KR100739354B1 - 건식 세척 처리 챔버용 시스템 및 방법 - Google Patents

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도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤
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Abstract

클로린 트리플루오라이드(ClF3)는 금속의 화학 증착법(CVD)를 위한 처리 설비의 본래 위치의 세척을 위한 우수한 화학 약품이다. ClF3는 플라스마 없이 Ti 및 TiN과 같은 대부분의 가열 전도 필름들과 접촉할 때 발열적으로 해리되며, 다른 화학 약품 보다 장점을 제공하는 약한 결합 분자이다. 반응으로부터 해제된 에너지는 반응 부산물을 휘발하는데 사용된다. 그러나, 보다 차가운 반응기 표면은 ClF3 와 반응하지 않는 할로겐-풍부, 보다 덜 전도성인 필름(less conductive film)으로 코팅된다. ClF3 반응을 향상시키기 위해, 아산화 질소와 같은 첨가제가 사용된다. 상기 첨가제는 ClF3와 반응하며 부산물을 휘발시키기에 충분히 활성인 반응성 이온을 제공한다.
반응기 챔버, 펌프, 가열기 스테이지, 기판, 화학 증착법, 세척 가스, 산화제 가스, 플라스마

Description

건식 세척 처리 챔버용 시스템 및 방법{Systems And Methods For Dry Cleaning Process Chambers}
도 1은 본원에 설명된 처리를 수행하기 위한 시스템의 도면.
도 2는 도 1에 설명한 반응기 챔버와 같은 반응기 챔버의 내부의 기능적 블록 다이어그램의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 시스템 12 : 반응기 챔버
14 : 펌프 16 : 스크러버
18 : 제 1 저장조 20 : 제 2 저장조
22,24 : 밸브 28 : 질량 유동 제어 유닛
30 : 샤워헤드 32 : 가열기 스테이지
34 : 기판 38 : 배기 포트
본 발명은 1998년 6월 12일자 출원된 미국 가출원 제 60/089,117 호의 이점을 청구한다.
본 발명은 반도체 제조 설비의 유지에 관한 것이며, 특히 처리 챔버의 내부를 세척하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조하기 위한 새로운 기술 및 공정은 반도체 장치가 제조되는 기계를 유지 및 작동시키기 위한 새로운 요구를 발생시켰다.
마이크로프로세서와 메모리 칩과 같은 반도체 장치의 제조는 주로 화학 처리에 의해 수행된다. 반응기 챔버(reactor chamber)로 언급되는 기계가 이러한 처리에 사용되며, 이러한 것 중 가장 통상적인 것은 화학 증착법(CVD)이라 공지된 처리이다. CVD는 제조업자에게 실리콘 웨이퍼와 같은 기판의 표면 상에 재료의 층을 증착 또는 성장시키는 것을 허용하는 화학 처리이다. CVD 처리를 수행하기 위해, 반응기 챔버는 선택된 처리 조건의 기판 주위에 환경을 발생한 것이다. 이는 통상적으로 챔버 내의 온도 및 압력을 제어하는 것을 포함한다. 가스 이송 시스템은 반응 물질을 챔버 내로 도입시킨다. 적합한 환경의 유지 및 적합한 물질의 도입에 의해, CVD 반응이 발생하며, 가스성 반응제(geseous reactant)는 기판의 표면 상에 고상 물질(solid phase materila)을 형성 또는 증착시킨다. 고상 물질의 각각의 층은 통상 석판 인쇄술(photolithography) 또는 에칭 처리에 의해 패턴으로 형성된다. 상이한 패턴의 다수의 층을 기판 상에 증착시킴으로써, 완전한 반도체 장치가 형성될 것이다.
이러한 화학 처리는 반응기 챔버의 부품 및 벽 상에 고형 물질의 성장을 야기할 수도 있다. 시간이 경과하면, 상기 증착물은 챔버의 내부를 피복하는 두꺼운 필름(film)의 부산물(byproduct) 또는 폐기물을 적층시키고 궁극적으로 형성한다. 이러한 물질의 필름은 반도체 장치의 형성에 해로운 미립자 물질(particulate matter)의 원천(source)이 된다. 특히, 상기 필름은 몇몇 경우 습기와의 반응에 기인하여 처리 설비의 열팽창 및 수축 중에 반응기 벽을 박리시키는 것으로 알려져 있다. 박리된 부산물은 챔버 내에서 처리되는 기판을 오염시킬 수 있으며, 양질의 필름으로 장치가 증착되는 것을 방해할 수 있다.
