JP2014096500A - プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014096500A JP2014096500A JP2012247782A JP2012247782A JP2014096500A JP 2014096500 A JP2014096500 A JP 2014096500A JP 2012247782 A JP2012247782 A JP 2012247782A JP 2012247782 A JP2012247782 A JP 2012247782A JP 2014096500 A JP2014096500 A JP 2014096500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- photoresist
- plasma
- etching
- hbr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 97
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 70
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 131
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 86
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 5
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマエッチング方法は、改質工程と、エッチング工程とを含む。改質工程は、有機膜と所定のパターンを有するフォトレジストとが順に積層された被処理体と対向して配置されたシリコンを含む上部電極に負の直流電圧を印加しながらHBr/Arガスのプラズマにより前記フォトレジストを改質する。エッチング工程は、改質された前記フォトレジストをマスクとして処理ガスのプラズマにより前記有機膜をエッチングする。
【選択図】図4
Description
比較例1では、被処理体に対して、エッチング工程を行った。被処理体は、以下の構造を有するものを用いた。エッチング工程は、以下の条件を用いて行った。
(被処理体)
有機膜:Si−ARC膜
フォトレジスト:ArFレジスト
(エッチング工程)
処理ガス:CF4/CHF3/O2=150/75/5sccm
圧力:1.3Pa(10mTorr)
第1の高周波電源からの高周波電力:500W
第2の高周波電源からの高周波電力:50W
上部電極への直流電圧:0V
実施例1では、被処理体に対して、改質工程を行い、その後、エッチング工程を行った。被処理体は、比較例1と同一のものを用いた。エッチング工程は、比較例1と同一の条件で行った。改質工程は、以下の条件を用いて行った。
(改質工程)
処理ガス:HBr/Ar=100/800sccm
圧力:6.7Pa(50mTorr)
第1の高周波電源からの高周波電力:300W
第2の高周波電源からの高周波電力:0W
上部電極への直流電圧:−900V
比較例2では、実施例1における改質工程において、上部電極への直流電圧を0Vとした。その他の点については、実施例1と同様である。
比較例3では、実施例1における改質工程において、処理ガス及び処理ガスの流量として、H2/Ar=100/800sccmを用いた。その他の点については、実施例1と同様である。
比較例4では、実施例1における改質工程において、上部電極への直流電圧を0Vとし、かつ、処理ガス及び処理ガスの流量として、H2/Ar=100/800sccmを用いた。その他の点については、実施例1と同様である。
比較例5では、実施例1における改質工程において、処理ガス及び処理ガスの流量として、HBr=100sccmを用いた。その他の点については、実施例1と同様である。
比較例6では、実施例1における改質工程において、上部電極への直流電圧を0Vとし、かつ、処理ガス及び処理ガスの流量として、HBr=100sccmを用いた。その他の点については、実施例1と同様である。
比較例7では、実施例1における改質工程において、処理ガス及び処理ガスの流量として、HBr/He=100/800sccmを用いた。その他の点については、実施例1と同様である。
比較例8では、実施例1における改質工程において、上部電極への直流電圧を0Vとし、かつ、処理ガス及び処理ガスの流量として、HBr/He=100/800sccmを用いた。その他の点については、実施例1と同様である。
比較例9では、被処理体に対して、エッチング工程を行った。被処理体は、以下の構造を有するものを用いた。エッチング工程は、比較例1と同一の条件で行った。
(被処理体)
有機膜:Si−ARC膜
フォトレジスト:EUVレジスト
実施例2では、被処理体に対して、改質工程を行い、その後、エッチング工程を行った。被処理体は、比較例9と同一のものを用いた。エッチング工程は、比較例1と同一の条件で行った。改質工程は、以下の条件を用いて行った。
(改質工程)
処理ガス:HBr/Ar=100/800sccm
圧力:6.7Pa(50mTorr)
第1の高周波電源からの高周波電力:300W
第2の高周波電源からの高周波電力:0W
上部電極への直流電圧:−900V
比較例10では、実施例2における改質工程において、上部電極への直流電圧を0Vとした。その他の点については、実施例2と同様である。
比較例11では、実施例2における改質工程において、処理ガス及び処理ガスの流量として、H2/Ar=100/800sccmを用いた。その他の点については、実施例2と同様である。
比較例12では、実施例2における改質工程において、上部電極への直流電圧を0Vとし、かつ、処理ガス及び処理ガスの流量として、H2/Ar=100/800sccmを用いた。その他の点については、実施例2と同様である。
10a 第1の高周波電源
10b 第2の高周波電源
15 処理ガス供給源(ガス供給部)
16 シャワーヘッド(上部電極)
16a 本体部
16b 上部天板
52 可変直流電源
60 制御部
61 プロセスコントローラ
62 ユーザインターフェース
63 記憶部
71 排気口
72 排気管
73 排気装置(減圧部)
101 Si基板
102 SiN膜
103 ODL
104 Si−ARC膜
105 ArFレジスト
205 EUVレジスト
Claims (6)
- 有機膜と所定のパターンを有するフォトレジストとが順に積層された被処理体と対向して配置されたシリコンを含む上部電極に負の直流電圧を印加しながらHBr/Arガスのプラズマにより前記フォトレジストを改質する改質工程と、
改質された前記フォトレジストをマスクとしてCF系ガス及びCHF系ガスを含む処理ガスのプラズマにより前記有機膜をエッチングするエッチング工程と
を含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記フォトレジストは、ArFエキシマレーザ光を用いて形成されたArFレジストであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記フォトレジストは、極端紫外線(EUV:Extreme Ultra-Violet)光を用いて形成されたEUVレジストであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記CF系ガスは、CF4ガスであり、前記CHF系ガスは、CHF3ガスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のプラズマエッチング方法。
- 前記有機膜は、Si−ARC膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のプラズマエッチング方法。
- 有機膜と所定のパターンを有するフォトレジストとが順に積層された被処理体に対してプラズマエッチング処理を行うための処理チャンバと、
前記処理チャンバ内を減圧する減圧部と、
前記処理チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記被処理体と対向して配置されたシリコンを含む上部電極と、
シリコンを含む前記上部電極に負の直流電圧を印加しながらHBr/Arガスのプラズマにより前記フォトレジストを改質し、改質された前記フォトレジストをマスクとしてCF系ガス及びCHF系ガスを含む処理ガスのプラズマにより前記有機膜をエッチングする各工程を実行する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012247782A JP6017928B2 (ja) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
US14/074,020 US9330935B2 (en) | 2012-11-09 | 2013-11-07 | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012247782A JP6017928B2 (ja) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014096500A true JP2014096500A (ja) | 2014-05-22 |
JP6017928B2 JP6017928B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=50682127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012247782A Active JP6017928B2 (ja) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9330935B2 (ja) |
JP (1) | JP6017928B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106814556A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 应用材料公司 | 用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置 |
