JP2892694B2 - プラズマクリーニング方法 - Google Patents
プラズマクリーニング方法Info
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- JP2892694B2 JP2892694B2 JP1196575A JP19657589A JP2892694B2 JP 2892694 B2 JP2892694 B2 JP 2892694B2 JP 1196575 A JP1196575 A JP 1196575A JP 19657589 A JP19657589 A JP 19657589A JP 2892694 B2 JP2892694 B2 JP 2892694B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明はプラズマクリーニング方法に係り、特にバリ
アメタルのエッチングを行なった後のクリーニングに好
適なプラズマクリーニング方法に関するものである。
アメタルのエッチングを行なった後のクリーニングに好
適なプラズマクリーニング方法に関するものである。
（従来の技術） 従来のクリーニング方法には、例えばアルミニウムを
エッチングした後のクリーニング方法として特開昭61−
250185号公報に記載のように、処理後の処理室内に酸化
性ガスを導入して残留反応生成物を酸化し、ついでフッ
素含有ガスを導入してプラズマを発生させることによ
り、残留反応生成物を効果的に取り除く方法があった。
エッチングした後のクリーニング方法として特開昭61−
250185号公報に記載のように、処理後の処理室内に酸化
性ガスを導入して残留反応生成物を酸化し、ついでフッ
素含有ガスを導入してプラズマを発生させることによ
り、残留反応生成物を効果的に取り除く方法があった。
（発明が解決しようとする課題） 上記従来技術は、Al合金膜をエッチングした後に同一
チャンバ内でAl合金膜以外の材料、例えば、バリアメタ
ルをエッチングした時にチャンバ内に残る残留反応生成
物のクリーニングの点についてまでは配慮されていなか
った。このようなエッチングを行なった後には、Al合金
膜のエッチング時に残った残留反応生成物以外の生成物
も残留するため、従来の方法では充分にクリーニングを
行うことができないという問題点があった。
チャンバ内でAl合金膜以外の材料、例えば、バリアメタ
ルをエッチングした時にチャンバ内に残る残留反応生成
物のクリーニングの点についてまでは配慮されていなか
った。このようなエッチングを行なった後には、Al合金
膜のエッチング時に残った残留反応生成物以外の生成物
も残留するため、従来の方法では充分にクリーニングを
行うことができないという問題点があった。
本発明の目的は、同じ処理室内でAl合金膜とバリアメ
タルとを積層して成る配線材料をエッチングしたときの
処理室内に残留する反応生成物を有効に除去することの
できるプラズマクリーニング方法を提供することにあ
る。
タルとを積層して成る配線材料をエッチングしたときの
処理室内に残留する反応生成物を有効に除去することの
できるプラズマクリーニング方法を提供することにあ
る。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明は、同一処理室内
でAl合金膜とTiW膜とを積層して成る配線材料をプラズ
マエッチングしたときの前記Al合金膜および前記TiW膜
のエッチングによる反応生成物が残留した前記処理室内
を、塩素を含むガスを用いたプラズマクリーニングとフ
ッ素を含むガスを用いたプラズマクリーニングとでクリ
ーニングする方法であって、Al合金膜とTiおよびＷとの
成分比によって該塩素を含むガスによるクリーニング時
間と該フッ素を含むガスによるクリーニング時間とを変
えてクリーニング処理し、前記反応生成物を除去するこ
とを特徴とするプラズマクリーニング方法の発明であ
る。
でAl合金膜とTiW膜とを積層して成る配線材料をプラズ
マエッチングしたときの前記Al合金膜および前記TiW膜
のエッチングによる反応生成物が残留した前記処理室内
を、塩素を含むガスを用いたプラズマクリーニングとフ
ッ素を含むガスを用いたプラズマクリーニングとでクリ
ーニングする方法であって、Al合金膜とTiおよびＷとの
成分比によって該塩素を含むガスによるクリーニング時
間と該フッ素を含むガスによるクリーニング時間とを変
えてクリーニング処理し、前記反応生成物を除去するこ
とを特徴とするプラズマクリーニング方法の発明であ
る。
（発明の実施の形態） 以下、本発明の一実施例を説明する。
エッチングの被処理物として、上層がAl合金膜で下層
がバリアメタルの構造をなしたもので、例えば、Al合金
膜としてはAl−Si−Cu膜で、バリアメタルとしてはTiW
である。
がバリアメタルの構造をなしたもので、例えば、Al合金
膜としてはAl−Si−Cu膜で、バリアメタルとしてはTiW
である。
Al−Si−Cu膜は塩素を主体とするガスでエッチングさ
れ、Alの生成物による反応生成物が処理室内に残留して
いるものと考えられる。また、TiW膜はフッ素系ガスを
主体としてエッチングされ、TiおよびＷの生成物による
反応生成物が、Alの生成物による反応生成物と一緒にな
って処理室内に残留しているものと考えられる。このよ
うな残留反応生成物は、これらのエッチングプロセスを
繰り返すことによって、例えば、被処理物であるウエハ
を約10枚程度処理すると、処理室である酸化物を有する
石英ベルジャや電極廻りの部品に黒濁して表れてくる。
れ、Alの生成物による反応生成物が処理室内に残留して
いるものと考えられる。また、TiW膜はフッ素系ガスを
主体としてエッチングされ、TiおよびＷの生成物による
反応生成物が、Alの生成物による反応生成物と一緒にな
って処理室内に残留しているものと考えられる。このよ
うな残留反応生成物は、これらのエッチングプロセスを
繰り返すことによって、例えば、被処理物であるウエハ
を約10枚程度処理すると、処理室である酸化物を有する
石英ベルジャや電極廻りの部品に黒濁して表れてくる。
このような酸化物を有する残留反応生成物をクリーニ
ングするに当って塩素を含むガス、例えば、Cl2ガスの
み、Cl2＋BCl3,＋HCl等をプラズマ化して約５分間プラ
ズマクリーニングを行ない、ついで、フッ素を含むガ
ス、例えば、SF6,SF,C2F6等をプラズマ化して約５分間
プラズマクリーニングを行なう。これにより、例えば、
Cl2をガスとして用いたプラズマクリーニングでは、Al
の生成物やTiの生成物は、それぞれAlCl2やTiCl2となっ
て除去され、SF6をガスとして用いたプラズマクリーニ
ングでは、Ｗの生成物はWF5となって除去される。
ングするに当って塩素を含むガス、例えば、Cl2ガスの
み、Cl2＋BCl3,＋HCl等をプラズマ化して約５分間プラ
ズマクリーニングを行ない、ついで、フッ素を含むガ
ス、例えば、SF6,SF,C2F6等をプラズマ化して約５分間
プラズマクリーニングを行なう。これにより、例えば、
Cl2をガスとして用いたプラズマクリーニングでは、Al
の生成物やTiの生成物は、それぞれAlCl2やTiCl2となっ
て除去され、SF6をガスとして用いたプラズマクリーニ
ングでは、Ｗの生成物はWF5となって除去される。
以上、本一実施例によれば、塩素を含むガスの放電に
よりAlやTiの生成物が除去でき、フッ素を含むガスの放
電によりＷの生成物が除去できて、バリアメタルを用い
た配線材料のエッチング処理後の処理室内のクリーニン
グを行うことができるという効果がある。
よりAlやTiの生成物が除去でき、フッ素を含むガスの放
電によりＷの生成物が除去できて、バリアメタルを用い
た配線材料のエッチング処理後の処理室内のクリーニン
グを行うことができるという効果がある。
なお、本実施例では、Al合金膜としてAl−Si−Cu膜を
挙げたが、Al−Si膜,Al−Cu膜等でも良い。
挙げたが、Al−Si膜,Al−Cu膜等でも良い。
また、バリアメタルとしてTiWを挙げたが、MoSi膜、W
Si膜、Ti膜、TiN膜、α−Si膜等でも良い。
Si膜、Ti膜、TiN膜、α−Si膜等でも良い。
また、本実施例では、塩素を含むガスの放電の後にフ
