KR20220082979A - 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 기술은 내부에 처리 공간이 마련된 공정챔버, 상기 처리 공간에 배치되어 피처리기판이 안착되는 기판지지부 및 상기 기판지지부로 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함하고, 상기 처리 공간 내에 플라즈마를 생성하여 상기 기판의 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로, 상기 처리 공간 내에 실리콘함유가스 및 산소함유가스를 공급하고, 제1RF파워로 제1플라즈마를 생성하여 상기 피처리기판 상에 박막을 형성하는 증착 공정을 진행하는 단계; 및 상기 처리 공간 내에 비활성가스를 공급하고, 상기 제1RF파워보다 작은 제2RF파워로 제2플라즈마를 생성하여 상기 피처리기판의 표면 및 상기 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 제거하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법이 제공된다.

Description

기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 피처리기판의 표면 및 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클(particle)을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는 기판에 대해 식각, 증착 등의 기판 처리를 수행하는 장치로서, 기판 처리 공정에 따라 다양한 구성이 가능하다. 예를 들어, 기판 처리 장치는 밀폐된 처리 공간을 제공하는 공정챔버, 공정챔버의 상측에 설치되어 처리 공간내에 기판 처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스분사장치 및 처리 공간 내에 배치되어 피처리기판을 지지하는 기판지지부를 포함한다.
기판 처리 장치는 처리 공간으로 공정가스를 공급함과 동시에 기판지지부 또는/및 가스분사장치에 인가되는 RF파워에 의하여 처리 공간 내에 플라즈마를 생성하여 기판 처리 공정을 수행하게 된다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 과정에서 다량의 파티클들이 피처리기판의 표면 및 공정챔버 내벽에 흡착된다. 따라서, 기판 처리 과정에서 피처리기판의 표면 및 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 방법이 반드시 필요하다.
본 발명의 실시예는 피처리기판의 표면 및 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예는 내부에 처리 공간이 마련된 공정챔버, 상기 처리 공간에 배치되어 피처리기판이 안착되는 기판지지부 및 상기 기판지지부로 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함하고, 상기 처리 공간 내에 플라즈마를 생성하여 상기 기판의 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 처리 공간 내에 실리콘함유가스 및 산소함유가스를 공급하고, 제1RF파워로 제1플라즈마를 생성하여 상기 피처리기판 상에 박막을 형성하는 증착 공정을 진행하는 단계; 및 상기 처리 공간 내에 비활성가스를 공급하고, 상기 제1RF파워보다 작은 제2RF파워로 제2플라즈마를 생성하여 상기 피처리기판의 표면 및 상기 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 제거하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.
상술한 과제의 해결 수단을 바탕으로 하는 본 기술은 플라즈마에 의해 유도된 정전기를 이용하여 피처리기판의 표면 및 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 제거함으로써, 피처리기판 상에 형성된 박막의 물성이 변화하는 것을 방지함과 동시에 효과적으로 파티클을 제거할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에서 후처리에 따른 박막의 물성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에서 후처리 진행 여부에 따른 파티클 모니터링 결과를 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
후술하는 본 발명의 실시예는 기판 처리 과정에서 피처리기판의 표면 및 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다. 이를 위해, 본 발명의 실시예는 메인 공정 예컨대, 피처리기판 상에 박막을 형성하기 위해 플라즈마를 이용한 증착 공정을 진행한 후, 연속해서 증착 공정시 피처리기판의 표면 및 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 제거하기 위한 후처리 공정을 진행할 수 있다. 여기서, 후처리 공정은 처리 공간내에 플라즈마를 생성하되, 플라즈마 내 전계에 의해 유도된 정전기를 이용하여 피처리기판의 표면 및 공정챔버의 내벽에 흡착된 파티클을 제거할 수 있다. 플라즈마 내 전계에 의해 유도된 정전기를 이용함으로써, 플라즈마를 이용한 증착 공정시 발생된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다. 이때, 후처리 공정에 앞서 진행되는 증착 공정에서 형성된 박막의 물성 예컨대, 두께(thickness), WER(wet etch rate) 및 균일도(uniformity)는 후처리 과정에서 기설정된 범위를 초과하는 변화량이 발생하지 않도록 제어할 수 있다. 일례로, 기 형성된 박막의 물성 변화를 방지하기 위해 후처리 공정시 플라즈마를 생성하기 위해 인가되는 RF파워의 크기 및 공정 시간을 제어할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략히 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정챔버(100), 가스 공급기(200) 및 전원 공급기(300)를 포함할 수 있다.
