KR0184269B1 - 반도체 웨이퍼 처리 장치용 세척 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 처리 장치용 세척 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법을 공개한다. 이 방법은 하나 이상의 기체 또는 고체 반응 생성물 또는 이들의 혼합물을 형성하기 위해 앞선 불소 플라즈마 세척 단계로부터 남은 불소 잔류물을 불소 잔류물과 반응할 하나 이상의 환원 기체와 접촉시킴으로써 이 불소 잔류물을 처리하는 방법.

Description

반도체 웨이퍼 처리 장치용 세척 방법
도면은 본 발명의 개선된 세척 방법을 설명하는 흐름도이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리에 있어서의 세척 방법에 관한 것으로, 상세하게는 챔버 세척 단계들 중 불소 플라즈마 세척 단계에서 발생되는 불소 잔류물을 보다 효과적으로 제거하기 위한 챔버 세척 방법에 관한 것이다.
화학기상증착법(CVD) 또는 플라즈마 보조 CVD 증착에 의해 반도체 웨이퍼상에 재료들을 증착함에 있어서, 산화실리콘 또는 질화실리콘 재료들과 같은 피복 잔류물은 CVD 증착 챔버에서 모든 노출된 표면뿐만 아니라 반도체 웨이퍼상에 증착된다. 약 0.5 내지 10㎛의 두께로 축적되는 이러한 잔류물은 보통 다음 증착 단계전에 챔버로 부터 제거되어야 한다.
종래에는, CVD 챔버는 불소 플라즈마로 세척하여 이러한 잔류물을 제거시켰다. 이러한 세척 방법이 불필요한 증착 잔류물을 제거하는데는 효과적이지만, 이번에는 이러한 세척방법으로 인해 CVD 챔버에 불소 잔류물이 남게 된다.
이러한 불소 잔류물은 후증착 단계중 증착막의 품질에 악영향을 주게 되는 불량한 스텝 카버리지, 불량한 조업재생성 및 핀홀 등을 만들게 된다.
종래의 기술에서는 이러한 바람직하지 못한 불소 잔류물을 제거하는 문제를 불활성 기체로 CVD 증착 챔버를 세척하여 충분한 양의 불소 잔류물을 제거하거나 또는 불소 잔류물 위에 약 500 내지 2000Å의 산화물을 또는 질화물 등과 같은 얇은 산화층 또는 질화층을 증착시켜 다루어 왔다.
하지만, 상기 첫번째 해결책은 불소 잔류물을 충분히 제거하기 위해 불활성 기체로 세척하는데 10분 정도의 시간이 소모된다. 두번째 해결책은 불소 잔류물의 존재를 발생시키는 플라즈마 불소세척 단계가 산화 또는 질화 피복을 제거하려 하기 때문에 생기는 약간의 자멸(self-defeating)이 생기는 문제가 있다.
따라서 이러한 장치의 CVD 증착 챔버내에서 불소 잔류물의 해로운 영향을 제거 또는 경감하기 위한 CVD 증착 장치를 세척하기 위한 개선된 방법을 제공함이 바람직하다.
그러므로 본 발명의 주요 목적은 반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법을 제공함에 있으며, 이 방법은 플라즈마 불소 세척 단계로부터 챔버에 남은 불소 잔류물을 하나 이상의 환원 기체와 접촉시키는 단계로 구성된다.
본 발명의 또다른 목적은 반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법을 제공함에 있으며, 이 방법은 챔버로부터 제거가능한 하나 이상의 기체 반응 생성물을 형성하기 위해 플라즈마 불소세척 단계에서 챔버에 남은 불소 잔류물을 하나 이상의 환원 기체와 반응시키는 단계로 구성된다.
본 발명의 또다른 목적은 반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법을 제공함에 있으며, 이 방법은 후증착 단계를 방해하지 않을 CVD 증착 챔버내에 하나 이상의 반응 생성물을 형성시키기 위해 플라즈마 불소 세척 단계에서 챔버에 남은 불소 잔류물이 하나 이상의 반응 생성물과 반응하는 단계로 구성된다.
