KR100786609B1 - 기구 부품의 반응성 기체 청소 방법 및 공정 - Google Patents

기구 부품의 반응성 기체 청소 방법 및 공정 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 증착 공정에서의 증착 동안에 형성된 원치 않는 잔류물 코팅을 상부에 갖는 오염된 기구 부품의 청소의 개선에 관한 것이다. 이 공정에서, 청소할 오염된 기구 부품을 반도체 증착 챔버로부터 꺼내서 반도체 반응기 증착 챔버에서 오프라인인 반응 챔버, 즉 오프라인 기체 반응 챔버에 위치시킨다. 잔류물을 휘발성 화학종으로 전환하는 조건하에서 오염된 부품을 반응성 기체와 상기 오프라인 반응기 내에서 접촉시킨 뒤 이 휘발성 화학종을 상기 오프라인 기체 반응 챔버로부터 제거함으로써 오염된 부품상의 잔류물 코팅을 제거한다.
잔류물, 청소, 클리닝, 반응성 기체

Description

기구 부품의 반응성 기체 청소 방법 및 공정{Method and Process for Reactive Gas Cleaning of Tool Parts}
전자 산업에서는 반도체와 같은 전자 부품을 생산하기 위해 표적 기재상에 선택적인 재료가 증착되는 다양한 증착 기술이 개발되어 왔다. 증착 공정 가운데 한 유형은 화학 기상 증착 (CVD) 으로서, 여기에서는 기상 반응물이 가열된 공정 챔버로 도입되어 원하는 기재상에 박막이 증착된다.
일반적으로, 예컨대 CVD, ALD, PVD 및 PECVD 와 같은 모든 증착 방법들은 표적 기재 이외에 반도체 증착 챔버 내의 모든 표면과 장비상의 박막 및 입자 물질의 퇴적으로 이어진다. 반응기 벽, 기구 표면과 같은 기구 부품, 샤워헤드, 서셉터(susceptor) 및 기타 장비상에 쌓아올려지는 모든 재료, 박막 등은 오염물로 간주되며 전자 제품 구성요소의 결점으로 이어질 수 있다.
반도체 증착 챔버와 장비는 원치 않는 오염 증착 재료를 제거하기 위해 주기적으로 청소하여야만 한다는 것은 잘 알려져 있다. 증착 챔버 내의 어떤 고정물, 즉 기구 부품은 흔히 오프라인으로 (off-line) 청소된다. 이러한 종류의 오프라인 청소는 흔히 "부품" 청소로 지칭된다. 부품 청소는 전체 챔버의 청소가 불가능하거 나 불필요한 때에 특히 효과적이다. 전통적으로, 증착 챔버 내의 부품은 블라스팅과 같은 기계적 방법 또는 산 또는 부식 용액에의 함침과 같은 습식법을 이용하여 오프라인으로 청소된다. 기계적 및 습식법의 조합을 이용하여 견고한 내화학성 재료를 제거할 수 있다. 기계적 및 습식법은 모두 노동집약적이며, 환경 친화적이지 못하다.
다음 문헌들은 반도체 제조에서의 박막 증착 및 증착 챔버의 청소에 대한 공정을 예시한다.
미국 공개특허 제2003/0109138호는 반도체 구조물 내의 탄탈륨층을, CxHyFz와 같은 탄소 함유 불소 기체와 함께 NF3 또는 SF6와 같은 플라즈마원 기체를 이용하여 식각하는 공정을 개시한다. 공정 챔버의 내부 표면상에 형성된 Ta를 포함하는 증착물을 제거하기 위한 원격 플라즈마의 용도 또한 설명한다.
미국 등록특허 제6,274,058호는 특히 탄탈륨 증착에 이용되는 공정 챔버의 원격 플라즈마 청소를 위한 현장(in-situ) 공정을 개시한다. 챔버 내의 증착 생성물을 청소하는 데 적합한 반응성 기체에는 할로겐 기체, 예컨대 NF3, F2, CF4, SF6, C2F6, CCl4 및 C2Cl6가 포함된다.
