JP3594759B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3594759B2 JP3594759B2 JP6609997A JP6609997A JP3594759B2 JP 3594759 B2 JP3594759 B2 JP 3594759B2 JP 6609997 A JP6609997 A JP 6609997A JP 6609997 A JP6609997 A JP 6609997A JP 3594759 B2 JP3594759 B2 JP 3594759B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- cleaning
- plasma
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 92
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 82
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 17
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 17
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 229910018085 Al-F Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018179 Al—F Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置の製造工程において，基板上に微細加工，もしくは成膜を施すのに使用される半導体製造装置内のドライクリーニングするプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において，塵埃（異物）が基板に付着すると，目的のデバイスのパターン欠陥を引き起こし，製造工程における歩留まりを低下させる。
【０００３】
これに対して，近年の製造工程においては，プラズマを利用するドライエッチングやＣＶＤ等のプロセスが重要になっている。すなわち，各種ガスを装置内に導入し，導入したガスのプラズマの反応を利用して，成膜，エッチング等の微細加工を行うものである。これらのプロセスでは，微細加工を施そうとする基板以外にも，すなわち，製造装置内壁にも堆積膜が付着する。例えばドライエッチングおいてはエッチングガスがプラズマ中で分解や結合されること，また，エッチングにより生成されるエッチング副生成物により装置内壁に堆積膜が付着する。このような堆積膜は，処理枚数が増加し膜厚が厚くなると部分的に剥離して塵埃となり，デバイスのパターン欠陥の原因となる。したがって，これらの付着堆積物を定期的に除去する必要がある。
【０００４】
従来，このような付着堆積物の除去方法としては，装置を大気開放してアルコールや純水等の溶媒を用いて拭き取る，いわゆるウェットクリーニングと，例えば，特開平３−６２５２０に開示されている塩素系ガスとフッ素系ガスの組み合わせによるものや，特開平７−５０８３１３に開示されている酸素ガスと塩素ガスの混合ガスのプラズマによるドライクリーニングが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来のクリーニング方法は以下に示す問題がある。
【０００６】
まず，ウェットクリーニングに関しては，定期的に装置を大気開放し，分解する必要があり，さらにはウェットクリーニング後の真空排気も必要となる。したがって，クリーニング毎に長時間装置を停止させることとなり，著しい装置稼働率の低下，スループットの低下を引き起こす。
【０００７】
次に，特開平３−６２５２０開示例では，被エッチング材がＡｌ，およびＷを含む合金であり，Ａｌのエッチング生成物，Ｗのエッチング生成物を除去するために，すなわち複数のエッチング対象物に対するクリーニングが組み合わされていることが特徴となっている。また，特開平７−５０８３１３開示例に代表される従来のドライクリーニングは，被エッチング材料とエッチングガス，もしくはエッチングの際のマスク材料であるフォトレジスト（カーボン）とエッチングガス，もしくはエッチングガスの重合体によるいわゆる反応生成物を除去するが特徴である。
【０００８】
これら従来の開示例では，被エッチング材料やマスク材料等のウエハ基板上の材料とエッチングガスとの生成物に関するクリーニングについては考慮されているものの，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物に対するクリーニングに関しては，全く考慮されていない。
【０００９】
エッチング装置においては，エッチングガスによるプラズマが被エッチング対象である基板表面をエッチングする他，装置内部材料をも叩き，その結果，エッチング反応生成物ばかりではなく，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を装置内壁に付着，堆積させる。
【００１０】
すなわち従来のドライクリーニング方法では，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物が除去しきれずに堆積し，異物を発生させてしまうという大きな問題があった。
【００１１】
本発明の目的は，これらの問題を解決することにあり，製造装置内壁に付着した堆積膜を効果的に除去できる，すなわち，塵埃の発生源を取り去ることのできるドライクリーニング方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的は，ドライクリーニング工程の中に，エッチング反応生成物を除去する工程と、処理装置内部の材料のイオンスパッタ物，もしくは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を除去する工程とを有することにより達成される。
【００１３】
また上記目的は，ドライクリーニングを施す工程に，エッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素に対する原子間結合エネルギーの値が，被エッチング材料を構成する元素とエッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素の原子間結合エネルギーの値よりも，大きな値である物質を含むガスを用いることにより達成される。
【００１４】
また上記目的は，ドライクリーニングを施す工程に，エッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素に対する原子間結合エネルギーの値が，装置内部材材料を構成する元素とエッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素の原子間結合エネルギーの値よりも，大きな値を持つ物質を含むガスを用いることにより達成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下本発明のドライクリーニング方法の実施例について図に従って詳細に説明する。
【００１６】
図１に本発明に係るドライクリーニング方法に使用されたマイクロ波エッチング装置の構成図を示す。図において１は，微細加工を施すシリコンウエハ（基板），３，４は各々，石英ベルジャー，メインチャンバーであり，真空雰囲気を作る。１０は真空排気のための排気口，１５はエッチング，あるいはドライクリーニングのためのガス導入部である。９は，ウエハを固定保持する基板ステージであり，８はウエハをクランプするクランパーである。このクランパーは一般的に，例えばアルミナセラミックス等のセラミックスで製作されることが多い。ウエハを基板ステージ９に固定保持する方式として静電吸着力を利用した方式を使っても良い。７はアース板であり，１１はアース７とウエハステージ９との間にＲＦバイアスを印加するための高周波電源である。
【００１７】
マイクロ波エッチング装置は，まず，高真空排気後プラズマを生成するためのガスを導入する。そして，マイクロ波１４をマグネトロン（図示しない）から発振，導波管５を通して石英ベルジャ３（処理室）内に導入して，処理室周囲に配置されたソレノイドコイル６により形成する磁場との共鳴（ＥＣＲ）により，処理室のガスをプラズマ化し，そのプラズマを利用してエッチングを行う。アース７とウエハステージ９間には，イオンを引き込むことにより異方性エッチングを行う目的で，高周波電源１１によりＲＦバイアスが印加される。
【００１８】