오염 물질은 챔버를 개방하며 액체 용매로 챔버를 수동으로 세척함으로써 반응기 부품 및 챔버의 벽으로부터 제거될 수 있으며, 마찬가지로 오븐(oven)의 내부가 세척된다. 이러한 처리가 효과가 있을지라도, 상기 처리법은 고도의 세척성이 요구됨에 따라 노동 집약적이며 시간 소비적이다.
양호한 해결책을 제공하기 위해, 기체 작용제가 챔버 내로 공급되며 부산물과 반응하여 부산물을 작용제 내로 용해시키며 챔버 내로 배출시키는 동안 본래 위치의 세척 처리(in-situ cleaning process)를 포함하는 대안적인 세척 처리법이 개발되어 왔다. 이러한 몇몇 처리에서, 반응제(reagent)가 챔버 내로 공급되며, 플라스마가 타격된다. 플라스마는 반응제 분자의 분리를 보조하며 세척 처리를 위한 반응성 에칭 이온을 제공하는 것으로 알려져 있다. NF3, SF6 및 C2F4 반응제에 기초한 처리를 포함하는 다수의 이러한 플라스마-보조 처리가 공지되어 있다.
클로린 트리플루오라이드(ClF3)는 플라스마 없이도 반응기 벽을 세척할 수 있는 세척제이다. ClF3는 대부분의 가열 금속 표면과 접촉할 때 발열적으로 해리되는 약한 결합 분자이다. 상기 발열 반응으로부터 해제되는 에너지는 반응성 부산물을 휘발시키는데 사용되며, 다음 상기 부산물은 챔버로 부터 바깥으로 펌프되어서 반응기 표면 세척을 떠나는 적합한 감소 스테이션으로 펌핑된다. ClF3 세척 작용제의 플라스마 무관 특성은 다른 세척 작용제 보다 우수한 장점을 제공한다. 예를 들면, ClF3 는 반응기 벽과 같은 가열기 스테이지의 후방 및 배기관 등의 플라스마가 접근하지 않는 표면과 반응하며 세척한다.
그러나, 새로운 금속 CVD 기술은 현재의 본래 위치의 세척 기술을 요구하는 부산물을 발생시킨다. 특히, 다수의 새로운 금속화 기술은 금속 뿐만 아니라 할로겐 내에 풍부한 잔류 필름의 증가를 제공하는 할로겐 기초 선구(precursor) 가스를 사용한다. 상기 필름은 실리콘 증착 중 발생하는 실리콘 기초 필름 보다 현재의 세척 기술에 저항성이 더 있는 것으로 밝혀졌다. 이는 처리될 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 세척되지 않은 표면을 남긴다. 보다 긴 세척 시간이 해결책으로 제시되었지만, 성취된 결과는 혼란스러웠으며, 발생된 지연은 반도체 제조 설비의 작동 비용을 증가시키며, 비교적 고가의 반응제인 ClF3의 사용을 증가시킴으로써 세척 비용을 증가시켰다.
따라서, 금속 CVD 처리 중에 발생되는 필름을 제거하는데 더욱 적합한 기술을 포함하는 개선된 세척 기술을 당 분야에 제공할 필요가 있다.
본 발명의 한 양태는 개선된 본래 위치의 세척 처리를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 양태는 고가의 세척 물질에의 의존을 감소하는 급속한 세척 작용을 제공함으로써 더욱 비용 효과적인 세척 처리를 제공하는 것이다.
