JP5736820B2 - 半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去手段と、
前記酸化物除去手段により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去手段と、
を有することを特徴とする半導体製造装置の洗浄装置。
前記酸化物除去手段は、前記酸化物に対してプラズマエッチングを行うことを特徴とする付記1に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
前記酸化物除去手段は、前記プラズマエッチングに際して、前記酸化物を不活性ガスのプラズマに曝すことを特徴とする付記2に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
前記付着物除去手段は、前記付着物に対して化学反応エッチングを行うことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
前記付着物除去手段は、前記化学反応エッチングに際して、水素ガス、塩素ガス、及び塩化水素ガスからなる群から選択された少なくとも一種をエッチングガスとして用いることを特徴とする付記4に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
前記酸化物除去手段による処理が終了した前記部品を、前記付着物除去手段に大気から隔離しながら移送することを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
前記付着物は、窒化物半導体を含有することを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
前記窒化物半導体は、GaN、AlGaN及びAlNからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記7に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
前記部品は、石英、炭化ケイ素及び炭素からなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する工程と、
前記酸化物を除去した前記付着物を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
前記酸化物を除去する工程において、前記酸化物に対してプラズマエッチングを行うことを特徴とする付記10に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
前記プラズマエッチングに際して、前記酸化物を不活性ガスのプラズマに曝すことを特徴とする付記11に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
前記付着物を除去する工程において、前記付着物に対して化学反応エッチングを行うことを特徴とする付記10乃至12のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
前記化学反応エッチングに際して、水素ガス、塩素ガス、及び塩化水素ガスからなる群から選択された少なくとも一種をエッチングガスとして用いることを特徴とする付記13に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
前記酸化物の除去が終了した前記部品を、前記付着物の除去を行うチャンバに大気から隔離しながら移送することを特徴とする付記10乃至14のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
前記付着物は、窒化物半導体を含有することを特徴とする付記10乃至15のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
前記窒化物半導体は、GaN、AlGaN及びAlNからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記16に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
前記部品は、石英、炭化ケイ素及び炭素からなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記10乃至17のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
半導体製造装置を用いて、基板上方に窒化物半導体層を形成する工程と、
前記半導体製造装置の部品を、付記1乃至9のいずれか1項に記載の洗浄装置を用いて洗浄する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2:付着物除去部
3:酸化物除去部
6:サセプタカバー
6a:ウェハ設置部
7:天井板
11:基板
12:バッファ層
13:i−GaN層
14a:i−AlGaN層
14b:n−AlGaN層
15g:ゲート電極
15s:ソース電極
15d:ドレイン電極
22:n−GaN層
Claims (9)
- 半導体製造装置の部品に付着した、Ga又はAlを含有した窒化物半導体の付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去手段と、
前記酸化物除去手段により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去手段と、
を有することを特徴とする半導体製造装置の洗浄装置。 - 前記酸化物除去手段は、前記酸化物に対してプラズマエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
- 前記酸化物除去手段は、前記プラズマエッチングに際して、前記酸化物を不活性ガスのプラズマに曝すことを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
- 前記付着物除去手段は、前記付着物に対して化学反応エッチングを行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
- 前記付着物除去手段は、前記化学反応エッチングに際して、水素ガス、塩素ガス、及び塩化水素ガスからなる群から選択された少なくとも一種をエッチングガスとして用いることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
- 前記酸化物除去手段による処理が終了した前記部品を、前記付着物除去手段に大気から隔離しながら移送することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
- 前記部品は、石英、炭化ケイ素及び炭素からなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体製造装置の洗浄装置。
- 半導体製造装置の部品に付着した、Ga又はAlを含有した窒化物半導体の付着物の表面の酸化物を除去する工程と、
前記酸化物を除去した前記付着物を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。 - 半導体製造装置を用いて、基板上方に窒化物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物半導体層を形成する工程で生じた、Ga又はAlを含有した窒化物半導体が付着した前記半導体製造装置の部品を、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の洗浄装置を用いて洗浄する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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