい。例えば、酸素ガスは、ある実施態様では反応性ガスの解離を助けて反応性化学種を生成させるのに有用であるが、他の実施態様では有効でないことがある。
上記したように、処理ガスを反応性化学種で富化するための好ましい手段は、離れた位置にあるプラズマ発生器内で当該処理ガスからプラズマを発生させることである。本明細書で使われる用語「プラズマ」とは、イオン及び電子を含有するガスを意味する。当該プラズマは、富化された処理ガスを供給するために、離れた位置にあるプラズマ発生器中で処理ガスから発生させ、そしてこの富化された処理ガスが反応器に搬送され、その反応器内で、当該処理ガス中の反応性化学種が窒化チタンと反応する。この反応生成物は揮発性であり、当該反応器を通るガス流によって基体から運び去られる。
処理ガスからプラズマを発生させる好適な条件は、特に限定されない。好ましいプラズマ発生のパラメータは、0.5〜50トールのプラズマ圧と100〜10000ワットのプラズマ出力である。より好ましいプラズマ発生のパラメータは、1〜10トールのプラズマ圧と500〜5000ワットのプラズマ出力である。
好ましい実施態様では、富化された処理ガスは、離れた位置にあるプラズマ発生器(「第一の場所」)から窒化チタンが除去されるべき基体を収容する反応器(「第二の場所」)に搬送される。富化された処理ガスは、選択的なキャリアガス及び/又は第一と第二の場所間の差圧の助けを借りて搬送されてもよい。当該反応器における条件は、基体上でのプラズマと窒化チタンとの反応性ガス間で反応が起こり易いように選定される。反応器の圧力は、好ましくは0.5〜50トールであり、より好ましくは1〜10トールである。当該反応器の圧力は、プラズマの圧力と同じであっても、異なってもよい。当該反応器の温度は、特に限定されない。
基体は、反応器内に収容され、そしてある実施態様では、反応器それ自体の表面であってもよい。他の実施態様では、当該基体は、その反応器とは異なる反応器内の物体である。よって、窒化チタンが取り除かれる表面を有する適当な基体には、処理チェンバー、工具部品、機械部品、加工物などが含まれるが、これらに限定されない。
当該基体は、富化された処理ガス中の反応性化学種と結合して基体から窒化チタンが除かれ易くなる基体温度になるまで加熱される。適当な基体の温度範囲は、反応性ガスの熱分解温度、反応活性化エネルギーのバリアを克服するに必要なエネルギー、及び装置機材の能力に依存する。反応性化学種の富化と組み合わせて用いられるときの熱的賦活に好適な基体温度は、50℃以上が好適であり、好ましくは50〜900℃、より好ましくは50〜500℃、そして更に好ましくは100〜350℃である。
基体を加熱するための手段は、特に、限定されない。ある実施態様では、基体は加熱装置との熱的接触に置かれる。好ましくは、当該基体は、富化された処理ガスに到達可能な位置での基台加熱器上に固定される。他の実施態様では、ランプや抵抗加熱器のような外部加熱要素を用いることによって反応器の温度が高められ、基体が加熱される。例えば、基体が反応器それ自体の表面であるときには、その反応器の温度が高められる(そして、基体温度は、反応器温度と同じである)。
本明細書に記載した方法では、基体を損傷すること無しに、高速度で、基体表面から窒化チタンをエッチングすることが可能である。慣用の意味と合致させて本明細書中で使われる表現「窒化チタン」とは、広範囲の化学量論比にあるチタンと窒素との二成分系化合物を意味する。
本発明のある実施態様では、他のものよりも高速のエッチング速度を与える。例えば、240nm/分を超えるエッチング速度は、NF3プラズマと100℃の熱的加熱を用いて達成されるのに対して、一方、約6nmのエッチング速度は、離れた位置にあるCl2プラズマと350℃の熱的加熱を用いて達成される。本明細書中に記載される方法によれば、少なくとも約6nm/分の速度で窒化チタンをエッチングしてよく、好ましくは少なくとも約40nm/分の、より好ましくは180nm/分を超える、そして更に好ましくは240nm/分を超える速度でエッチングされる。
本発明のある実施態様では、その部品が窒化チタンで被覆された処理反応器から離れた位置にある反応器内で、当該部品が洗浄される。この離れた位置での洗浄処理に好適な装置には、離れた位置にあるプラズマ発生器装置、洗浄処理反応器の全体に均一なガス流を確保するためのガスディストリビュータ、反応器を加熱するための手段、及び洗浄処理反応器から反応性ガスを取り除き、生成物を揮発させるためのポンプ装置を備えた洗浄処理反応器が含まれていることが好ましい。TiNで被覆された反応器部品及び工具ビットのような部品は、当該反応器内に装填される。所望の処理温度に達したときに、反応性ガスの流れが、離れた位置にあるプラズマ単位装置を通して開始される。次いで、プラズマによって発生するフッ素及び/又は塩素ラジカルが、ディストリビュータ板を通して処理チェンバー内に流れ込む。析出物の無い基体を残して、TiNが、反応器内に置かれた部品から取り除かれる。
本発明について、以下の実施例を参照して更に詳しく説明するが、本発明は、これら実施例によって限定されないものと解されるべきである。
以下は、反応性ガス洗浄を用いる窒化チタンの除去に係る実験例である。実験装置は、離れた位置にあるプラズマ設備と熱加熱設備の両者を有する。全ての実験では、試料を、約120nmの窒化チタンで被覆されたSiウェーハから準備した。窒化チタンの除去速度は、処理条件に対する時限的な暴露での前後における、窒化チタンの薄膜の厚さの変化によって算出した。当該窒化チタンの薄膜の厚さは、四つの先端をもつ導電性プローブを用いて決定した。この導電性の四つの先端をもつプローブによる測定値の精度を確認するために、数個の試料クーポンを、そのエッチング/洗浄処理後に断面で切断した。次いで、そのクーポン断面を、走査電子顕微鏡(SEM)によって検査して、処理後の窒化チタンの厚さを正確に決定した。当該全てのSEM結果は、前記四つの先端をもつプローブの測定値と一致していた。
実施例1: 離れた位置にあるNF3プラズマと熱的加熱の組合せを用いた窒化チタンの除去
