JP4260590B2 - 基板処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置のクリーニング方法に関する。

従来から、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）上にＨｆＯ_２のような金属酸化物の薄膜を形成する成膜装置としては、化学的に薄膜を形成する成膜装置が知られている。このような成膜装置では、ウェハを加熱するとともに成膜ガスを処理チャンバ内に供給して、ウェハ上に金属酸化膜を形成している。

ところで、ウェハに金属酸化膜が形成された後のサセプタ等には、金属酸化物が付着している。サセプタ等に金属酸化物が付着している状態で、他のウェハに金属酸化膜を形成すると、サセプタ等に付着している金属酸化物がサセプタ等から剥離し、ウェハを汚染することがある。このようなことから、定期的に処理チャンバ内をクリーニングして、サセプタ等に付着している金属酸化物を取り除いている。

現在、処理チャンバ内のクリーニングは様々な方法で行われている。例えば、ヘキサフルオロアセチルアセトン（ＣＦ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＦ_３：Ｈｈｆａｃ）を処理チャンバ内に供給し、金属酸化物を金属錯体に変えて、処理チャンバ内のクリーニングを行う技術が開示されている（特許文献１参照）。また、リモートチャンバ内で発生させたラジカルを処理チャンバ内に供給して、処理チャンバ内のクリーニングを行うことも知られている。
特開２０００−９６２４１号公報

しかしながら、Ｈｈｆａｃを使用して処理チャンバ内のクリーニングを行った場合には、金属錯体が処理チャンバ内で分解し、サセプタ等に金属等が再び付着してしまう。このため、サセプタ等に付着した金属等を十分に取り除くことができないという問題がある。

また、リモートチャンバ内で発生させたラジカルを使用して処理チャンバ内のクリーニングを行った場合には、リモートチャンバと処理チャンバとを繋ぐ輸送配管内でラジカルの活性が失われてしまい（失活）、サセプタ等に付着した金属酸化物を十分に取り除くことができないという問題がある。

本発明は上記従来の問題を解決するためになされたものである。即ち、処理容器内から十分に付着物を取り除くことができる基板処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。

本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、基板処理装置の処理容器内にβ−ジケトン、Ｏ ₂ 、Ｈ ₂ Ｏ及びＮ ₂ から構成されるプラズマ化されていない第１のクリーニングガスを供給し、前記プラズマ化されていない第１のクリーニングガスにより前記処理容器内から付着物を取り除く第１のクリーニング工程と、前記処理容器内に第２のクリーニングガスを供給し、前記処理容器内で前記第２のクリーニングガスをプラズマ化して、前記第1のクリーニング工程で残留した付着物を前記処理容器から取り除く第２のクリーニング工程と、を具備することを特徴としている。本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、第２のクリーニング工程を備えているので、処理容器内から十分に付着物を取り除くことができる。

上記β−ジケトンはヘキサフルオロアセチルアセトンであることが好ましい。β−ジケトンとしてヘキサフルオロアセチルアセトンを使用することにより、例えば付着物が金属或いは金属含有物である場合に金属或いは金属含有物を容易に金属錯体に変えることができる。

上記プラズマ化された第２のクリーニングガスは、不活性ガスイオンを含んでいることが好ましい。不活性ガスイオンを第２のクリーニングガスに含ませることにより、付着物をスパッタリングすることができる。

上記第１のクリーニング工程は、第２のクリーニング工程の前に行われることが好ましい。第１のクリーニング工程を第２のクリーニング工程の前に行うことにより、処理容器内から確実に付着物を取り除くことができる。

上記第１のクリーニング工程は、第２のクリーニング工程の後に行われてもよい。第１のクリーニング工程を第２のクリーニング工程の後に行うことにより、処理容器の損傷を低減させることができる。

上記付着物は金属及び金属酸化物の少なくともいずれか一方であってもよく、更に金属或いは金属酸化物の金属はＡｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、及びＰｒのうち少なくともいずれかであってもよい。本発明の基板処理装置のクリーニング方法によれば、付着物がこれらの物質であっても、処理容器内から十分に付着物を取り除くことができる。また、上記第１のクリーニングガスは、Ｈ ₂Ｏの代わりにＣ₂Ｈ₅ＯＨを含むことができる。

以上詳説したように、本発明の基板処理装置のクリーニング方法によれば、処理容器内から十分に付着物を取り除くことができる。

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は本実施の形態に係る成膜装置の模式的な構成図であり、図２は本実施の形態に係るＨｆＯ_２膜形成前のウェハＷを模式的に示した図である。

図１に示されるように、成膜装置１は、Ａｌから形成された処理チャンバ２を備えている。なお、Ａｌに限らず、ＳｉＣ、ステンレス鋼、或いはハステロイ等により処理チャンバを形成してもよい。また、処理チャンバ２は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）コーティング、或いはアルマイト処理等の表面処理が施されていてもよい。

処理チャンバ２の側部には開口２ａが形成されており、開口２ａ付近にはウェハＷを処理チャンバ２内に搬入する際及びウェハＷを処理チャンバ２内から搬出する際に開閉するゲートバルブ３が取り付けられている。

処理チャンバ２内には、ウェハＷを載置する略円板状のサセプタ４が配設されている。サセプタ４は、例えばＡｌＮやＡｌ_２Ｏ_３等のセラミックスから形成されている。ここで、サセプタ４に載置されるウェハＷについて説明する。

