CN107359109A - 一种半导体晶圆清洗方法 - Google Patents

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陈�峰
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Abstract

本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种半导体晶圆清洗方法，包括以下步骤：S1、利用丙酮清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用强氧化性溶液清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用BOE处理晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用。本发明能去除工艺中产生的生成物或污染物，得到干净的晶圆。

Description

一种半导体晶圆清洗方法
技术领域
本发明属于半导体制作技术领域，具体涉及一种半导体晶圆清洗方法。
背景技术
二十一世纪，社会迈入了超高速发展的信息时代，全球数据业务呈现几何倍数的爆炸式增长，对网络带宽和速度的需求飞速增长，导致半导体芯片集成度越来越高、功能越来越多、线宽越来越小。因此，在半导体芯片的制作过程中，清洁、干净的晶圆表面对半导体器件制作越来越重要。例如：前道工艺的表面生成物、particle等污染物将导致器件在湿法工艺时出现表面起伏，严重时将影响器件击穿，以及后续金属或介质淀积的黏附性和可靠性等特性。
传统的清洗方式一般采用丙酮去除有机物与稀释酸去除氧化物相结合的方式，但无法去除一些前后道工艺产生的生成物或污染物，如RIE产生的polymer、particle等物质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以去除工艺产生的生成物或污染物的半导体晶圆清洗方法。
为达到上述要求，本发明采取的技术方案是：提供一种半导体晶圆清洗方法，包括以下步骤：S1、利用丙酮清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用强氧化性溶液清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用BOE处理晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：采用丙酮去除晶圆表面有机物，强氧化性溶液去除晶圆表面前道工艺的生成物残留，稀释的BOE去除晶圆表面氧化物，最后利用一定浓度的氨水去除晶圆表面吸附的颗粒，从而得到干净的半导体晶圆。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本发明的流程图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
如图1所示，本实施例提供一种半导体晶圆清洗方法，包括以下步骤：
S1、利用丙酮清洗晶圆表面，清洗时间为2min；之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；
S2、在完成步骤S1后的20min内采用强氧化性溶液清洗晶圆表面，清洗的时间5min，强氧化性溶液为双氧水、浓硫酸、浓硝酸、高锰酸钾、重鉻酸钾中的一种溶液或者多种溶液的混合溶液；之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；
S3、在完成步骤S2后的20min内采用BOE处理晶圆表面，BOE的浓度为1％～10％，处理时间为3min；之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；
S4、在完成步骤S3后的20min内采用稀释氨水清洗晶圆表面，稀释氨水的浓度为1％～10％，稀释氨水的清洗时间为3min；之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用。
以上实施例仅表示本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明保护范围。因此本发明的保护范围应该以权利要求为准。

Claims (10)

1.一种半导体晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、利用丙酮清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；
S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用强氧化性溶液清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；
S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用BOE处理晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；
S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中丙酮的清洗时间为0.5～3min。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中的第一规定时间为20min。
4.根据权利要求1或3所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中强氧化性溶液为双氧水、浓硫酸、浓硝酸、高锰酸钾、重鉻酸钾中的一种溶液或者多种溶液的混合溶液。
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中采用强氧化性溶液清洗的时间0.5～10min。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S3中的第二规定时间为20min。
7.根据权利要求1或6所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S3中BOE的浓度为1％～10％，采用BOE处理晶圆表面的时间为0.5～5min。
8.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中的第三规定时间为20min。
9.根据权利要求1或8所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中稀释氨水的浓度为1％～10％。
10.根据权利要求9所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中稀释氨水的清洗时间为0.5～5min。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112992657A (zh) * 2021-03-01 2021-06-18 昆山基侑电子科技有限公司 一种晶圆清洗方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681246A (zh) * 2013-12-30 2014-03-26 国家电网公司 一种SiC材料清洗方法

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RJ01 Rejection of invention patent application after publication
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