この実施例では、処理ガスとしてSF3を使用した、離れた位置にあるプラズマと熱的加熱の組合せを用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法について示す。
この実施例では、処理ガスとしてSF3を使用した、離れた位置にあるプラズマと熱的加熱の組合せを用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法について示す。
図1は、実験装置の略断面処理図を示している。離れた位置にあるプラズマ発生器10(マサチューセッツ州、ウィルミントンの MKS Instruments 製のMKS ASTRON)を、反応器12の頂部に固定した。プラズマ発生器10の出口14と試料クーポン16間の距離は、約6インチ(15.25cm)であった。クーポン16を、基台加熱器18の表面に置いた。加熱器を用いて、種々の基体温度を得た。実験の全てにおいて、離れた位置にあるプラズマ発生器を、処理ガスとして200sccmのNF3と200sccmのArとの混合物を用いて操作し(パイプ20を経てプラズマ発生器に10に供給した)、そしてチェンバー圧を、ポンプ出口22の助けを借りて4トールに維持した。
以下の実験順序を、それぞれの実験計画(DE)の試験に対して行った。
1.チェンバーの開口、
2.試験クーポンの装填及び前ドアの閉鎖、
3.基準真空圧に到達させるためのチェンバーの排気、
4.温度設定のための試験クーポンの加熱、
5.設定温度に達した後のアルゴンの導入と圧力の安定化、
6.離れた位置にあるプラズマ出力の供給開始、
7.処理ガスの導入、
8.設定時間後の離れた位置にあるプラズマ出力の供給停止、
9.処理流の停止とチェンバーの排気、及び
10.チェンバーの開放と分析のための試験クーポンの回収。
1.チェンバーの開口、
2.試験クーポンの装填及び前ドアの閉鎖、
3.基準真空圧に到達させるためのチェンバーの排気、
4.温度設定のための試験クーポンの加熱、
5.設定温度に達した後のアルゴンの導入と圧力の安定化、
6.離れた位置にあるプラズマ出力の供給開始、
7.処理ガスの導入、
8.設定時間後の離れた位置にあるプラズマ出力の供給停止、
9.処理流の停止とチェンバーの排気、及び
10.チェンバーの開放と分析のための試験クーポンの回収。
図2は、異なる基体温度下での窒化チタンのエッチング速度を示している。40℃では、薄膜の厚さは増大し、結果として、この温度条件下での負のエッチング速度が図2に示されている。かかる低温度下では、試料表面における窒化チタンの格子構造中に塩素原子が取り込まれることによって、その薄膜の厚さに増大を生じさせている。
窒化チタンのエッチングは、40℃を超える温度で観察された。窒化チタンのエッチング速度は、基体温度の上昇と共に増加した。驚くことに、90℃と100℃の間では、そのエッチング速度が、10より大きい倍数で突然急に跳ね上がった。実施例3には、熱的加熱のみが用いられたときには、そのエッチング速度が、450℃で、約20nm/分であったことが示されている。この結果は、離れた位置にあるプラズマと熱的加熱との間には相乗的な相互作用があることを示している。
また、実験データは、処理ガスに対してO2を添加しても、洗浄処理を改善しなかったことも示している。
実施例2: 離れた位置にあるCl2プラズマと熱的加熱の組合せを用いた窒化チタンの除去
この実施例では、処理ガスとしてCl2を使用した、離れた位置にあるプラズマと熱的加熱の組合せを用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法について示す。
この実施例では、処理ガスとしてCl2を使用した、離れた位置にあるプラズマと熱的加熱の組合せを用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法について示す。
実験の組立は、実施例1のそれと同じである。
ここでの処理ガスは、200sccmのCl2と200sccmのArとの混合物である。離れた位置にあるCl2のプラズマ下では、100℃で何らのエッチングも観察されなかったのに対して、一方、約6nm/分のエッチング速度が、350℃で得られた。Cl2ガスでのエッチング速度は、NF3ガスでのそれよりもはるかに遅い。CRCハンドブックによれば、TiCl4は、Ti(V)塩化物の中で最も高い揮発性である(融点25℃と沸点136℃を有する)。TiF4は、284℃の融解温度を有し、同じ高温下でのみ昇華する。この知識によれば、塩素系試薬では、フッ素系試薬よりも一層容易に窒化チタンを揮発させることが可能であると言わねばならない。プラズマと熱的活性化とを組み合わせる方法において、NF3のようなフッ素試薬の方がCl2のような塩素試薬よりも一層容易に窒化チタンを除去するという発見は、予期し得ないものである。
実施例3: NF3の熱的加熱を用いた窒化チタンの除去
この比較例では、処理ガスとしてSF3を使用した、熱的加熱を用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法について示す。
この比較例では、処理ガスとしてSF3を使用した、熱的加熱を用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法について示す。
実験の組立は、離れた位置にあるプラズマの供給を停止して、より高いチェンバー圧、8トールを用いた点を除き、実施例1及び2のそれと同じであった。
処理ガスとして、500sccmのNF3流を用いた。350℃及び450℃での窒化チタンのエッチング速度は、それぞれ、約0.6nm/分と約20nm/分であった。離れた位置にあるプラズマ無しでは、同じ処理ガスの場合でも、はるかに高い温度が、窒化チタンの除去には必要である。
実施例4: F2の熱的加熱を用いた窒化チタンの除去
この比較例では、処理ガスとしてF2を使用した、熱的加熱を用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法を示す。
この比較例では、処理ガスとしてF2を使用した、熱的加熱を用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法を示す。