미국 등록특허 제5,421,957호는 냉벽(cold-wall) CVD 챔버의 저온 청소 공정을 개시한다. 이 공정은 습기가 없는 조건하에서 현장 수행된다. 에피택시 실리콘, 폴리실리콘, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 및 내화 금속, 티타늄, 텅스텐 및 이들의 실리사이드와 같은 다양한 재료의 박막의 청소는 예컨대 삼불화 질소, 삼불화 염 소, 육불화 황 및 사불화 탄소와 같은 식각 기체를 이용하여 수행된다. 400-600℃ 온도에서의 챔버 벽의 NF3 식각이 설명되어 있다.
미국 등록특허 제6,067,999호는 환경 유해 물질의 배출을 조절 및 최소화하는 2단계 청소 공정을 개시하며, 이는 공정 온도를 확립하는 단계; 헬륨, 아르곤, 일산화 질소 및 혼합물과 같은 비활성 기체 내의 NF3 15-25% 혼합물을 55sccm (분당 표준 입방 센티미터) 이상의 유속으로 제공하는 단계, PECVD 공정 온도에서 1.5 내지 9.5 Torr의 압력을 확립하는 단계, 공정 온도에서 플라즈마를 확립하는 단계, 공정 챔버에서 저압을 확립하는 단계 및 저압 압력 챔버에서 플라즈마를 확립하는 단계를 포함한다.
미국 등록특허 제5,043,299호는 마스크된 반도체상에 텅스텐을 선택적으로 증착하는 공정을 개시하며, 이는 밀봉 청소 챔버 내에서 웨이퍼 표면을 청소하고, 선택적 증착을 위한 깨끗한 진공 증착 챔버로 이송함으로써 이루어진다. 선택적 텅스텐 CVD 공정에서, 웨이퍼, 및 베이스 또는 서셉터는 H2를 환원 기체로 이용시에는 350 내지 500℃의 온도 그리고 SiH4를 환원 기체로 이용시에는 200 내지 400℃의 온도로 유지된다. 예컨대 BCl3와 같은 할로겐 함유 기체가 웨이퍼상의 산화 알루미늄 표면을 청소하는 데 이용되고, NF3 또는 SF6가 산화 실리콘을 청소하는 데 이용된다. 선행 증착 공정으로부터의 텅스텐 잔류물을 제거하기 위한 NF3 플라즈마, 다음으로 H2 플라즈마를 이용한 CVD 챔버 청소 공정을 개시한다.
영국 특허 제2,183,204호는 CVD 증착 기기, 보트, 튜브 및 수정 제품은 물론 반도체 웨이퍼의 현장 청소에 대한 NF3의 용도를 개시한다. NF3는 질화 실리콘, 폴리결정성 실리콘, 티타늄 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, 내화성 금속 및 실리사이드를 제거하기에 충분한 시간 동안 350℃ 이상의 가열 반응기로 도입된다.
본 발명은 반도체 증착 공정에서의 증착 동안에 형성된 원치 않는 잔류물 코팅을 상부에 갖는 오염된 기구 부품의 청소의 개선에 관한 것이다.
발명의 요약
본 발명의 공정에서는 청소할 오염된 기구 부품을 반도체 증착 챔버로부터 꺼내서 반도체 증착 챔버로부터 분리된 오프라인 기체 반응 챔버에 위치시킨다. 기상 화학 물질과의 반응을 통해 휘발성 화학종을 형성하기 위한 조건하에서 원치 않는 잔류물로 코팅된 기구 부품을 반응성 기체와 오프라인 기체 반응 챔버 내에서 접촉시킨 뒤 이 휘발성 화학종을 상기 오프라인 기체 반응 챔버로부터 제거함으로써 오염된 부품상의 잔류물 코팅을 제거한다.
