JP2005535936A - エッチングプロセスにおいてフォトレジストを硬化させるための方法および組成 - Google Patents
エッチングプロセスにおいてフォトレジストを硬化させるための方法および組成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005535936A JP2005535936A JP2004529231A JP2004529231A JP2005535936A JP 2005535936 A JP2005535936 A JP 2005535936A JP 2004529231 A JP2004529231 A JP 2004529231A JP 2004529231 A JP2004529231 A JP 2004529231A JP 2005535936 A JP2005535936 A JP 2005535936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist material
- wafer
- plasma
- layer
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 100
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 13
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 abstract 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 alicyclic methacrylates Chemical class 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 エッチングプロセスにおいてフォトレジストを硬化させるための方法および組成
【解決手段】 フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングする方法が開示される。このエッチング方法は、臭素を含むプラズマによってフォトレジスト材料を硬化させる工程を含む。また、ウエハ上のフォトレジスト材料のパターンを硬化させるための方法が開示される。その硬化方法は、臭素を含むプラズマを準備する工程と、ウエハのフォトレジスト材料より下にある一層が終端までエッチングされないように、そのプラズマにフォトレジスト材料を晒す工程とを含む。高密度プラズマ処理装置においてウエハ上のフォトレジスト材料を硬化させるためのプラズマの混合物は、臭素を含む。
【解決手段】 フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングする方法が開示される。このエッチング方法は、臭素を含むプラズマによってフォトレジスト材料を硬化させる工程を含む。また、ウエハ上のフォトレジスト材料のパターンを硬化させるための方法が開示される。その硬化方法は、臭素を含むプラズマを準備する工程と、ウエハのフォトレジスト材料より下にある一層が終端までエッチングされないように、そのプラズマにフォトレジスト材料を晒す工程とを含む。高密度プラズマ処理装置においてウエハ上のフォトレジスト材料を硬化させるためのプラズマの混合物は、臭素を含む。
Description
本発明は、概して、ウエハのエッチングに関する。本発明は、具体的には、半導体デバイスの製造に使用されるウエハをエッチングするため方法および組成に関する。
半導体デバイスの製造では、フォトレジスト材料のパターン形成のために、フォトリソグラフィが広く使用されている。設計規則の縮小を図り、より小型の半導体デバイスの製造を可能にするためには、波長の短い光でフォトリソグラフィを実施することが望ましい。例えば、０．１μｍ〜０．０７μｍの大きさを得るためには、フッ化アルゴン光源を使用した１９３ｎｍリソグラフィを用いることができる。ウエハ上にフォトレジスト材料のパターンを形成した後は、そのウエハの露出層をエッチングすることができる。
ウエハをエッチングするための活性種をプラズマに供給する目的で、これまでに、様々な化学物質およびそれらの組み合わせが使用されてきた。エッチャントガスの組成と、エッチングされる材料と、エッチングが行われるプラズマ処理装置の運転条件とは、複雑に相互作用する。異なる種のプラズマを活性化させれば、処理されるウエハに異なる効果を及ぼすことができる。これまでは、ポリシリコン材料をエッチングする際にプラズマの中の臭素種を活性化させ、ウエハのポリシリコン層をエッチングするためのエッチャントとして、臭化水素が使用されてきた。
しかしながら、エッチングは、ウエハを使用したデバイスの製造に悪影響を及ぼす可能性がある。例えば、フォトレジスト材料自体がほとんど除去されてしまい、フォトレジストによって保護するべき領域が露出される可能性がある。また、エッチャントは、フォトレジスト材料を変形させたり歪ませたりする可能性がある。これは、ひいては、エッチングの結果として得られる形状も変形させる可能性がある。例えば、フォトレジスト材料では、直線的な経路の所望の形状を明確に形成することができる。しかしながら、エッチングを使用してこのような経路を実際に形成する段階になると、エッチングのメカニズムに起因するフォトレジスト材料の歪みおよび変形が原因で、波状の経路が形成される可能性がある。このように、エッチングで形成される形状の形を制御できないと、最悪の場合はデバイスの欠陥を引き起こし、少なくとも再現性を損なう可能性がある。
以上からわかるように、エッチングプロセスによる再現性に優れた形状を形成するために、短波長のフォトレジスト材料の使用を可能にすることが望まれている。
フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングするための方法が開示される。この方法は、臭素を含むプラズマを使用してフォトレジスト材料を硬化させる工程を含む。次いで、ウエハのエッチングが実施される。
また、ウエハ上のフォトレジスト材料のパターンを硬化させるための方法も開示される。この方法は、臭素を含むプラズマを準備する工程を含む。フォトレジスト材料は、プラズマに晒される。ウエハのフォトレジスト材料より下の一層は、終端までエッチングされない。