NF3以外に、N2中5.1%のF2についても、窒化チタンの除去に関して試験した。250sccmの定常流を反応チェンバーに通過させ、かつ当該チェンバーを8トールの圧力下に維持した。図3には、基体温度に伴う窒化チタンのエッチング速度が示されている。基体温度が高くなると、結果として、窒化チタンのエッチング速度が増加した。NF3に比して、窒化チタンとの洗浄反応を開始させるためには、より低い基体温度であることが、N2中5.1%のF2の場合には必要であった。
実施例5: Cl2の熱的加熱を用いた窒化チタンの除去
この比較例では、処理ガスとしてCl2を使用した、熱的加熱を用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法を示す。
この比較例では、処理ガスとしてCl2を使用した、熱的加熱を用いることによる処理チェンバー及び部品の洗浄法を示す。
実験条件を、200sccmのCl2流、8トールのチェンバー圧、及び350℃の基体温度としたとき、何らのエッチングも観察されなかった。その温度を450℃に上げたときに、10分の洗浄後にも依然として窒化チタンの薄膜の残渣が残った。このことは、450℃でのエッチング速度は12nm/分よりも遅く、それは、同様の操作条件下で、NF3のそれよりもはるかに遅いことを示している。フッ素含有化合物は、窒化チタンの除去に関して、塩素含有化合物よりも一層有効である。
実施例6: 基台加熱器の表面からの窒化チタンの除去
窒化チタンの被覆表面をもつ基台加熱器について、実施例1におけるそれと同じ方法を用いて試験した。アルミニウム製の加熱器を、窒化チタンの処理チェンバーから取り外した。当該加熱器表面の窒化チタン層は、約20μmであった。この実験では、離れた位置にあるプラズマ条件として、400sccmのNF3、400sccmのAr、及び4トールのチェンバー圧を用い、そして基体温度としては150℃を用いた。45分以内に、窒化チタン層は、完全に除去された。何らの損傷も、当該加熱器表面には観察されなかった。
窒化チタンの被覆表面をもつ基台加熱器について、実施例1におけるそれと同じ方法を用いて試験した。アルミニウム製の加熱器を、窒化チタンの処理チェンバーから取り外した。当該加熱器表面の窒化チタン層は、約20μmであった。この実験では、離れた位置にあるプラズマ条件として、400sccmのNF3、400sccmのAr、及び4トールのチェンバー圧を用い、そして基体温度としては150℃を用いた。45分以内に、窒化チタン層は、完全に除去された。何らの損傷も、当該加熱器表面には観察されなかった。
本発明について、特定の具体例を参照して詳細に述べてきたが、本発明の技術思想及び技術的範囲から離れること無しに、種々の変更および改変が可能であることは当業者にとって自明であろう。
10 プラズマ発生器
12 反応器
14 プラズマ発生器の出口
16 試料クーポン
18 基台加熱器
20 パイプ
22 ポンプ出口
12 反応器
14 プラズマ発生器の出口
16 試料クーポン
18 基台加熱器
20 パイプ
22 ポンプ出口
Claims (9)
- 以下の工程:
(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、
(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化して富化された処理ガスを生成させ、この富化を第一の場所で行うこと、
(c)基体表面の少なくとも一部が窒化チタンで被覆されている基体を、50℃を超える基体温度で供給すること、そして
(d)当該基体表面の窒化チタンを、富化された処理ガスと接触させて基体表面から窒化チタンを揮発、除去し、この接触を第一の場所とは異なる第二の場所で行うこと、
を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法。 - 前記第一の場所がプラズマ発生器であり、前記富化が処理ガスからプラズマを発生させることを含み、そして前記第二の場所がプラズマ発生器と流体通路で結ばれた反応器である、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも一種の反応体がNF3、NClF2、NCl2F、F2、ClF3、ClF、SF6、BrF3、BF3、ペルフルオロカーボン、ヒドロフルオロカーボン、及びオキシフルオロカーボンからなる群より選ばれる少なくとも一種である、請求項1に記載の方法。
- 前記処理ガスがN2、He、Ne、Kr、Xe及びArからなる群より選ばれるキャリアガスを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも一種の反応性化学種がフッ素ラジカルを含む、請求項1に記載の方法。
- 以下の工程:
(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、
(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化して、富化された処理ガスを生成させること、
(c)基体表面の少なくとも一部が窒化チタンで被覆されている基体を、50℃〜900℃の基体温度で供給すること、そして
(d)当該基体表面の窒化チタンを、実質的にイオンを含まない富化された処理ガスと接触させて、180nm/分を超えるエッチング速度で基体表面から窒化チタンを揮発、除去すること、
を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法。 - 前記富化が処理ガスからプラズマを発生させることを含み、そして窒化チタンと接触させる前記富化された処理ガスがプラズマでない、請求項6に記載の方法。
- 以下の工程:
(a)フッ素含有物質及び塩素含有物質からなる群より選ばれる少なくとも一種の反応体を含む処理ガスを供給すること、
(b)当該処理ガスを、少なくとも一種の反応体からなる少なくとも一種の反応性化学種で富化して、富化された処理ガスを生成させ、この富化を第一の場所で行うこと、
(c)基体を、50℃〜900℃の基体温度で供給すること、そして