この際，エッチング処理の副産物としてできる反応生成物が，石英ベルジャ３，メインチャンバー４，ガス導入部の出口１５，クランパー８等の処理室の構成部品に付着，堆積膜１３を形成する。このような堆積膜は，処理枚数が増加し膜厚が厚くなると部分的に剥離して塵埃となり，デバイスのパターン欠陥の原因となる。
【００１９】
ここでは一例として，図２に示すような絶縁膜に用いられるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１７をフルオロカーボン系ガス，例えばここではＣＦ４ガスのプラズマと添加ガスＡｒ， Ｏ２ガスのプラズマによりエッチングする場合を挙げて説明する。この図のように，例えば基板１６上にＳｉＯ２膜１７が形成され，その上にフォトレジストからなるマスクパターン１８が形成され，これを図１に示したようなエッチング装置でエッチング処理を施す。このときエッチングガスはプラズマ中で解離し，ウエハを叩くことによってエッチングを進行させる。この際に，エッチング対象物が原因で装置内壁に付着する不要堆積物は，シリコンを含む酸化物，有機物を含む化合物となる。
【００２０】
ところで，ドライクリーニングの際のガスは，除去対象である堆積物に対して，堆積物と反応して蒸気圧の高い化合物になる狙いで行われ，結果的には蒸発・真空排気して除去する。例えば堆積物が炭素化合物であれば，Ｏ２ガスのプラズマを当て，気体であるＣＯ，ＣＯ２にして除去するというように行われる。前記特開平７−５０８３１３に開示した例では，塩素系ガスに酸素系ガスを混合したクリーニングガスのを用いている。酸素を混合することにより，金属，塩素，有機物を含む化合物から炭素を切り放し，同時に塩素により金属をクリーニングすることにより，全体としての効果を向上を狙いとている。
【００２１】
本実施例に挙げたようなＳｉＯ２膜をエッチングする場合には，フッ素系ガスと酸素系ガスの混合，あるいは組み合わせによるクリーニングが一般的である。しかし，すでに述べたようにエッチングガスによるプラズマは被エッチング対象である基板表面１７，１８をエッチングする他，装置内部材料，例えばクランパ８，アース７等をも叩き，その結果，被エッチング材料に対する反応生成物ばかりではなく，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物もエッチング処理の副産物として堆積膜１３の構成元素となる。
【００２２】
一般的に，エッチング装置等のプラズマ応用半導体製造装置にはアルミナ部品が良く用いられる。本実施例（図２の例）においては，装置内壁に付着する不要堆積物は，まずエッチング対象物が原因である，被エッチング材のＳｉＯ２，レジスト材の有機化合物の他，装置内のアルミナ部品であるクランパ８がプラズマに叩かれ，イオンスパッタされてアルミナの形で装置内壁に付着・堆積している。この一部はエッチングの際にフッ素によってフッ化アルミの形で付着・堆積する。従来のドライクリーニングでは，ＳｉＯ２，レジスト材の有機化合物に対するクリーニングしか行われていない。すなわち，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物が堆積するということが考慮に入れられておらず，したがってこれらのに対するクリーニングも考えられていない。よって，これらが最終的に異物の発生原因として残ることになる。
【００２３】
本発明によれば，ドライクリーニング工程の中に，エッチング反応生成物を除去する工程に加えて，装置内部材材料のイオンスパッタ物，および装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を除去する工程が付加されるために，従来のドライクリーニングでは見逃されてきた装置内部材材料の化合物からなる堆積物も除去でき，クリーニング効果の向上，異物の発生の抑制効果の向上を図ることが可能である。
【００２４】
本実施例では，具体的にＢｃｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングを，装置内部材料のクリーニングとして付加した。アルミニウムの付着物に対しては，Ｃｌ２ガスプラズマにより蒸気圧の高いＡｌＣｌ３を生成して除去することが有効である。しかし，アルミニウムが酸化物，もしくはフッ化物になっている場合には，Ａｌ−Ｃｌの原子間結合エネルギーよりもＡｌ−Ｏ，Ａｌ−Ｆの原子間結合エネルギーの方が大きいために，Ｃｌ２単独のプラズマではＡｌＣｌ３が生成できずクリーニングによる除去はできない。そこで，Ａｌ−Ｏ，及びＡｌ−Ｆの原子間結合エネルギーよりも，フッ素，酸素に対する原子間結合エネルギーが大きいＢを含むガス，Ｂｃｌ３をＣｌ２ガスに混ぜることにより，Ａｌ−Ｏ，およびＡｌ−ＦからＯ，Ｆを引き抜き，Ｃｌ２によるクリーニングを有効にする。これにより，エッチング反応生成物に加えて，装置内部材材料のイオンスパッタ物をも除去可能となる。
【００２５】
ここでは，Ｏ２と六フッ化硫黄（ＳＦ６）のクリーニング，ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングを順番に行うことにより，装置内のクリーニング効果，および異物の抑制効果を著しく向上することができる。
【００２６】
このように，被エッチング材料に対する反応生成物を除去するドライクリーニングに加えて装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を除去するためのドライクリーニングを行うことにより装置内のクリーニング効果を著しく向上させることができる。ここでは，エッチング反応生成物に対するドライクリーニングと装置内部材材料に対するクリーニングを順番に行ったが，両者のクリーニングガスを混合しても良い。
【００２７】
次に，タングステン配線に適用した例について，図３を用いて説明する。図３のように，例えば基板１６上にタングステン配線１９が形成され，その上にフォトレジストからなるマスクパターン１８が形成され，これを図１に示したようなエッチング装置でエッチング処理を施す。タングステンに対してはＳＦ６ガスのプラズマによりエッチングを進行させる。
【００２８】
この際に，装置内壁に付着する不要堆積物は，タングステン，フッ素，有機物を含む化合物と，装置内のアルミナ部品であるクランパ８がプラズマに叩かれ，イオンスパッタされてアルミ酸化物の形で装置内壁に付着・堆積している。この一部はエッチングの際のＳＦ６ガスのプラズマによりフッ化アルミの形になっている。ここでは，ＳＦ６によるクリーニング，とＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングを順番に行った。ＳＦ６は，タングステン，および有機化合物に関してもクリーニング効果がある。ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングは第一の実施例で説明した通り，アルミ酸化物，アルミフッ化物に対してクリーニング効果を発揮する。このクリーニングにより，異物の抑制効果を著しく向上した。第一の実施例と同様，このようにエッチング材料に対する反応生成物を除去するドライクリーニングと，装置内部材材料に対するドライクリーニングを行うこれにより，クリーニング効果が著しく向上する。
【００２９】
次に本発明を利用した別の実施例について説明する。ここでは，図３に示すようなアルミ積層配線をエッチングする場合に本発明を適用した場合について説明する。
【００３０】
最近のメタル配線は，アルミ単層膜ではなく図３に示すようなバリアメタル２１を伴った積層膜となっており，複数のエッチングガスがエッチング工程に用いられる。耐エレクトロマイグレーション性や拡散バリア性を得ることが目的である。ここでは，アルミ配線２０，チタンタングステン（ＴｉＷ）バリアメタル２１の積層膜をエッチングする例を挙げる。すでに述べたように，エッチングを行う場合，被エッチング材料に対して蒸気圧の高い化合物を形成してエッチングを進行させる。この場合，第一層目のアルミ２０はＣｌ２ガスを用いて蒸気圧の高いＡｌＣｌ３にしてエッチングを進行させる。このとき，装置内壁，例えば石英ベルジャ３，メインチャンバー４，ガス導入口１５，クランパー８等の処理室の構成部品にＡｌ，もしくはＡｌＣｌｘが付着，堆積する。この後，第二層目のＴｉＷ２０はＳＦ６プラズマにより行われ，このとき装置内壁や処理室の構成部品にＴｉ，もしくはタングステン（Ｗ）が付着，堆積する。
【００３１】
通常，Ａｌ，もしくはＡｌＣｌｘをクリーニングする場合，Ｔｉをクリーニングする場合には，Ｃｌ２プラズマにより蒸気圧の高いＡｌＣｌ３，ＴｉＣｌにして除去する。また，Ｗをクリーニングする場合にはフッ素系ガス，例えばＳＦ６のプラズマにより蒸気圧の高いＷＦ６にして除去を行う。
【００３２】