高密度プラズマ処理装置において、ウエハ上のフォトレジスト材料を硬化させるためのプラズマの混合物は、臭素を含む。
フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングするための方法が開示される。この方法は、エッチャント混合物を準備する工程を含む。エッチャント混合物は、活性化することによってフォトレジスト材料よりも下の層をエッチングするプラズマを生成する。また、臭素を含むプラズマも準備される。臭素を含むプラズマは、活性化することによってフォトレジスト材料を硬化させる。
また、フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングするための混合物も開示される。この混合物は、炭化フッ素またはフッ化炭化水素と、臭素含有分子とを含む。
添付の図面とあわせて記載される以下の説明を参照すれば、本発明を、その更なる利点と共に最も良く理解することができる。図中、類似の参照符号は類似の構成要素を示すものとする。
図１および図２を参照にして、本発明の一実施形態が説明される。図１は、半導体デバイスの製造プロセスの一工程におけるウエハ１００の断面を示している。半導体デバイスに設けるべき形状は、１９３ｎｍフォトレジスト材料１０２によって形成されている。ここで言う１９３ｎｍフォトレジスト材料とは、波長１９３ｎｍの放射によってパターン形成することが可能であるようなフォトレジスト材料を意味する。適切な１９３ｎｍフォトレジスト材料としては、ＰＡＲ７０７、ＰＡＲ７２３、およびＰＡＲ７１０の商標名で住友から提供されている脂環式メタクリレート（アクリレート）が挙げられる。他の適切な１９３ｎｍフォトレジスト材料としては、ＪＳＲ、シップリー、ＬＬＣ、および東京応化工業などから提供されている環状オレフィン／無水マレイン酸（ＣＯＭＡ）が挙げられる。フォトレジスト形状１０２の厚さは、およそ２６００Åである。１９３ｎｍフォトレジスト材料層の厚さは、一般に、およそ２２０Åから３３００Åまでの範囲である。フォトレジストマスクを形成するフォトレジスト形状は、当該分野で知られるフォトイメージングプロセスによって形成することができる。
フォトレジスト形状１０２は、厚さが一般におよそ３００〜８００Åである反射防止膜（「ＡＲＣ」）層１０４の上に位置する。ＡＲＣは、下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）を含み、一般に、フォトレジスト材料と同様に炭化水素をベースにした材料である。ウエハ１００は、厚さが一般におよそ５００〜２０００Åで、窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成可能なハードマスク層１０６を含む。ハードマスク層は、あるいは、ＴＥＯＳ（テトラエチルオキシシリケート）または酸化シリコン、またはこれらの複合体であって良い。デバイス速度の向上を図るため、タングステン（Ｗ）の層１１４および窒化タングステン（ＷＮ）の層１１０を随意に設けることができる。そのあとには、ポリシリコン材料の層１１２が続いている。シリコン基板１１６の上には、ゲート酸化膜の薄い層１１４が設けられる。このようなウエハ基板は、ＥＤＲＡＭデバイスまたはＤＲＡＭデバイスの製造プロセスにおける中間生成物である。
フォトレジスト材料１０２は、経路の形状を形成する。点線１１８，１２０で示されるように、この経路の形状は、ウエハのエッチングによってウエハまで伝達される。フォトレジスト材料のパターン形成によって作成される形状は、チップの設計に依存する。フォトレジスト材料は、種々の異なる形状を形成することができる。例えば、フォトレジスト材料は、穴状または「Ｔ」字形もしくは「Ｕ」字形の形状を形成することができる。図２は、形状をエッチングで形成可能な方法２００のフローチャートを示している。この方法は、高密度プラズマが生成可能な任意のプラズマエッチングツールすなわち装置を使用して行うことができる。適切なツールとしては、カリフォルニア州フリーモント所在のラムリサーチによって提供されているＴＣＰシリーズのプラズマ処理装置が挙げられる。また、アプライドマテリアルズによって提供されているＤＰＳシリーズおよび類似のツール、東京エレクトロンによって提供されているＳＣＣＭツール、および日立によって提供されているＥＣＲシリーズのツールも適している。
方法２００は、基本的に２つの工程からなる方法である。第１の工程では、フォトレジスト材料１０２が硬化される、すなわち、ウエハの有効なエッチングが行われることなくフォトレジスト材料１０２が安定化される。続く第２の工程では、ウエハが実際にエッチングされ、フォトレジスト材料によって保護されていない材料がフォトレジスト材料より下の層から意図的に除去される。臭素を含むプラズマによる材料の除去は、いずれも、ウェハのフォトレジスト材料層より下にある一層全体の除去を意図したものではない、すなわち、フォトレジスト材料層より下にある一層全体の除去に足るべきではない。メインエッチング工程は、エッチングされる構造的な形状が形成されたウエハ層をエッチングする。
方法の開始（２１０）では、装置のプラズマ処理チャンバに臭素含有ガスが導入される（２１２）。臭素含有ガスは、この実施例では臭化水素（ＨＢｒ）である。プラズマ処理ツールは、チャンバ内における高密度プラズマの生成および持続を可能にする条件のもとで運転される。高密度プラズマとは、およそ１×１０10イオン／ｃｍ3を上回る密度を有するプラズマである。高密度プラズマは、およそ１×１０10〜１×１０13イオン／ｃｍ3の密度を有している。フォトレジスト材料がプラズマに晒され、プラズマの中の臭素種が活性化されて、フォトレジスト材料２１６を硬化させるので、フォトレジスト材料２１６の硬さおよび物理的強度は増大する。高密度プラズマは、フォトレジストを硬化させる工程すなわちメインエッチング前工程２１６において、プラズマ処理装置が低圧力および高出力で運転された状態で使用される。この硬化工程において、ＨＢｒは、ウエハの有効なエッチングを行うのではなく、フォトレジスト材料１０２を強化させる。臭化水素は、プラズマの臭素源として好ましいが、ＳｉＢｒ4、ＣＨ3Ｂｒ、Ｂｒ2、Ｃ2Ｈ5Ｂｒ、および臭素を含有するその他の高分子量炭化水素など、他の臭素含有分子を硬化用のプラズマに使用することもできる。また、プラズマは、純粋にＨＢｒからなることが好ましいが、不活性ガスなどの追加の分子をプラズマ混合ガスに含ませることもできる。硬化用のこのような混合ガスは、炭化水素やフッ素含有分子ほど多くの活性エッチャントを有さないことが好ましい。