(d)当該基体表面上のチタンと窒素との二成分系化合物を含む塗膜を、富化された処理ガスと接触させて、180nm/分を超えるエッチング速度で基体表面から塗膜を揮発、除去し、この接触を第一の場所とは異なる第二の場所で行うこと、
を含む基体表面から窒化チタンを除去する方法。 - 以下の機器:
処理反応器とは別個の洗浄処理反応器、
離れた位置にあるプラズマ発生器、
洗浄処理反応器全体にわたってガス流を供給するために用いられるガスディストリビュータ、
加熱装置、及び
洗浄処理反応器から反応性ガスを除去し、生成物を揮発させるために用いられるポンプ設備
を含んでなる、請求項1の方法を行う装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/896,588 US20060016783A1 (en) | 2004-07-22 | 2004-07-22 | Process for titanium nitride removal |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005209698A Division JP2006035213A (ja) | 2004-07-22 | 2005-07-20 | 窒化チタンの除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009050854A true JP2009050854A (ja) | 2009-03-12 |
Family
ID=35501561
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005209698A Pending JP2006035213A (ja) | 2004-07-22 | 2005-07-20 | 窒化チタンの除去方法 |
JP2008315724A Pending JP2009050854A (ja) | 2004-07-22 | 2008-12-11 | 窒化チタンの除去方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005209698A Pending JP2006035213A (ja) | 2004-07-22 | 2005-07-20 | 窒化チタンの除去方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060016783A1 (ja) |
EP (1) | EP1619268A3 (ja) |
JP (2) | JP2006035213A (ja) |
KR (2) | KR20060053879A (ja) |
CN (1) | CN100378911C (ja) |
TW (1) | TW200605226A (ja) |
Families Citing this family (458)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100719801B1 (ko) * | 2005-09-05 | 2007-05-18 | 주식회사 아이피에스 | 반도체 장비의 내식성 강화방법 |
KR100794661B1 (ko) * | 2006-08-18 | 2008-01-14 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 그 장치의 세정 방법 |
JP4927517B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2012-05-09 | エア・ウォーター株式会社 | 硬質皮膜コーティングされた工具の再生方法および硬質皮膜コーティングされた金型の再生方法 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US20110162674A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ process chamber clean to remove titanium nitride etch by-products |
KR101630234B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2016-06-15 | 주성엔지니어링(주) | 공정챔버의 세정방법 |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
JP2012174922A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Central Glass Co Ltd | クリーニングガス及びそれを用いたリモートプラズマクリーニング方法 |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9205509B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-12-08 | General Electric Company | Localized cleaning process and apparatus therefor |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
