CN103681246B - 一种SiC材料清洗方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 43
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 58
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 27
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 16
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 4
- 239000006210 lotion Substances 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ABUYHLHZEPVAGR-UHFFFAOYSA-N [O].[Kr] Chemical compound [O].[Kr] ABUYHLHZEPVAGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical group OCCN(CCO)CCN(CCO)CCO BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
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- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
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- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02252—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
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- Power Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本发明涉及SiC器件的制作工艺,具体涉及一种SiC材料清洗方法。该方法包括SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗、常规有机清洗,关键的工艺改进是在氧等离子体氧化成膜过程中增加了其它含氧混合等离子体气体。本发明解决了以往只采用氧气等离子体氧化工艺的成膜效率低的问题,可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜,该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗。
Description
技术领域
本发明涉及SiC器件的制作工艺,具体涉及一种SiC材料清洗方法。
背景技术
在SiC半导体器件的制备方法中,进行清洗工艺来去除粘附到材料表面的物质,如自然氧化物、有机沾污和金属离子等。尤其的自然氧化物,仅仅依靠BOE腐蚀是无法解决自然氧化层带来的表面结构和性能不佳的问题,因此一般需要在BOE腐蚀前先氧化一层更厚的氧化层。常规的SiC清洗方法为高温(1200摄氏度以上)氧化SiC;BOE去除氧化膜;无机清洗,即1#清洗液(氨水:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;2#清洗液(盐酸:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;BOE清洗液(氢氟酸:氟化铵=1:20),常温,时间30秒(即常规无机清洗);有机清洗,即丙酮超声5分;异丙醇超声5分;DI水冲洗5分(即常规有机清洗)。该方法需要用到高温氧化炉,设备大,温度高,功耗大,费时费力,不方便经济。也有利用包含臭氧的超纯水来清洗SiC衬底以形成氧化物膜,而后利用稀氢氟酸水溶液来去除氧化膜。不过该方法形成氧化物膜的效率非常低,要达到所需的氧化效果可能要用上几天时间,几乎没有产业价值。也有利用纯氧等离子体来清洗SiC衬底以形成氧化物膜,而后利用稀氢氟酸水溶液来去除氧化膜。不过该方法形成氧化物膜的效率也很低,要达到所需的氧化效果可能要用上几小时甚至几十小时时间,也没有太大产业价值。
SiC材料由于Si-C键能大,氧在SiC中扩散系数低等因素,SiC是很难氧化的,故在上述第一种方法中需要用到高达1200摄氏度的高温炉来达到氧化的目的,这种高温加工工艺不能满足人们在器件制造中所要求的经济便捷的要求,而其它所述方法又因氧化效率低也无法在产业用得到广泛应用。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种SiC材料清洗方法,该方法突破高温氧化工艺的高能耗和常规清洗的氧化效率低的技术障碍,实现高效低碳的氧化清洗技术,且该方法便捷快速,经济可靠。
本发明的目的是采用下述技术方案实现的:
本发明提供一种SiC材料清洗方法,所述方法包括依次进行的SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗和常规有机清洗步骤,其改进之处在于,在SiC材料含氧混合等离子体氧化过程中增加含氧混合等离子体,所述含氧混合等离子体轰击SiC材料表面,通过控制Si-C键的打开,增加氧等离子体气体与Si发生氧化反应的概率,在SiC材料表面获得氧化薄膜。
进一步地,所述SiC材料含氧混合等离子体包括氧气氩气混合气体、臭氧氩气混合气体和氧气氪气混合气体;
SiC材料含氧混合等离子体的氧化方法包括:反应离子体氧化和感应耦合等离子体氧化和去胶机离子体氧化。
进一步地,所述SiC材料含氧混合等离子体氧化包括下述步骤:
①待清洗的SiC材料进行常规清洗,包括常规无机清洗和常规有机清洗);
②采用含氧混合等离子体对清洗后的SiC材料进行氧化。
进一步地,采用BOE腐蚀、HF酸腐蚀、反应离子刻蚀RIE和感应耦合等离子体刻蚀ICP方式进行氧化膜去除。
进一步地,所述常规无机清洗包括如下清洗步骤:
(1)1#清洗液:氨水:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;BOE清洗液:氢氟酸:氟化铵=1:20,常温,时间30秒;2#清洗液:盐酸:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;BOE清洗液:氢氟酸:氟化铵=1:20,常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干;或
(2)1#清洗液:氨水:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;2#清洗液:盐酸:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;BOE清洗液:氢氟酸:氟化铵=1:20,常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干。