ＨＢｒによる硬化工程に適した運転条件の一例は、プラズマ処理チャンバの圧力がおよそ５ｍＴで、出力が１２００Ｗで、チャック電極に印加されるバイアス電圧がほぼ０で、ＨＢｒガスの流量が１００ｓｃｃｍ（立方センチメートル毎分）で、硬化時間がおよそ６０秒である。
硬化工程中は、材料がほとんど除去されないことが好ましい。しかしながら、メインエッチングに先立つ硬化工程中も、ＡＲＣ層１０４およびフォトレジスト材料１０２からある程度の材料が除去される可能性がある。
ウエハを保持しているチャックのバイアス電位を０ボルトにすると、材料の除去を最小限に抑えるのに有用であるが、バイアス電位としては０〜５００Ｖとしても良く、バイアス電位は、好ましくは０〜２５０Ｖ、最も好ましくは０〜３０Ｖとしても良い。これらに相当するバイアス出力は、それぞれ、およそ０〜７４０Ｗ、０〜３５０Ｗ、および０〜４０Ｗの範囲である。
また、硬化工程中に除去されるフォトレジスト材料の量に基づいて、実質的でない材料の除去が発生したと判断することができる。失われるフォトレジスト材料の量は、およそ６００Å以下であれば良く、好ましくはおよそ５００Å以下、更に好ましくはおよそ４００Å以下、最も好ましくは３００Å以下である。もとから存在していたフォトレジスト材料に対する失われたフォトレジスト材料の割合は、およそ３０％以下であれば良く、好ましくは１２％以下、更に好ましくは５％以下である。
また、硬化工程中に除去されるＡＲＣ層材料の量に基づいて、実質的でない材料の除去が発生したと判断することができる。除去されるＡＲＣ層は、８５％以下であれば良く、好ましくは７５％以下、より好ましくは７０％以下、最も好ましくは６０％以下である。メインエッチング前工程である硬化工程中にＡＲＣ層が終端までエッチングされた場合は、実質的なエッチングが発生したと判断することができる。
硬化工程２１６が完了すると、ＨＢｒプラズマはプラズマチャンバから押し出され、形状を形成するメインエッチングを開始させるべくエッチャント混合ガスがプラズマチャンバに導入される（２１８）。エッチャント混合ガスには、対象となるウエハの層を効果的にエッチングできるものが選択される。ウエハ１００に関しては、次にエッチングするべき層はＡＲＣ層１０４である。適切なエッチャント混合ガスとしては、流量４０ｓｃｃｍのＣＦ4と流量１２０ｓｃｃｍのＨｅとの混合ガスが挙げられるが、ＡＲＣ材料をエッチングするためのフッ素のフッ素源となりうる他の炭化フッ素を使用することもできる。他の実施形態では、ＡＲＣ層をエッチングするために、ＨＢｒとＯ2との混合ガスまたはＣｌ2とＯ2との混合ガスを使用することができる。ＡＲＣ材料は、有機材料または無機材料であって良い。プラズマエッチング装置の運転パラメータの一例は、プラズマチャンバの圧力が７ｍＴで、ＴＣＰ出力が６００Ｗで、チャック電極に印加されるバイアス電圧が１００Ｖ（〜４６バイアス出力に相当する）で、終点が＋３０％のオーバーエッチングである。ＡＲＣ層は、フォトレジスト材料によって形成された形状を実際に形成する工程であるメインエッチング工程２２０の一環としてエッチングされる。
本発明の別の一実施形態では、ＡＲＣ層のエッチングを、フォトレジストの硬化よりも前に行うことができる。そして、フォトレジストの硬化後に、フォトレジストによって保護されていない、フォトレジストより下の部分のメインエッチングが実施される。
別の一実施形態では、上記の方法に、フォトレジストをトリムする工程を組み込むことができる。このとき、硬化工程は、ＡＲＣエッチング工程およびトリム工程の前に、または、ＡＲＣエッチング工程およびトリム工程の後に、または、ＡＲＣエッチング工程とトリム工程との間に行うことができる。
メインエッチング２２０は、複数の工程を含むことができる。これらの各工程では、異なるウエハ層のエッチングを目的として、異なるエッチング化学物質および異なる運転パラメータが使用される。工程２１８および工程２２０は、工程２２１で示されるように、必要とされる各メインエッチング工程について繰り返される。ハードマスク１０６をエッチングする工程のためのエッチャント混合ガスは、流量４０ｓｃｃｍのＣＦ4、流量２０ｓｃｃｍのＣＨ2Ｆ2、および流量８０ｓｃｃｍのＨｅを含む。プラズマ処理装置の適切な運転パラメータは、７ｍＴの圧力、１０００ＷのＴＣＰ出力、および４００Ｖのチャックバイアス電圧（３００Ｗのバイアス出力に相当する）である。ハードマスクをエッチングする混合ガスは、他のガスを使用しても良く、例えば、ＣＨ2Ｆ2の替わりにＣＨＦ3を使用し、それに酸素およびＮＦ3のうちの少なくとも一方を追加しても良い。
次に、必要に応じてタングステン１０８、窒化タングステン１１０、およびその他の層を、当業者に周知のエッチング化学物質を使用してエッチングすることができる。
形状のエッチングによる形成の前に臭素を含むプラズマを使用してフォトレジスト材料を硬化させると、フォトレジスト材料の崩壊および歪みを低減させる効果があることがわかった。したがって、ウエハの中にエッチングで形成される形状は、もとのフォトレジスト材料と同様に明確に形成されるので、形成される形状が歪むという、形状のエッチングに関連した問題を防ぐことができる。例えば、図５Ａは、上述された方法にしたがってエッチングされたウエハのフォトレジスト層およびＳｉＮ層の電子顕微鏡断面像５０２を示し、図５Ｂは、その斜視像５０４を示している。図に示されるように、ＳｉＮハードマスク層５０８の上には、フォトレジスト材料からなる１４００Åの深い層５０６が存在し、図５Ｃに示されるように、明確な直線状の形状がエッチングで形成されている。
図３は、別のウエハ１２０の断面であって、本発明の別の一実施形態を示している。ウエハには、ＡＲＣ層１２４の上にパターン形成された１９３ｎｍフォトレジスト形状１２２が設けられている。シリコン基板１３０の上に設けられたゲート酸化物からなる薄層１２８の上には、ポリシリコン材料の層１２６が存在している。ウエハのこのような層構成は、様々なデバイスを製造するプロセスの中間工程を示している。例えば、この中間工程は、メモリ素子、論理素子、またはｅＤＲＡＭを製造するプロセスの一工程であってもよい。