본래 위치의 세척(in-situ cleaning)을 위한 현재의 기술은 금속 CVD 처리 중에 반응기 챔버 벽 및 부품에 증착되는 필름을 제거하기 위한 효율적이며 비용 효과적인 세척 처리를 제공하지 못했다. 상기 금속 CVD 처리용 반응기를 개발하는 중에, 본 출원인은 ClF3와 충분히 반응하지 않을 수 있는 할로겐-풍부(halogen-rich) 및 보다 덜 도전성인(less conductive) 증착물로 차가운 반응 표면이 코팅될 수 있다는 것을 알았다. ClF3와의 약한 반응은 비휘발성 부산물을 갖는 증착물의 플루오르화만을 성취한다는 것이 알려져 있다. 이는 세척되지 않은 표면을 남긴다. 상술한 바와 같이, 보다 긴 세척 시간이 해결책으로 제시되었지만, 성취된 결과는 혼란스러웠으며, 발생된 지연은 반도체 제조 설비의 작동 비용을 증가시키며, 비교적 고가의 반응제인 ClF3의 사용을 증가시킴으로써 세척 비용을 증가시켰다.
본원에 설명된 시스템 및 방법에서, 아산화 질소(N2O), 이산화 이질소(N2O2) 및 산소(O2)와 같은 반응 첨가제가 반응을 촉진하며 부산물 필름을 포함하는 금속 및 할로겐과 접촉시에 더 많은 휘발성 종(species)을 발생시키도록 세척 반응제와 함께 사용된다.
본 발명을 소정의 실시예, 특히 반응기 챔버의 표면으로부터 금속 필름을 세척하기 위한 시스템 및 방법을 참조로하여 설명하겠다. 그러나, 본원에 설명한 시 스템 및 방법은, 산화 실리콘 필름과 같은 주로 실리콘으로 구성된 필름을 포함하는 다른 형태의 필름을 제거하기 위한 처리를 포함하는 다른 적용에 사용될 수 있다는 것을 당업자들은 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본원에 설명된 세척 처리를 수행하는 시스템(10)을 나타낸다. 특히, 상기 시스템(10)은 반응기 챔버(12)와, 펌프(14)와, 스크러버(scrubber)(16)와, 세척 가스를 저장하는 제 1 저장조(18)와, 산화제 가스를 저장하는 제 2 저장조(20)와, 밸브(22,24) 및 질량 유동 제어 유닛(28)을 구비한다.
반응기 챔버(12)와, 펌프(14) 및 스크러버(16)는 Ti 또는 TiN 필름을 실리콘 기판의 표면 상에 증착시키는 것과 같이, 기판 상에 필름을 증착시키는데 사용된다. 따라서, 도 1에 나타낸 시스템(10)은, 내부에서 가스를 반응시키며 원하는 물질의 필름을 챔버(12) 내에 포함된 실리콘 기판 상에 증착시키기 위해 선택된 온도에서 챔버 내로 선구 가스(precursor gas)를 도입함으로써 반응기 챔버(12) 내에서 금속 CVD 처리를 수행할 수 있게 한다. 상기 펌프(14)와 스크러버(16)는 증착 처리 중에 반응하며 환경적으로 적합한 방식으로 재순환되어야할 본질적으로 폐기 물질이 아닌 가스를 챔버(12)의 내부로부터 제거하기 위해 사용된다.
상술한 설명으로부터 명백한 바와 같이, 기판 상에 필름을 증착시키기 위한 CVD 처리는 반응기 챔버(12)와 같은 챔버 내부로 주입되는 기체 물질에 의존한다. 상기 기체 물질은 챔버(12)의 내부 체적을 완전히 충전하여 전체 챔버 내에서 반응을 발생시킨다. 따라서, 필름이 챔버 내로 삽입된 기판 상에 형성되더라도, 필름은 챔버(12)의 측벽과, 하부벽 및 내부 부품 상에 또한 마찬가지로 형성된다. 챔 버(12)의 측벽 및 부품 상에 필름을 형성시키는 이러한 처리는 도 2에 더욱 자세하게 나타낸다.
