TW410398B - Plasma treatment method and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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附件2.第87103|J0號專利申請案 修正頁B7民國89年01月修正 五、發明説明（） 3 和留在晶圓基底上之材料，如欲蝕刻材料，光罩材料等間 之化學反應之固定產品，這些習知方案卻完全沒有提及淸 潔離子濺射物質，或裝置之內部構件之材料之殘留物，或 裝置內部構件材料之化學混合物，和所使用之蝕刻氣體。 在此蝕刻裝置中，由鈾刻氣體所產生之電漿嘗試触刻 欲蝕刻之基底表面並同時濺射裝置內部構件材料，如此會 導致某些材料之附著在裝置之內壁上。除了蝕刻反應產品 外，這些材料會包括裝置內部構件材料之離子濺射物質或 裝置內部構件材料和所使用之蝕刻氣體之化學化合物。 換言之，習知之乾燥淸潔法仍留下無法解決之嚴重問 題：其難以移除離子濺射物質或此裝置材料和蝕刻氣體之 化學化合物，如此會導致由於留在裝置之內壁上之所得非 移除材料之分層之污染物之產生。 說明槪要 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 因此，本發明之目的乃在防上相關於習知技之缺點’ 和提供一種乾燥淸潔法，其可有效的移除任何附著至製造 裝置之內壁之沉積膜，更特別的，其可成功的移除任何可 能之灰塵產生源。 藉由提供特別的乾燥蝕刻法，可達成上述之目的°該 乾燥蝕刻法包括移除蝕刻反應產品之步驟’和移除製造裝 置之內部構件材料之離子濺射構成物或此種裝置和所使用 之蝕刻氣體之也學化合物。 藉由提供一乾燥淸潔處理，亦可達成這些目標。.此乾 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 410398 A7 _ B7__ 五、發明説明ί ) 發明背景 1 .發明領域 本發明係關於在半導體裝置之製法中，用以乾燥淸潔 使用於執行在基底上之微製造或膜形成之半導體製造裝置 之內部之方法。此外，本發明係關於使用內部已淸潔之半 導體製造裝置之半導體裝置之製法。 2.習知技藝之說明 在半導體裝置之製法中，在製造下之灰塵（污染物） 之接附或黏著至基底會使目標裝置發生圖樣缺陷，如此會 在製程中降低生產良率。 現今有效的製程中，一些製程變的相當重要，包括使 用電漿，化學蒸氣沉積（CVD)等之乾蝕刻技術。更特 別而言，這些製程乃藉由使用各種不同的氣體在導入裝置 時之電漿反應以執行例如膜形成，蝕刻等之微製造。在執 行這些製程時，和受到此種微製造之目標基底不同的是， 沉積膜傾向於遺留黏著至所使用之製造裝置之內壁。其中 —例爲：在乾蝕刻中，由於鈾刻氣體在電漿內之分解或結 合且由於在蝕刻時之二次蝕刻產品之產生，固定的沉積膜 會附著至裝置之內壁。由於欲處理之晶圓在數目上增加會 引起膜厚度之增加，此種沉積膜會不良的部份剝離’而後 作用當成灰塵或污染物，而引起所製造之裝置之圖樣缺陷 之發生。因此，所需要的是，此種附著沉積需週期性的移 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0Χ29?公釐) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —尊 *1Τ 410398 A7 __________B7_. 五、發明説明$ ) 除。 習知的，移除此種附著沉積之典型方案爲所謂的經淸 潔技術，亦即，使用例如酒精或純水之觸媒物質將其掃除 ’並留下裝置曝露至空氣中》另一習知方案爲使用氯基或 氟基氣體之結合之乾燥淸潔架構，如日本公開未實査專利 案（PUJPA) No . 3 — 62520 所揭示者。又一 習知方案爲使用氧氣和氯氣之混合物之電漿之乾燥淸潔技 術，如？11了卩八，1''1〇.7 — 508 3 13所述》 不幸的是，這些習知技藝會碰到下列之嚴重問題。 首先，相關於乾淸潔方案，當其每次以固定時間間隔 曝露至空氣中時，裝置需要拆解；此外，在每次經淸潔處 理完成後，需要抽真空步驟。