図２に示されるようにウェハＷは、Ｐ型Ｓｉ基板１０１を備えている。なお、Ｐ型Ｓｉ基板１０１に限らず、Ｎ型Ｓｉ基板であってもよい。Ｐ型Ｓｉ基板１０１の上部には、フィールド酸化膜として作用するＳｉＯ_２膜１０２が形成されている。ＳｉＯ_２膜１０２は、約１０００Åの厚さで形成されている。また、Ｐ型Ｓｉ基板１０１上及びＳｉＯ_２１０２膜上には、ゲート絶縁膜として作用するＳｉＯＮ膜１０３が形成されている。ＳｉＯＮ膜１０３は約１０Å以下の厚さで形成されている。なお、ＳｉＯＮ膜１０３に限らず、その他のＳｉ含有膜を形成してもよい。このようなＳｉ含有膜としては、例えば、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＮ膜等が挙げられる。

サセプタ４内には、下部電極として作用する電極５が配設されている。なお、電極５は、接地されている。また、サセプタ４内には、サセプタ４を所定の温度に加熱するヒータ６が配設されている。ヒータ６に電流が流されることにより、サセプタ４が所定の温度に加熱され、サセプタ４に載置されたウェハＷが所定の温度に加熱される。

サセプタ４の３箇所にはウェハＷを昇降させるための孔４ａが上下方向に形成されており、孔４ａの下方には孔４ａに挿入可能なウェハ昇降ピン７がそれぞれ配設されている。ウェハ昇降ピン７は、ウェハ昇降ピン７が立設するようにウェハ昇降ピン支持台８に固定されている。ウェハ昇降ピン支持台８には、エアシリンダ９が固定されている。エアシリンダ９の駆動でエアシリンダ９のロッド９ａが縮退することにより、ウェハ昇降ピン７が下降して、ウェハＷがサセプタ４に載置される。また、エアシリンダ９の駆動でロッド９ａが伸長することにより、ウェハ昇降ピン７が上昇して、ウェハＷがサセプタ４から離れる。

処理チャンバ２内部には、ロッド９ａを覆う伸縮自在なベローズ１０が配設されている。ベローズ１０でロッド９ａを覆うことにより、処理チャンバ２内の気密性が保持される。

処理チャンバ２の外側には、処理チャンバ２を所定の温度に加熱するヒータ１１が巻回されている。ヒータ１１に電流が流されることにより、処理チャンバ２が所定の温度に加熱される。

処理チャンバ２の上部には、開口が形成されている。この開口には、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４等のガスをサセプタ４に向けて供給するとともに上部電極として作用するシャワーヘッド１２が嵌め込まれている。

シャワーヘッド１２には、高周波電源１３が接続されている。処理チャンバ２内に後述する第２のクリーニングガスが供給された状態で、高周波電源１３が作動することにより、シャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧が印加され、第２のクリーニングガスがプラズマ化される。

シャワーヘッド１２は、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４等のガスを供給するガス供給部１２ａと、Ｏ_２等のガスを供給するガス供給部１２ｂとに分かれた構造になっている。シャワーヘッド１２をこのような構造にすることにより、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４とＯ_２とがシャワーヘッド１２の外部で混合される。ガス供給部１２ａ、１２ｂには、ガスを吐出する多数のガス供給孔がそれぞれ形成されている。

ガス供給部１２ａには先端が４方向に分かれたガス供給配管１４が接続されており、ガス供給部１２ｂには先端が３方向に分かれたガス供給配管１５が接続されている。ガス供給配管１４の先端には、成膜ガスを構成するためのＨｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４を収容したＨｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４供給源１６が接続されている。ガス供給配管１４には、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４を供給するための開閉自在なバルブ１７及びＨｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４の流量を調節するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１８が介在している。マスフローコントローラ１８が調節された状態で、バルブ１７が開かれることにより、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４供給源１６から所定の流量でＨｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４が処理チャンバ２内に供給される。

ガス供給配管１４の先端には、第１のクリーニングガスを構成するためのヘキサフルオロアセチルアセトン（ＣＦ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＦ_３：Ｈｈｆａｃ）を収容したＨｈｆａｃ供給源１９が接続されている。なお、Ｈｈｆａｃに限らず、その他のβ−ジケトンを使用してもよい。このようなβ−ジケトンとしては、例えば、テトラメチルへプタンジオン（（ＣＨ_３）_３ＣＣＯＣＨ_２ＣＯＣ（ＣＨ_３）_３：Ｈｔｈｄ）、アセチルアセトン（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）等が挙げられる。ガス供給配管１４には、Ｈｈｆａｃを供給するための開閉自在なバルブ２０及びＨｈｆａｃの流量を調節するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２１が介在している。マスフローコントローラ２１が調節された状態で、バルブ２０が開かれることにより、Ｈｈｆａｃ供給源１９から所定の流量でＨｈｆａｃが処理チャンバ２内に供給される。

ガス供給配管１４の先端には、第１のクリーニングガスを構成するためのＨ_２Ｏを収容したＨ_２Ｏ供給源２２が接続されている。なお、Ｈ_２Ｏの代わりにアルコールを使用してもよい。このようなアルコールとしては、例えばエタノール（Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ）等が挙げられる。ガス供給配管１４には、Ｈ_２Ｏを供給するための開閉自在なバルブ２３及びＨ_２Ｏの流量を調節するマスフローコントローラ２４が介在している。マスフローコントローラ２４が調節された状態で、バルブ２３が開かれることにより、Ｈ_２Ｏ供給源２２から所定の流量でＨ_２Ｏが処理チャンバ２内に供給される。

ガス供給配管１４の先端には、第１のクリーニングガスを構成するためのＮ_２を収容したＮ_２供給源２５が接続されている。ガス供給配管１４には、Ｎ_２を供給するための開閉自在なバルブ２６及びＮ_２の流量を調節するマスフローコントローラ２７が介在している。マスフローコントローラ２７が調節された状態で、バルブ２６が開かれることにより、Ｎ_２供給源２５から所定の流量でＮ_２が処理チャンバ２内に供給される。