エッチングの方法は、基本的に、図１および図２を参照にして前述された方法と同様であるが、ただ１つ、ポリシリコン層１２６のためのメインエッチング工程で、異なるエッチング化学物質が使用されるという点が相違する。このエッチャント混合ガスは、ＣＦ4、塩素、ＨＢｒ、酸素、およびヘリウムを含む。ポリシリコンのためのエッチング化学物質については、当業者ならば周知であるので、これ以上の説明は不要である。
図４は、ＨＢｒを使用して１９３ｎｍフォトレジスト材料を硬化させながら形状をエッチングで形成するための、別の一実施形態による方法３００のフローチャートを示している。この方法は、ＨＢｒをプラズマ処理装置に導入する（３１２）ことから開始する（３１０）。ＨＢｒは、プラズマの中のＢｒ種の供給源として機能する。このＢｒ種は、フォトレジスト材料を硬化させるための活性種である。プラズマ処理チャンバには、ＨＢｒと同時にエッチャント混合ガスも導入される（３１４）。エッチャントガス混合ガスは、エッチングされるウエハ層に依存するが、エッチャント種の供給源を少なくとも１つは含む。エッチャントガスは、例えば、エッチャントガスとしてＣＦ4またはその他の炭化フッ素が使用される場合のフッ素種などである。本発明の他の実施形態では、エッチャント種の供給源として炭化フッ化水素を使用することができる。次いで、プラズマ処理装置が低圧・高出力の条件のもとで運転され、高密度プラズマが発生および維持される（３１６）。プラズマの中に存在する臭素種が、フォトレジスト材料を硬化させるための活性種である一方で、フッ素種は、フォトレジスト層より下のウエハ層をエッチングによって除去するためのエッチャントとしての活性種である。このように、形状をエッチングで形成する（３１８）と共に、フォトレジスト形状を硬化させてその変形を阻止することによって、ウエハ中に明確な形状を伝達していくことができる。このエッチングの方法は、所望の終点に到達した時点で終結する（３２０）。
図６Ａは、ＨＢｒを加えることによってＳｉＮハードマスク層をエッチングした後における、図１に示されたようなウエハの電子顕微鏡断面像６０１である。図６Ｂは、エッチングされたトレンチに沿った斜視像６０２を、図６Ｃは、ＳｉＮ層について得られたエッチングプロファイル６０３を、それぞれ示している。図６Ａに示されるように、ＨＢｒを加えて１９３ｎｍフォトレジスト材料を硬化させると、ハードマスクのエッチングの完了後も大量のフォトレジスト層が存在する。したがって、図６Ｂに示されるように、フォトレジスト材料には歪みが一切無く、明確な直線がエッチングで形成される。図６Ｃに示されるように、ＳｉＮ層６０６のプロファイルは、ある程度のテーパー状を呈している。この方法は、上述された第１の方法２００ほど優れたＳｉＮ層エッチングプロファイルを実現することはできないが、それでも、フォトレジストの変形および崩壊を未然に防ぐことは可能である。
以上では、１９３ｎｍフォトレジスト材料に関連して発明の説明を行った。しかしながら、本発明は、２４８ｎｍなどを含む他の遠紫外波長（ＤＵＶ）フォトレジスト材料に対して使用することもできる。
本発明による方法は、特定のデバイスを製造する際に、必要に応じて他の工程を追加することができる。ただし、フォトレジスト材料を硬化させる工程は、その下の層に形状をエッチングで形成する前に、または、その下の層に形状をエッチングで形成すると同時に実施することが望ましい。
以上では、理解を明確にするために、いくらかの詳細を特定したうえで発明の説明を行った。しかしながら、添付した特許請求の範囲内であれば、一定の変更および改良を加えられることは明らかである。したがって、以上に挙げられた実施形態は、例示を目的とした非限定的な実施形態だと見なすことが望ましく、本発明は、以上に特定された詳細に限定されることなく、添付した特許請求およびそれらの同等物の範囲内で変更を加えられることが望ましい。
１００…ウエハ
１０２…１９３ｎｍフォトレジスト材料
１０４…反射防止（ＡＲＣ）層
１０６…ハードマスク層
１０８…タングステン層
１１０…窒化タングステン層
１１２…ポリシリコン材料の層
１１４…ゲート酸化物の薄層
１１６…シリコン基板
１２０…ウエハ
１２２…１９３ｎｍフォトレジスト特徴
１２４…ＡＲＣ層
１２６…ポリシリコン材料の層
１２８…ゲート酸化物の薄層
１３０…シリコン基板
１０２…１９３ｎｍフォトレジスト材料
１０４…反射防止（ＡＲＣ）層
１０６…ハードマスク層
１０８…タングステン層
１１０…窒化タングステン層
１１２…ポリシリコン材料の層
１１４…ゲート酸化物の薄層
１１６…シリコン基板
１２０…ウエハ
１２２…１９３ｎｍフォトレジスト特徴
１２４…ＡＲＣ層
１２６…ポリシリコン材料の層
１２８…ゲート酸化物の薄層
１３０…シリコン基板
Claims (16)
- フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングする方法であって、
エッチングに先立って、臭素を含むプラズマによって前記フォトレジスト材料を硬化させる工程と、
前記ウエハのメインエッチングを行う工程と
を備える方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記臭素を含むプラズマは高密度プラズマである、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記臭素を含むプラズマによって前記フォトレジスト材料を硬化させる工程は、前記ウエハの前記フォトレジスト材料の層の下にある一層の全部を除去しない、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記硬化工程中のバイアス電圧は、前記ウエハの前記フォトレジストの下にある一層を終端までエッチングするのに十分な大きさではない、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記硬化工程中に除去される前記フォトレジスト材料は、ほぼ６００Å以下である、方法。 - 請求項５に記載の方法であって、