明顯的，如此會導致每次淸 潔處理完成時，裝置之操作終止時間之增加，因而導致裝 置之工作效率之顯著降低，並降低產能。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事頃再填寫表頁) 其次，關於PUJPA No . 3-62520所揭 示之方案，受鈾刻之材料爲含Α ί和W之合金，且因此， 於此所揭示之技術特徵在於多數蝕刻目標之淸潔步驟結合 在一起，以移除A i蝕刻產品和W蝕刻產品。如P U J Ρ A，No . 7 — 508313所揭示之使用乾燥淸潔技術 之第三習知技藝之特徵於移除所謂的反應產品，其源自於 介於欲受蝕刻材料和蝕刻氣體間或介於使用當成用於蝕刻 之光罩材料之光阻物（碳）和蝕刻氣體間之化學反應或由 於蝕刻氣體之聚合體。 雖然這些習知技藝包括如何淸潔導因於介於蝕刻氣體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) Γ7Ί

附件2.第87103|J0號專利申請案 修正頁B7民國89年01月修正 五、發明説明（） 3 和留在晶圓基底上之材料，如欲蝕刻材料，光罩材料等間 之化學反應之固定產品，這些習知方案卻完全沒有提及淸 潔離子濺射物質，或裝置之內部構件之材料之殘留物，或 裝置內部構件材料之化學混合物，和所使用之蝕刻氣體。 在此蝕刻裝置中，由鈾刻氣體所產生之電漿嘗試触刻 欲蝕刻之基底表面並同時濺射裝置內部構件材料，如此會 導致某些材料之附著在裝置之內壁上。除了蝕刻反應產品 外，這些材料會包括裝置內部構件材料之離子濺射物質或 裝置內部構件材料和所使用之蝕刻氣體之化學化合物。 換言之，習知之乾燥淸潔法仍留下無法解決之嚴重問 題：其難以移除離子濺射物質或此裝置材料和蝕刻氣體之 化學化合物，如此會導致由於留在裝置之內壁上之所得非 移除材料之分層之污染物之產生。 說明槪要 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 因此，本發明之目的乃在防上相關於習知技之缺點’ 和提供一種乾燥淸潔法，其可有效的移除任何附著至製造 裝置之內壁之沉積膜，更特別的，其可成功的移除任何可 能之灰塵產生源。 藉由提供特別的乾燥蝕刻法，可達成上述之目的°該 乾燥蝕刻法包括移除蝕刻反應產品之步驟’和移除製造裝 置之內部構件材料之離子濺射構成物或此種裝置和所使用 之蝕刻氣體之也學化合物。 藉由提供一乾燥淸潔處理，亦可達成這些目標。.此乾 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4i〇SSb A7 ________ B7 五、發明説明f ) 燥淸潔處理使用一選擇氣體，該選擇氣體含有一材料，該 材料和相關於使用於蝕刻和淸潔步驟時構成氣體之元素間 之原子間鍵結能量，値大於在蝕刻和淸潔處理時介於構成 欲蝕刻之材料之元素和構成氣體之元素間之原子間鍵結能 量。 上述目標之達成亦可藉由使用一特殊種類氣體之乾燥 淸潔處理，其包含一材料，該材料和具有相關於構成使用 在蝕刻和清潔步驟中之氣體之元素間之原子間鍵結能量値 大於介於構成裝置內部構件材料之元素和構成使用在蝕刻 和淸潔處理中之之氣體之元素間之原子間鍵結能量値。 由本發明之下述較佳實施例之更特別說明，和參考附 圖，本發明之上述和其它目的，特性和優點乃更加明顯。 圖式簡單說明 圖1爲依照本發明之半導體製造裝置之圖。_ 圖2 A和2 B爲依'照本發明 '之第一實施例之半導體晶 圓之製造中之再生主要步驟在橫截面中之說明圖。 圖3 A和3 B爲依照本發明之第二實施例之半導體晶 圓之製造中之再生主要步驟在橫截面中之說明圖6 圖4 A和4B爲依照本發明之第三實施例之半導體晶 圓之製造中之再生主要步驟在橫截面中之說明圖。 較佳實施例之詳細說明 以下參考附圖詳細說明本發明之乾燥清潔方法之較佳 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 a U〇dd8 _B7 五、發明説明$ ) 實施例》 圖1爲適於使用以執行依照本發明之乾燥淸潔方法之 微波蝕刻裝置之構造。圖中，參考數字1表示欲受到微製 造之矽晶圓（基底）；參考數字3和4表示一石英鐘罐和 一主室用以建立所需之真空環境。