발명의 자세한 설명
본 발명은 반도체 증착 챔버에서의 증착 동안에 형성된 원치 않는 증착 잔류물 코팅을 상부에 갖는 오염된 기구 부품의 청소의 개선에 관한 것이다. PVD (물리 기상 증착), 스퍼터 증착, MOCVD (금속 유기 화학 기상 증착), ALD (원자 기상 증 착), CVD (화학 기상 증착), 또는 PECVD (플라즈마 화학 기상 증착) 과 같은 어떤 반도체 제조 공정 동안, 내부 챔버와 기구 부품은 공정 잔류물로 코팅된다. 샤워헤드 및 쉴드 등과 같은 기구 부품 또한 평판 디스플레이용 반응기에서 그리고 코팅 산업에서의 응용에서 원치 않는 재료로 코팅될 수 있다. 기구 부품 청소 공정의 개선은 오염된 부품을 반도체 증착 챔버로부터 꺼내서 오프라인 기체 반응 챔버에 위치시키는 데 있다. 기상 화학 물질과의 반응을 통해 휘발성 화학종을 형성하기 위한 조건하에서 기구 부품을 반응성 기체와 접촉시킨 뒤 이 휘발성 화학종을 상기 오프라인 기체 반응 챔버로부터 제거함으로써 오염된 기구 부품으로부터 잔류물을 청소한다. 반응성 기체 청소에 대한 필수 요구조건 가운데 하나는 오염된 기구 부품상의 원치 않는 비휘발성 고체 잔류물을 진공 시스템으로 제거할 수 있는 휘발성 화학종으로 전환시키는 것이다.
부품 청소에 적합한 반응성 기체는 일반적으로 Cl 함유 또는 F 함유 화합물과 같은 할로겐 함유 기체들이다. 예시적 화합물은 Cl2, HCl, BCl3, CF4, SF6, CHF3 및 NF3이다. 플라즈마와 할로겐 함유 화합물의 조합으로 이온 및 라디칼과 같은 화학적 활성 불소 화학종을 생성할 수 있으며, 이온 및 라디칼은 챔버 벽 및 기타 장비상의 박막과 반응한다. 다음으로, 기상 잔류물을 CVD 반응기로부터 소제한다.
설명한 반응성 기체는 기구 부품의 기저 금속과 비교하여 오염된 기구 부품상에 함유된 증착 잔류물에 대해 높은 선택성을 가져야 한다. 이 기저 금속은 알루미늄, 티타늄, 스테인레스 스틸 또는 챔버 부품이 만들어질 수 있는 어떠한 여타 금속이 될 수 있다. 높은 선택성은 하부의 금속 기재에 어떠한 손상도 주지 않으면서 부품의 완전한 청소를 가능케 한다.
오프라인 기체 반응 챔버에서의 효과적인 청소를 위한 외부 에너지원은 열적 가열, 원격 플라즈마 활성화 또는 현장 플라즈마 활성화로부터, 또는 열적 가열과 플라즈마의 조합에 의해 제공할 수 있다. 보다 높은 온도는 화학 반응을 가속시키고 반응 부산물을 보다 휘발성으로 만들 수 있다. 그러나, 많은 반도체 생성 증착 챔버에서 에너지원으로서 온도만을 이용하는 데는 실제상의 제한이 있을 수 있다. 원격 플라즈마는 이온 충격 (ion bombardment) 으로 유발되는 기재에의 손상 없이 반응을 촉진시키는 반응성 화학종들을 생성할 수 있다.
오프라인 기체 반응 챔버에서의 기구 부품 청소의 경로를 설명하기 위해, 다음을 제공한다. 원치 않는 잔류물의 증착이 반도체 증착 챔버 내부의 기구 부품상에 수용될 수 없는 수준으로 쌓인 다음, 청소할 기구 부품을 반도체 증착 챔버에서 꺼내어 오프라인 기체 반응 챔버에 장전한다. 오프라인 기체 반응 챔버가 반도체 증착 챔버로부터 분리될 필요가 있다.