前記硬化工程中に除去される前記フォトレジスト材料は、ほぼ３００Å以下である、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記硬化工程中に除去される前記ウエハの前記フォトレジスト材料の下の一層の厚さは、前記層の厚さの８５％以下である、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記硬化工程中に除去される前記ウエハの前記フォトレジスト材料の下の一層の厚さは、前記層の厚さの６０％以下である、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記プラズマは、主として臭化水素を含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記フォトレジスト材料は、１９３ｎｍフォトレジスト材料および２４８ｎｍフォトレジスト材料からなる群より選択される、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記プラズマは、少なくともおよそ１×１０10イオン／ｃｍ3のプラズマ密度を有する、方法。 - ウエハ上のフォトレジスト材料のパターンを硬化させるための方法であって、
臭素を含むプラズマを準備する工程と、
前記ウエハの前記フォトレジスト材料の下の一層が終端までエッチングされないように前記プラズマに前記フォトレジスト材料を晒す工程と
を備える方法。 - 請求項１２に記載の方法であって、
前記層はＡＲＣ層である、方法。 - プラズマ処理装置において、ウエハ上のフォトレジスト材料を硬化させるための高密度プラズマの混合物であって、
臭素を含む、混合物。 - フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングする方法であって、
前記ウエハの前記フォトレジスト材料より下の層をエッチングするための活性プラズマを生成するエッチャント混合物を準備する工程と、
前記フォトレジスト材料を硬化させるための活性臭素を含むプラズマを準備する工程と、
を備える方法。 - フォトレジスト材料のパターンを上部に有するウエハをエッチングするための混合物であって、
炭化フッ素と、臭素含有分子と、を備える混合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/219,995 US6923920B2 (en) | 2002-08-14 | 2002-08-14 | Method and compositions for hardening photoresist in etching processes |
| PCT/US2003/024137 WO2004017390A1 (en) | 2002-08-14 | 2003-07-31 | Method and compositions for hardening photoresist in etching processes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005535936A true JP2005535936A (ja) | 2005-11-24 |
| JP2005535936A5 JP2005535936A5 (ja) | 2006-11-24 |
Family
ID=31886605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004529231A Pending JP2005535936A (ja) | 2002-08-14 | 2003-07-31 | エッチングプロセスにおいてフォトレジストを硬化させるための方法および組成 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6923920B2 (ja) |
| EP (1) | EP1529308A1 (ja) |
| JP (1) | JP2005535936A (ja) |
| KR (1) | KR100990064B1 (ja) |
| CN (1) | CN100423191C (ja) |
| AU (1) | AU2003257999A1 (ja) |
| TW (1) | TWI307121B (ja) |
| WO (1) | WO2004017390A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062363A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法およびレジストパターンの改質方法 |
| JP2011166039A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法 |
| US8092703B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-01-10 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2014096500A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP2019049747A (ja) * | 2014-07-08 | 2019-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ネガティブトーン現像剤相溶性フォトレジスト組成物及び使用方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962878B2 (en) * | 2003-04-17 | 2005-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to reduce photoresist mask line dimensions |
| US7005386B1 (en) * | 2003-09-05 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for reducing resist height erosion in a gate etch process |
| JP2005109068A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20050147926A1 (en) * | 2004-01-02 | 2005-07-07 | Nanya Technology Corporation | Method for processing photoresist |
| US20060154184A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-13 | International Business Machines Corporation | Method for reducing feature line edge roughness |
| KR100674967B1 (ko) * | 2005-04-06 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 더블 패터닝 방식을 이용한 미세 피치를 갖는 포토레지스트패턴 형성방법 |
| US7390753B2 (en) * | 2005-11-14 | 2008-06-24 | Taiwan Semiconductor Mfg. Co., Ltd. | In-situ plasma treatment of advanced resists in fine pattern definition |
| US8298958B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-10-30 | Lam Research Corporation | Organic line width roughness with H2 plasma treatment |
| KR101348655B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2014-01-08 | 한국전자통신연구원 | 미세유체 제어 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5142236B1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-02-13 | エルシード株式会社 | エッチング方法 |
| US9105587B2 (en) * | 2012-11-08 | 2015-08-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor structures with sulfur dioxide etch chemistries |
| CN103021925A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Sti的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法 |
| JP6736314B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2020-08-05 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN107564803B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刻蚀方法、工艺设备、薄膜晶体管器件及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5749389A (en) * | 1993-12-22 | 1998-05-12 | Liquid Air Corporation | Purgeable connection for gas supply cabinet |
| US5976769A (en) | 1995-07-14 | 1999-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Intermediate layer lithography |
| JPH09270420A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5843835A (en) | 1996-04-01 | 1998-12-01 | Winbond Electronics Corporation | Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching |
| JP3484317B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2004-01-06 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6103632A (en) | 1997-10-22 | 2000-08-15 | Applied Material Inc. | In situ Etching of inorganic dielectric anti-reflective coating from a substrate |
| US6121154A (en) | 1997-12-23 | 2000-09-19 | Lam Research Corporation | Techniques for etching with a photoresist mask |
| US6121155A (en) * | 1998-12-04 | 2000-09-19 | Advanced Micro Devices | Integrated circuit fabrication critical dimension control using self-limiting resist etch |
| US6299788B1 (en) | 1999-03-29 | 2001-10-09 | Mosel Vitelic Inc. | Silicon etching process |