공정챔버(100)는 상부가 개방된 본체(110) 및 본체(110) 상단을 폐쇄하도록 구성되는 가스분사장치(120)를 포함할 수 있다. 공정챔버(100) 내부 공간은 증착 공정 등 피처리기판(W)에 대한 공정 처리가 이루어지는 처리 공간일 수 있다. 본체(110) 측면의 지정된 위치에는 피처리기판(W)이 반입 및 반출되는 게이트(G)가 마련될 수 있다. 본체(110)의 저면에는 피처리기판(W)이 안착되는 기판지지부(130)의 지지축(140)이 삽입되는 관통공이 형성될 수 있다.
기판지지부(130)는 상면에 적어도 하나의 피처리기판(W)이 안착되도록 전체적으로 평판 형상을 가지며, 가스분사장치(120)에 대향하여 수평 방향으로 설치될 수 있다. 지지축(140)은 기판지지부(130) 후면에 수직 결합되며, 공정챔버(100) 저부의 관통공을 통해 외부의 구동부(미도시)와 연결되어 기판지지부(130)를 승강 및 회전시키도록 구성될 수 있다. 기판지지부(130)의 내부에는 히터(132)가 구비되어 상부에 안착된 피처리기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 전원부(170)는 히터(132)로 전원을 공급하여 히터(132)가 발열하도록 구성될 수 있다. 참고로, 기판지지부(130)는 공정챔버(100) 내부에 플라즈마를 생성하기 위한 전극으로 작용할 수도 있다.
공정챔버(100) 내부에 진공 분위기를 형성하기 위해 본체(110)의 지정된 위치 예컨대, 본체(110)의 저면에는 배기구(150)가 형성될 수 있다. 배기구(150)는 외부의 펌프(160)와 연결될 수 있다. 배기구(150)를 통해 공정챔버(100) 내부를 진공 상태로 만들 수 있고, 공정 간 발생하는 가스를 외부로 배출할 수 있다. 한편, 도 1에는 배기구(150)가 공정챔버(100)의 저부에 형성된 경우를 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 변형예로서, 배기구(150)는 공정챔버(100)의 측면에 형성될 수도 있다.
가스분사장치(120)는 본체(110) 상부에 기판지지부(130)와 대향하도록 설치될 수 있다. 가스분사장치(120)는 가스 공급기(200)로부터 공급되는 다양한 공정가스를 공정챔버(100) 내부로 분사할 수 있다. 가스분사장치(120)는 샤워헤드 타입, 인젝터 타입, 노즐 타입 등 다양한 방식의 가스분사장치(120) 중에서 선택될 수 있다. 참고로, 가스분사장치(120)는 공정챔버(100) 내부에 플라즈마를 생성하기 위한 전극으로 작용할 수 있다.
가스 공급기(200)는 피처리기판(W)의 처리에 필요한 다양한 공정가스를 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 공정가스는 실리콘 소스가스, 산소가스, 아르곤가스를 포함하는 비활성가스, 질소가스 등을 포함할 수 있다.
전원 공급기(300)는 기 설정된 주파수 대역을 갖는 RF파워를 플라즈마 전원 소스로 제공하도록 구성될 수 있다. 또한, 전원 공급기(300)는 정합기를 포함할 수 있고, 정합기를 통해 고주파 전원의 출력 임피던스와 공정챔버(100) 내의 부하 임피던스를 상호 매칭시켜 고주파 전원이 공정챔버(100)로부터 반사됨에 따른 반사 손실을 제거하도록 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)의 본체(110) 측면에 형성된 게이트(G)를 통해 피처리기판(W)을 처리 공간 내부로 반입한다(S10). 이후, 메인 공정 예컨대, 증착 공정을 진행하기 전에 처리 공간 내부 안정화를 진행할 수 있다.
다음으로, 피처리기판(W) 상에 박막을 형성하기 위한 증착 공정을 진행한다(S20). 여기서, 증착 공정을 통해 형성되는 박막은 산화물을 포함할 수 있다. 일례로, 박막은 실리콘산화막(SiO2)일 수 있다. 그리고, 증착 공정은 PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) 방식을 사용하여 진행할 수 있다.