しかし，配線を構成する膜が単層膜でなく積層膜の場合は，複数のエッチングガスのプラズマを使用するために，また，複数のクリーニングガスを使用するために，装置内壁や処理室の構成部品に付着している堆積膜は単純な形ではなく，これらのガスとの化合物の形となる。
【００３３】
すなわち，付着物は，
１）第一層目のエッチングの際にＡｌ，もしくはＡｌＣｌｘが付着，堆積する。その堆積物が第二層目のＴｉＷエッチングの際に，ＳＦ６プラズマによりアルミフッ化物になる。この後，第二層目のＴｉＷ２０はＳＦ６プラズマにより行われ，このとき装置内壁や処理室の構成部品にＴｉ，もしくはＷが付着，堆積する。
【００３４】
２）第一層目のエッチングの際に堆積するＡｌ，ＡｌＣｌｘは，第二層目のＴｉＷエッチングの際の堆積物であるＷを除去するクリーニング工程，ＳＦ６プラズマによりさらにアルミフッ化物が促進される。
【００３５】
３）エッチングガス，もしくはクリーニングガスによるプラズマは，装置内部材料，一般的に装置内部品に使用されているアルミナ部品を叩き，イオンスパッタ作用によりアルミ酸化物の形で装置内壁に付着・堆積する。
【００３６】
４）プラズマのイオンスパッタ作用により装置内壁に付着・堆積したアルミ酸化物は，第二層目のＴｉＷエッチングの際のＳＦ６プラズマにより一部アルミフッ化物となる。
【００３７】
５）プラズマのイオンスパッタ作用により装置内壁に付着・堆積したアルミ酸化物は，Ｗクリーニングの際のＳＦ６プラズマにより一部アルミフッ化物となる。
【００３８】
このように，多層配線をエッチングする場合には，ある配線層をエッチングしている間にエッチング用ガスのプラズマが，別の配線層をエッチングした際に装置内に付着した堆積物を除去しずらい化合物にする。さらに，ある元素の堆積物をクリーニングしている間にクリーニングガスのプラズマが，別の元素の堆積物を除去しずらい化合物にする。これらにより，目的としたクリーニングを阻害することが起こる。
【００３９】
さらには，エッチングガス，クリーニングガスによるプラズマは，装置内部材料も叩き，その結果，装置内部材材料のイオンスパッタ物を装置内に付着させる。また，これらはエッチングガス，クリーニングガスとの化合物にもなる。これらにより，目的としたクリーニングを阻害することが起こる。
【００４０】
本発明によれば，ドライクリーニングの工程の中に，被エッチング材料とエッチングガスを構成する元素との原子間結合エネルギーよりも，エッチングガス元素との原子間結合エネルギーが大きな値を持つ物質を含むガスによるクリーニングを付加する。これにより，前記１）の堆積物が除去可能となる。すなわち，第一層目のエッチングの際に堆積したＡｌが第二層目のＴｉＷエッチングの際のＳＦ６プラズマによりアルミフッ化物になったものを除去可能となる。
【００４１】
また本発明によれば，ドライクリーニング工程の中に，エッチング反応生成物を除去する工程に加えて，装置内部材材料のイオンスパッタ物を除去する工程が付加されるために，前記３）の堆積物が除去可能となる。すなわち，装置内部品に使用されているアルミナ部品のイオンスパッタ物が除去可能となる。
【００４２】
さらに，ドライクリーニングの工程の中に，被エッチング材料，および装置構成材料と他の工程のクリーニングガスを構成する元素との原子間結合エネルギーよりも，上記クリーニング工程のガス元素との原子間結合エネルギーが大きな値を持つ物質を含むガスによるクリーニングを付加する。これにより，前記２），４），５）の堆積物が除去可能となる。すなわち，Ｗクリーニングの際のＳＦ６プラズマによりアルミフッ化物となった堆積物が除去可能となる。
【００４３】
具体的には，エッチング，およびクリーニング時に用いられるＳＦ６プラズマにより，アルミニウムがフッ化物になっているために，Ｃｌ２単独のプラズマではクリーニングによる除去はできない。ドライクリーニングを施す工程の中に，エッチング，およびクリーニング時に用いられるフッ素と被エッチング材料であるアルミとの原子間結合エネルギーの値よりも，フッ素との原子間結合エネルギーが大きな値を持つ物質Ｂを含むガス，Ｂｃｌ３をＣｌ２ガスに混ぜるてクリーニングガスとすることにより，Ａｌ−ＦからＦを引き抜き，Ｃｌ２によるクリーニングを有効にすることができる。
【００４４】
またＢは，装置内部材材料のイオンスパッタ物でるアルミ酸化物Ａｌ−Ｏに対して，Ｂ−Ｏの原子間結合エネルギーの方が大きい。したがって，Ｂを含むガス，Ｂｃｌ３をＣｌ２ガスに混ぜることにより，Ａｌ−ＯからＯを引き抜き，Ｃｌ２によるクリーニングを有効にする。すなわち，装置内部材材料のイオンスパッタ物をも除去可能である。
【００４５】
このような，積層膜であるがために次工程のエッチングガスやクリーニングガスと反応して堆積した膜に対するクリーニング行程は，エッチング反応生成物単独のクリーニング工程の後，もしくは前，もしくは両方に入れてよい。
【００４６】
なお，本発明の実施例は，マイクロ波エッチング装置に適用した例で説明したが，これに限定されるものではなく，平行平板型のエッチング装置，誘導結合型のエッチング装置，またＣＶＤ装置であっても，プラズマにより装置内壁の堆積物をクリーニングする装置であれば効果が得られる。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば，製造装置内壁に付着した堆積膜を効率的に除去することができる。これにより，堆積膜厚の増加（処理枚数の増加）にともなう，堆積膜の剥離，これによる塵埃の発生を防止することが可能となり，製造工程における歩留まりの向上，製造装置の稼働率向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した半導体製造製造装置を示す図。
【図２】本発明の第一の実施例を適用した半導体ウエハの横断面図。
【図３】本発明の第二の実施例を適用した半導体ウエハの横断面図。
【図４】本発明の第三の実施例を適用した半導体ウエハの横断面図。
【符号の説明】
１…ウエハ、２…プラズマ、３…石英ベルジャー、４…、メインチャンバー、５…導波管、６…ソレノイドコイル、７，１２…アース、８…ウエハクランパ、９…ウエハステージ、１０…真空排気口、１１…高周波電源、１３…堆積物、１４…マイクロ波、１５…ガス導入口、１６…半導体基板、１８…フォトレジストマスクパターン、１９…タングステン配線、２０…アルミ配線膜、２１…ＴｉＷバリアメタル。
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置の製造工程において，基板上に微細加工，もしくは成膜を施すのに使用される半導体製造装置内のドライクリーニングするプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において，塵埃（異物）が基板に付着すると，目的のデバイスのパターン欠陥を引き起こし，製造工程における歩留まりを低下させる。
【０００３】
これに対して，近年の製造工程においては，プラズマを利用するドライエッチングやＣＶＤ等のプロセスが重要になっている。すなわち，各種ガスを装置内に導入し，導入したガスのプラズマの反応を利用して，成膜，エッチング等の微細加工を行うものである。これらのプロセスでは，微細加工を施そうとする基板以外にも，すなわち，製造装置内壁にも堆積膜が付着する。例えばドライエッチングおいてはエッチングガスがプラズマ中で分解や結合されること，また，エッチングにより生成されるエッチング副生成物により装置内壁に堆積膜が付着する。このような堆積膜は，処理枚数が増加し膜厚が厚くなると部分的に剥離して塵埃となり，デバイスのパターン欠陥の原因となる。したがって，これらの付着堆積物を定期的に除去する必要がある。
【０００４】
従来，このような付着堆積物の除去方法としては，装置を大気開放してアルコールや純水等の溶媒を用いて拭き取る，いわゆるウェットクリーニングと，例えば，特開平３−６２５２０に開示されている塩素系ガスとフッ素系ガスの組み合わせによるものや，特開平７−５０８３１３に開示されている酸素ガスと塩素ガスの混合ガスのプラズマによるドライクリーニングが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来のクリーニング方法は以下に示す問題がある。
【０００６】
まず，ウェットクリーニングに関しては，定期的に装置を大気開放し，分解する必要があり，さらにはウェットクリーニング後の真空排気も必要となる。したがって，クリーニング毎に長時間装置を停止させることとなり，著しい装置稼働率の低下，スループットの低下を引き起こす。
【０００７】
次に，特開平３−６２５２０開示例では，被エッチング材がＡｌ，およびＷを含む合金であり，Ａｌのエッチング生成物，Ｗのエッチング生成物を除去するために，すなわち複数のエッチング対象物に対するクリーニングが組み合わされていることが特徴となっている。また，特開平７−５０８３１３開示例に代表される従来のドライクリーニングは，被エッチング材料とエッチングガス，もしくはエッチングの際のマスク材料であるフォトレジスト（カーボン）とエッチングガス，もしくはエッチングガスの重合体によるいわゆる反応生成物を除去するが特徴である。