10表示用於抽真空之 排出埠，而1 5表示用以導入使用於蝕刻或乾燥淸潔之氣 體之氣體導入部份。9爲一基底王台用以堅固的支持在製 造時之晶圓；8爲用以箝夾晶圓之箝夾器。此箝夾器可由 包括，但非限制，鋁陶瓷之陶瓷製成靜電吸附力可使用 以堅固的支持晶圓在基底平台9上》7表示接地板；1 1 表示應用於接地板7和晶圓平台9間之射頻（RF)偏壓 之高頻電源供應器。 此處所顯示之微波餓刻裝置首先導入一選擇氣體，以 在完成抽空高真空後，用以產生一電漿。而後，以磁控管 (未顯示）激勵微波1 4，而後經由波導5導入石英鐘罐 3(處理室），使在處理室中之氣體以位在環繞處理室之 螺線管6而產生之磁場，利用電子迴旋加速器諧振（ 經濟部中央標华局貝工消費合作社印裝 E C R )轉換成電漿，該電漿乃使用以作用一所欲之蝕刻 處理。以高頻電源供應器11應用RF偏壓至接地板7和 晶圓平台9之間，以藉由吸引組子而執行名向異性蝕刻之 目的。 此時，形成當成蝕刻處理之二次產品之某些反應產品 1 可附著和置層在處理室之構成元件上，如石英鐘罐3，主 室4，氣體導入部份之出口 1 5，箝夾器8等，如此會導 -8- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中国國家標準（CNS ) A4規格< 210X297公釐.） 410398 A7 — B7 五、發明説明？) 致超過一沉積膜1 3之形成。當在處理下之晶圓數目增加 '而使此種沉積膜1 3之厚度亦相似的增加時，此膜會由 內壁剝離，而後不良的作用當成灰塵或污染物，而引起所 製造之最終裝置之圖樣缺陷。 嗥設氧化矽膜（Si 〇2) 17使用當成圖2 (圖2A 和2 B )所示之介電膜，乃使用氟碳基氣體（此處爲C F4 )之電漿和A r和〇2之添加氣體之電漿蝕刻。如圖所示， S i 〇2膜1 7形成在一基底1 6上，和由選擇光阻材料製 成之光罩圖樣1 8進一步形成在其上，以使所得之構造受 到圖1所示之蝕刻裝置之蝕刻處理。此時，飩刻氣體在電 漿中打擊目標晶圓而分離，因此，蝕刻可順利的進行。當 此完成時，遺留附著至裝置內壁之不必要沉積和欲蝕刻之 物體會變成含矽氧化物和含有機物質之化學化合物。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 附帶的，使用以乾燥清潔之氣體之目的乃在藉由和欲 移除之沉積反應而產生增加蒸氣壓力之化學化合物，其最 後會經由蒸氣化和抽真空而移除。當沉積爲碳化合物時， 應用〇2氣體之電漿，以使蒸氣化學C 〇或C 〇2氣體而移 除。爲此，由PUJPA No . 7 — 508313所揭 示之習知方案乃指定使用由氯基氣體和氧基氣體之混合氣 、 · 體所構成之淸潔氣體。混合氧氣會改善整體之淸潔效率， 亦即，藉由將碳斷開或分離含金屬和氯以及有機物質之化 學合物，並以氯淸潔金屣。 當在此實施例中蝕刻S i 〇2膜時，典型的使用氟基氣 體和氧基氣體之混合或結合以完成淸潔。但是，如上所述 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） -9 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 410338 A7 B7 五、發明説明？) ，除了蝕刻欲蝕刻之基底表面1 7，1 8外，源自於蝕刻 氣體之電漿亦會打擊裝置內部構件之材料，如箝夾器8和 接地板7，如此會導致回沉積膜1 3之產生而致不必要二 次蝕刻產品之量之增加，除了欲鈾刻材料之反應產品外， 這些產品亦包括裝置內部構件材料之離子濺射產品或所使 用之蝕刻氣體和裝置材料之化學化合物。 典型的，在包括蝕刻裝置之電漿應用半導體製造裝置 中使用鋁構件。在此實施例中（圖2所示之例），堆疊或 附著至裝置內壁之不必要沉積可以欲蝕刻S i 02材料和源 自於欲蝕刻物體之阻止材料之有機化合物型式留下，且亦 可以鋁之形式留下，當成離子濺射之結果，此乃由於當成 在裝置內側之鋁構件之一之箝夾器8受到電漿打擊。在蝕 刻時，藉由和氟反應，其一部份可以氟化鋁之型式接附和 黏著。習知技藝之乾燥淸潔架構只有相關於限制材料，如 S i 〇2和阻止材料之有機化合物，之淸潔處理。’