JP5982223B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) * | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9142393B2 (en) * | 2013-05-23 | 2015-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) * | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US9405089B2 (en) * | 2014-05-22 | 2016-08-02 | Texas Instruments Incorporated | High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US20180033643A1 (en) * | 2015-02-25 | 2018-02-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for using alkyl amines for the selective removal of metal nitride |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
JP6817752B2 (ja) | 2016-09-09 | 2021-01-20 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法およびエッチング装置 |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
WO2020002995A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
CN113196454A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-07-30 | 昭和电工株式会社 | 利用卤素氟化物的蚀刻方法、半导体的制造方法 |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
WO2020230522A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 昭和電工株式会社 | 金属除去方法、ドライエッチング方法、及び半導体素子の製造方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
CN112458435B (zh) * | 2020-11-23 | 2022-12-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 原子层沉积设备及清洗方法 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
CN117597769A (zh) * | 2021-07-12 | 2024-02-23 | 应用材料公司 | 过渡金属氮化物材料的选择性移除 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4877482A (en) * | 1989-03-23 | 1989-10-31 | Motorola Inc. | Nitride removal method |
US5888414A (en) * | 1991-06-27 | 1999-03-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control |
US5419805A (en) * | 1992-03-18 | 1995-05-30 | Northern Telecom Limited | Selective etching of refractory metal nitrides |
JP2833684B2 (ja) * | 1993-09-29 | 1998-12-09 | セントラル硝子株式会社 | 薄膜形成装置のクリーニング方法 |
JP3247270B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
JP3521587B2 (ja) * | 1995-02-07 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法 |
US6015761A (en) * | 1996-06-26 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Microwave-activated etching of dielectric layers |
US5948702A (en) * | 1996-12-19 | 1999-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Selective removal of TixNy |
US6841203B2 (en) * | 1997-12-24 | 2005-01-11 | Tokyo Electron Limited | Method of forming titanium film by CVD |
JP2000124189A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 局所エッチング装置及び局所エッチング方法 |
US6177355B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-01-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pad etch process capable of thick titanium nitride arc removal |
US6383945B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | High selectivity pad etch for thick topside stacks |
US6800210B2 (en) * | 2001-05-22 | 2004-10-05 | Reflectivity, Inc. | Method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants |
JP4121269B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2008-07-23 | 日本エー・エス・エム株式会社 | セルフクリーニングを実行するプラズマcvd装置及び方法 |
