CN105405743A - 一种电子硅片的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电子硅片的清洗方法，包括如下的步骤：(1)用有机溶剂清洗(甲苯、丙酮、酒精等)；(2)用去离子水清洗；(3)用无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水)清洗；(4)用氢氟酸清洗；(5)再用去离子水清洗；(6)超声波清洗；(7)最后对硅片真空高温处理便可。本发明的有益效果是：1.清洗后绝缘性能会更好。2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。3.清除杂质，防止硅片中杂质离子影响P-N结的性能，导致P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。4.清除杂质，防止杂质的存在影响硅片的电阻率不稳定。
Description
技术领域
本发明涉及电子领域，具体涉及一种电子硅片的清洗方法。
背景技术
硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大、器件失效等。
发明内容
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种电子硅片的清洗方法，包括如下的步骤：
(1)用有机溶剂清洗；
(2)用去离子水清洗；
(3)用无机酸清洗；
(4)用氢氟酸清洗；
(5)再用去离子水清洗；
(6)超声波清洗；
(7)最后对硅片真空高温处理便可。
进一步，所述有机溶剂为甲苯、丙酮或者酒精中的一种。
进一步，所述无机酸为盐酸、硫酸、硝酸或者王水中的一种。
本发明的有益效果是：
1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。
2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。
3.清除杂质，防止硅片中杂质离子影响P-N结的性能，导致P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。
4.清除杂质，防止杂质的存在影响硅片的电阻率不稳定。
具体实施方式
以下结合具体实例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
一种电子硅片的清洗方法，包括如下的步骤：
(1)用有机溶剂清洗(甲苯、丙酮、酒精等)；
(2)用去离子水清洗；
(3)用无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水)清洗；
(4)用氢氟酸清洗；
(5)再用去离子水清洗；
(6)超声波清洗；
(7)最后对硅片真空高温处理便可。
a.有机溶剂在清洗中的作用
用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。
b.无机酸在清洗中的作用
硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：
2Al+6HCl＝2AlCl3+3H2↑
Al2O3+6HCl＝2AlCl3+3H2O
Cu+2H2SO4＝CuSO4+SO2↑+2H2O
2Ag+2H2SO4＝2Ag2SO4+SO2↑+2H2O
Cu+4HNO3＝Cu(NO3)2+2NO2↑+2H2O
Ag+4HNO3＝AgNO3+2NO2↑+2H2O
Au+4HCl+HNO3＝H[AuCl4]+NO↑+2H2O
SiO2+4HF＝SiF4↑+2H2O
如果HF过量则反应为：SiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2O
H2O2的作用：在酸性环境中作还原剂，在碱性环境中作氧化剂。在硅片清洗中对一些难溶物质转化为易溶物质。如：
As2S5+20H2O2+16NH4OH＝2(NH4)3AsO4+5(NH4)2SO4+28H2O
MnO2+H2SO4+H2O2＝MnSO4+2H2O+O2↑
c.RCA清洗方法及原理
在生产中，对于硅片表面的清洗中常用RCA方法及基于RCA清洗方法的改进，RCA清洗方法分为Ⅰ号清洗剂(APM)和Ⅱ号清洗剂(HPM)。Ⅰ号清洗剂(APM)的配置是用去离子水、30％过氧化氢、25％的氨水按体积比为：5:1：1至5:2：1；Ⅱ号清洗剂(HPM)的配置是用去离子水、30％过氧化氢、25％的盐酸按体积比为：6:1：1至8:2：1。其清洗原理是：氨分子、氯离子等与重金属离子如：铜离子、铁离子等形成稳定的络合物如：[AuCl4]-、[Cu(NH3)4]2+、[SiF6]2-。
清洗时，一般应在75～85℃条件下清洗、清洗15分钟左右，然后用去离子水冲洗干净。Ⅰ号清洗剂(APM)和Ⅱ号清洗剂(HPM)有如下优点：
(1)这两种清洗剂能很好地清洗硅片上残存的蜡、松香等有机物及一些重金属如金、铜等杂质；
(2)相比其它清洗剂，可以减少钠离子的污染；
(3)相比浓硝酸、浓硫酸、王水及铬酸洗液，这两种清洗液对环境的污染很小，操作相对方便。
超声波在清洗中的作用
目前在半导体生产清洗过程中已经广泛采用超声波清洗技术。超声波清洗有以下优点：
(1)清洗效果好，清洗手续简单，减少了由于复杂的化学清洗过程中而带来的杂质的可能性；
(2)对一些形状复杂的容器或器件也能清洗。
超声波清洗的缺点是当超声波的作用较大时，由于震动磨擦，可能使硅片表面产生划道等损伤。
超声波产生的原理：高频震荡器产生超声频电流，传给换能器，当换能器产生超声震动时，超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部而传播到液体内，在液体中产生超声波。
真空高温处理的清洗作用
硅片经过化学清洗和超声波清洗后，还需要将硅片真空高温处理，再进行外延生长。真空高温处理的优点：
(1)由于硅片处于真空状态，因而减少了空气中灰尘的玷污；
(2)硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加，因而真空高温易除去；
(3)硅片可能玷污的一些固体杂质在真空高温条件下，易发生分解而除去。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种电子硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下的步骤：
(1)用有机溶剂清洗；
(2)用去离子水清洗；
(3)用无机酸清洗；
(4)用氢氟酸清洗；
(5)再用去离子水清洗；
(6)超声波清洗；
(7)最后对硅片真空高温处理便可。
2.根据权利要求1所述的电子硅片的清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯、丙酮或者酒精中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的电子硅片的清洗方法，其特征在于，所述无机酸为盐酸、硫酸、硝酸或者王水中的一种。
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| CN107884856A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-06 | 中国科学院上海技术物理研究所杭州大江东空间信息技术研究院 | 一种基于紫外固化的新型光栅复制方法 |
| CN111554564A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-08-18 | 山东九思新材料科技有限责任公司 | 一种清除硅片表面污染杂质的方法 |
| CN112547667A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-26 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种晶片夹具及其清洗方法 |
| CN113130301A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种解决单晶perc电池片碱抛el气流印的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
| US20090044843A1 (en) * | 2005-03-14 | 2009-02-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate cleaning system |
| CN101974785A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-02-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅多晶原料的清洗方法 |
| CN102698983A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种太阳能级硅片的清洗方法 |
| CN103762155A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-30 | 上海申和热磁电子有限公司 | 硅片清洗工艺 |
-
2015
- 2015-10-14 CN CN201510664241.0A patent/CN105405743A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
| US20090044843A1 (en) * | 2005-03-14 | 2009-02-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate cleaning system |
| CN101974785A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-02-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅多晶原料的清洗方法 |
| CN102698983A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种太阳能级硅片的清洗方法 |
| CN103762155A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-30 | 上海申和热磁电子有限公司 | 硅片清洗工艺 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107884856A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-06 | 中国科学院上海技术物理研究所杭州大江东空间信息技术研究院 | 一种基于紫外固化的新型光栅复制方法 |
| CN111554564A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-08-18 | 山东九思新材料科技有限责任公司 | 一种清除硅片表面污染杂质的方法 |
| CN112547667A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-26 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种晶片夹具及其清洗方法 |
| CN113130301A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种解决单晶perc电池片碱抛el气流印的方法 |
| CN113130301B (zh) * | 2021-04-15 | 2023-09-22 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种解决单晶perc电池片碱抛el气流印的方法 |
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