본 발명의 목적은 다음 설명 및 첨부 흐름도로부터 명확해 진다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법을 포함하며, 여기서 전단계인 불소 플라즈마 세척 단계로부터 남은 CVD 증착 챔버내의 불소 잔류물은 하나 이상의 환원 기체와 접촉한다.
종래 기술의 불소 플라즈마 세척 단계가 플라즈마 보조 CVD 증착 챔버 또는 비플라즈마 보조 CVD 증착 챔버의 표면에 피복된 증착 재료들을 제거하기 위해 사용될 수 있으므로, 본 발명은 플라즈마 보조 CVD 증착 챔버 또는 비플라즈마 보조 CVD 증착 챔버에 형성된 불소 잔류물의 처리와 관련하여 사용될 수 있다. 따라서 본원에서 CVD 증착 챔버가 본 발명의 실시와 관련하여 언급될 때는, 달리 언급이 없는한 CVD 증착 챔버는 두가지 증착 챔버 모두를 포함하는 것이다.
본 발명에 의해 불소 잔류물과 접촉하는 하나 이상의 환원 기체는 하나 이상의 반응 생성물을 형성하기 위해 불소 잔류물과 반응할 수 있는 어떤 환원 기체라도 좋다. 이러한 환원 기체의 예로는 실란(SiH3), 암모니아, 수소, 수소화인(PH3), 디보린(B2H6) 및 아르신(ArH3)r등이 있다. 다른 환원 기체들이 사용될 수 있지만 실란, 암모니아 및 수소가 바람직한데, 그 이유는 실란, 암모니아 및 수소는 CVD 증착 챔버에서 보통 이용되는 증착 공정에 이미 사용된 원소, 즉 Si, N 및 H 보다 증착 챔버에 어떤 원소도 유입되지 않기 때문이다.
불소 잔류물이 하나 이상의 환원 기체와 접촉하는중 형성된 하나 이상의 반응 생성물은 하나 이상의 기체 반응 생성물을 포함하고, 이 반응 생성물은 챔버를 진공으로 유지하기 위해 행해지는 정상적 배기(evacuation) 또는 펌핑(pumping) 처리단계중 CVD 증착 챔버로 부터 제거될 것이다.
선택적으로, 하나 이상의 고체 반응 생성물이 챔버 표면상의 입자들 및 피복 또는 이들의 화합물로 구성된 불소 잔류물 및 하나 이상의 환원 기체들 사이의 반응에 의해 형성된다. 이러한 고체 반응 생성물은 불소 잔류물과는 달리 비교적 불활성, 즉 챔버내에서 행해wls 후 CVD 증착 과정을 방해하지 않는 물질이다.
또한 이러한 기체 및 고체 반응 생성물이 CVD 증착 챔버내에서 형성될 수 있다.
이 불소 잔류물은 약 10초 내지 5분 또는 더 긴 시간동안 하나 이상의 환원 기체와 접촉한다. 긴 시간이 어떠한 해로운 영향없이 사용될 수 있지만 보통 불필요하고 비경제적이다. 보통 하나 이상의 고체 반응 생성물이 챔버내에서 형성 될때 1분 이하의 접촉 시간이 이용되는 반면에, 기체 반응 생성물의 형성에서는 1분 이상의 접촉 시간이 바람직하다.
하나 이상의 환원 기체들은 약 250℃ 내지 500℃, 바람직하게는 350℃ 내지 400℃의 챔버 온도로 유지하면서 100sccm 내지 500sccm 또는 더 많은 비율로 CVD 증착 챔버에 도입된다.
바람직한 실시예에서, 하나 이상의 환원 기체들과 불소 잔류물들 사이의 반응중 CVD 증착 챔버내의 압력은 약 1 내지 20 토르로 하지만 약 10-3토르만큼 낮은 또는 약 100 토르만큼 높은 압력이 반응중 유지될 수도 있다.
반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법을 더 잘 설명하기 위하여, 실란(SiH4) 환원 기체를 불소 플라즈마를 사용하여 미리 세척된 5ℓ의 CVD 증착 챔버를 통해 10초 동안 흘러서 챔버에 불소 잔류물을 남긴다. 실란 기체를 350 내지 450℃ 온도로 유지된 챔버에서 200sccm의 비율로 챔버를 통해 흘린다.