특히, 도 2는 도 1에 나타낸 챔버(12)의 내부의 단면도이다. 상기 챔버(12)는 샤워헤드(showerhead)(30)와, 그 상부에 기판(34)을 갖는 가열기 스테이지(32)와, 배기 포트(38) 및, 입구 포트(40)를 구비한다. 선구 가스는 입구 포트(40)를 통해 유동하며 샤워헤드(30)에 의해 챔버(12)의 내부 체적을 가로질러 분포한다는 것을 상술한 CVD 처리의 당업자들은 이해할 수 있을 것이다. 기판(34)은 열적 제어 유닛에 의해 선택된 상승 온도에서 기판(34)을 유지하는 가열기 스테이지(32) 상에 유지된다. 챔버(12)의 내부로 유입되는 선구 가스는 기판(34) 상에 필름을 포함하는 금속을 증착시키기 위해 기판(34)과 작용한다. 그러나, 상기 가열기 스테이지(32)는 또한 통상적으로 상승 온도에 있기 때문에, 선구 가스는 그 상부에 필름을 증착시키기 위해 가열기 스테이지(34)와 작용한다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 유사하게, 필름은 챔버(12)의 측벽과, 챔버(12)의 하부벽 및, 배기 포트(38)의 내부에 증착될 수 있다. 통상, 증착 처리 중에, 양질의 필름은 기판 및 가열기 스테이지의 에지 상에 증착되며, 열악한 품질의 필름은 차가운 샤워헤드(30) 상에 증착된다. 게다가, 벽의 더욱 차가운 표면과, 반응기 챔버(12)의 챔버 하부 및 배기 라인(38)은 TiIx로 구성된 블랙 필름으로 코팅된다.
본 발명의 처리를, 티타늄 및 질화 티타늄 필름의 증착 중에 발생되는 폐기 필름이 가열기 스테이지와, 샤워헤드와, 도 1에 나타낸 반응기 챔버(12)와 같은 반응기 챔버의 측벽 및 배기관으로부터 세척되는 실시예를 참조로하여 설명하겠다. 그러나, 본원에 설명한 처리가 실리콘 및 산화 실리콘 필름이 반응기 챔버의 부품 및 내부 부분으로부터 제거되는 적용을 포함하는 다른 적용에 사용하는데 적합한 것은 당업자들은 이해할 수 있을 것이다.
제 1 실시예
진공 챔버(반응기)와, 냉각 트랩(cold trap)과, 드라이 펌프 및 스크러버를 각각 포함하는 처리 모듈이 티타늄 테트라요오드화물(TiI4) 선구 물질로부터 Ti 및 TiN 필름을 증착시키는데 사용된다. 처리 챔버의 벽 및 샤워헤드는 인코넬(Inconel) 600 합금으로 제조되며 약 200℃에서 유지되며, 스테이지 가열기{서스셉터(susceptor)}는 알루미나-코팅 인코넬 600이며 적용에 따라 증착 중에 500℃ 내지 600℃에서 유지된다. 상기 챔버는, 가열기 스테이지가 접지로서 작용하며 샤워헤드가 구동 RF 전극으로서 작용하는 평행판 커패시터 구조로 플라스마 능력을 갖춘다. 구동 전극(샤워헤드)은 고형(solid) 알루미나 링에 의해 두꺼운 (30mm) 석영 디스크에 의해 피복된 접지 챔버 및 지지 클램프로부터 절연된다.
ClF3 세척은 2㎛ Ti 또는 5㎛ TiN 필름의 증착에 이어서 공칭 벽(nominal wall)에서 300℃의 가열기 온도 및 200℃의 샤워헤드 온도에서 수행된다. 본 출원인은 열적 ClF3가 가열기 스테이지로부터 Ti 또는 TiN 필름을 세척하지만, 세척 온도 및 시간에 따라 다양한 정도의 할로겐 농도(x,y,z)를 갖는 Tix, TiFy 및 TiClz로 구성된 블랙 부산물(black byproduct)이 남는다는 것을 발견하였다. Ti 및 TiN 반응기를 위한 연장된 세척 시간이 지난 후에도, 최종 세척은 불만족스러웠다. 세척 중에 플라스마 타격(striking)은 ClF3 반응을 가속화하며 금속 할로겐 화합물 NiFx, CrFx 및 FeFx 의 혼합물로 에너지 분산 x-레이 형광 분광학(EDS)에 의해 식별되는 여전히 비휘발성인 백색의 플루오린-풍부 부산물을 발생시킨다.