进一步地,所述常规有机清洗包括如下清洗步骤:
<1>异丙醇超声5分;丙酮超声5分;异丙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干;或
<2>丙酮超声5分;乙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干。
与现有技术比,本发明达到的有益效果是:
本发明改变了以往通过高温氧化工艺的高能耗和常规等离子体清洗的氧化效率低的技术障碍,可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜,该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗,实现高效低碳的氧化清洗技术,且该方法快速,经济可靠。
附图说明
图1是本发明提供的有自然氧化层2的待清洗的SiC材料1的示意图;
图2是本发明提供的等离子体氧化后的SiC材料结构示意图;
图3是本发明提供的氧化膜去除后的SiC材料结构示意图;
图4是本发明提供的常规有机清洗后的SiC材料结构示意图;
其中:1-待清洗的SiC材料;2-自然氧化层;3-等离子体氧化层;4-清洗后的SiC材料;
图5是本发明提供的SiC材料清洗方法的流程图;
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
本发明需要解决的技术问题是提供一种SiC材料清洗方法,突破高温氧化工艺的高能耗和常规清洗的氧化效率低的技术障碍,实现高效低碳的氧化清洗技术,且该方法便捷快速,经济可靠。
为解决上述问题,本发明采取的技术方案的流程图如图5所示,包括SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗、常规有机清洗,关键的工艺改进是在氧等离子体氧化成膜过程中增加了其它气体,其它等离子体气体高能离子轰击SiC表面,可以打开Si-C键,极大增加了氧等离子体与Si发生氧化反应的概率,本发明解决了以往只采用氧气等离子体氧化工艺的成膜效率低的问题,可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜,该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗。
含氧混合等离子体为氧气氩气混合气体、臭氧氩气混合气体、氧气氪气混合气体等,由于另一种气体为高原子序数惰性气体,一方面不会与SiC材料发生化学刻蚀而造成材料损失,另一方面可以获得更高能量的物理轰击,打开更多的Si-C键,获得比较高的氧化效率;等离子体氧化方法包括RIE、ICP和去胶机等等离子体方法,获得均匀高密度等离子体,氧化厚度均匀;氧化膜去除方法包括BOE腐蚀、HF酸腐蚀、RIE、ICP刻蚀等方法,氧化膜去除彻底快速。
实施例一
图1是有自然氧化层2的待清洗的SiC材料1
1)含氧混合等离子体氧化:
对待清洗的SiC材料1依次进行
1.1常规无机清洗:
工艺流程如下:
1#清洗液(氨水:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;BOE清洗液(氢氟酸:氟化铵=1:20),常温,时间30秒;2#清洗液(盐酸:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;BOE清洗液(氢氟酸:氟化铵=1:20),常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干。
1.2常规有机清洗:
异丙醇超声5分;丙酮超声5分;异丙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干。
1.3等离子体氧化,采用Tegal903e-RIE刻蚀机,清洗参数如下:
氧气流量40sccm,氩气流量10sccm,刻蚀气压1260mTorr,RF功率300W,清洗时间10分,见图2。
2)氧化膜去除:
湿法腐蚀去除自然氧化层2和等离子体氧化层3,具体工艺如下:
BOE清腐蚀液(氢氟酸:氟化铵=1:20)常温腐蚀5分;去离子水冲洗5分;甩干机甩干,见图3。
3)常规无机清洗:
工艺流程如下:
1#清洗液(氨水:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;BOE清洗液(氢氟酸:氟化铵=1:20),常温,时间30秒;2#清洗液(盐酸:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;BOE清洗液(氢氟酸:氟化铵=1:20),常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干。
4)常规有机清洗:
异丙醇超声5分;丙酮超声5分;异丙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干。见图4。
实施例二
图1是有自然氧化层2的待清洗的SiC材料1
1)含氧混合等离子体氧化:
对待清洗的SiC材料1依次进行
1.1常规无机清洗:
工艺流程如下:
1#清洗液(氨水:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;2#清洗液(盐酸:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;BOE清洗液(氢氟酸:氟化铵=1:20),常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干。
1.2常规有机清洗:
丙酮超声5分;乙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干。
1.3等离子体氧化,采用TSTS HRM-ICP刻蚀机,清洗参数如下:
氧气流量40sccm,氩气流量10sccm,刻蚀气压50mTorr,RF功率300W,ICP功率800,清洗时间8分,见图2。
2)氧化膜去除:
湿法腐蚀去除自然氧化层2和等离子体氧化层3,具体工艺如下:
稀HF腐蚀液(氢氟酸:水=1:30)常温腐蚀6分;去离子水冲洗5分;甩干机甩干,见图3。
3)常规无机清洗:
工艺流程如下:
1#清洗液(氨水:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;2#清洗液(盐酸:双氧水:纯水=1:1:5),温度70°时间5分;BOE清洗液(氢氟酸:氟化铵=1:20),常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干。
4)常规有机清洗:
丙酮超声5分;乙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干。见图4。