US6627529B2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-09-30 | Micron Technology, Inc. | Capacitance reduction by tunnel formation for use with semiconductor device |
KR100478498B1 (ko) * | 2003-01-30 | 2005-03-28 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
WO2004074932A2 (en) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning of native oxides with hydroge-containing radicals |
US6953724B2 (en) * | 2003-09-25 | 2005-10-11 | International Business Machines Corporation | Self-limited metal recess for deep trench metal fill |
-
2004
- 2004-07-22 US US10/896,588 patent/US20060016783A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-07-19 KR KR1020050065122A patent/KR20060053879A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-07-20 JP JP2005209698A patent/JP2006035213A/ja active Pending
- 2005-07-20 EP EP05015784A patent/EP1619268A3/en not_active Withdrawn
- 2005-07-20 TW TW094124606A patent/TW200605226A/zh unknown
- 2005-07-22 CN CNB2005100875269A patent/CN100378911C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-05 KR KR1020080053253A patent/KR20080058314A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-12-11 JP JP2008315724A patent/JP2009050854A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060053879A (ko) | 2006-05-22 |
EP1619268A3 (en) | 2006-06-14 |
KR20080058314A (ko) | 2008-06-25 |
CN1725442A (zh) | 2006-01-25 |
TW200605226A (en) | 2006-02-01 |
JP2006035213A (ja) | 2006-02-09 |
CN100378911C (zh) | 2008-04-02 |
US20060016783A1 (en) | 2006-01-26 |
EP1619268A2 (en) | 2006-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009050854A (ja) | 窒化チタンの除去方法 | |
JP6737899B2 (ja) | プラズマ処理チャンバでのインシトゥチャンバ洗浄効率向上のためのプラズマ処理プロセス | |
US7371688B2 (en) | Removal of transition metal ternary and/or quaternary barrier materials from a substrate | |
KR100667723B1 (ko) | 고유전율 물질의 에칭 방법 및 고유전율 물질용 증착챔버의 세정 방법 | |
KR100656770B1 (ko) | 고유전율 물질의 에칭 방법 및 고유전율 물질용 증착챔버의 세정 방법 | |
EP1536035A2 (en) | Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials | |
US6290779B1 (en) | Systems and methods for dry cleaning process chambers | |
JP2006041523A (ja) | フッ素利用率を増大させる方法 | |
KR100786609B1 (ko) | 기구 부품의 반응성 기체 청소 방법 및 공정 | |
JP2008244292A (ja) | プラズマ処理装置の処理性能安定化方法 | |
KR0181728B1 (ko) | 화학 증착장치의 서셉터에서 적층물을 제거하기 위한 개선된 세정공정 | |
EP1892047A2 (en) | Detecting the Endpoint of a Cleaning Process | |
JP2008060171A (ja) | 半導体処理装置のクリーニング方法 | |
JP5214316B2 (ja) | プラズマ成膜装置のクリーニング方法 | |
CN115274388A (zh) | 一种无晶圆等离子腔室的清洗方法 | |
JP2000349071A (ja) | ケミカルドライエッチング方法 | |
JPH1055992A (ja) | クリーニング方法と半導体の製造方法 | |
JP2002184703A (ja) | 半導体製造プロセス装置用シリコン部材およびその製造方法 | |
Mitchell et al. | NF 3 chamber clean additive |