ガス供給配管１５の先端には、成膜ガス及び第１のクリーニングガスを構成するためのＯ_２を収容したＯ_２供給源２８が接続されている。ガス供給配管１５には、Ｏ_２を供給するための開閉自在なバルブ２９及びＯ_２の流量を調節するマスフローコントローラ３０が介在している。マスフローコントローラ３０が調節された状態で、バルブ２９が開かれることにより、Ｏ_２供給源２８から所定の流量でＯ_２が処理チャンバ２内に供給される。

ガス供給配管１５の先端には、第２のクリーニングガスを構成するためのＮＦ_３を収容したＮＦ_３供給源３１が接続されている。ガス供給配管１５には、ＮＦ_３を供給するための開閉自在なバルブ３２及びＮＦ_３の流量を調節するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３３が介在している。マスフローコントローラ３３が調節された状態で、バルブ３２が開かれることにより、ＮＦ_３供給源３１から所定の流量でＮＦ_３が処理チャンバ２内に供給される。

ガス供給配管１５の先端には、第２のクリーニングガスを構成するためのＡｒを収容したＡｒ供給源３４が接続されている。なお、Ａｒに限らず、その他の希ガスを使用してもよい。ガス供給配管１５には、Ａｒを供給するための開閉自在なバルブ３５及びＡｒの流量を調節するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３６が介在している。マスフローコントローラ３６が調節された状態で、バルブ３５が開かれることにより、Ａｒ供給源３４から所定の流量でＡｒが処理チャンバ２内に供給される。

処理チャンバ２の底部には開口２ｂが形成されており、開口２ｂの縁部には処理チャンバ２内を排気する排気配管３７の一端が接続されている。排気配管３７の他端は、減圧ポンプ３８に接続されている。減圧ポンプ３８が作動することにより、排気配管３７を介して処理チャンバ２内が排気される。

排気配管３７には、処理チャンバ２内の排気を開始或いは停止させるシャットオフバルブ３９及び処理チャンバ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）４０が介在している。シャットオフバルブ３９が開かれた状態で、オートプレッシャコントローラ４０でコンダクタンスを調節することにより、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力に制御される。

以下、成膜装置１で行われる成膜について図３に沿って説明する。図３は本実施の形態に係る成膜装置１で行われる成膜の流れを示したフローチャートであり、図４は本実施の形態に係るＨｆＯ_２膜形成後のウェハＷを模式的に示した図である。

まず、減圧ポンプ３８が作動して、処理チャンバ２内の真空引きが行われる（ステップ１０１）。次いで、ヒータ６に電流が流されて、サセプタ４が加熱される（ステップ１０２）。

処理チャンバ２内の圧力が１．３３×１０〜１．３３×１０^３Ｐａまで低下し、かつサセプタ６の温度が３５０〜７００℃まで上昇した後、ゲートバルブ３が開かれ、ウェハＷを保持した図示しない搬送アームが伸長して、処理チャンバ２内にウェハＷが搬入される（ステップ１０３）。

その後、この搬送アームが縮退して、ウェハＷがウェハ昇降ピン７に載置される。ウェハＷがウェハ昇降ピン７に載置された後、エアシリンダ９の駆動によりウェハ昇降ピン７が下降して、ウェハＷがサセプタ４に載置される（ステップ１０４）。

ウェハＷの温度が３００〜７００℃に安定した後、バルブ１７、２９が開かれて、処理チャンバ２内に成膜ガスが供給される（ステップ１０５）。これにより、ＨｆＯ_２膜の形成が開始される。成膜ガスは、主に、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）とＯ_２とから構成されている。Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）とＯ_２とは、それぞれ１０〜１００ｍｇ／ｍｉｎ、及び１０〜１０００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバ２内に供給される。処理チャンバ２内に成膜ガスが供給されると、成膜ガスに含まれているＨｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）とＯ_２とが反応し、図４に示されるようにウェハＷ上にＨｆＯ_２膜１０４が形成される。

所定時間経過後、バルブ１７、２９が閉じられて、成膜ガスの供給が停止される（ステップ１０６）。これにより、ＨｆＯ_２膜１０４の形成が終了される。ＨｆＯ_２膜１０４の形成が終了された後、エアシリンダ９の駆動によりウェハ昇降ピン７が上昇して、ウェハＷがサセプタ４から離れる（ステップ１０７）。

その後、ゲートバルブ３が開かれ、図示しない搬送アームが伸長して、搬送アームにウェハＷが保持される。最後に、搬送アームが縮退して、ウェハＷが処理チャンバ２から搬出される（ステップ１０８）。

以下、成膜装置１で行われるクリーニングについて図５〜図７に沿って説明する。図５は本実施の形態に係る成膜装置１で行われるクリーニングの流れを示したフローチャートであり、図６（ａ）は本実施の形態で使用されるＨｈｆａｃの化学構造を模式的に示した図であり、図６（ｂ）は本実施の形態で生成されるＨｆ錯体の化学構造を模式的に示した図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）は本実施の形態に係る成膜装置１で行われるクリーニングを模式的に示した図である。

まず、減圧ポンプ３８が作動して、処理チャンバ２内の真空引きが行われる（ステップ２０１ａ）。次いで、ヒータ６、１１に電流が流されて、サセプタ４及び処理チャンバ２が加熱される（ステップ２０２ａ）。