챔버 세척을 향상시키기 위해, 아산화 질소(N2O)가 세척 중에 ClF3에 첨가된다. 초기 세척에 따르는 반응기의 시각 검사가 유망하다. ClF3 만 세척한 후에 일관성있게 남아있는 블랙 분말 부산물 대신에, N2O 혼합에 의한 벽의 매우 얇은 코팅만이 발견되었다. 열적 ClF3/N2O 유동의 예비 설정 시간 후의 플라스마의 타격은 부가의 개선 및 더욱 만족스러운 세척 결과를 나타낸다. ClF3 및 N2O의 유동을 100sccm으로 각각 감소시킴으로써 세척 압력을 0.1Torr 이하로 감소시키는 것은 반응종의 평균 자유 경로를 증가시키며 처리 반응기의 벽 및 하부판의 세척을 강화시킨다. 세척 파라미터의 최적화에 의해, 하기의 2-단계 세척 처방이 개발되었다.
단계 1 : 0.5 slm ClF3, 0.5 slm N2O, 0.2 slm N2, 0.2Torr, 300℃ 가열기 온도, 200℃ 벽 및 샤워헤드 온도.
단계 2 : 0.1 slm ClF3, 1.2 slm N2O, 0.1 slm N2, 0.1Torr, 300℃ 가열기 온도, 200℃ 벽 및 샤워헤드 온도.
개선된 ClF3 세척에서의 N2O의 역할은 다음과 같이 요약할 수 있다 : Ti 및 TiN 필름을 스테이지 가열기로부터 에칭한 후, ClF3 반응은 감쇠되며 ClF3 분자의 감소된 부분은 해리될 수 있다. 첨가된 N2O는 다음의 반응을 따라 부가의 ClF3 해리를 위한 촉매로서 작용한다 :
N2O + ClF3 + (Ti 또는 TiN) ---> ClO2(gas) + TiF4(gas) + N2(gas)(TiN 처리).
상기 분석은 Ti 처리 모듈 상의 배기 세척 작용을 설명하는데 사용되는 푸리어 변환 인프라 레드(FTIR) 기술에 의해 지지된다. 상기 기술에서, IR 광은 처리 챔버의 배기관 하류를 통해 검출기로 다중 반사를 형성시킨다. IR 광은 세척 배기 중에 분자의 다양한 흡수 모드에 의해 흡수된다. 상기 분자의 특징적인 흡수 정점(peak)은 그들의 분자 구조 및 펌핑된 종의 화학 조성을 식별한다. 이러한 시험의 결과는 다음과 같다:
N2O가 첨가됨에 따라 처리 챔버 하류의 ClF3 농도가 감소되는 것은 N2O가 ClF3의 해리 속도를 가속하는 것을 나타낸다.
처리 챔버의 하류의 티타늄 테트라플루오라이드(TiF4) 농도가 N2O 유동에 의해 더욱 급속하게 증가하는 것은 N2O가 세척 처리(Ti의 제거)를 더욱 효과적으로 하는 것을 나타낸다.
챔버의 하류의 금속 플루오라이드 농도가 N2O 유동에 의해 변화하지 않는 것은 증가하는 ClF3 반응이 부식을 강화시키지 않는 것을 나타낸다.
본 출원인의 상기 FTIR 결과에 따라 N2O 혼합으로서 그리고 그 혼합이 없이 ClF3 세척에 이어지는 처리 챔버의 시각 검사(visual inspection)는 N2O 첨가가 ClF3 반응을 향상시키며, 특히 ClF3 만으로는 반응이 활발하지 않은 더욱 차가운 표면 상의 챔버 세척을 강화시킨다.
상기 처리의 장점은 하기와 같다:
ClF3 와 아산화 질소의 혼합은 ClF3의 해리 처리를 강화시키며, 금속 CVD 설비 내의 TiI4 기초 Ti 및 TiN 필름의 본래 위치의 세척을 향상시킨다.
N2O의 첨가는 CVD 반응기의 인코넬 알루미나 및 석영 부품의 부식을 증가시키지 않는다.
N2O의 첨가는 CVD 반응기 내부의 반응성 ClF3의 부분을 증가시키며, 처리 모듈의 부품(트랩(trap), 드라이 펌프 및 배기관) 하류의 반응을 감소시켜 부식을 감소시키며 수명을 연장시킨다.