WO2018025855A1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9735028B2 (en) * | 2015-03-12 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming semiconductor device structure with fine line pitch and fine end-to-end space |
US10043666B2 (en) | 2016-02-26 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for inter-chamber process |
US9852924B1 (en) * | 2016-08-24 | 2017-12-26 | Lam Research Corporation | Line edge roughness improvement with sidewall sputtering |
JP2020009840A (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び基板処理装置 |
US11837471B2 (en) | 2019-12-17 | 2023-12-05 | Tokyo Electron Limited | Methods of patterning small features |
CN112723337B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-11-29 | 电子科技大学 | 等离子体改性氟化碳正极材料及制备方法和用途 |
US11915931B2 (en) | 2021-08-19 | 2024-02-27 | Tokyo Electron Limited | Extreme ultraviolet lithography patterning method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005535936A (ja) * | 2002-08-14 | 2005-11-24 | ラム リサーチ コーポレーション | エッチングプロセスにおいてフォトレジストを硬化させるための方法および組成 |
JP2008198988A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2010205967A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011060916A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2012033833A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821168A (en) * | 1997-07-16 | 1998-10-13 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
US6849151B2 (en) * | 2002-08-07 | 2005-02-01 | Michael S. Barnes | Monitoring substrate processing by detecting reflectively diffracted light |
JP4827081B2 (ja) | 2005-12-28 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US20100081285A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and Method for Improving Photoresist Properties |
US20100216310A1 (en) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Limited | Process for etching anti-reflective coating to improve roughness, selectivity and CD shrink |
US8586478B2 (en) * | 2011-03-28 | 2013-11-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of making a semiconductor device |
-
2012
- 2012-11-09 JP JP2012247782A patent/JP6017928B2/ja active Active
-
2013
- 2013-11-07 US US14/074,020 patent/US9330935B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005535936A (ja) * | 2002-08-14 | 2005-11-24 | ラム リサーチ コーポレーション | エッチングプロセスにおいてフォトレジストを硬化させるための方法および組成 |
JP2008198988A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2010205967A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011060916A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2012033833A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106814556A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 应用材料公司 | 用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置 |
US11112697B2 (en) | 2015-11-30 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
CN106814556B (zh) * | 2015-11-30 | 2021-10-19 | 应用材料公司 | 用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置 |
US11899366B2 (en) | 2015-11-30 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
WO2018025855A1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140134848A1 (en) | 2014-05-15 |
JP6017928B2 (ja) | 2016-11-02 |
US9330935B2 (en) | 2016-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6035117B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP6017928B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
US20210134604A1 (en) | Etching method | |
JP5373669B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5102653B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP4912907B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP5568340B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP6298391B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP6438831B2 (ja) | 有機膜をエッチングする方法 | |
JP2010205967A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5934523B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 | |
US20220051904A1 (en) | Etching method | |
JPWO2014046083A1 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
US8642482B2 (en) | Plasma etching method, control program and computer storage medium | |
JP2013084695A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5840973B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 | |
JP5804978B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体 | |
TW201840893A (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
JP5047644B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
US20070218691A1 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6017928 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |