JP6736314B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ソース・ドレイン不純物層とゲート電極とのフォトレジストパターン加工の合わせずれを考慮する必要が無く、その分トランジスタの微細化が可能となる。
(2)ソース・ドレイン不純物層用のフォトレジストパターンを必要以上に微細に加工する必要が無く、少なくともソース・ドレイン不純物層用の加工をより平易に行う事ができる。
更に、図2(d)に示す様に、必要に応じ、例えばゲート電極14−2を電極とするMOSトランジスタに対し、上記図2(c)の工程を所望の領域に繰り返し行う事で、ソース・ドレイン不純物層18を形成し、複数種類のMOSトランジスタを形成する。
トランジスタのゲート電極として一般的に使用される多結晶シリコン層は単結晶グレインの集合体から成る為、ソース・ドレイン不純物のイオン注入時に注入不純物がグレイン間の隙間を通るチャネリング現象により、多結晶シリコン層からなるゲート電極を突き抜け、ゲート電極下シリコン基板のトランジスタのチャネル領域にも不純物が注入されてしまう。
そこで、本願発明においては、チャネリング現象を防ぎ、トランジスタの閾値を安定化させることを可能とするMOSトランジスタの製造方法を提供することを課題とする。
(1)多結晶シリコン層のパターニングに使用した第1のフォトレジスト層を残したまま、不純物をイオン注入する。
(2)多結晶シリコン層のパターニングに使用した第1のフォトレジスト層を残したまま、不純物層用の第2のフォトレジスト層をパターニングし、不純物をイオン注入する。
(1)多結晶シリコン層のパターン越しのイオン注入時のチャネリング現象を抑制でき、例えばMOSトランジスタのソース・ドレイン不純物層を多結晶シリコン層のゲート電極に対しセルフアライン的にイオン注入により形成しても、トランジスタのチャネル領域への不純物注入が無い為、トランジスタの閾値を安定化させる事ができる。
(2)イオン注入前に多結晶シリコン層のパターン上の第1のフォトレジスト層を除去する必要がなく、後続のフォトレジスト除去工程、例えば第2のフォトレジスト層除去時に第1のフォトレジスト層を除去できるので、工程削減が可能となる。
まず図1(a)に示す様に、例えばシリコン基板1に、素子分離絶縁膜2と、ゲート絶縁膜3を形成する。続いて多結晶シリコン層4をシリコン基板1上の全面に形成した後、フォトレジストを塗布し多結晶シリコン層4のパターニングに対応したフォトマスクで露光を行い、第1のフォトレジスト層5を形成する。
(1)ソース・ドレイン不純物層とゲート電極とのフォトレジストパターン加工の合わせずれを考慮する必要が無く、その分トランジスタの微細化が可能となる。
(2)ソース・ドレイン不純物層用のフォトレジストパターンを必要以上に微細に加工する必要が無く、少なくともソース・ドレイン不純物層用の加工をより平易に行う事ができる。
(3)多結晶シリコン層から成るゲート電極上にフォトレジスト層があるので、不純物イオン注入時のチャネリングを抑制する事ができる。
(4)イオン注入前に多結晶シリコン層のパターン上の第1のフォトレジスト層を除去する必要がなく、後続のフォトレジスト除去工程、例えば第2のフォトレジスト層除去時に第1のフォトレジスト層を除去できるので、工程削減が可能となる。
2、12 素子分離絶縁膜
3、13 ゲート絶縁膜
4、14 多結晶シリコン層
4−1、4−2、14−1、14−2 ゲート電極
4−3、14−3 多結晶シリコン層からなる配線・抵抗膜
5、15 第1のフォトレジスト層
6 レジスト硬化層
7、9、10、17、18 ソース・ドレイン不純物層
8、16 第2のフォトレジスト層
Claims (10)
- 半導体基板上の多結晶シリコン層のパターンに対しセルフアライン的に不純物層を形成する半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に多結晶シリコン層を形成する工程と、
前記多結晶シリコン層上にダブルレジスト層を構成する第1のフォトレジスト層を塗布してからパターニングする工程と、
パターニングされた前記第1のフォトレジスト層にUV照射をする工程と、
前記UV照射した第1のフォトレジスト層をマスクとして前記多結晶シリコン層をエッチングして前記多結晶シリコン層からなるゲート電極および抵抗膜を形成する工程と、
前記UV照射した第1のフォトレジスト層を残したまま、前記半導体基板の全面にイオン注入を行い、前記多結晶シリコン層からなるゲート電極に対してセルフアライン的に高濃度のソース・ドレイン不純物層を形成する工程と、
前記UV照射した第1のフォトレジスト層上に第2のフォトレジスト層を塗布後パターニングして前記第2のフォトレジスト層の一部に開口部を設け、前記開口部に前記第1のフォトレジスト層を露出させる工程と、
前記開口部に第1の不純物をイオン注入する工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の不純物をイオン注入する工程に続き、前記第2のフォトレジスト層を除去する工程と、
前記第1のフォトレジスト層上に第3のフォトレジスト層を塗布後パターニングして前記第3のフォトレジスト層の一部に第2の開口部を設け、前記第2の開口部に前記第1のフォトレジスト層を露出させる工程と、
前記第2の開口部に第2の不純物をイオン注入する工程と、
をさらに有する請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2のフォトレジスト層を除去する工程において、フォトレジスト除去用溶剤を用いることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口部が少なくともMOSトランジスタの高濃度のソース・ドレイン不純物層形成領域を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パターニングされた前記第1のフォトレジスト層にUV照射する工程を、前記第1のフォトレジスト層をパターニングする工程後、かつ前記多結晶シリコン層をエッチングする工程前に行う事を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パターニングされた前記第1のフォトレジスト層にUV照射する工程を、前記第1のフォトレジスト層をパターニングする工程後、かつ前記多結晶シリコン層をエッチングする工程前に行う事を特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のフォトレジスト層形成におけるレジスト滴下量を前記第1のフォトレジスト層形成におけるレジスト滴下量よりも多くすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3のフォトレジスト層形成におけるレジスト滴下量を前記第1のフォトレジスト層形成におけるレジスト滴下量よりも多くすることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項、または請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のフォトレジスト層形成におけるレジストの粘度を前記第1のフォトレジスト層形成におけるレジストの粘度よりも高くすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3のフォトレジスト層形成におけるレジストの粘度を前記第1のフォトレジスト層形成におけるレジストの粘度よりも高くすることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項、または請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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