기구 부품을 오프라인 기체 반응 챔버에 장전한 뒤, 챔버를 전형적으로 10-4 Torr 이하의 압력으로 감압시킨다. 열적 가열을 이용한다면, 오프라인 기체 반응 챔버에는 저항 가열기를 제공할 수 있다.
반응성 기체를 다양한 공급원, 예컨대 전통적인 실린더, 안전 전달 시스템, 진공 전달 시스템, 또는 고체 또는 액체 기반 생성기로부터 오프라인 기체 반응 챔버로 전달한다. 플라즈마를 외부 에너지원으로 이용한다면, 오프라인 기체 반응 챔버의 전원을 켜고, 반응성 기체를 공급한다. 플라즈마 결과물을 오프라인 반응 챔버로 도입한다.
플라즈마 결과물을 오프라인 기체 반응 챔버로 이송한다. 오프라인 건조 기체 반응 챔버 내의 오염된 기구 부품이 반응성 기체로 처리되고, 기구 부품상의 잔류물이 반응성 기체에 의해 휘발성 화학종으로 전환된다. 소정 시간 뒤에, 플라즈마 전원 또는 열을 끄고, 반응성 기체 흐름을 정지시킨다. 오프라인 기체 반응 챔버를 감압 및 벤트 (vent) 시킨다. 다음으로, 부품을 반응 챔버로부터 적출하여 반도체 증착 챔버에 재사용할 수 있다.
다음 실시예들은 본 발명의 다양한 구체예들을 설명하기 위함이며, 본 발명의 범위를 제한하고자 함이 아니다.
실시예 1 : 원격 NF 3 플라즈마를 이용한 Ta/TaN의 제거
일반 절차
MKS Astron 원격 플라즈마 생성기를 반응기 챔버 상부에 장착한다. Astron 생성기의 출구와 시료 쿠폰간의 거리는 약 6인치이다. 시험 쿠폰을 받침대 가열기 (pedestal heater) 표면상에 놓는다. 가열기를 이용하여 서로 다른 기재 온도를 얻는다.
모든 시험에서, 원격 플라즈마는 400sccm NF3와 400sccm Ar의 혼합물을 공정 기체로 이용하고 챔퍼 압력을 4Torr로 유지하여 가동하였다.
반응성 기체 청소를 이용한 Ta/TaN 증착 잔류물 청소에 채용된 시험 시료는 PVD 챔버의 19" 쉴드로부터 1.5"×3" 직사각형으로 절단하였다. 각 실험에서, Ta/TaN과 기저 재료간의 선택성 평가를 위해, 기저 재료만의 대조군 시료 (Ta/TaN 오염 코팅 없이) 를 Ta/TaN 코팅을 갖는 다른 시료에 맞대어 놓는다. Ta/TaN 코팅의 원래 두께는 1/10 밀리미터 범위이다. 식각 속도는 반응성 기체 처리 전후의 시료의 중량 변화로 결정한다.
시험 운전
Ta/TaN 코팅으로 오염된 기구 부품 시료인 시료 #2를 이용하여 Ta/TaN 식각 속도를 얻었으며, 기저 재료(알루미늄)만을 갖는 기구 부품 시료인 시료 #3을 이용하여 오염 물질 Ta/TaN과 기저 재료의 제거 선택성을 확인하였다. 원격 플라즈마에 13분간 노출시킨 뒤, Ta/TaN 코팅을 갖는 시료 2는 5.7591g의 중량 손실을 보였다. Ta/TaN 코팅의 노출 면적 (약 4.5in2) 을 고려하면, Ta/TaN 식각 속도는 약 0.1g/(min·in2)였으며, 이는 같은 실험 조건하에서의 Si 또는 SiO2의 그것보다 높았다. 원격 NF3 플라즈마는 시료 2로부터 Ta/TaN 증착물을 효과적으로 제거하였다.
Ta/TaN 코팅 샘플(#2)과 대조적으로, 기저 알루미늄 시료(#3)는 중량 손실이 없었다. Al 시료를 주의깊게 눈으로 관찰한 결과, 표면 손상은 발견할 수 없었다.