更特別而 言，習知技藝並未考慮到裝置內部構件材料之濺射產品或 蝕刻氣體和此種裝置材料之化學化合物之沉積可能性；明 顯的，習知技藝並未考慮淸潔如何執行等問題。因此，這 些問題會在最終留下當成產生污染物之原因。 依照本發明，藉由增加移除蝕刻反應產品之步驟和移 除蝕刻氣體和裝置內部構件材料之化學化合物之步驟至乾 轉淸潔處理中，如可成功的移除由長期來在習知乾燥淸潔 技術中忽略之裝置內部構件材料之化合物製成之沉積，藉 此可改善淸潔效果，並同時增加抑制污染物產生之效果。 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) _ 1〇_ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) ，裝·

*1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^10398 A7 B7 五、發明說明< ) 所示之實施例特別設計以添加一使用B C 1 3和C 1 2 之混合氣體之淸潔步驟當成裝置內部構件材料淸潔處理。 但是，當此種鋁爲鋁氧化物或鋁氟化物時，c 1 2單獨電漿 無法產生A 1 C 1 3，如此導致其無法有效的藉由淸潔而執 行所欲之移除，此乃因爲A 1 —0和A 1 — F之原子間鍵 結能量仍大於A 1 _ C 1之原子間鍵結能量。有鑒於此’ 含有B，例如BC 13，氣體之#殊安排氣體，其彳|關於氟

.'V 和氧之原子間鍵結能量之値大於A 1:、一 0和A 1 — F之原 子間鍵結能量，乃混合至C 1 2氣體中，藉以係0和F由 A 1 — 〇和A 1 _F中移除，藉以用C 1 2有效的致能淸潔 處理。如此可達成成功的移除伴隨內在蝕刻反應產品之移 除之裝置內部構件材料之離子濺射產品。 於此，使用〇2和六氟化硫（S F6)之淸潔和使用 B C 1 2和C 1 2之混合氣體之淸潔之循序執行可顯著的增 加在裝置內部之淸潔效果，和抑制污染效果。 如上所述，除了移除相關於欲蝕刻材料之反應產品之 乾燥淸潔外，藉由執行移除裝置內部構件材料之離子濺射 產品或蝕刻氣體和此裝置材料之任何化學化學物之乾燥淸 潔處理，在裝置內之淸潔效果，可顯著的改善。雖然在此 實施例中，用於蝕刻反應產品之乾燥淸潔和相關於裝置內 部構件材料之乾燥淸潔乃循序的完成，但是此兩淸潔氣體 亦可混合在一起。 以下參考圖3 (圖3A和3 B)說明應用本發明之原 理之鎢引線之另一實施例。如圖3所示，鎢引線層1 9形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /裝-------^訂---------線 410398 A7 _B7_ 五、發明説明P ) 成在基底1 6上，而由選擇光阻材料製成之光罩圖樣1 8 亦形成在其上；而後所得.之構造受到在圖1所示之蝕刻裝 置中之蝕刻處理。對於此種鎢，使用S F e氣體之電漿以利 於所需蝕刻之進行》 在上述之處理中，任何不需要之沉積可遺留附著至裝 置內壁，以含鎢，氟，和有機物質之化學化合物型式，且 進一步使用氧化鋁當成離子濺射，在箝夾器8 (其爲裝置 內部之鋁構件之一）由電漿所撞擊.時》在蝕刻時，由於 S F6氣體之電漿，部份之沉積以氟化鋁之型式存在。於此 -. ，使用SFe之淸潔和使用BC13和C12混合氣體之淸 潔乃以循序方式進行S F s亦可展現相關於鎢和有機物質之 淸潔效果。使用BC13/C12混合氣體之淸潔可展現 相關於氧化鋁和氟化鋁之淸潔效果，如第~實施例所述。 此種淸潔極有益於改善抑制污染物之效果。如同在第一實 施例中，藉由執行移除相關於蝕刻材料之反應產品之乾燥 淸潔處理和相關於裝置內部構件材料之乾燥淸潔，即可顯 著的增強淸潔效果。 經濟部中央橾準局貞工消費合作社印製 ---------^-裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下說明應用有本發明之原理之進一步實施例。此處 所討論之範例爲本發明應用至蝕刻鋁引線之例，如圖4所 示（圖4 A，和4 B ) 〇 近年來，大多的金屬引線乃伴隨著具有屏蔽金屬層 21之疊層構造，如圖4所示，而非單一鋁膜構造，如此 ' .. 