処理チャンバ２内の圧力が１．３３×１０^２〜２．６６×１０^４Ｐａまで低下し、かつ処理チャンバ２が３００〜５００℃まで上昇した後、バルブ２０、２３、２６、２９が開かれて、図７（ａ）に示されるように、処理チャンバ２内に第１のクリーニングガスが供給される（ステップ２０３ａ）。これにより、Ｈｈｆａｃクリーニングが開始される。第１のクリーニングガスは、主に、Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、及びＮ_２から構成されている。Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、及びＮ_２は、それぞれ３２０〜３８０ｓｃｃｍ、１０〜５０ｓｃｃｍ、１００〜３００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバ２内に供給される。また、Ｈ_２Ｏは、濃度が約５０〜５０００ｐｐｍ、好ましくは１００〜１０００ｐｐｍになるように処理チャンバ２内に供給される。なお、第１のクリーニングガスからＨｈｆａｃ以外のものを取り除いてもよい。第１のクリーニングガスが処理チャンバ２内に供給されると、第１のクリーニングガスに含まれているＨｈｆａｃとサセプタ４等に付着しているＨｆＯ_２とが反応して、サセプタ４等からＨｆＯ_２が取り除かれる。反応機構は次の通りである。Ｈｈｆａｃは互変異性を備えている。そのため、図６（ａ）に示されるようにＨｈｆａｃは構造Ｉと構造ＩＩとの２つの構造をとり得る。構造ＩＩでは、Ｃ＝Ｏ結合とＣ−Ｃ結合との間にわたって共有電子が非局在化するのでＯ−Ｈ結合が切れ易い。そして、このＯ−Ｈ結合が切れると、ＨｈｆａｃがＨｆＯ_２のＨｆに配位して、図６（ｂ）に示されるようなＨｆ錯体が形成される。生成されたＨｆ錯体は、気化し、サセプタ４等から離間する。このような反応機構でＨｈｆａｃによりサセプタ４等に付着したＨｆＯ_２が取り除かれる。なお、サセプタ４等から離間したＨｆ錯体は、排気により処理チャンバ２外に排出される。

所定時間経過後、バルブ２０、２３、２６、２９が閉じられて、第１のクリーニングガスの供給が停止される（ステップ２０４ａ）。これにより、Ｈｈｆａｃクリーニングが終了される。

次いで、バルブ３２、３５が開かれて、処理チャンバ２内に第２のクリーニングガスが供給される。また、高周波電源１３が作動して、図７（ｂ）に示されるように、シャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧が印加される（ステップ２０５ａ）。これにより、プラズマクリーニングが開始される。第２のクリーニングガスは、主に、ＮＦ_３及びＡｒから構成されている。ＮＦ_３及びＡｒは、それぞれ１００〜１０００ｓｃｃｍ、３００〜３０００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバ２内に供給される。なお、第２のクリーニングガスからＮＦ_３及びＡｒのいずれか一方を取り除いてもよい。第２のクリーニングガスが供給されている状態で、シャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧が印加されると、第２のクリーニングガスがプラズマ化され、Ｆラジカル及びＡｒイオンが発生する。Ｆラジカルは、ＨｆＯ_２等と反応し、ＨｆＦ_４を生成させる。生成されたＨｆＦ_４は、気化し、サセプタ４等から離間する。一方、Ａｒイオンは、高周波電圧の印加により加速され、ＨｆＯ_２等をスパッタリングする。これらにより、サセプタ４等からＨｆＯ_２等が取り除かれる。なお、サセプタ４等から離間したＨｆＦ_４等は、排気により処理チャンバ２外に排出される。

所定時間経過後、バルブ３２、３５が閉じられて、第２のクリーニングガスの供給が停止される。また、高周波電源１３の作動が停止されて、高周波電圧の印加が停止される（ステップ２０６ａ）。これにより、プラズマクリーニングが終了される。

本実施の形態では、Ｈｈｆａｃクリーニングを行い、その後プラズマクリーニングを行うので、処理チャンバ２内から十分にＨｆＯ_２等を取り除くことができる。即ち、Ｈｈｆａｃクリーニングを行った後に更にプラズマクリーニングを行うことにより、Ｈｈｆａｃクリーニングで取り除くことができなかったＨｆＯ_２等を処理チャンバ２内から取り除くことができる。ここで、プラズマクリーニングは、処理チャンバ２内で第２のクリーニングガスをプラズマ化することにより行われる。このため、発生したＦラジカルが失活し難く、多くのＨｆＯ_２と反応させることができる。また、ＡｒイオンによるＨｆＯ_２等のスパッタリングを生じさせることができる。それ故、処理チャンバ２内から十分にＨｆＯ_２等を取り除くことができる。

本実施の形態では、Ｈｈｆａｃクリーニングとプラズマクリーニングとを行うので、プラズマクリーニングのみ行う場合よりもサセプタ４等の損傷を低減させることができる。即ち、処理チャンバ内で第２のクリーニングガスをプラズマ化すると、Ａｒイオンが処理チャンバ内で加速されるので、サセプタ等がスパッタリングされ、サセプタ等が損傷してしまう。これに対し、本実施の形態では、第１のクリーニングガスをプラズマ化しないで行うＨｈｆａｃクリーニングとプラズマクリーニングとを行うので、プラズマクリーニングのみ行う場合よりもサセプタ４等の損傷を低減させることができる。

本実施の形態では、Ｈｈｆａｃクリーニングとプラズマクリーニングとを行うので、Ｈｈｆａｃクリーニングのみ行う場合よりもコストを低減させることができる。即ち、Ｈｈｆａｃは高価なものである。それ故、Ｈｈｆａｃクリーニングのみで処理チャンバ内のクリーニングすると、高コストになってしまう。これに対し、本実施の形態では、Ｈｈｆａｃクリーニングとプラズマクリーニングとを行うので、Ｈｈｆａｃの使用量を低減させることができる。それ故、Ｈｈｆａｃクリ−ニングのみでクリーニングする場合よりもコストを低減させることができる。
（実施例１）