구체적으로, 박막 예컨대, 실리콘산화막을 형성하기 위한 증착 공정은 처리 공간으로 실리콘이 함유된 소스가스를 공급하여 피처리기판(W) 상에 실리콘 소스를 흡착시키는 제1단계, 소스가스를 처리 공간 외부로 퍼지하는 제2단계, 처리 공간으로 산소가 함유된 반응가스를 공급함과 동시에 제1RF파워를 가스분사장치(120) 또는 기판지지부(130)에 인가하여 생성된 산소 플라즈마를 이용하여 흡착된 실리콘 소스를 산화시켜 실리콘산화막을 형성하는 제3단계 및 반응부산물을 제거하기 위해 퍼지하는 제4단계를 순차적으로 복수회 반복 실시하여 형성할 수 있다. 제3단계에서 산소 플라즈마를 생성하기 위해 가스분사장치(120) 또는 기판지지부(130)에 인가되는 제1RF파워는 340W일 수 있다. 증착 공정은 형성하고자 하는 박막의 종류 및 두께에 따라 공정 시간을 조절할 수 있다. 일례로, 200Å 내외의 두께를 갖는 실리콘산화막을 형성하기 위해 증착 공정을 150초 내외의 시간동안 진행할 수 있다.
참고로, 상술한 박막은 DPT(Double Patterning Techology) 하드마스크막으로 사용될 수 있다. DPT는 1차 패턴상에 반복적인 증착 및 식각을 통하여 패턴 선폭을 감소시키는 기술로서, 파티클이 발생시 패턴 브릿지(pattern bridge) 현상을 유발하여 후속 공정에 문제가 발생하게 된다.
다음으로, 박막을 형성하기 위한 증착 공정시 발생되어 피처리기판(W)의 표면 및 공정챔버(100)의 내벽에 흡착된 파티클을 제거하기 위한 후처리 공정을 진행한다(S30). 후처리 공정시 기 형성된 박막의 물성이 변화하는 것을 방지할 수 있도록 후처리 조건을 제어할 수 있다. 구체적으로, 후처리 공정시 박막의 두께 변화 및 박막의 WER(Wet Etch Rate) 변화량이 각각 ±1Å 이내가 되도록 후처리 공정 조건을 제어할 수 있다. 또한, 후처리 공정시 박막의 균일도 변화량이 0.6% 이하가 되도로 후처리 공정 조건을 제어할 수 있다. 참고로, 균일도는 두께 균일도를 지칭할 수 있다. 그리고, 후처리 공정시 박막의 두께, WER 및 균일도가 상술한 조건을 만족시키지 못하면 단차피복성(Step coverage)의 변화를 유발하여 패턴 선폭이 변경되는 치명적인 문제점이 발생할 수 있다.
후처리 공정은 증착 공정에 연속해서 처리 공간으로 아르곤가스를 포함하는 비활성가스 또는 질소가스를 공급하면서 가스분사장치(120) 또는 기판지지부(130)에 제1RF파워보다 작은 제2RF파워를 인가하여 생성된 플라즈마를 사용하여 진행할 수 있다. 제2RF파워를 인가하여 생성된 플라즈마는 플라즈마 내 전계에 의해 유도된 정전기를 이용하여 기 형성된 박막의 물성에 영향을 주지 않는 범위내에서 피처리기판(W)의 표면 및 공정챔버(100)의 내벽에 흡착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
이때, 후처리 공정시 기 형성된 박막의 물성이 변화하는 것을 방지하기 위해 제2RF파워는 증착 공정시 인가되는 제1RF파워의 약 10% 내외의 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제2RF파워는 제1RF파워의 9% 내지 14% 범위의 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1RF파워가 340W일 때, 제2RF파워은 30W 내지 50W 범위일 수 있다. 여기서, 제2RF파워가 제1RF파워의 9% 미만이거나, 또는 30W 미만일 경우에는 플라즈마에 의해 유도된 정전기력이 부족하여 파티클 제거 효율이 저하될 수 있다. 반면에, 제2RF파워가 제1RF파워의 15%를 초과하거나, 또는 50W를 초과할 경우에는 기 형성된 박막의 물성 변화를 유발할 수 있다(도 3 및 도 4 참조).
또한, 후처리 공정은 기 형성된 박막의 물성이 변화하는 것을 방지하기 위해 증착 공정 시간 대비 3% 미만의 시간동안 진행할 수 있다. 구체적으로, 후처리 공정은 최소 1초 이상 진행할 수 있고, 최대 증착 공정 시간 대비 3% 미만의 시간동안 진행할 수 있다. 예를 들어, 증착 공정이 150초 동안 진행된 경우, 후처리 공정은 1초 내지 4초 범위의 시간동안 진행할 수 있다. 여기서, 후처리 시간이 1초 미만일 경우에는 파티클 제거 효율이 저하될 수 있다. 반면에, 증착 공정 시간 대비 3% 이상이거나, 또는 4초를 초과하는 경우에는 기 형성된 박막의 물성 변화를 유발할 수 있다(도 5 참조).
다음으로, 후처리 공정을 통해 피처리기판(W)의 표면 및 공정챔버(100) 내벽으로 분리된 파티클을 외부로 배기하기 위한 퍼지공정을 진행한다(S40). 여기서, 퍼지공정은 비활성가스 예컨대, 아르곤가스를 이용하여 진행할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 후처리 공정 이후에 퍼지공정을 진행하는 경우를 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 변형예로서, 후처리 공정과 퍼지 공정은 동시에 진행될 수도 있다.
다음으로, 본체(110) 측면에 형성된 게이트(G)를 통해 박막이 형성된 피처리기판(W)을 처리 공간 외부로 반출한다(S50).
상술한 바와 같이, 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은 플라즈마에 의해 유도된 정전기를 이용하여 피처리기판(W)의 표면 및 공정챔버(100) 내벽에 흡착된 파티클을 효과적으로 제거함과 동시에 피처리기판 상에 형성된 박막의 물성이 변화를 방지할 수 있다. 이하, 도 3 내지 도 6을 참조하여 후처리 공정의 효과 및 후처리 조건 산출 근거에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에서 후처리에 따른 박막의 물성 변화를 나타낸 그래프이다. 도 3 내지 도 5에서 박막은 도 2를 참조하여 설명한 증착 공정을 통해 형성된 실리콘산화막일 수 있고, 후처리 공정은 2초간 아르곤 플라즈마를 이용한 것일 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에서 후처리 공정시 인가되는 제2RF파워에 따른 박막의 두께 및 균일도 변화를 나타낸 그래프이다. 도 3에서 '비교예'는 증착 공정이 완료된 시점 즉, 후처리 공정을 진행하기 이전 상태에서 박막 두께 및 균일도를 나타낸 것이다. 그리고, 도 3에서 '본 발명'은 2초간 후처리 공정을 진행하되, 후처리 공정시 플라즈마를 생성하기 위해 인가되는 제2RF파워의 크기에 따른 박막의 두께 및 균일도 변화를 나타낸 것이다.
도 3을 참조하여 '비교예'에 따른 박막의 두께 및 균일도는 각각 229.4Å 및 0.54%인 것을 알 수 있다. 제2RF파워가 30W, 50W, 100W, 200W 및 340W로 점차 증가함에 따라 균일도는 큰 차이를 보이지 않으나, 박막의 두께가 점차 감소하는 것을 확인할 수 있다. 특히, 제2RF파워가 30W 내지 50W 범위일 때, '비교예'와 거의 차이가 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다. 즉, 후처리 공정시 30W 내지 50W 범위의 제2RF파워를 사용하면 기 형성된 박막의 물성 변화를 최소화할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에서 후처리 공정시 인가되는 제2RF파워에 따른 박막의 WER 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4에서 WER은 200:1로 탈이온수에 희석된 불산(HF)을 이용하여 박막을 습식식각할 때, 분당 박막이 식각되는 두께를 나타낸 것이다. 도 4에서 '비교예'는 증착 공정이 완료된 시점 즉, 후처리 공정을 진행하기 이전 상태에서 박막의 WER을 나타낸 것이다. 그리고, 도 4에서 '본 발명'은 2초간 후처리 공정을 진행하되, 후처리 공정시 플라즈마를 생성하기 위해 인가되는 제2RF파워의 크기에 따른 박막의 WER 변화를 나타낸 것이다.
도 4를 참조하여 '비교예'에 따른 박막의 WER은 113.5이고, 제2RF파워가 30W, 50W, 100W, 200W 및 340W로 점차 증가함에 따라 WER이 감소하는 것을 확인할 수 있다. 특히, 제2RF파워가 30W 내지 50W 범위일 때, '비교예'와 동일한 WER를 갖는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에서 후처리 공정 시간에 따른 박막의 두께 및 WER 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5에서 '비교예'는 증착 공정이 완료된 시점 즉, 후처리 공정을 진행하기 이전 상태에서 박막이 두께 및 WER을 나타낸 것이다. 그리고, 도 3에서 '본 발명'은 증착 공정에 연속해서 제2RF파워 34W로 후처리 공정을 진행하되, 후처리 공정 시간에 따른 박막의 두께 및 WER 변화를 나타낸 것이다.