결론적으로, NF3 활성화 플라즈마를 이용한 이 오프라인 청소 공정은 Ta/TaN 코팅된 알루미늄 기저 기구 부품의 선택성 높은 제거를 제공한다. 또한, 활성화 NF3는 기저 재료에 손상을 유발하지 않는다. 한편, 습식 청소 공정이 이용되는 경우, 예컨대 이러한 종류의 화학 증착 산물에 대한 전형적인 청소제인 HCl이 이용되는 경우, 기저 금속에 손상이 생길 수 있다.
실시예 2 : 원격 NF 3 플라즈마를 이용한 스테인레스 스틸 (SS) 및 티타늄 (Ti) 기저 재료로부터 Ta/TaN의 제거
기구 부품의 기저 금속이 알루미늄 대신 스테인레스 스틸 (SS) 및 티타늄 (Ti) 이라는 것을 제외하고는 실시예 1의 절차를 따랐다. 유사하게, 기구 부품으로부터 Ta/TaN 오염 물질 박막이 효과적으로 제거되고, SS 및 Ti 재료에 대한 손상을 발견할 수 없다는 점에서 높은 선택성이 달성되었다.
표 1은 실시예 1과 2에서 시험된 기구 부품으로부터 Ta/TaN 박막의 제거 결과를 요약한 것이다.
NF3 원격 플라즈마 (4Torr, 400sccm NF3, 및 400sccm Ar) 하에서 다양한 기저 재료에 대한 Ta/TaN 제거의 선택성
시료 쿠폰 시료 크기 (in2) 식각 시간 (min) 중량 손실 (g) 식각 속도 (g/(min·in2)) 선택성
TaN 4.5 13 5.7591 0.1 1
Al 4.5 13 0.0009 0 >1000
SS 9 5 0 0 >1000
Ti 5 5 0 0 >1000
요약하면, 이 데이터는 기구 부품으로부터의 Ta/TaN 잔류물 박막의 오프라인 제거는 반도체 증착 챔버로부터 분리되고, 휘발성 화학종을 형성할 수 있으며 챔버로부터 진공으로 제거할 수 있는 오프라인 기체 반응성 기체 챔버에서 이루어질 수 있다는 것을 보여 준다. 플라즈마 활성화는 또한 Al, SS, 및 Ti과 같은 기저 금속에의 손상 없이 원치 않는 증착 잔류물 제거에 도움을 줄 수 있다.
이 오프라인 기구 부품 청소 공정은 PVD 공정에 유리할 수 있다. 원격 플라즈마에 의한 증착 챔버의 어떠한 현장 청소도 표적에 손상을 유발할 수 있다. 전통적으로, 표적에의 손상을 피하기 위해 PVD 공정으로부터의 기구 부품은 강산 또는 부식성 용액에의 함침 또는 문지르기 또는 샌드 블라스팅과 같은 기계적 방법에 의해 오프라인으로 청소한다. 습식 청소나 기계적 방법 모두 여기와 실시예 1에서 설명한 공정과 대비하여 기저 재료에 대한 기구 부품으로부터 원치 않는 잔류물 제거의 높은 선택성을 제공하지 않는다.
실시예 3 : 받침대 가열기 표면으로부터 TiN의 제거
전형적인 질화 티타늄 (TiN) 저온 CVD 공정에서, 작업 온도는 약 150℃이다. 전통적으로, 이러한 종류의 저온 증착에 이용되는 상업적 반도체 증착 챔버의 설계 때문에 (전형적으로 이러한 챔버들은 약 200℃의 상한 설계 작업 온도를 갖는다), 챔버는 ClF3와 같은 매우 독성이 강하고 부식성인 공정 기체를 이용하여 낮은 온도에서 청소된다.