可允許在蝕刻處理時使用多種蝕刻氣體》此乃爲了達成優 良的抗電子遷移特性和擴散屏蔽特性。此處所說明之例爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 - 410398 a7 B7 五、發明説明（10 ) 触刻主要含有一鋁引線層2 0和鈦化鎢（T iW)屏蔽金 屬2 1之疊層膜構造。如前所述，蝕刻之執行乃是形成相 關於欲蝕刻之材料之高蒸氣壓力之選擇化學化合物以利蝕 刻進行。在此例中，以鋁製成之第一層2 0使用C 1 2氣體 ，改變爲高蒸氣壓力之A 1 C 1 3而蝕刻。當成完成時， A1或A1 C 1 X可以沉積附著或接附至裝置內壁，包括 處理室之數個構造元件，如石英鐘罐3，主室4，氣體導 入埠15，和箝夾器8 »而後，TiW2〇之第二層以 SF6電漿處理；此時，T i或鎢（W)可堆疊和附著至裝 置內壁和/或處理室之構件上。 典型的，在淸潔A 1或A 1 C 1 X和淸潔T i之例中 ，藉由將它們改變爲較高蒸氣壓力之A 1 C 1 3和T i C 1 ，可使用C 1 2電漿以進行移除。在淸潔W之例中，藉由改 變W爲較高蒸氣壓力之WFS，可使用氟化物氣體之電漿， 例如S F 6電漿，以移除W。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 不幸的是，在引線圖樣之構造爲叠層構造而非單膜構 造時*所得之沉積膜的著至裝置內壁，且處理室之構成元 件並非簡易型式》而是具有此種氣體之化學化合物之複雜 型式，此乃因爲使用多數蝕刻氣體之電漿和亦使用多重淸 潔氣體之結果。 更特別而言，任何可能的添加沉積爲： 1 )在第一層蝕刻時，附著有用於沉積之A 1或 A 1 C 1 X。在第二層之T iW蝕刻時，所得之沉積以 S Fe電漿改變爲鋁氟化物。而後，以S F6電漿處理第二 -13 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐j 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 410398 A7 B7 五、發明説明（11 ) 層之T i W2〇，其會導致T i或W之接附和沉積在裝置內 壁和處理室之構件上。 2 )在用以移除W之S F6電漿淸潔處理時，在第一層 蝕刻下沉積之A1和A 1 C 1 X進一步加速在鋁氟化物之 生產中，其爲在第二層之T i W蝕刻時之沉積。 3) 源於細刻氣體或淸潔氣體之電漿企圖打擊裝置內 部構件材料，亦即，典型的使用於裝置內側構件之鋁構件 ，藉由離子濺射動作，以氧化鋁之形式，可導致其接附和 沉積在裝置衲壁上。 4) 由此電漿離子濺射動作而遺留附著至裝置內壁之 氧化鋁而後在第二層之T i W蝕刻時，以S F 6電漿而部份 的改變爲氟化鋁。 5) 由於電漿離子濺射動作而遺留附著至裝置內壁之 氧化鋁在W淸潔時由於S F 6氣體而部份改變爲氟化鋁。 以上述之方式，其中多層引線受到鈾刻，一蝕刻氣體 之某些電漿在蝕刻一引線層時作用以改變在蝕刻另一引線 層時堆疊至裝置內壁之特定沉積爲難以移除之特殊化學化 合物。再者，在特定元素之淸潔沉積時，此處使用之淸潔 氣體之電漿用以改變另一.元素之沉積爲難以移除之化合物 。’如此會造成對所要完成之淸潔效能之阻礙。 再者，蝕刻氣體之電漿和淸潔氣體之電漿可能會打擊 裝置內部材料，其亦會導致此裝置材料之離子濺射產品之 ! . 接附至裝置之內側。它們亦會變成含蝕刻氣體和淸潔氣體 之化學化合物。如此亦會嚴重的影響所欲完成之淸潔之.效 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格_( 210X297公釐} -14- --------1该— — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 430398 A7 B7 五、發明説明（12 ) .能和可靠度。 依照本發明，乾燥淸潔處理特別的添加以使用含有一 選擇材料之特殊氣體之淸潔步驟，該選擇之材料具有之蝕 刻氣體元素之原子間鍵結能量之値大於介於構成欲蝕刻物 體之元素和構成蝕刻氣體之元素間之原子間鍵結能量之値 。如此可成功的移除如上述第1 )段所述之不必要沉積。 