본 발명의 세척 단계 전후의 챔버에 대한 분석은, 불소 플라즈마에 의한 세척 단계후 챔버내에 원래 존재하는 1.0% 이하의 불소 잔류물은 본 발명에 따른 불소 잔류물과 환원 기체의 접촉 단계후 챔버에 비반응 형태로 남았다는 것을 보였다. 챔버내 실리콘 웨이퍼상에 연속적으로 증착된 막에 대한 2차 이온 질량분광기(SIMS)에 의한 분석은 약 5×1020원자/cc의 불소가 증착된 막에 존재했다는 것을 보였다.
반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법의 실시예에서 기체 반응 생성물의 형성을 설명하기 위해 실란(SiH4) 환원 기체를 불소 플라즈마를 사용하여 미리 세척된 5ℓ의 CVD 증착 챔버를 통해 1분 동안 흘려서 챔버내에 불소 잔류물을 남긴다. 이 환원 기체를 350 내지 400℃ 온도로 유지된 챔버를 통해200sccm의 비율로 흘린다.
불소 잔류물이 환원 기체와 접촉한 후의 CVD 증착 챔버의 분석은 본 발명에 따른 세척 단계후 CVD 증착 챔버내에 초기 불소 잔류물의 0.05% 이하를 남겼다는 사실을 보였다. 챔버내 실리콘 웨이퍼상에 최종 증착된 막에 대한 SIMS에 의한 1×1019원자/cc 이하의 불소가 이 방법에 의한 세척후 상기 증착된 막에 존재했다.
따라서, 본 발명은 증착 챔버 표면으로부터 증착 재료를 제거하여 불소 플라즈마에 의해 불소 잔류물을 생기게 하는 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 개선된 방법을 제공하며, 여기서 불순 잔류물은 챔버내에서 후증착을 방해하지 않을 증착 생성물로부터 제거가능한 기체 반응 생성물, 고체 반응 생성물 또는 이들의 혼합물을 형성하기 위해 불소 잔류물과 반응하는 하나 이상의 환원 기체와 접촉한다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 불소 세척 단계로부터 CVD 증착 챔버에 남은 불소 잔류물을 하나 이상의 환원 기체와 접촉시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불소 잔류물이 하나 이상의 환원 기체와 접촉하는 단계가 상기 CVD 증착 챔버내에 하나 이상의 고체 반응 생성물을 형성하기 위해 상기 환원 기체가 상기 불소 잔류물과 반응하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불소 잔류물이 하나 이상의 환원 기체와 접촉하는 단계가 하나 이상의 기체 반응 생성물을 형성하기 위해 상기 환원 기체가 상기 불소 잔류물과 반응하는 단계를 더 포함하고, 상기 CVD 증착 챔버로부터 하나 이상의 기체 반응 생성물의 하나 이상의 부분을 제거하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불소 잔류물이 하나 이상의 환원 기체와 접촉하는 단계가 상기 CVD 증착 챔버내에 하나 이상의 고체 반응 생성물과 하나 이상의 기체 반응 생성물을 생성하기 위해 상기 환원 기체가 상기 불소 잔류물과 반응하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제2항에 있어서, 하나 이상의 고체 반응 생성물을 형성하기 위해 상기 불소 잔류물이 상기 하나 이상의 환원 기체와 반응하는 상기 단계는 약 10분 이상동안 상기 불소가 상기 환원 가스와 접촉하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 불소 잔류물이 하나 이상의 환원 기체와 접촉하는 단계가 약 250 내지 500℃ 온도의 CVD 증착 챔버에 유지하면서 상기 불소 잔류물이 상기 환원 기체와 접촉하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 불소 잔류물이 하나 이상의 환원 기체와 접촉하는 단계가 약 100sccm 이상의 비율로 상기 환원 기체가 상기 CVD 증착 챔버내에 흐르는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 불소 잔류물이 하나 이상의 환원 기체와 접촉하는 단계가 상기 접촉 단계중 상기 CVD 증착 챔버내에서 약 10-3토르 이상의 압력에서 유지되는 것을 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  9. 약 250℃ 이상 온도 및 약 10-3토르이상 압력을 상기 CVD 증착 챔버에서 유지하면서, 하나 이상의 반응 생성물을 형성하기 위해 플라즈마 불소 세척 단계로부터 상기 챔버에 남은 불소 잔류물을 약 10초 이상의 시간동안 100sccm 이상 비율로 상기 챔버에 흐르는 하나 이상의 환원 기체와 접촉시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 방법.