이 실시예에서, 받침대 가열기는 TiN 반도체 증착 챔버로부터 채취하였으며, 이는 그 표면에 약 20㎛의 TiN 증착층을 가졌다. NF3를 반응성 기체로 이용한 오프라인 기체 반응 챔버에서의 실시예 1의 절차에 의한 원격 플라즈마 청소를 따랐으며, 다만 다음 사항들은 바꾸었다: 받침대 가열기로부터 절단한 작은 부분을 시료로 이용하였으며, 청소 챔버 내부의 저항성 가열기를 작동시키고 온도는 150℃로 유지하였다. 45분 이내에, 질화 티타늄 잔류물 층은 받침대 가열기 부분으로부터 완전히 제거되었다. 받침대 가열기의 표면상에서 손상이 관찰되지 않았다.
이 실시예는 반도체 증착 챔버에서 청소를 필요로 하는 유일한 품목일 수 있는 받침대 기구 부품을 전용 기구 부품 청소 반응기에서 오프라인 청소하는 것을 보여 준다. 중요하게도, 독성인 ClF3의 대안 반응물을 이용한 고온 또는 원격 플라즈마 청소를 가능케 하기 위해 반도체 증착 챔버에 변경이 가해질 필요가 없다.
실시예 4 : HfO 2 재료의 제거
원자층 증착 (ALD) 공정이 고유전율 재료로 쓰일 수 있는 HfO2 박막 제조에 흔히 쓰인다. 이 공정의 작업 온도는 보통 150℃ 미만이며 증착 챔버는 저온 증착으로 설계된다.
HfO2는 매우 내화학성이며, 이 재료를 반도체 증착 챔버에서 현장 청소하는 것은 곤란하다. 기구 부품으로부터 HfO2를 적당한 제거 속도로 제거하기 위해서는 150℃보다 훨씬 높은 온도가 요구된다. 열 조건하에서, 적어도 500℃의 온도가 요구될 수 있다.
이 실시예에서, HfO2 코팅된 웨이퍼 시료는 ALD 증착 챔버에서 채취하였으며, 높은 온도를 이용하여 오프라인 기체 반응 챔버에서 식각하였다. 실시예 1의 절차를 따랐으며, 다만 다음 사항들은 바꾸었다: 시료는 HfO2 코팅된 웨이퍼였다; 공정 기체는 BCl3였다; 오프라인 기체 반응 챔버의 온도는 600℃로 유지하고, 챔버 압력은 100Torr로 유지하였다. 원격 플라즈마 생성기를 껐다. 이러한 실험 조건에서, 1.1nm/min의 HfO2 식각 속도를 얻었다.
이 실시예는 반도체 증착 챔버 내부에서 증착 잔류물의 현장 제거가 수행될 수 없는 경우에, 제거 곤란한 잔류물의 오프라인 청소가 이루어질 수 있음을 보여 준다.
본 발명의 방법에 의하면 상당한 장점들을 달성할 수 있으며, 이들 가운데 일부를 열거하면 다음과 같다.
부품을 건식 청소하는 능력에 의해, 보다 많은 작업량, 보다 적은 노동력, 보다 높은 선택성 및 환경 영향 감소;
서로 다른 증착 또는 식각 단계를 채용했을 수 있는 서로 다른 반응 챔버들로부터, 또는 동일 반응 챔버 내의 서로 다른 처리 시간으로부터의 부품을 청소하는 능력;
고정 위치의 현장 (in-situ) 증착 챔버 청소에 대한 청소 파라미터와는 다른, 샤워헤드, 쉴드 등과 같은 원치 않는 양의 잔류물 (두꺼운 층) 을 갖는 기구 부품에 대한 청소 파라미터를 최적화하는 능력;
특정 기구 부품의 제거 및 즉각적인 교체에 의해 증착 챔버 작동을 유지함으로써 생산 증대에 기여하는 능력. 예를 들어, 현장 반응 챔버 청소는 하나의 장비만을 청소할 필요가 있다 하더라도 전체 챔버를 오프라인하여 처리하여야 한다. 개선된 공정에 의해 기구 부품을 오프라인으로 청소하면, 청소할 오염된 부품을 반응 증착 반응기로부터 꺼내고 깨끗한 부품을 반응 증착 반응기에 즉시 교체할 수 있고 반응 증착 반응기의 작동이 가능해진다;
현장 청소에서 얻는 것보다 청소 효율을 높이기 위해 다양한 기체 활성 수단을 채용할 수 있는 능력;
오프라인 반응성 기체 부품 청소에 의해 보다 효과적인 청소, 청소를 위한 휴지 시간의 감소에 의한 작업량 증가, 및 비용 절감이 가능하여 챔버 청소의 유연성을 확보할 수 있는 능력.