【０００８】
これら従来の開示例では，被エッチング材料やマスク材料等のウエハ基板上の材料とエッチングガスとの生成物に関するクリーニングについては考慮されているものの，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物に対するクリーニングに関しては，全く考慮されていない。
【０００９】
エッチング装置においては，エッチングガスによるプラズマが被エッチング対象である基板表面をエッチングする他，装置内部材料をも叩き，その結果，エッチング反応生成物ばかりではなく，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を装置内壁に付着，堆積させる。
【００１０】
すなわち従来のドライクリーニング方法では，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物が除去しきれずに堆積し，異物を発生させてしまうという大きな問題があった。
【００１１】
本発明の目的は，これらの問題を解決することにあり，製造装置内壁に付着した堆積膜を効果的に除去できる，すなわち，塵埃の発生源を取り去ることのできるドライクリーニング方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的は，ドライクリーニング工程の中に，エッチング反応生成物を除去する工程と、処理装置内部の材料のイオンスパッタ物，もしくは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を除去する工程とを有することにより達成される。
【００１３】
また上記目的は，ドライクリーニングを施す工程に，エッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素に対する原子間結合エネルギーの値が，被エッチング材料を構成する元素とエッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素の原子間結合エネルギーの値よりも，大きな値である物質を含むガスを用いることにより達成される。
【００１４】
また上記目的は，ドライクリーニングを施す工程に，エッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素に対する原子間結合エネルギーの値が，装置内部材材料を構成する元素とエッチング，及びクリーニングを施す工程において使用されるガスを構成する元素の原子間結合エネルギーの値よりも，大きな値を持つ物質を含むガスを用いることにより達成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下本発明のドライクリーニング方法の実施例について図に従って詳細に説明する。
【００１６】
図１に本発明に係るドライクリーニング方法に使用されたマイクロ波エッチング装置の構成図を示す。図において１は，微細加工を施すシリコンウエハ（基板），３，４は各々，石英ベルジャー，メインチャンバーであり，真空雰囲気を作る。１０は真空排気のための排気口，１５はエッチング，あるいはドライクリーニングのためのガス導入部である。９は，ウエハを固定保持する基板ステージであり，８はウエハをクランプするクランパーである。このクランパーは一般的に，例えばアルミナセラミックス等のセラミックスで製作されることが多い。ウエハを基板ステージ９に固定保持する方式として静電吸着力を利用した方式を使っても良い。７はアース板であり，１１はアース７とウエハステージ９との間にＲＦバイアスを印加するための高周波電源である。
【００１７】
マイクロ波エッチング装置は，まず，高真空排気後プラズマを生成するためのガスを導入する。そして，マイクロ波１４をマグネトロン（図示しない）から発振，導波管５を通して石英ベルジャ３（処理室）内に導入して，処理室周囲に配置されたソレノイドコイル６により形成する磁場との共鳴（ＥＣＲ）により，処理室のガスをプラズマ化し，そのプラズマを利用してエッチングを行う。アース７とウエハステージ９間には，イオンを引き込むことにより異方性エッチングを行う目的で，高周波電源１１によりＲＦバイアスが印加される。
【００１８】
この際，エッチング処理の副産物としてできる反応生成物が，石英ベルジャ３，メインチャンバー４，ガス導入部の出口１５，クランパー８等の処理室の構成部品に付着，堆積膜１３を形成する。このような堆積膜は，処理枚数が増加し膜厚が厚くなると部分的に剥離して塵埃となり，デバイスのパターン欠陥の原因となる。
【００１９】
ここでは一例として，図２に示すような絶縁膜に用いられるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１７をフルオロカーボン系ガス，例えばここではＣＦ４ガスのプラズマと添加ガスＡｒ， Ｏ２ガスのプラズマによりエッチングする場合を挙げて説明する。この図のように，例えば基板１６上にＳｉＯ２膜１７が形成され，その上にフォトレジストからなるマスクパターン１８が形成され，これを図１に示したようなエッチング装置でエッチング処理を施す。このときエッチングガスはプラズマ中で解離し，ウエハを叩くことによってエッチングを進行させる。この際に，エッチング対象物が原因で装置内壁に付着する不要堆積物は，シリコンを含む酸化物，有機物を含む化合物となる。
【００２０】
ところで，ドライクリーニングの際のガスは，除去対象である堆積物に対して，堆積物と反応して蒸気圧の高い化合物になる狙いで行われ，結果的には蒸発・真空排気して除去する。例えば堆積物が炭素化合物であれば，Ｏ２ガスのプラズマを当て，気体であるＣＯ，ＣＯ２にして除去するというように行われる。前記特開平７−５０８３１３に開示した例では，塩素系ガスに酸素系ガスを混合したクリーニングガスのを用いている。酸素を混合することにより，金属，塩素，有機物を含む化合物から炭素を切り放し，同時に塩素により金属をクリーニングすることにより，全体としての効果を向上を狙いとている。
【００２１】
本実施例に挙げたようなＳｉＯ２膜をエッチングする場合には，フッ素系ガスと酸素系ガスの混合，あるいは組み合わせによるクリーニングが一般的である。しかし，すでに述べたようにエッチングガスによるプラズマは被エッチング対象である基板表面１７，１８をエッチングする他，装置内部材料，例えばクランパ８，アース７等をも叩き，その結果，被エッチング材料に対する反応生成物ばかりではなく，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物もエッチング処理の副産物として堆積膜１３の構成元素となる。
【００２２】
一般的に，エッチング装置等のプラズマ応用半導体製造装置にはアルミナ部品が良く用いられる。本実施例（図２の例）においては，装置内壁に付着する不要堆積物は，まずエッチング対象物が原因である，被エッチング材のＳｉＯ２，レジスト材の有機化合物の他，装置内のアルミナ部品であるクランパ８がプラズマに叩かれ，イオンスパッタされてアルミナの形で装置内壁に付着・堆積している。この一部はエッチングの際にフッ素によってフッ化アルミの形で付着・堆積する。従来のドライクリーニングでは，ＳｉＯ２，レジスト材の有機化合物に対するクリーニングしか行われていない。すなわち，装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物が堆積するということが考慮に入れられておらず，したがってこれらのに対するクリーニングも考えられていない。よって，これらが最終的に異物の発生原因として残ることになる。
【００２３】
本発明によれば，ドライクリーニング工程の中に，エッチング反応生成物を除去する工程に加えて，装置内部材材料のイオンスパッタ物，および装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を除去する工程が付加されるために，従来のドライクリーニングでは見逃されてきた装置内部材材料の化合物からなる堆積物も除去でき，クリーニング効果の向上，異物の発生の抑制効果の向上を図ることが可能である。
【００２４】