特別的，本發明亦可移除氟化鋁，此氟化鋁乃.是在第二層 之T i W蝕刻時以S Fe電漿改變在第一層之蝕刻時沉積之 A 1而得 本發明之另一優美在於可移除上述第3)段所討論之 沉積。此乃因爲伴隨著移除飩刻反應產品之步驟時，添加 移除裝置內部構件材料之離子濺射產品之步驟如此.可移 除使用當成所使用之蝕刻裝置之構件或內部零件之鋁構件 之離子濺射產品。 再者，乾燥淸潔處理特別的安排以包括使用含有一材 料之特殊氣體之淸潔步驟，該材料和淸潔步驟之氣體元.素 間之原子間鍵結能量値大於介於內在材料，包括欲蝕刻之 材料和裝置構件材料，和在其它步驟中構成淸潔氣體之元 素間之原子間鍵結能量。如此可對上述第2 ) ，: 4 )和5 )段之各種沉積致能成功的移除*換言之，本發明亦可移 除在W淸潔時由於S F 6電漿而變成氟化鋁之任何沉積。 更特別而言，藉由淸潔氟化鋁（其已因在蝕刻和淸潔 時使用‘之S F β電漿而改變鋁爲氟而產生）無法移除單獨使 用之C 1 2電漿。安排乾燥淸潔處理以使用所添加之C 1 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐）. -15- ~ ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 41G398 tl w_B7__ 五、發明説明（） 13 {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 和B C 1 3之混合物當成淸潔氣體，而B C 1 3爲含有材料 B之選擇氣體，該材料B具有和氟之間之原子間鍵結能量 之値大於介於使用於蝕刻和淸潔之氟和使用以當成欲蝕刻 材料之鋁間之原子間鍵結能量之値，如此可使F與A 1 -F分離.，因而致能使用C 1 2之有效淸潔》 因此硼使得，B — 0之原子間鍵結能量大於氧化鋁A 1 一 0之原子間鍵結能量，而A .1 — 0爲裝置內部搆件材 料之離子濺射產品。因此，將含B之氣體例如B' C 1 3混合 至C 1 2氣體會致能0和A 1 _0之分離，如此可致能以C 1 2之更可致淸潔。如此亦可移除裝置內部構件材料之任何 離子濺射產品。 前述用於以在下一步驟上之蝕刻和反應氣體反應而沉 積之膜， 由於多層疊層膜構造而可依需要的在用於蝕刻反應產 品之清潔處理之前或後單獨執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 必需注意的是，雖然本發明之所述實施例已斜對微波 蝕刻裝置之使用之特殊例而說明，本發明不應特別的限制 於此，而是可替代的修改以使用於其它任何型式之蝕刻裝 置之應用中，只要其設計使用一電漿以淸潔在裝置內壁上 之沉積，包括但不限於平行平坦板型蝕刻裝置，導入耦合 蝕刻裝置，或C V D裝置，並提供前述討論相似的技術優 點。 如上所述，依照本發明，其可有效的移除附著至所使 用之製造裝置之內壁之任何沉積膜。如此可消除因厚度增 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐) -16- 410398 A7 _______ B7 五、發明説明¢4 ) 加（處理數目之增加）而使沉積膜之剝離或變降，和消除 源自於此之灰塵產生，藉此可改進在製造慮理時之生產良 率，並同時增加所使用之製造裝置之工作效率。 雖然本發明已參考特殊實施例說明，此說明只爲說明 本發明而已，且不應解釋成限制本發明。對於熟悉此項技 術之人士而言，仍存在有許多不同的改變和應用，但是這 些變化和應用仍屬下述申請專利範圍所界定之發明精神和 範晴內。 ----------- V..' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17-

Claims (1)