ッ素を含むガスの放電を行なって、クリーニングをした
が、これらの放電を交互に行なっても良い。
ッ素を含むガスの放電を行なって、クリーニングをした
が、これらの放電を交互に行なっても良い。
さらに、本実施例では、塩素を含むガスの放電を約５
分、フッ素を含むガスの放電を約５分としているが、こ
れら放電の時間比は、Al合金膜とバリアメタルの膜厚
比、およびバリアメタルの成分比（例えば、TiW膜のTi
とＷとの成分比）によって変えると、更に有効である。
分、フッ素を含むガスの放電を約５分としているが、こ
れら放電の時間比は、Al合金膜とバリアメタルの膜厚
比、およびバリアメタルの成分比（例えば、TiW膜のTi
とＷとの成分比）によって変えると、更に有効である。
（発明の効果） 本発明によれば、同じ処理室内でAl合金膜とバリアメ
タルとを積層して成る配線材料をエッチングしたときの
処理室内に残留する反応生成物を有効に除去することが
できるという効果がある。
タルとを積層して成る配線材料をエッチングしたときの
処理室内に残留する反応生成物を有効に除去することが
できるという効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】同一処理室内でAl合金膜とTiW膜とを積層
して成る配線材料をプラズマエッチングしたときの前記
Al合金膜および前記TiW膜のエッチングによる反応生成
物が残留した前記処理室内を、塩素を含むガスを用いた
プラズマクリーニングとフッ素を含むガスを用いたプラ
ズマクリーニングとでクリーニングする方法であって、
Al合金膜とTiおよびＷとの成分比によって前記塩素を含
むガスによるクリーニング時間と前記フッ素を含むガス
によるクリーニング時間とを変えてクリーニング処理
し、前記反応生成物を除去することを特徴とするプラズ
マクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196575A JP2892694B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196575A JP2892694B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマクリーニング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21293097A Division JPH1074739A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | プラズマクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362520A JPH0362520A (ja) | 1991-03-18 |
| JP2892694B2 true JP2892694B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=16360023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1196575A Expired - Fee Related JP2892694B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892694B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69320963T2 (de) * | 1992-06-22 | 1999-05-12 | Lam Res Corp | Plasmareinigungsverfahren zum entfernen von rückständen in einer plasmabehandlungskammer |
| US5647953A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-15 | Lam Research Corporation | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber |
| US6626185B2 (en) | 1996-06-28 | 2003-09-30 | Lam Research Corporation | Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate |
| JP3594759B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2004-12-02 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法 |
| US5868853A (en) * | 1997-06-18 | 1999-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Integrated film etching/chamber cleaning process |
| US6242347B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
| KR100327581B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-03-14 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
| US6352081B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a semiconductor device processing chamber after a copper etch process |
| US6350697B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber |
| US6770214B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor |
| JP2008078678A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-04-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP7166950B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2022-11-08 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615044A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-13 | Toshiba Corp | Plasma cleaning method |
| JPS6190445A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6329934A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1196575A patent/JP2892694B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5615044A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-13 | Toshiba Corp | Plasma cleaning method |
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| JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362520A (ja) | 1991-03-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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