本実施例では，具体的にＢｃｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングを，装置内部材料のクリーニングとして付加した。アルミニウムの付着物に対しては，Ｃｌ２ガスプラズマにより蒸気圧の高いＡｌＣｌ３を生成して除去することが有効である。しかし，アルミニウムが酸化物，もしくはフッ化物になっている場合には，Ａｌ−Ｃｌの原子間結合エネルギーよりもＡｌ−Ｏ，Ａｌ−Ｆの原子間結合エネルギーの方が大きいために，Ｃｌ２単独のプラズマではＡｌＣｌ３が生成できずクリーニングによる除去はできない。そこで，Ａｌ−Ｏ，及びＡｌ−Ｆの原子間結合エネルギーよりも，フッ素，酸素に対する原子間結合エネルギーが大きいＢを含むガス，Ｂｃｌ３をＣｌ２ガスに混ぜることにより，Ａｌ−Ｏ，およびＡｌ−ＦからＯ，Ｆを引き抜き，Ｃｌ２によるクリーニングを有効にする。これにより，エッチング反応生成物に加えて，装置内部材材料のイオンスパッタ物をも除去可能となる。
【００２５】
ここでは，Ｏ２と六フッ化硫黄（ＳＦ６）のクリーニング，ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングを順番に行うことにより，装置内のクリーニング効果，および異物の抑制効果を著しく向上することができる。
【００２６】
このように，被エッチング材料に対する反応生成物を除去するドライクリーニングに加えて装置内部材材料のイオンスパッタ物，あるいは装置内部材材料とエッチングガスとの化合物を除去するためのドライクリーニングを行うことにより装置内のクリーニング効果を著しく向上させることができる。ここでは，エッチング反応生成物に対するドライクリーニングと装置内部材材料に対するクリーニングを順番に行ったが，両者のクリーニングガスを混合しても良い。
【００２７】
次に，タングステン配線に適用した例について，図３を用いて説明する。図３のように，例えば基板１６上にタングステン配線１９が形成され，その上にフォトレジストからなるマスクパターン１８が形成され，これを図１に示したようなエッチング装置でエッチング処理を施す。タングステンに対してはＳＦ６ガスのプラズマによりエッチングを進行させる。
【００２８】
この際に，装置内壁に付着する不要堆積物は，タングステン，フッ素，有機物を含む化合物と，装置内のアルミナ部品であるクランパ８がプラズマに叩かれ，イオンスパッタされてアルミ酸化物の形で装置内壁に付着・堆積している。この一部はエッチングの際のＳＦ６ガスのプラズマによりフッ化アルミの形になっている。ここでは，ＳＦ６によるクリーニング，とＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングを順番に行った。ＳＦ６は，タングステン，および有機化合物に関してもクリーニング効果がある。ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるクリーニングは第一の実施例で説明した通り，アルミ酸化物，アルミフッ化物に対してクリーニング効果を発揮する。このクリーニングにより，異物の抑制効果を著しく向上した。第一の実施例と同様，このようにエッチング材料に対する反応生成物を除去するドライクリーニングと，装置内部材材料に対するドライクリーニングを行うこれにより，クリーニング効果が著しく向上する。
【００２９】
次に本発明を利用した別の実施例について説明する。ここでは，図３に示すようなアルミ積層配線をエッチングする場合に本発明を適用した場合について説明する。
【００３０】
最近のメタル配線は，アルミ単層膜ではなく図３に示すようなバリアメタル２１を伴った積層膜となっており，複数のエッチングガスがエッチング工程に用いられる。耐エレクトロマイグレーション性や拡散バリア性を得ることが目的である。ここでは，アルミ配線２０，チタンタングステン（ＴｉＷ）バリアメタル２１の積層膜をエッチングする例を挙げる。すでに述べたように，エッチングを行う場合，被エッチング材料に対して蒸気圧の高い化合物を形成してエッチングを進行させる。この場合，第一層目のアルミ２０はＣｌ２ガスを用いて蒸気圧の高いＡｌＣｌ３にしてエッチングを進行させる。このとき，装置内壁，例えば石英ベルジャ３，メインチャンバー４，ガス導入口１５，クランパー８等の処理室の構成部品にＡｌ，もしくはＡｌＣｌｘが付着，堆積する。この後，第二層目のＴｉＷ２０はＳＦ６プラズマにより行われ，このとき装置内壁や処理室の構成部品にＴｉ，もしくはタングステン（Ｗ）が付着，堆積する。
【００３１】
通常，Ａｌ，もしくはＡｌＣｌｘをクリーニングする場合，Ｔｉをクリーニングする場合には，Ｃｌ２プラズマにより蒸気圧の高いＡｌＣｌ３，ＴｉＣｌにして除去する。また，Ｗをクリーニングする場合にはフッ素系ガス，例えばＳＦ６のプラズマにより蒸気圧の高いＷＦ６にして除去を行う。
【００３２】
しかし，配線を構成する膜が単層膜でなく積層膜の場合は，複数のエッチングガスのプラズマを使用するために，また，複数のクリーニングガスを使用するために，装置内壁や処理室の構成部品に付着している堆積膜は単純な形ではなく，これらのガスとの化合物の形となる。
【００３３】
すなわち，付着物は，
１）第一層目のエッチングの際にＡｌ，もしくはＡｌＣｌｘが付着，堆積する。その堆積物が第二層目のＴｉＷエッチングの際に，ＳＦ６プラズマによりアルミフッ化物になる。この後，第二層目のＴｉＷ２０はＳＦ６プラズマにより行われ，このとき装置内壁や処理室の構成部品にＴｉ，もしくはＷが付着，堆積する。
【００３４】
２）第一層目のエッチングの際に堆積するＡｌ，ＡｌＣｌｘは，第二層目のＴｉＷエッチングの際の堆積物であるＷを除去するクリーニング工程，ＳＦ６プラズマによりさらにアルミフッ化物が促進される。
【００３５】
３）エッチングガス，もしくはクリーニングガスによるプラズマは，装置内部材料，一般的に装置内部品に使用されているアルミナ部品を叩き，イオンスパッタ作用によりアルミ酸化物の形で装置内壁に付着・堆積する。
【００３６】
４）プラズマのイオンスパッタ作用により装置内壁に付着・堆積したアルミ酸化物は，第二層目のＴｉＷエッチングの際のＳＦ６プラズマにより一部アルミフッ化物となる。
【００３７】
５）プラズマのイオンスパッタ作用により装置内壁に付着・堆積したアルミ酸化物は，Ｗクリーニングの際のＳＦ６プラズマにより一部アルミフッ化物となる。
【００３８】
このように，多層配線をエッチングする場合には，ある配線層をエッチングしている間にエッチング用ガスのプラズマが，別の配線層をエッチングした際に装置内に付着した堆積物を除去しずらい化合物にする。さらに，ある元素の堆積物をクリーニングしている間にクリーニングガスのプラズマが，別の元素の堆積物を除去しずらい化合物にする。これらにより，目的としたクリーニングを阻害することが起こる。
【００３９】
さらには，エッチングガス，クリーニングガスによるプラズマは，装置内部材料も叩き，その結果，装置内部材材料のイオンスパッタ物を装置内に付着させる。また，これらはエッチングガス，クリーニングガスとの化合物にもなる。これらにより，目的としたクリーニングを阻害することが起こる。
【００４０】
本発明によれば，ドライクリーニングの工程の中に，被エッチング材料とエッチングガスを構成する元素との原子間結合エネルギーよりも，エッチングガス元素との原子間結合エネルギーが大きな値を持つ物質を含むガスによるクリーニングを付加する。これにより，前記１）の堆積物が除去可能となる。すなわち，第一層目のエッチングの際に堆積したＡｌが第二層目のＴｉＷエッチングの際のＳＦ６プラズマによりアルミフッ化物になったものを除去可能となる。
【００４１】
また本発明によれば，ドライクリーニング工程の中に，エッチング反応生成物を除去する工程に加えて，装置内部材材料のイオンスパッタ物を除去する工程が付加されるために，前記３）の堆積物が除去可能となる。すなわち，装置内部品に使用されているアルミナ部品のイオンスパッタ物が除去可能となる。
【００４２】
さらに，ドライクリーニングの工程の中に，被エッチング材料，および装置構成材料と他の工程のクリーニングガスを構成する元素との原子間結合エネルギーよりも，上記クリーニング工程のガス元素との原子間結合エネルギーが大きな値を持つ物質を含むガスによるクリーニングを付加する。これにより，前記２），４），５）の堆積物が除去可能となる。すなわち，Ｗクリーニングの際のＳＦ６プラズマによりアルミフッ化物となった堆積物が除去可能となる。
【００４３】
具体的には，エッチング，およびクリーニング時に用いられるＳＦ６プラズマにより，アルミニウムがフッ化物になっているために，Ｃｌ２単独のプラズマではクリーニングによる除去はできない。ドライクリーニングを施す工程の中に，エッチング，およびクリーニング時に用いられるフッ素と被エッチング材料であるアルミとの原子間結合エネルギーの値よりも，フッ素との原子間結合エネルギーが大きな値を持つ物質Ｂを含むガス，Ｂｃｌ３をＣｌ２ガスに混ぜるてクリーニングガスとすることにより，Ａｌ−ＦからＦを引き抜き，Ｃｌ２によるクリーニングを有効にすることができる。
【００４４】