Claims (16)

  1. 반도체 증착 챔버 내 기구 부품상에 형성된 증착 잔류물로 오염된 기구 부품을 청소하는 방법으로서,
    증착 잔류물로 오염된 상기 기구 부품을 상기 반도체 증착 챔버로부터 꺼내는 단계;
    상기 기구 부품을 오프라인 기체 반응 챔버로 도입하는 단계;
    상기 증착 잔류물을 휘발성 화학종으로 전환시키는 조건하에서 상기 기구 부품을 반응성 기체와 접촉시키는 단계;
    상기 휘발성 화학종을 상기 오프라인 기체 반응 챔버로부터 제거하는 단계;
    증착 잔류물이 본질적으로 없는 상기 기구 부품을 상기 오프라인 기체 반응 챔버로부터 회수하는 단계; 및
    상기 기구 부품을 반도체 증착 챔버에 이용하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기구 부품은 알루미늄, 스테인레스 스틸 및 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기저 금속으로 구성되는 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반응성 기체는 할로겐 함유 기체인 것인 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 할로겐 함유 기체는 Cl2, HCl, BCl3, CF4, SF6, CHF3, NF3, C2F6 및 C3F8로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 반응성 기체는 열 또는 플라즈마로 활성화되는 것인 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 기구 부품은 TaN, HfO2 또는 TiN 박막으로 오염된 것인 방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 반응성 기체는 NF3인 방법.
  8. 약 200℃의 상한 설계 작업 온도를 갖는 반도체 증착 챔버 내의 기재상에 증착되는 증착 재료에의 노출로부터 발생하는 잔류물로 표면이 오염된 기구 부품을 청소하는 방법에 있어서,
    상기 기구 부품을 상기 반도체 증착 챔버로부터 꺼내는 단계;
    상기 기구 부품을 상기 증착 반응기로부터 분리된 오프라인 기체 반응 챔버에 위치시키는 단계;
    상기 잔류물을 휘발성 화학종으로 전환시키는 상기 기체와 상기 기구 부품상의 상기 잔류물간의 반응을 일으키는 조건하에서 상기 기구 부품을 상기 기체와 상 기 오프라인 기체 반응 챔버 내에서 접촉시켜 깨끗한 기구 부품을 얻는 단계;
    상기 오프라인 기체 반응 챔버에 진공을 인가함으로써 상기 휘발성 화학종을 제거하는 단계; 및
    상기 깨끗한 기구 부품을 상기 오프라인 기체 반응 챔버로부터 꺼내는 단계를 포함하는, 상기 기구 부품을 선택적으로 청소하고 깨끗한 기구 부품을 생성하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 증착 잔류물은 적어도 500℃ 온도의 반응성 기체를 이용하여 상기 오프라인 기체 반응 챔버에서 제거되는 것인 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기구 부품상의 상기 잔류물은 HfO2인 방법.
  11. 제8항에 있어서, 원격 플라즈마가 상기 기구 부품으로부터 원치 않는 잔류물을 제거하는 데 이용되는 것인 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 잔류물은 저온 화학 기상 증착에 의해 형성되는 것인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 반응성 기체는 NF3인 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기구 부품상의 상기 잔류물은 TiN 또는 TaN인 것인 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 반응성 기체는 할로겐 함유 기체인 것인 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 할로겐 함유 기체는 Cl2, HCl, BCl3, CF4, SF6, CHF3, NF3, C2F6 및 C3F8로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 방법.
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