평행판 커패시터 구조 내의 N2O/ClF3 유동과의 플라스마 타격은 세척 처리를 더욱 강화한다.
N2O 및 ClF3의 유동 속도를 100sccm으로 각각 감소시키며 세척 압력을 0.1Torr 이하로 감소시키는 것은 처리 챔버의 벽 및 하부판의 세척을 향상시킨다.
아산화 질소 또는 이산화 이질소 및 클로린 트리플루오라이드의 세척 가스 혼합물이 사용되었지만, 증착 챔버로부터의 물질을 포함하는 증착 금속을 에칭하며 반응하는 다른 세척 가스가 또한 사용될 수 있다.
본 발명의 방법 및 시스템에 따라 개선된 본래 위치의 세척 처리가 제공되며, 고가의 세척 물질에의 의존을 감소하는 급속한 세척 작용을 제공함으로써 더욱 비용 효과적인 세척 처리가 제공된다.

Claims (9)

  1. 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법에 있어서,
    상기 챔버 내로 ClF3(Chlorine trifluoride)를 포함하는 세척 가스를 도입하는 단계;
    상기 챔버 내로 N2O를 포함하는 산화제 가스를 도입하는 단계;
    상기 세척 가스 및 상기 산화제 가스가 상기 챔버 내에서 상기 금속 필름과 반응하도록 상기 챔버 내에 선택된 온도 및 선택된 압력을 갖는 환경을 설정하는 단계; 및
    상기 챔버로부터 상기 세척 가스 및 상기 산화제 가스의 반응 생성물을 배출하는 단계를 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세척 가스와 상기 산화제 가스를 혼합하는 단계를 또한 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 필름을 상기 챔버로부터 제거하기 위해 할로겐 성분을 갖는 필름을 포함하는 금속과 상기 세척 가스 및 상기 산화제 가스를 반응시키는 단계를 또한 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 플라스마를 제공하는 단계를 또한 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스들 중 하나의 도입에 대해 열적 ClF3/N2O 유동의 예비 설정 시간 후에 상기 챔버 내에 플라스마를 타격하는 단계를 또한 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 세척 가스 도입 단계는 0.1Torr의 압력을 갖는 상기 챔버 내로 100sccm의 유동 속도로 상기 세척 가스를 유동시키는 단계를 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 환경을 설정하는 단계는 100℃ 내지 500℃ 사이의 온도를 상기 챔버 내에 설정하는 단계를 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버로부터 금속 필름을 세척하기 위한 방법.
  8. 챔버의 벽 상에 형성된 티타늄 함유 필름을 갖는 상기 챔버를 세척하는 방법에 있어서,
    상기 챔버 내로 ClF3를 포함하는 세척 가스를 도입하는 단계;
    상기 챔버 내로 산화 반응제를 포함하는 산화제 가스를 도입하는 단계;
    상기 챔버 내에 선택된 온도 및 선택된 압력을 갖는 환경을 설정하는 단계;
    상기 세척 가스와 상기 산화제 가스가 상기 티타늄 함유 필름과 반응하고 그에 따라 휘발성 반응 생성물이 발생되도록 상기 세척 가스와 상기 산화제 가스를 상기 티타늄 함유 필름과 접촉시키는 단계; 및
    상기 챔버로부터 상기 휘발성 반응 생성물을 배출하는 단계를 포함하는, 챔버의 벽 상에 형성된 티타늄 함유 필름을 갖는 챔버를 세척하는 방법.
  9. 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버를 세척하기 위한 열적 세척 방법에 있어서,
    상기 챔버 내로 ClF3를 포함하는 세척 가스를 도입하는 단계;
    상기 챔버 내로 산화 반응제를 포함하는 산화제 가스를 도입하는 단계;
    상기 챔버 내에 100℃ 내지 500℃의 범위 내의 온도 및 선택된 압력을 갖는 환경을 설정하는 단계;
    상기 챔버 내에 플라스마 없이 상기 세척 가스와 상기 산화제 가스를 반응시키는 단계; 및
    상기 챔버로부터 상기 세척 가스 및 상기 산화제 가스의 반응 생성물을 배출하는 단계를 포함하는, 기판을 처리하기 위한 장치의 챔버를 세척하기 위한 열적 세척 방법.
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