以下、実施例１について説明する。本実施例では、第１の実施の形態と同じクリーニング方法でＨｆＯ_２を取り除いたときのＨｆＯ_２の残留状態を観察した。

観察条件について説明する。本実施例では、サセプタ等に付着しているＨｆＯ_２を取り除くのではなく、サセプタ上にＨｆＯ_２の薄膜が形成されたウェハを載置し、このＨｆＯ_２の薄膜を第１のクリーニングガスによりエッチングした。第１のクリーニングガスにはＨｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２、及びＨ_２Ｏから構成されているものを使用し、第２のクリーニングガスにはＮＦ_３及びＡｒから構成されているものを使用した。Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２の流量は、それぞれ３７５ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍであり、第１のクリーニングガス中のＨ_２Ｏの濃度は１０００ｐｐｍであった。また、処理チャンバ内の圧力は、約６．６５×１０^３Ｐａであった。このような条件下で、第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２の薄膜をエッチングし、その後プラズマ化した第２のクリーニングガスによりＨｆＯ_２の薄膜をエッチングした。なお、本実施例と比較するために、比較例としてＨｈｆａｃのみでエッチングした場合についてもＨｆＯ_２の残留状態を観察した。

観察結果について説明する。比較例のウェハ上にはＨｆＯ_２が残留していた。これに対し、本実施例のウェハ上にはＨｆＯ_２がほぼ残留していなかった。

上記結果から、本実施例のクリーニング方法でクリーニングした場合には、処理チャンバから十分にＨｆＯ_２を取り除くことができるということが確認された。なお、ＨｆＯ_２の薄膜の代わりにＡｌ_２Ｏ_３の薄膜をウェハ上に形成した場合も結果は同様であった。
（実施例２）

以下、実施例２について説明する。本実施例では、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合におけるサセプタ等の最適温度について調べた。

測定条件について説明する。本実施例では、第１のクリーニングガスによりウェハ上に形成されたＨｆＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の薄膜をそれぞれエッチングした。第１のクリーニングガスには、Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２、及びＨ_２Ｏから構成されたものを使用した。Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２の流量は、それぞれ３７５ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍであり、第１のクリーニングガス中のＨ_２Ｏの濃度は１０００ｐｐｍであった。また、処理チャンバ内の圧力は、約６．６５×１０^３Ｐａであった。このような条件下で、サセプタの温度を変えながら第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３のエッチングを行った。

次に、測定結果について説明する。図８（ａ）は、本実施例に係るサセプタの温度とＨｆＯ_２のエッチレートとの関係を示したグラフであり、図８（ｂ）は、本実施例に係るサセプタの温度とＡｌ_２Ｏ_３のエッチレートとの関係を示したグラフである。

図８（ａ）のグラフから分かるように、本実施例のＨｆＯ_２のエッチングにおいては、サセプタの温度が３８０〜４２０℃の場合に高いエッチレートが得られた。一方、図８（ｂ）のグラフから分かるように、本実施例のＡｌ_２Ｏ_３のエッチングにおいては、サセプタの温度が３００〜４００℃の場合に高いエッチレートが得られた。

上記結果から、Ｈｈｆａｃクリーニングにより処理チャンバ内からＨｆＯ_２を取り除く場合においては、サセプタ等の温度を３８０〜４２０℃に維持することが好ましいと考えられる。また、Ｈｈｆａｃクリーニングにより処理チャンバ内からＡｌ_２Ｏ_３を取り除く場合においては、サセプタ等の温度を３００〜４００℃に維持することが好ましいと考えられる。
（実施例３）

以下、実施例３について説明する。本実施例では、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合におけるＯ_２の最適流量について調べた。

測定条件について説明する。本実施例では、第１のクリーニングガスによりウェハ上に形成されたＨｆＯ_２の薄膜をエッチングした。第１のクリーニングには、Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２、及びＨ_２Ｏから構成されたものを使用した。Ｈｈｆａｃ、Ｎ_２の流量は、それぞれ３７５ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍであり、第１のクリーニングガス中のＨ_２Ｏの濃度は１０００ｐｐｍであった。また、処理チャンバ内の圧力は、約６．６５×１０^３Ｐａであった。このような条件下で、Ｏ_２の流量を変えながら第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２のエッチングを行った。

測定結果について説明する。図９は、本実施例に係るＯ_２の流量とエッチレートとの関係を示したグラフである。図９のグラフから分かるように、Ｏ_２の流量が１０〜５０ｓｃｃｍの場合に高いエッチレートが得られた。

上記結果から、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合においては、Ｏ_２の流量を１０〜５０ｓｃｃｍにすることが好ましいと考えられる。
（実施例４）

以下、実施例４について説明する。本実施例では、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合における処理チャンバ内の最適圧力について調べた。

測定条件について説明する。本実施例では、第１のクリーニングガスによりウェハ上に形成されたＨｆＯ_２の薄膜をエッチングした。第１のクリーニングガスには、Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２、及びＨ_２Ｏから構成されたものを使用した。Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２の流量は、それぞれ３７５ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍであり、第１のクリーニングガス中のＨ_２Ｏの濃度は１０００ｐｐｍであった。また、サセプタの温度は、約４００℃であった。このような条件下で、処理チャンバ内の圧力を変えながら第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２のエッチングを行った。

測定結果について説明する。図１０は、本実施例に係る処理チャンバ内の圧力とエッチレートとの関係を示したグラフである。図１０のグラフから分かるように、チャンバ内の圧力が５．０×１０^３〜９．０×１０^３Ｐａの場合に高いエッチレートが得られた。

上記結果から、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合においては、処理チャンバ内の圧力を５．０×１０^３〜９．０×１０^３Ｐａに維持することが好ましいと考えられる。
（実施例５）