1. 410308 A8 B8 C8 D8 HIH.員明示巧年^-月^日所揭之 修正本有無變更+實質内容是否准予修正Q 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 專利-範圍 第87 1 034 1 0號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年1月修正 1 . 一種使用於電漿蝕刻裝置中之乾燥清潔方法，係 使用多數氣體電漿來触刻，包含以下步驟： 執行第 去在蝕刻期 置之內壁且 執行第 去由（a ) 材料與（b 化學化合物 的原子間結 淸潔氣體。 .2 _ — 使用多數氣 執行第 去經由蝕刻 件之反應生 使用第 材料，該第 素的·材料， —淸潔處理 間所產生包 /或該裝置 二淸潔處理 附著至裝置 )第一淸潔 之構成元素 合能量値， ，使用 含至少 之內部 ，使用 之內壁 氣體， 的材料 及使用 第一淸潔氣 一殘留蝕刻 構件之反應 集二淸潔氣 且/或內部 該第二淸潔 ，具有比該 體之電漿，以除 材料且附著至裝 生成物；及 體之電漿，以除 構件之殘留蝕刻 氣體包含作爲該' 殘留蝕刻材料大 於第一淸潔處理中之該第一 種使用於電漿蝕刻裝置中之乾燥淸潔方法，係 體電漿來蝕刻，包含以下步驟： 一淸潔處理’使用第一淸潔氣體之電漿，以除 而產生附著至裝置之內壁且/或裝置之內部構 成物，留下殘留附著材料；及 二淸潔氣體執行第二淸潔、處理以除去殘留附著 二淸潔氣體包含作爲該殘留附著材料之構成元 具有比該殘留附著材料大的原子間結合能量値 .如申請專利範園第1或2項之乾燥淸潔方法，其 私紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 閎 背 ίτ 之 注 項 r 寫 本 頁 裝 訂 410308 A8 B8 C8 D8 HIH.員明示巧年^-月^日所揭之 修正本有無變更+實質内容是否准予修正Q 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 專利-範圍 第87 1 034 1 0號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年1月修正 1 . 一種使用於電漿蝕刻裝置中之乾燥清潔方法，係 使用多數氣體電漿來触刻，包含以下步驟： 執行第 去在蝕刻期 置之內壁且 執行第 去由（a ) 材料與（b 化學化合物 的原子間結 淸潔氣體。 .2 _ — 使用多數氣 執行第 去經由蝕刻 件之反應生 使用第 材料，該第 素的·材料， —淸潔處理 間所產生包 /或該裝置 二淸潔處理 附著至裝置 )第一淸潔 之構成元素 合能量値， ，使用 含至少 之內部 ，使用 之內壁 氣體， 的材料 及使用 第一淸潔氣 一殘留蝕刻 構件之反應 集二淸潔氣 且/或內部 該第二淸潔 ，具有比該 體之電漿，以除 材料且附著至裝 生成物；及 體之電漿，以除 構件之殘留蝕刻 氣體包含作爲該' 殘留蝕刻材料大 於第一淸潔處理中之該第一 種使用於電漿蝕刻裝置中之乾燥淸潔方法，係 體電漿來蝕刻，包含以下步驟： 一淸潔處理’使用第一淸潔氣體之電漿，以除 而產生附著至裝置之內壁且/或裝置之內部構 成物，留下殘留附著材料；及 二淸潔氣體執行第二淸潔、處理以除去殘留附著 二淸潔氣體包含作爲該殘留附著材料之構成元 具有比該殘留附著材料大的原子間結合能量値 .如申請專利範園第1或2項之乾燥淸潔方法，其 私紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 閎 背 ίτ 之 注 項 r 寫 本 頁 裝 訂 410398 A8 B8 C8 D8 行第一 ¥、申請專利範圍 中在預定數目的晶圓已在電漿蝕刻裝置中被蝕刻之後’執 淸潔處理 4 . 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：執行 如申請專利範圍第1或2項之乾燥淸潔方法以淸潔該電漿 蝕刻裝置之內部，藉以提供一淸潔後的電漿蝕刻裝置’隨 後藉著使用該淸潔後的電漿蝕刻裝置而執行半導體晶圓表 面的蝕刻處理。 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 ύ- 寫 本 頁 裝 訂 ,線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張又度適用中國因家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） -2 -