| US6335292B1 (en) | 1999-04-15 | 2002-01-01 | Micron Technology, Inc. | Method of controlling striations and CD loss in contact oxide etch |
| KR100447263B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2004-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각 폴리머를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2001237218A (ja) | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2001091167A1 (fr) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Substrat pour masque de transfert, masque de transfert et son procede de fabrication |
| US6630288B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for forming sub-lithographic photoresist features by modification of the photoresist surface |
| US6673498B1 (en) * | 2001-11-02 | 2004-01-06 | Lsi Logic Corporation | Method for reticle formation utilizing metal vaporization |
-
2002
- 2002-08-14 US US10/219,995 patent/US6923920B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-07-31 AU AU2003257999A patent/AU2003257999A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-31 KR KR1020057002028A patent/KR100990064B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-07-31 EP EP03788310A patent/EP1529308A1/en not_active Withdrawn
- 2003-07-31 WO PCT/US2003/024137 patent/WO2004017390A1/en active Application Filing
- 2003-07-31 JP JP2004529231A patent/JP2005535936A/ja active Pending
- 2003-07-31 CN CNB038191784A patent/CN100423191C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-07 TW TW092121695A patent/TWI307121B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-06-20 US US11/157,782 patent/US20050230352A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8092703B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-01-10 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2010062363A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法およびレジストパターンの改質方法 |
| US8394720B2 (en) | 2008-09-04 | 2013-03-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and resist pattern modifying method |
| KR101439562B1 (ko) | 2008-09-04 | 2014-09-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 및 레지스트 패턴의 개질 방법 |
| JP2011166039A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法 |
| JP2014096500A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP2019049747A (ja) * | 2014-07-08 | 2019-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ネガティブトーン現像剤相溶性フォトレジスト組成物及び使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050230352A1 (en) | 2005-10-20 |
| US20040079727A1 (en) | 2004-04-29 |
| AU2003257999A1 (en) | 2004-03-03 |
| TWI307121B (en) | 2009-03-01 |
| EP1529308A1 (en) | 2005-05-11 |
| KR100990064B1 (ko) | 2010-10-26 |
| CN1689142A (zh) | 2005-10-26 |
| TW200407998A (en) | 2004-05-16 |
| US6923920B2 (en) | 2005-08-02 |