  10. 약 250 내지 500℃ 온도 및 약 10-3토르이상 압력을 상기 CVD 증착 챔버에 유지하면서, 하나 이상의 반응 생성물을 형성하기 위해 플라즈마 불소 세척 단계로부터 상기 챔버에 남은 불소 잔류물을 약 10초 이상의 시간동안 100 내지 500sccm 비율로 상기 챔버에 흐르는 실란(SiH4), 암모니아, 수소, 포스핀(PH3), 디보린(B2H6) 및 아르신(ArH3)로 구성되는 그룹으로부터 선택한 하나 이상의 환원 기체와 접촉시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 장치에서 CVD 증착 챔버를 세척하기 위한 방법.
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Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3590416B2 (ja) * 1993-11-29 2004-11-17 アネルバ株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JPH0793276B2 (ja) * 1993-12-14 1995-10-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法
JPH0799744B2 (ja) * 1993-12-27 1995-10-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜形成方法
JPH07243064A (ja) * 1994-01-03 1995-09-19 Xerox Corp 基板清掃方法
US5885356A (en) * 1994-11-30 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining
JPH08167605A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Mitsubishi Electric Corp シリコン窒化膜の製造方法
US6060397A (en) * 1995-07-14 2000-05-09 Applied Materials, Inc. Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US5647953A (en) * 1995-12-22 1997-07-15 Lam Research Corporation Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber
US5843838A (en) * 1995-12-27 1998-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Modified clean recipe to suppress formation of BPSG bubble
US6200412B1 (en) 1996-02-16 2001-03-13 Novellus Systems, Inc. Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection
US6554910B1 (en) * 1996-05-17 2003-04-29 Micron Technology, Inc. Method for treating residues in semiconductor processing chambers
US6626185B2 (en) 1996-06-28 2003-09-30 Lam Research Corporation Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate
US6020035A (en) * 1996-10-29 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Film to tie up loose fluorine in the chamber after a clean process
US6127269A (en) * 1996-11-12 2000-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for enhancing sheet resistance uniformity of chemical vapor deposited (CVD) tungsten silicide layers
US6347636B1 (en) 1996-11-13 2002-02-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces
US5935340A (en) * 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces
US6228166B1 (en) 1996-11-20 2001-05-08 Nec Corporation Method for boron contamination reduction in IC fabrication
JP3594759B2 (ja) * 1997-03-19 2004-12-02 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法
TW460943B (en) * 1997-06-11 2001-10-21 Applied Materials Inc Reduction of mobile ion and metal contamination in HDP-CVD chambers using chamber seasoning film depositions
US8075789B1 (en) 1997-07-11 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning source having reduced reactivity with a substrate processing chamber
JPH11111680A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Yasuhiro Horiike エッチング方法
US5970383A (en) * 1997-12-17 1999-10-19 Advanced Micro Devices Method of manufacturing a semiconductor device with improved control of deposition layer thickness
US6071573A (en) * 1997-12-30 2000-06-06 Lam Research Corporation Process for precoating plasma CVD reactors
US5980770A (en) * 1998-04-16 1999-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Removal of post-RIE polymer on Al/Cu metal line
US6467490B1 (en) * 1998-08-31 2002-10-22 Texas Instruments Incorporated Process for using a high nitrogen concentration plasma for fluorine removal from a reactor
US20030015496A1 (en) * 1999-07-22 2003-01-23 Sujit Sharan Plasma etching process
US6593653B2 (en) * 1999-09-30 2003-07-15 Novellus Systems, Inc. Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications
US6277194B1 (en) * 1999-10-21 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Method for in-situ cleaning of surfaces in a substrate processing chamber
JP2001156065A (ja) * 1999-11-24 2001-06-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US6350697B1 (en) 1999-12-22 2002-02-26 Lam Research Corporation Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber
US20030010354A1 (en) * 2000-03-27 2003-01-16 Applied Materials, Inc. Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber
US6500356B2 (en) 2000-03-27 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Selectively etching silicon using fluorine without plasma
US6607605B2 (en) * 2000-08-31 2003-08-19 Chemtrace Corporation Cleaning of semiconductor process equipment chamber parts using organic solvents
US6468903B2 (en) * 2000-11-15 2002-10-22 Asm International N.V. Pre-treatment of reactor parts for chemical vapor deposition reactors
US6843258B2 (en) * 2000-12-19 2005-01-18 Applied Materials, Inc. On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning
US6770214B2 (en) 2001-03-30 2004-08-03 Lam Research Corporation Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor
KR20040008193A (ko) * 2001-05-30 2004-01-28 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 저온 로딩 및 소성
US6626188B2 (en) * 2001-06-28 2003-09-30 International Business Machines Corporation Method for cleaning and preconditioning a chemical vapor deposition chamber dome
US7060234B2 (en) * 2001-07-18 2006-06-13 Applied Materials Process and apparatus for abatement of by products generated from deposition processes and cleaning of deposition chambers
US6596654B1 (en) 2001-08-24 2003-07-22 Novellus Systems, Inc. Gap fill for high aspect ratio structures
US7001854B1 (en) 2001-08-03 2006-02-21 Novellus Systems, Inc. Hydrogen-based phosphosilicate glass process for gap fill of high aspect ratio structures
US6846745B1 (en) * 2001-08-03 2005-01-25 Novellus Systems, Inc. High-density plasma process for filling high aspect ratio structures
US7067440B1 (en) 2001-08-24 2006-06-27 Novellus Systems, Inc. Gap fill for high aspect ratio structures
JP2003077839A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Toshiba Corp 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法
US6872323B1 (en) 2001-11-01 2005-03-29 Novellus Systems, Inc. In situ plasma process to remove fluorine residues from the interior surfaces of a CVD reactor
US20040037768A1 (en) * 2001-11-26 2004-02-26 Robert Jackson Method and system for on-site generation and distribution of a process gas
US20090001524A1 (en) * 2001-11-26 2009-01-01 Siegele Stephen H Generation and distribution of a fluorine gas
US20030098038A1 (en) * 2001-11-26 2003-05-29 Siegele Stephen H. System and method for on-site generation and distribution of fluorine for fabrication processes
US20030121796A1 (en) * 2001-11-26 2003-07-03 Siegele Stephen H Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility
US6825051B2 (en) * 2002-05-17 2004-11-30 Asm America, Inc. Plasma etch resistant coating and process
DE10255988A1 (de) * 2002-11-30 2004-06-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer
US7122485B1 (en) 2002-12-09 2006-10-17 Novellus Systems, Inc. Deposition profile modification through process chemistry
JP3872027B2 (ja) * 2003-03-07 2007-01-24 株式会社東芝 クリーニング方法及び半導体製造装置
JP4430918B2 (ja) * 2003-03-25 2010-03-10 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法
US7349929B2 (en) * 2003-04-25 2008-03-25 Sap Ag Accessing data based on user identity
US6974781B2 (en) 2003-10-20 2005-12-13 Asm International N.V. Reactor precoating for reduced stress and uniform CVD
US7163896B1 (en) 2003-12-10 2007-01-16 Novellus Systems, Inc. Biased H2 etch process in deposition-etch-deposition gap fill
US7344996B1 (en) 2005-06-22 2008-03-18 Novellus Systems, Inc. Helium-based etch process in deposition-etch-deposition gap fill
US7476621B1 (en) 2003-12-10 2009-01-13 Novellus Systems, Inc. Halogen-free noble gas assisted H2 plasma etch process in deposition-etch-deposition gap fill
WO2005060602A2 (en) * 2003-12-12 2005-07-07 Semequip, Inc. Controlling the flow of vapors sublimated from solids
US20080073559A1 (en) * 2003-12-12 2008-03-27 Horsky Thomas N Controlling the flow of vapors sublimated from solids