本发明解决了以往只采用氧气等离子体氧化工艺的成膜效率低的问题,可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜,该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制,尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换,而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (1)
1.一种SiC材料清洗方法,所述方法包括依次进行的SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗和常规有机清洗步骤,其特征在于,在SiC材料含氧混合等离子体氧化过程中增加含氧混合等离子体,所述含氧混合等离子体轰击SiC材料表面,通过控制Si-C键的打开,增加氧等离子体气体与Si发生氧化反应的概率,在SiC材料表面获得氧化薄膜;
所述SiC材料含氧混合等离子体包括氧气氩气混合气体、臭氧氩气混合气体和氧气氪气混合气体;
SiC材料含氧混合等离子体的氧化方法包括:反应离子体氧化和感应耦合等离子体氧化和去胶机等离子体氧化;
所述SiC材料含氧混合等离子体氧化包括下述步骤:
①对待清洗的SiC材料进行常规清洗,包括常规无机清洗和常规有机清洗;
②采用含氧混合等离子体对清洗后的SiC材料进行氧化;
采用BOE腐蚀、HF酸腐蚀、反应离子刻蚀RIE和感应耦合等离子体刻蚀ICP方式进行氧化膜去除;
所述常规无机清洗包括如下清洗步骤:
(1)1#清洗液:氨水:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;BOE清洗液:氢氟酸:氟化铵=1:20,常温,时间30秒;2#清洗液:盐酸:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;BOE清洗液:氢氟酸:氟化铵=1:20,常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干;或
(2)1#清洗液:氨水:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;2#清洗液:盐酸:双氧水:纯水=1:1:5,温度70°时间5分;BOE清洗液:氢氟酸:氟化铵=1:20,常温,时间30秒;DI水冲洗5分,烘干;
所述常规有机清洗包括如下清洗步骤:
<1>异丙醇超声5分;丙酮超声5分;异丙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干;或
<2>丙酮超声5分;乙醇超声5分;DI水冲洗5分,烘干。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310744030.9A CN103681246B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 一种SiC材料清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310744030.9A CN103681246B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 一种SiC材料清洗方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103681246A CN103681246A (zh) | 2014-03-26 |
CN103681246B true CN103681246B (zh) | 2017-10-17 |
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ID=50318457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310744030.9A Active CN103681246B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 一种SiC材料清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103681246B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104810255A (zh) * | 2015-02-28 | 2015-07-29 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法 |
CN106884152A (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于清洗工艺制备铜衬底的方法 |
JP6269709B2 (ja) | 2016-03-28 | 2018-01-31 | 株式会社Sumco | 清浄度評価方法、洗浄条件決定方法、およびシリコンウェーハの製造方法 |
CN107393845A (zh) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | 北大方正集团有限公司 | 一种碳化硅晶体晶圆表面析出碳的去除系统及方法 |
CN107359109A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-17 | 成都海威华芯科技有限公司 | 一种半导体晶圆清洗方法 |
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CN102637587A (zh) * | 2011-02-15 | 2012-08-15 | 富士通株式会社 | 用于半导体制造设备的清洗设备以及使用其制造半导体器件的方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6890861B1 (en) * | 2000-06-30 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
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JP2012004272A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体の洗浄方法および炭化珪素半導体の洗浄装置 |
JP5867718B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2016-02-24 | 国立大学法人大阪大学 | SiC表面へのグラフェンの低温形成方法 |
-
2013
- 2013-12-30 CN CN201310744030.9A patent/CN103681246B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103681246A (zh) | 2014-03-26 |
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