またＢは，装置内部材材料のイオンスパッタ物でるアルミ酸化物Ａｌ−Ｏに対して，Ｂ−Ｏの原子間結合エネルギーの方が大きい。したがって，Ｂを含むガス，Ｂｃｌ３をＣｌ２ガスに混ぜることにより，Ａｌ−ＯからＯを引き抜き，Ｃｌ２によるクリーニングを有効にする。すなわち，装置内部材材料のイオンスパッタ物をも除去可能である。
【００４５】
このような，積層膜であるがために次工程のエッチングガスやクリーニングガスと反応して堆積した膜に対するクリーニング行程は，エッチング反応生成物単独のクリーニング工程の後，もしくは前，もしくは両方に入れてよい。
【００４６】
なお，本発明の実施例は，マイクロ波エッチング装置に適用した例で説明したが，これに限定されるものではなく，平行平板型のエッチング装置，誘導結合型のエッチング装置，またＣＶＤ装置であっても，プラズマにより装置内壁の堆積物をクリーニングする装置であれば効果が得られる。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば，製造装置内壁に付着した堆積膜を効率的に除去することができる。これにより，堆積膜厚の増加（処理枚数の増加）にともなう，堆積膜の剥離，これによる塵埃の発生を防止することが可能となり，製造工程における歩留まりの向上，製造装置の稼働率向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した半導体製造製造装置を示す図。
【図２】本発明の第一の実施例を適用した半導体ウエハの横断面図。
【図３】本発明の第二の実施例を適用した半導体ウエハの横断面図。
【図４】本発明の第三の実施例を適用した半導体ウエハの横断面図。
【符号の説明】
１…ウエハ、２…プラズマ、３…石英ベルジャー、４…、メインチャンバー、５…導波管、６…ソレノイドコイル、７，１２…アース、８…ウエハクランパ、９…ウエハステージ、１０…真空排気口、１１…高周波電源、１３…堆積物、１４…マイクロ波、１５…ガス導入口、１６…半導体基板、１８…フォトレジストマスクパターン、１９…タングステン配線、２０…アルミ配線膜、２１…ＴｉＷバリアメタル。
Claims (4)
- プラズマエッチング装置を用いてウエハのエッチング処理及び前記エッチング装置内部のドライクリーニング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記ドライクリーニング処理は、前記エッチング装置の内部構成材料表面に付着したエッチング反応生成物を除去する第１クリーニング工程、及び前記エッチング装置の内部構成材料表面に付着した、該内部構成材料のイオンスパッタ物を除去する第２クリーニング工程を備え、
前記エッチング処理用のガスはフッ素（Ｆ）を含むガスであり、第２クリーニング工程用の処理ガスはホウ素（Ｂ）を含むガスであり、被エッチング材料はアルミニウム（Ａｌ）またはチタンタングステン（ＴｉＷ）であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１記載のプラズマ処理方法において、
前記エッチング装置の内部構成材料はアルミニウム（Ａｌ）であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - プラズマエッチング装置を用いてウエハのエッチング処理及び前記エッチング装置内部のドライクリーニング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記ドライクリーニング処理は、前記エッチング装置の内部構成材料表面に付着したエッチング反応生成物を除去する第１クリーニング工程、及び前記エッチング装置の内部構成材料表面に付着した、該内部構成材料のイオンスパッタ物を除去する第２クリーニング工程を備え、
前記第１クリーニング工程用の処理ガスはフッ素（Ｆ）を含むガスであり、第２クリーニング工程用の処理ガスはホウ素（Ｂ）を含むガスであり、被エッチング材料はアルミニウム（Ａｌ）またはチタンタングステン（ＴｉＷ）であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項３記載のプラズマ処理方法において、
前記エッチング装置の内部構成材料はアルミニウム（Ａｌ）であることを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6609997A JP3594759B2 (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | プラズマ処理方法 |
| TW087103410A TW410398B (en) | 1997-03-19 | 1998-03-09 | Plasma treatment method and manufacturing method of semiconductor device |
| SG1998000516A SG64481A1 (en) | 1997-03-19 | 1998-03-09 | Plasma treatment method and manufacturing method of semiconductor device |
| KR1019980009179A KR100531337B1 (ko) | 1997-03-19 | 1998-03-18 | 플라즈마처리방법및반도체장치의제조방법 |
| US09/040,423 US6186153B1 (en) | 1997-03-19 | 1998-03-18 | Plasma treatment method and manufacturing method of semiconductor device |
| CN98105670A CN1193812A (zh) | 1997-03-19 | 1998-03-18 | 半导体器件的等离子体处理方法及制造方法 |
| EP98302036A EP0871211A3 (en) | 1997-03-19 | 1998-03-18 | Plasma treatment method and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6609997A JP3594759B2 (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | プラズマ処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003188275A Division JP2003347276A (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | プラズマ処理方法、および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261623A JPH10261623A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3594759B2 true JP3594759B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=13306104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6609997A Expired - Lifetime JP3594759B2 (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | プラズマ処理方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6186153B1 (ja) |
| EP (1) | EP0871211A3 (ja) |
| JP (1) | JP3594759B2 (ja) |
| KR (1) | KR100531337B1 (ja) |
| CN (1) | CN1193812A (ja) |
| SG (1) | SG64481A1 (ja) |
| TW (1) | TW410398B (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000272156A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | カーボン膜の成膜方法 |
| JP3838614B2 (ja) | 1999-11-10 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100655217B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 고주파 플라즈마 챔버의 세정 방법 |
