JP2008112854A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Sを反応室11内の基板載置台(カソード)13に設置し、フルオロカーボン系の第1のガスを用いてドライエッチング処理を行った後に、プッシャーピン21で持ち上げることにより基板Sを基板載置台(カソード)13から離隔させ、第2のガスを用いて反応室11内のフルオロカーボン系の堆積物を除去するとともに基板Sに第2のドライエッチング処理を行う。
【選択図】図2
Description
反応室と、ガスを前記反応室に導くガス導入口と、ガスを前記反応室から排気するガス排気口と、前記反応室内に設けられて高周波電力が印加される基板載置台と、前記基板載置台への高周波電力の印加時に前記基板載置台に設置された処理対象の基板にバイアス電圧を発生させるバイアス電圧発生手段と、前記基板を前記基板載置台から離隔させフローティング状態で支持する支持手段と、を備える半導体製造装置を用い、同一の反応室内で同一の基板に複数のドライエッチング処理を連続して行う半導体装置の製造方法であって、
前記基板を前記基板載置台に設置し、フルオロカーボン系の第1のガスを用いつつ前記高周波電力を前記基板載置台に印加して前記基板に第一のドライエッチング処理を行う第1の工程と、
前記第1のドライエッチング処理の後に、前記支持手段により前記基板を前記基板載置台から離隔させ、第2のガスを用いつつ前記高周波電力を前記基板載置台に印加して前記反応室内のフルオロカーボン系の堆積物を除去するとともに前記基板に第2のドライエッチング処理を行う工程を含む第2の工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の各実施の形態を説明する前に、以下の各実施の形態の原理について説明する。
1)フルオロカーボン系ガスがプラズマ中に供給される。
2)被処理基板のあるカソード側に自己バイアスによってイオンが加速されて引き込まれる。
図1乃至図10を参照しながら、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する。本実施形態は、上述した原理の適用により、シリコン基板やシリコン酸化膜の削れを抑制する方法を提供するものである。
本発明の第2の実施の形態について図11乃至図19を参照しながら説明する。本実施形態の製造方法においても、図1に示すドライエッチング装置1を使用して説明する。本実施形態においても電源17の周波数として13.56MHzを設定する。
11:真空反応室(アノード)
13:基板載置台(カソード)
15:ブロッキングコンデンサ
17:高周波電源
19:ガス排気口
21:プッシャーピン
S:被処理基板
AP:プラズマ形成領域
Vbias1,Vbias2:バイアス電圧
Claims (5)
- 反応室と、ガスを前記反応室に導くガス導入口と、ガスを前記反応室から排気するガス排気口と、前記反応室内に設けられて高周波電力が印加される基板載置台と、前記基板載置台への高周波電力の印加時に前記基板載置台に設置された処理対象の基板にバイアス電圧を発生させるバイアス電圧発生手段と、前記基板を前記基板載置台から離隔させフローティング状態で支持する支持手段と、を備える半導体製造装置を用い、同一の反応室内で同一の基板に複数のドライエッチング処理を連続して行う半導体装置の製造方法であって、
前記基板を前記基板載置台に設置し、フルオロカーボン系の第1のガスを用いつつ前記高周波電力を前記基板載置台に印加して前記基板に第一のドライエッチング処理を行う第1の工程と、
前記第1のドライエッチング処理の後に、前記支持手段により前記基板を前記基板載置台から離隔させ、第2のガスを用いつつ前記高周波電力を前記基板載置台に印加して前記反応室内のフルオロカーボン系の堆積物を除去するとともに前記基板に第2のドライエッチング処理を行う工程を含む第2の工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程は、前記堆積物が除去された後に、前記支持手段により前記基板を前記基板載置台に再度設置して前記基板に第3のドライエッチング処理を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3のドライエッチング処理は、前記第2のガスとは異なる第3のガスを用いて行われることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記支持手段は、その表面がセラミックスによりコーティングされていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のガスは、酸素、水素、窒素およびアンモニアの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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