以下、実施例５について説明する。本実施例では、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合におけるＨｈｆａｃの最適流量について調べた。

測定条件について説明する。本実施例では、第１のクリーニングガスによりウェハ上に形成されたＨｆＯ_２の薄膜をエッチングした。第１のクリーニングガスには、Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２、及びＨ_２Ｏから構成されたものを使用した。Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２は、それぞれ１５：２：８になるように供給され、第１のクリーニングガス中のＨ_２Ｏの濃度は１０００ｐｐｍであった。また、処理チャンバ内の圧力は約６．６５×１０^３Ｐａであり、サセプタの温度は約４００℃であった。このような条件下で、Ｈｈｆａｃの流量を変えながら第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２のエッチングを行った。

測定結果について説明する。図１１は、本実施例に係るＨｈｆａｃとエッチレートとの関係を示したグラフである。図１１のグラフから分かるように、Ｈｈｆａｃの流量が３２０〜３８０ｓｃｃｍの場合に高いエッチレートが得られた。

上記結果から、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合においては、Ｈｈｆａｃを３２０〜３８０ｓｃｃｍの流量で流すことが好ましいと考えられる。
（実施例６）

以下、実施例６について説明する。本実施例では、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合におけるＨ_２Ｏの最適濃度について調べた。

測定条件について説明する。本実施例では、第１のクリーニングガスによりウェハ上に形成されたＨｆＯ_２の薄膜をエッチングした。第１のクリーニングガスには、Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２、及びＨ_２Ｏから構成されたものを使用した。Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２の流量は、それぞれ３７５ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍであった。また、処理チャンバ内の圧力は約６．６５×１０^３Ｐａであり、サセプタの温度は約４００℃であった。このような条件下で、Ｈ_２Ｏの濃度を変えながら第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２のエッチングを行った。

測定結果について説明する。図１２は、本実施例に係るＨ_２Ｏの濃度とエッチレートとの関係を示したグラフである。図１２のグラフから分かるように、Ｈ_２Ｏの濃度が１００〜１０００ｐｐｍの場合に高いエッチレートが得られた。

上記結果から、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合においては、Ｈ_２Ｏの濃度を１００〜１０００ｐｐｍに維持することが好ましいと考えられる。
（実施例７）

以下、実施例７について説明する。本実施例では、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合におけるＣ_２Ｈ_５ＯＨの最適濃度について調べた。

測定条件について説明する。本実施例では、第１のクリーニングガスによりウェハ上に形成されたＨｆＯ_２をエッチングした。第１のクリーニングガスには、Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２、及びＣ_２Ｈ_５ＯＨから構成されたものを使用した。Ｈｈｆａｃ、Ｏ_２、Ｎ_２の流量は、それぞれ３７５ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍであった。また、処理チャンバ内の圧力は約６．６５×１０^３Ｐａであり、サセプタの温度は約４００℃であった。このような条件下で、Ｃ_２Ｈ_５ＯＨの濃度を変えながら第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２のエッチングを行った。

次に、測定結果について説明する。図１３は、本実施例に係るＣ_２Ｈ_５ＯＨの濃度とエッチレートとの関係を示したグラフである。図１３のグラフから分かるように、Ｃ_２Ｈ_５ＯＨの濃度が５００〜１０００ｐｐｍの場合に高いエッチレートが得られた。

上記結果から、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う場合においては、Ｃ_２Ｈ_５ＯＨの濃度を５００〜１０００ｐｐｍに維持することが好ましいと考えられる。
（第２の実施の形態）

以下、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、以下本実施の形態以降の実施の形態のうち先行する実施の形態と重複する内容については説明を省略することもある。本実施の形態では、プラズマクリーニングを行った後に、Ｈｈｆａｃクリーニングを行う例について説明する。図１４は本実施の形態に係る成膜装置１で行われるクリーニングの流れを示したフローチャートである。

まず、減圧ポンプ３８が作動して、処理チャンバ２内の真空引きが行われる（ステップ２０１ｂ）。次いで、ヒータ６、１１に電流が流されて、サセプタ４及び処理チャンバ２が加熱される（ステップ２０２ｂ）。

処理チャンバ２内の圧力が１．３３×１０^２〜２．６６×１０^４Ｐａまで低下し、かつ処理チャンバ２が３００〜５００℃まで上昇した後、バルブ３２、３５が開かれて、処理チャンバ２内に第２のクリーニングガスが供給される。また、高周波電源１３が作動して、シャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧が印加される（ステップ２０３ｂ）。

所定時間経過後、バルブ３２、３５が閉じられて、第２のクリーニングガスの供給が停止される。また、高周波電源１３の作動が停止されて、高周波電圧の印加が停止される（ステップ２０４ｂ）。

次いで、バルブ２０、２３、２６、２９が開かれて、処理チャンバ２内に第１のクリーニングガスが供給される（ステップ２０５ｂ）。所定時間経過後、バルブ２０、２３、２６、２９が閉じられて、第１のクリーニングガスの供給が停止される（ステップ２０６ｂ）。

本実施の形態では、プラズマクリーニングを行い、その後Ｈｈｆａｃクリーニングを行うので、Ｈｈｆａｃクリーニングを行い、その後プラズマクリーニングを行う場合よりもサセプタ４等の損傷を低減させることができる。即ち、まず、Ｈｈｆａｃクリーニングを行うと、ＨｈｆａｃクリーニングによりＨｆＯ_２等がある程度取り除かれるので、ＨｆＯ_２等が存在しない領域が増加する。このため、その後にプラズマクリーニングを行うと、サセプタ等にＡｒイオン等のイオンが衝突する割合が大きくなる。これに対し、本実施の形態では、まず、プラズマクリーニングを行うので、ＨｆＯ_２等が存在しない領域が比較的少ない状態でこのクリーニングを行うことができる。その結果、Ｈｈｆａｃクリーニングを行い、その後プラズマクリーニングを行う場合よりもサセプタ４等に衝突するイオンが低減する。それ故に、Ｈｈｆａｃクリーニングを行った後にプラズマクリーニングを行う場合よりもサセプタ４等の損傷を低減させることができる。
（第３の実施の形態）