US20080223409A1 (en) * 2003-12-12 2008-09-18 Horsky Thomas N Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation
US20050161060A1 (en) * 2004-01-23 2005-07-28 Johnson Andrew D. Cleaning CVD chambers following deposition of porogen-containing materials
US7217658B1 (en) 2004-09-07 2007-05-15 Novellus Systems, Inc. Process modulation to prevent structure erosion during gap fill
US7176039B1 (en) 2004-09-21 2007-02-13 Novellus Systems, Inc. Dynamic modification of gap fill process characteristics
US7381451B1 (en) 2004-11-17 2008-06-03 Novellus Systems, Inc. Strain engineering—HDP thin film with tensile stress for FEOL and other applications
US7235492B2 (en) * 2005-01-31 2007-06-26 Applied Materials, Inc. Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces
US7211525B1 (en) 2005-03-16 2007-05-01 Novellus Systems, Inc. Hydrogen treatment enhanced gap fill
JP4728748B2 (ja) * 2005-09-05 2011-07-20 株式会社東芝 半導体製造装置の清浄化方法
US7293569B2 (en) * 2005-12-13 2007-11-13 Air Liquide Electronics U.S. Lp Alkylsilanes as solvents for low vapor pressure precursors
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7482245B1 (en) 2006-06-20 2009-01-27 Novellus Systems, Inc. Stress profile modulation in STI gap fill
US7789965B2 (en) * 2006-09-19 2010-09-07 Asm Japan K.K. Method of cleaning UV irradiation chamber
CN101517713B (zh) * 2006-09-19 2011-02-09 东京毅力科创株式会社 等离子体清洁方法和等离子体cvd方法
US20080289650A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Asm America, Inc. Low-temperature cleaning of native oxide
US7759199B2 (en) 2007-09-19 2010-07-20 Asm America, Inc. Stressor for engineered strain on channel
US7875125B2 (en) * 2007-09-21 2011-01-25 Semequip, Inc. Method for extending equipment uptime in ion implantation
US7871937B2 (en) 2008-05-16 2011-01-18 Asm America, Inc. Process and apparatus for treating wafers
US8133797B2 (en) * 2008-05-16 2012-03-13 Novellus Systems, Inc. Protective layer to enable damage free gap fill
US8367528B2 (en) 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
US9885123B2 (en) 2011-03-16 2018-02-06 Asm America, Inc. Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
WO2013015017A1 (ja) * 2011-07-27 2013-01-31 シャープ株式会社 シリコン含有膜の製造方法
JP2015192063A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 アモルファスシリコン膜形成装置の洗浄方法、アモルファスシリコン膜の形成方法およびアモルファスシリコン膜形成装置
CN105448659A (zh) * 2014-09-25 2016-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种提高清洗效率的方法
WO2019120358A1 (de) * 2017-12-21 2019-06-27 centrotherm international AG Verfahren zum betrieb einer abscheideanlage

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59142839A (ja) * 1983-02-01 1984-08-16 Canon Inc 気相法装置のクリ−ニング方法
JPS6077429A (ja) * 1983-10-04 1985-05-02 Asahi Glass Co Ltd ドライエツチング方法
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4811684A (en) * 1984-11-26 1989-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photo CVD apparatus, with deposition prevention in light source chamber
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
AU586530B2 (en) * 1986-02-06 1989-07-13 University Of Dayton, The Process for removing protective coatings and bonding layers from metal parts
US4797178A (en) * 1987-05-13 1989-01-10 International Business Machines Corporation Plasma etch enhancement with large mass inert gas
EP0296891B1 (en) * 1987-06-26 1996-01-10 Applied Materials, Inc. Process for self-cleaning of a reactor chamber
US4820377A (en) * 1987-07-16 1989-04-11 Texas Instruments Incorporated Method for cleanup processing chamber and vacuum process module
JPH01152274A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Iwatani Internatl Corp 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法
JPH0663097B2 (ja) * 1989-01-18 1994-08-17 岩谷産業株式会社 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法
JP2501925B2 (ja) * 1989-12-22 1996-05-29 大同ほくさん株式会社 金属材の前処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
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KR910007089A (ko) 1991-04-30
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