도 5를 참조하면, 후처리 공정 시간이 증가할수록 박막의 두께 변화량 및 WER 변화량이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 특히, 후처리 공정을 5초간 진행했을 때, 급격히 록 박막의 두께 변화량 및 WER 변화량이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 후처리 공정 1초 내지 4초 범위의 시간동안 진행되는 경우에는 기 형성된 박막의 물성 변화가 최소화됨을 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에서 후처리 진행 여부에 따른 파티클 모니터링 결과를 나타낸 도면이다.
도 6에서 '비교예'는 증착 공정 이후에 후처리 공정을 진행하지 않은 10장의 피처리기판을 대상으로 잔류 파티클 개수를 측정한 것이다. 그리고, '본 발명'은 증착 공정에 연속해서 제2RF파워 34W로 2초간 후처리 공정을 진행한 10장의 피처리기판을 대상으로 잔류 파티클 개수를 측정한 것이다. 참고로, 파티클 계측기는 'KLA Tencon'의 'Surfscan SP5'이고, 계측 감도는 26nm이다.
도 6에 나타난 바와 같이, 후처리 공정을 적용하기 이전에는 평균 4.3개의 파티클이 검출되었으나, 후처리 공정을 적용한 이후에는 평균 1.1개로 약 70%의 개선된 것을 확인할 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
100 : 챔버 110 : 본체
120 : 가스분사장치 130 : 기판지지부
132 : 히터 140 : 지지축
150 : 배기구 160 : 펌프
170 : 전원부 200 : 가스 공급기
300 : 전원 공급기

Claims (12)

  1. 내부에 처리 공간이 마련된 공정챔버, 상기 처리 공간에 배치되어 피처리기판이 안착되는 기판지지부 및 상기 기판지지부로 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함하고, 상기 처리 공간 내에 플라즈마를 생성하여 상기 기판의 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 처리 공간 내에 실리콘함유가스 및 산소함유가스를 공급하고, 제1RF파워로 제1플라즈마를 생성하여 상기 피처리기판 상에 박막을 형성하는 증착 공정을 진행하는 단계; 및
    상기 처리 공간 내에 비활성가스를 공급하고, 상기 제1RF파워보다 작은 제2RF파워로 제2플라즈마를 생성하여 상기 피처리기판의 표면 및 상기 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 제거하는 후처리 공정을 진행하는 단계
    를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 공정은 상기 제2플라즈마 내 전계에 의해 유도된 정전기를 이용하여 상기 피처리기판의 표면 및 상기 공정챔버 내벽에 흡착된 파티클을 제거하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2RF파워은 상기 제1RF파워의 9% 내지 14% 범위인 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2RF파워은 30W 내지 50W 범위인 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 증착 공정은 제1시간 동안 진행하고, 상기 후처리 공정은 상기 제1시간보다 작은 제2시간동안 진행하되, 상기 제2시간은 상기 제1시간의 3% 미만인 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 공정은 1초 내지 4초 범위의 시간동안 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2RF파워 및 상기 후처리 공정 시간은 상기 박막의 두께 변화량이 ±1Å 이내가 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2RF파워 및 상기 후처리 공정 시간은 상기 박막의 WER(Wet Etch Rate) 변화량이 ±1Å 이내가 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2RF파워 및 상기 후처리 공정 시간은 상기 박막의 균일도 변화량이 0.6% 이하가 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 공정을 진행한 후에 비활성가스를 이용하여 퍼지를 진행하거나, 또는 상기 후처리 공정과 동시에 비활성가스를 이용하여 퍼지를 진행하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 증착 공정을 진행하는 단계는,
    상기 실리콘함유가스를 포함하는 소스가스를 상기 처리 공간으로 공급하여 상기 피처리기판 상에 실리콘을 흡착시키는 제1단계;
    상기 처리 공간 외부로 상기 소스가스를 퍼지하는 제2단계;
    상기 산소함유가스를 포함하는 반응가스를 상기 처리 공간으로 공급하여 상기 피처리기판 상에 흡착된 실리콘을 산화시키는 제3단계; 및
    상기 처리 공간 외부로 상기 반응가스를 퍼지하는 제4단계를 포함하고,
    상기 제1단계 내지 상기 제4단계를 순차적으로 복수회 반복 실시하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1단계 내지 상기 제4단계에서 상기 제3단계에서만 상기 제1RF파워로 상기 제1플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법.
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