以下、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態では、ＮＦ_３等から第１のクリーニングガスを構成した例について説明する。図１５は本実施の形態に係る成膜装置の模式的な構成図である。

図１５に示されるように、本実施の形態の成膜装置１は、処理チャンバ２から離れたリモートチャンバ５１を備えている。リモートチャンバ５１には、ＮＦ_３等のガスをリモートチャンバ５１に供給するための先端が２方向に分かれたガス供給配管５２が接続されている。

ガス供給配管５２の一方の先端は、ＮＦ_３供給源３１に接続されている。ガス供給配管５２には、バルブ５３及びＮＦ_３の流量を調節するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４が介在している。マスフローコントローラ５４が調節された状態で、バルブ５３が開かれることにより、ＮＦ_３供給源３１から所定の流量でＮＦ_３がリモートチャンバ５１内に供給される。

ガス供給配管５２の他方の先端は、Ａｒ供給源３４に接続されている。ガス供給配管５２には、バルブ５５及びＡｒの流量を調節するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５６が介在している。マスフローコントローラ５６が調節された状態で、バルブ５５が開かれることにより、Ａｒ供給源３４から所定の流量でＡｒがリモートチャンバ５１内に供給される。

リモートチャンバ５１の周囲には、リモートチャンバ５１内に供給されたＮＦ_３を励起させて、ＮＦ_３からＦラジカルを発生させるラジカル発生機構５７が配設されている。ラジカル発生機構５７は、主に、リモートチャンバ５１に巻回された金属線５８と金属線５８に接続された高周波電源５９とから構成されている。高周波電源５９の作動で金属線５８に高周波電流が流されることにより、リモートチャンバ５１内に供給されたＮＦ_３が励起して、Ｆラジカルが発生する。なお、Ｆラジカルの他にＡｒイオン等のイオンも発生する。

リモートチャンバ５１及び処理チャンバ２には、リモートチャンバ５１内で発生したＦラジカル等を処理チャンバ２内に輸送するため輸送配管６０が接続されている。輸送配管６０には、ゲートバルブ６１が介在している。

以下、成膜装置１で行われるクリーニングについて図１６〜図１７に沿って説明する。図１６は本実施の形態に係る成膜装置１で行われるクリーニングの流れを示したフローチャートであり、図１７は本実施の形態に係る成膜装置１で行われるクリーニングの模式的な図である。

まず、ゲートバルブ６１が開かれた状態で、減圧ポンプ３８が作動して、処理チャンバ２内の真空引きが行われる（ステップ２０１ｃ）。次いで、ヒータ６、１１に電流が流されて、サセプタ４及び処理チャンバ２が加熱される（ステップ２０２ｃ）。

処理チャンバ２内の圧力が１．３３×１０^２〜２．６６×１０^４Ｐａまで低下し、かつ処理チャンバが３００〜５００℃まで上昇した後、バルブ５３、５５が開かれて、リモートチャンバ５１内に第１のクリーニングガスが供給される。また、図１７に示されるように、高周波電源５９が作動して、金属線５８に高周波電流が供給される（ステップ２０３ｃ）。これにより、リモートプラズマクリーニングが開始される。本実施の形態の第１のクリーニングガスは、ＮＦ_３及びＡｒから構成されている。ＮＦ_３及びＡｒは、それぞれ１００〜１０００ｓｃｃｍ、３００〜３０００ｓｃｃｍの流量でリモートチャンバ５１内に供給される。第１のクリーニングガスが供給されている状態で、銅線５８に高周波電流が供給されると、第１のクリーニングガスがプラズマ化し、Ｆラジカル及びＡｒイオン等が発生する。Ｆラジカル及びＡｒイオン等は、輸送配管６０を介して処理チャンバ２内に送られる。そして、処理チャンバ２内に送られたＦラジカルがＨｆＯ_２と反応し、ＨｆＦ_４等を生成させる。これにより、サセプタ４等からＨｆＯ_２等が取り除かれる。

所定時間経過後、バルブ５３、５５及びゲートバルブ６１が閉じられて、第１のクリーニングガスの供給が停止される。また、高周波電源５９の作動が停止されて、高周波電流の供給が停止される（ステップ２０４ｃ）。これにより、リモートプラズマクリーニングが終了される。

次いで、バルブ３２、３５が開かれて、処理チャンバ２内に第２のクリーニングガスが供給される。また、高周波電源１３が作動して、シャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧が印加される（ステップ２０５ｃ）。

所定時間経過後、バルブ３２、３５が閉じられて、第２のクリーニングガスの供給が停止される。また、高周波電源１３の作動が停止されて、高周波電圧の印加が停止される（ステップ２０６ｃ）。

（実施例８）
以下、実施例８について説明する。本実施例では、リモートプラズマクリーニングを行う場合におけるサセプタ等の最適温度について調べた。

測定条件について説明する。本実施例では、第１のクリーニングガスによりウェハ上に形成されたＨｆＯ_２の薄膜をそれぞれエッチングした。第１のクリーニングガスには、ＮＦ_３及びＡｒから構成されたものを使用した。ＮＦ_３及びＡｒの流量は、それぞれ５００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍであった。また、処理チャンバ内の圧力は、約２．００×１０^２Ｐａであった。このような条件下で、サセプタの温度を変えながら第１のクリーニングガスによりＨｆＯ_２のエッチングを行った。