| JP2002129334A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積装置のクリーニング方法及び気相堆積装置 |
| JP3332915B1 (ja) * | 2001-02-22 | 2002-10-07 | 株式会社三幸 | セラミックス部材の洗浄方法及び洗浄装置 |
| US6770214B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor |
| JP3421329B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2003-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法 |
| JP2003068705A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| TW508648B (en) * | 2001-12-11 | 2002-11-01 | United Microelectronics Corp | Method of reducing the chamber particle level |
| US7326673B2 (en) * | 2001-12-31 | 2008-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates |
| US7557073B2 (en) * | 2001-12-31 | 2009-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-fluoride containing supercritical fluid composition for removal of ion-implant photoresist |
| US20040011380A1 (en) * | 2002-07-18 | 2004-01-22 | Bing Ji | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
| JP4196371B2 (ja) * | 2002-08-20 | 2008-12-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | ハロゲンガスの製造方法、ハロゲンガスの製造装置及びハロゲンガスの回収・循環システム |
| US6863930B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-03-08 | Delphi Technologies, Inc. | Refractory metal mask and methods for coating an article and forming a sensor |
| US20050072444A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Shigeru Shirayone | Method for processing plasma processing apparatus |
| US7055263B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-06-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
| CN100352013C (zh) * | 2004-07-16 | 2007-11-28 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 干蚀刻后处理方法 |
| GB0516054D0 (en) * | 2005-08-04 | 2005-09-14 | Trikon Technologies Ltd | A method of processing substrates |
| US8486198B2 (en) | 2005-08-04 | 2013-07-16 | Aviza Technology Limited | Method of processing substrates |
| KR100978407B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2010-08-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP4776575B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 表面処理方法、エッチング処理方法および電子デバイスの製造方法 |
| JP5110987B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2012-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2008078678A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-04-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
| US20100051577A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Micron Technology, Inc. | Copper layer processing |
| JP2012109472A (ja) | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| JP5736820B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2015-06-17 | 富士通株式会社 | 半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2013030696A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法 |
| JP6854600B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2021-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および基板載置台 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2892694B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1999-05-17 | 株式会社日立製作所 | プラズマクリーニング方法 |
| JPH0362550A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH0383335A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JPH03130368A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-06-04 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハプロセス装置の洗浄方法 |
| US5085727A (en) * | 1990-05-21 | 1992-02-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion |
| US5108542A (en) * | 1990-08-23 | 1992-04-28 | Hewlett Packard Company | Selective etching method for tungsten and tungsten alloys |
| KR100293830B1 (ko) * | 1992-06-22 | 2001-09-17 | 리차드 에이치. 로브그렌 | 플라즈마 처리 쳄버내의 잔류물 제거를 위한 플라즈마 정결방법 |
| US5716494A (en) * | 1992-06-22 | 1998-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method, chemical vapor deposition method, and apparatus for processing semiconductor substrate |