| CN100423191C (zh) | 2008-10-01 |
| WO2004017390A1 (en) | 2004-02-26 |
| KR20050047091A (ko) | 2005-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20050230352A1 (en) | Method and compositions for hardening photoresist in etching processes | |
| KR101476435B1 (ko) | 다중-레이어 레지스트 플라즈마 에치 방법 | |
| US7482280B2 (en) | Method for forming a lithography pattern | |
| US7838432B2 (en) | Etch process with controlled critical dimension shrink | |
| KR101111924B1 (ko) | 이중층 레지스트 플라즈마 에칭 방법 | |
| US6156629A (en) | Method for patterning a polysilicon gate in deep submicron technology | |
| US20020086547A1 (en) | Etch pattern definition using a CVD organic layer as an anti-reflection coating and hardmask | |
| JP2009529784A (ja) | 集積回路の限界寸法を制御するトリム工程 | |
| JP2004152784A (ja) | 微細パターンの作製方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2001223207A (ja) | エッチングポリマーを利用した半導体素子の製造方法及び半導体素子 | |
| CN101320224A (zh) | 对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法 | |
| TW200405417A (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| KR20060063714A (ko) | 높은 소스 및 낮은 충격 플라즈마를 이용하여 고에칭율을제공하는 유전체 에칭 방법 | |
| US20220263018A1 (en) | Multiply Spin-Coated Ultra-Thick Hybrid Hard Mask for Sub 60nm MRAM Devices | |
| US20050003310A1 (en) | Etching process including plasma pretreatment for generating fluorine-free carbon-containing polymer on a photoresist pattern | |
| US6921723B1 (en) | Etching method having high silicon-to-photoresist selectivity | |
| US6379872B1 (en) | Etching of anti-reflective coatings | |
| KR20190068464A (ko) | 기판을 멀티 패터닝하는 기술 | |
| KR19980065274A (ko) | 반도체 소자의 제조를 위한 유기막의 식각 방법 | |
| US6828250B1 (en) | Process for etching vias in organosilicate glass materials without causing RIE lag | |
| JP2003179064A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
| US5972796A (en) | In-situ barc and nitride etch process | |
| US7361604B2 (en) | Method for reducing dimensions between patterns on a hardmask | |
| JPH0766176A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| TW200414301A (en) | Forming bilayer resist patterns |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060726 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061002 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090501 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090513 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090803 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090901 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091228 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100127 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100219 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100616 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100622 |