次に、測定結果について説明する。図１８は、本実施例に係るサセプタの温度とエッチレートとの関係を示したグラフである。図１８のグラフから分かるように、サセプタの温度が４００〜５００℃の場合に高いエッチレートが得られた。

上記結果から、リモートプラズマクリーニングを行う場合においては、サセプタ等の温度を４００〜４５０℃に維持することが好ましいと考えられる。

なお、本発明は、上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記第１〜第３の実施の形態では、処理チャンバ２内からＨｆＯ_２等を取り除いているが、ＨｆＯ_２等に限らず、その他の金属酸化物及び金属を取り除くことも可能である。金属酸化物としては、例えばＨｆＳｉＯ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＺｒＳｉＯ_４、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｃｅ_２Ｏ_３、Ｐｒ_２Ｏ_３、Ｐｒ_６Ｏ_１１、及びＰｒＯ_２等が挙げられる。また、金属としては、例えば、Ａｌ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、及びＰｒ等が挙げられる。

上記第１〜第３の実施の形態では、平行平板型方式で第２のクリーニングガスをプラズマ化しているが、その他の方式により第２のクリーニングガスをプラズマ化してもよい。その他の方式としては、例えば、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式が挙げられる。ＩＣＰ方式で、第２のクリーニングガスをプラズマ化した場合には、Ｆラジカルが処理チャンバ２の隅々まで行き届く。

上記第１〜第３の実施の形態では、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４とＯ_２とを同時に処理チャンバ２内に供給しているが、交互に供給してもよい。Ｈｆ（ｔ−ＯＣ_４Ｈ_９）_４とＯ_２とを交互に供給した場合には、ウェハＷ上にステップカバレージに優れたＨｆＯ_２膜が形成される。また、第１〜第３の実施の形態では、ウェハＷを使用しているが、ガラス基板を使用してもよい。

図１は第１の実施の形態に係る成膜装置の模式的な構成図である。 図２は第１の実施の形態に係るＨｆＯ_２膜形成前のウェハを模式的に示した図である。 図３は第１の実施の形態に係る成膜装置で行われる成膜の流れを示したフローチャートである。 図４は第１の実施の形態に係るＨｆＯ_２膜形成後のウェハを模式的に示した図である。 図５は第１の実施の形態に係る成膜装置で行われるクリーニングの流れを示したフローチャートである。 図６（ａ）は第１の実施の形態で使用されるＨｈｆａｃの化学構造を模式的に示した図であり、図６（ｂ）は第１の実施の形態で生成されるＨｆ錯体の化学構造を模式的に示した図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は第１の実施の形態に係る成膜装置で行われるクリーニングを模式的に示した図である。 図８（ａ）は実施例２に係るサセプタの温度とＨｆＯ_２のエッチレートとの関係を示したグラフであり、図８（ｂ）は実施例２に係るサセプタの温度とＡｌ_２Ｏ_３のエッチレートとの関係を示したグラフである。 図９は実施例３に係るＯ_２の流量とエッチレートとの関係を示したグラフである。 図１０は実施例４に係る処理チャンバ内の圧力とエッチレートとの関係を示したグラフである。 図１１は実施例５に係るＨｈｆａｃとエッチレートとの関係を示したグラフである。 図１２は実施例６に係るＨ_２Ｏの濃度とエッチレートとの関係を示したグラフである。 図１３は実施例７に係るＣ_２Ｈ_５ＯＨの濃度とエッチレートとの関係を示したグラフである。 図１４は第２の実施の形態に係る成膜装置で行われるクリーニングの流れを示したフローチャートである。 図１５は第３の実施の形態に係る成膜装置の模式的な構成図である。 図１６は第３の実施の形態に係る成膜装置で行われるクリーニングの流れを示したフローチャートである。 図１７は第３の実施の形態に係る成膜装置で行われるクリーニングの模式的な図である。 図１８は実施例８に係るサセプタの温度とエッチレートとの関係を示したグラフである。

符号の説明

Ｗ…ウェハ、２…処理チャンバ、１３，６１…高周波電源、１９…Ｈｈｆａｃ供給源、３１，５３…ＮＦ_３供給源、３４，５６…Ａｒ供給源、５１…リモートチャンバ。

Claims (9)

1. 基板処理装置の処理容器内にβ−ジケトン、Ｏ ₂ 、Ｈ ₂ Ｏ及びＮ ₂ から構成されるプラズマ化されていない第１のクリーニングガスを供給し、前記プラズマ化されていない第１のクリーニングガスにより前記処理容器内から付着物を取り除く第１のクリーニング工程と、
   前記処理容器内に第２のクリーニングガスを供給し、前記処理容器内で前記第２のクリーニングガスをプラズマ化して、前記第1のクリーニング工程で残留した付着物を前記処理容器から取り除く第２のクリーニング工程と、
   を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
2. 前記β−ジケトンは、ヘキサフルオロアセチルアセトンであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置のクリーニング方法。
3. 前記プラズマ化された第２のクリーニングガスは、Ｆラジカルを含んでいることを特徴とする請求項１又は2に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
4. 前記プラズマ化された第２のクリーニングガスは、不活性ガスイオンを含んでいることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
5. 前記第１のクリーニング工程は、前記第２のクリーニング工程の前に行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
6. 前記第１のクリーニング工程は、前記第２のクリーニング工程の後に行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
7. 前記付着物は、金属及び金属酸化物の少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
8. 前記金属或いは前記金属酸化物の金属は、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、及びＰｒのうち少なくともいずれかである特徴とする請求項７記載の基板処理装置のクリーニング方法。
9. 前記第１のクリーニングガスは、Ｈ ₂Ｏの代わりにＣ₂Ｈ₅ＯＨを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。

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