| JP2865517B2 (ja) * | 1993-05-06 | 1999-03-08 | シャープ株式会社 | Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ膜のドライエッチング方法 |
| JPH06349786A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5486235A (en) * | 1993-08-09 | 1996-01-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers |
| JPH07335626A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH0888215A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2962181B2 (ja) * | 1995-02-01 | 1999-10-12 | ヤマハ株式会社 | ドライエッチング方法及び装置 |
| JPH08319586A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nec Yamagata Ltd | 真空処理装置のクリーニング方法 |
| JP3698218B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2005-09-21 | ピジョン株式会社 | 搾乳器 |
| US5756400A (en) * | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
| US5843239A (en) * | 1997-03-03 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Two-step process for cleaning a substrate processing chamber |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP6609997A patent/JP3594759B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-09 TW TW087103410A patent/TW410398B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-03-09 SG SG1998000516A patent/SG64481A1/en unknown
- 1998-03-18 CN CN98105670A patent/CN1193812A/zh active Pending
- 1998-03-18 KR KR1019980009179A patent/KR100531337B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-18 EP EP98302036A patent/EP0871211A3/en not_active Withdrawn
- 1998-03-18 US US09/040,423 patent/US6186153B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW410398B (en) | 2000-11-01 |
| EP0871211A3 (en) | 1999-12-08 |
| CN1193812A (zh) | 1998-09-23 |
| US6186153B1 (en) | 2001-02-13 |
| EP0871211A2 (en) | 1998-10-14 |
| JPH10261623A (ja) | 1998-09-29 |
| SG64481A1 (en) | 1999-04-27 |
| KR19980080398A (ko) | 1998-11-25 |
| KR100531337B1 (ko) | 2006-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3594759B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2008078678A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| EP0416774B1 (en) | A method of treating a sample of aluminium-containing material | |
| JP2674488B2 (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
| JP3259380B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5980768A (en) | Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor | |
| JPH0982687A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08321491A (ja) | ウエハ清浄化スパッタリングプロセス | |
| US5801101A (en) | Method of forming metal wirings on a semiconductor substrate by dry etching | |
| JP3318801B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US6756314B2 (en) | Method for etching a hard mask layer and a metal layer | |
| JP3801366B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置のクリーニング方法 | |
| US20020192972A1 (en) | Plasma processing | |
| JPH1140502A (ja) | 半導体製造装置のドライクリーニング方法 | |
| JP3566522B2 (ja) | プラズマ処理装置内のプラズマクリーニング方法 | |
| JP2646811B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH06302565A (ja) | チャンバーのプラズマクリーニング方法 | |
| WO2001071790A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur | |
| JP2003347276A (ja) | プラズマ処理方法、および半導体装置の製造方法 | |
| JPH06104227A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US6329294B1 (en) | Method for removing photoresist mask used for etching of metal layer and other etching by-products | |
| JPH06163538A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP3104840B2 (ja) | 試料の後処理方法 | |
| US6403489B1 (en) | Method for removing polymer stacked on a lower electrode within an etching reaction chamber | |
| JPH09199484A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040824 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040901 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070910 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120910 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120910 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |