CN105405743A - 一种电子硅片的清洗方法 - Google Patents
一种电子硅片的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105405743A CN105405743A CN201510664241.0A CN201510664241A CN105405743A CN 105405743 A CN105405743 A CN 105405743A CN 201510664241 A CN201510664241 A CN 201510664241A CN 105405743 A CN105405743 A CN 105405743A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- silicon chip
- acid
- cleaning method
- impurities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 43
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N nitric acid;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.O[N+]([O-])=O NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 abstract 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020439 SiO2+4HF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020479 SiO2+6HF Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 iron ion Chemical class 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000357 manganese(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电子硅片的清洗方法，包括如下的步骤：(1)用有机溶剂清洗(甲苯、丙酮、酒精等)；(2)用去离子水清洗；(3)用无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水)清洗；(4)用氢氟酸清洗；(5)再用去离子水清洗；(6)超声波清洗；(7)最后对硅片真空高温处理便可。本发明的有益效果是：1.清洗后绝缘性能会更好。2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。3.清除杂质，防止硅片中杂质离子影响P-N结的性能，导致P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。4.清除杂质，防止杂质的存在影响硅片的电阻率不稳定。
Description
技术领域
本发明涉及电子领域，具体涉及一种电子硅片的清洗方法。
背景技术
硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大、器件失效等。
发明内容
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种电子硅片的清洗方法，包括如下的步骤：
(1)用有机溶剂清洗；
(2)用去离子水清洗；
(3)用无机酸清洗；
(4)用氢氟酸清洗；
(5)再用去离子水清洗；
(6)超声波清洗；
(7)最后对硅片真空高温处理便可。
进一步，所述有机溶剂为甲苯、丙酮或者酒精中的一种。
进一步，所述无机酸为盐酸、硫酸、硝酸或者王水中的一种。
本发明的有益效果是：
1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。
2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。
3.清除杂质，防止硅片中杂质离子影响P-N结的性能，导致P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。
4.清除杂质，防止杂质的存在影响硅片的电阻率不稳定。
具体实施方式
以下结合具体实例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
一种电子硅片的清洗方法，包括如下的步骤：
(1)用有机溶剂清洗(甲苯、丙酮、酒精等)；
(2)用去离子水清洗；
(3)用无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水)清洗；
(4)用氢氟酸清洗；
(5)再用去离子水清洗；
(6)超声波清洗；
(7)最后对硅片真空高温处理便可。
a.有机溶剂在清洗中的作用
用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。
b.无机酸在清洗中的作用
硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：
2Al+6HCl＝2AlCl3+3H2↑
Al2O3+6HCl＝2AlCl3+3H2O
Cu+2H2SO4＝CuSO4+SO2↑+2H2O
2Ag+2H2SO4＝2Ag2SO4+SO2↑+2H2O
Cu+4HNO3＝Cu(NO3)2+2NO2↑+2H2O
Ag+4HNO3＝AgNO3+2NO2↑+2H2O
Au+4HCl+HNO3＝H[AuCl4]+NO↑+2H2O
SiO2+4HF＝SiF4↑+2H2O
如果HF过量则反应为：SiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2O
H2O2的作用：在酸性环境中作还原剂，在碱性环境中作氧化剂。在硅片清洗中对一些难溶物质转化为易溶物质。如：
As2S5+20H2O2+16NH4OH＝2(NH4)3AsO4+5(NH4)2SO4+28H2O
MnO2+H2SO4+H2O2＝MnSO4+2H2O+O2↑
c.RCA清洗方法及原理
在生产中，对于硅片表面的清洗中常用RCA方法及基于RCA清洗方法的改进，RCA清洗方法分为Ⅰ号清洗剂(APM)和Ⅱ号清洗剂(HPM)。Ⅰ号清洗剂(APM)的配置是用去离子水、30％过氧化氢、25％的氨水按体积比为：5:1：1至5:2：1；Ⅱ号清洗剂(HPM)的配置是用去离子水、30％过氧化氢、25％的盐酸按体积比为：6:1：1至8:2：1。其清洗原理是：氨分子、氯离子等与重金属离子如：铜离子、铁离子等形成稳定的络合物如：[AuCl4]-、[Cu(NH3)4]2+、[SiF6]2-。
清洗时，一般应在75～85℃条件下清洗、清洗15分钟左右，然后用去离子水冲洗干净。Ⅰ号清洗剂(APM)和Ⅱ号清洗剂(HPM)有如下优点：
(1)这两种清洗剂能很好地清洗硅片上残存的蜡、松香等有机物及一些重金属如金、铜等杂质；
(2)相比其它清洗剂，可以减少钠离子的污染；
(3)相比浓硝酸、浓硫酸、王水及铬酸洗液，这两种清洗液对环境的污染很小，操作相对方便。
超声波在清洗中的作用
目前在半导体生产清洗过程中已经广泛采用超声波清洗技术。超声波清洗有以下优点：
(1)清洗效果好，清洗手续简单，减少了由于复杂的化学清洗过程中而带来的杂质的可能性；
(2)对一些形状复杂的容器或器件也能清洗。
超声波清洗的缺点是当超声波的作用较大时，由于震动磨擦，可能使硅片表面产生划道等损伤。
超声波产生的原理：高频震荡器产生超声频电流，传给换能器，当换能器产生超声震动时，超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部而传播到液体内，在液体中产生超声波。
真空高温处理的清洗作用
硅片经过化学清洗和超声波清洗后，还需要将硅片真空高温处理，再进行外延生长。真空高温处理的优点：
(1)由于硅片处于真空状态，因而减少了空气中灰尘的玷污；
(2)硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加，因而真空高温易除去；
(3)硅片可能玷污的一些固体杂质在真空高温条件下，易发生分解而除去。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种电子硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下的步骤：
(1)用有机溶剂清洗；
(2)用去离子水清洗；
(3)用无机酸清洗；
(4)用氢氟酸清洗；
(5)再用去离子水清洗；
(6)超声波清洗；
(7)最后对硅片真空高温处理便可。
2.根据权利要求1所述的电子硅片的清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯、丙酮或者酒精中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的电子硅片的清洗方法，其特征在于，所述无机酸为盐酸、硫酸、硝酸或者王水中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510664241.0A CN105405743A (zh) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | 一种电子硅片的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510664241.0A CN105405743A (zh) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | 一种电子硅片的清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105405743A true CN105405743A (zh) | 2016-03-16 |
Family
ID=55471157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510664241.0A Pending CN105405743A (zh) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | 一种电子硅片的清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105405743A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107884856A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-06 | 中国科学院上海技术物理研究所杭州大江东空间信息技术研究院 | 一种基于紫外固化的新型光栅复制方法 |
| CN111554564A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-08-18 | 山东九思新材料科技有限责任公司 | 一种清除硅片表面污染杂质的方法 |
| CN112547667A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-26 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种晶片夹具及其清洗方法 |
| CN113130301A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种解决单晶perc电池片碱抛el气流印的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
| US20090044843A1 (en) * | 2005-03-14 | 2009-02-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate cleaning system |
| CN101974785A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-02-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅多晶原料的清洗方法 |
| CN102698983A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种太阳能级硅片的清洗方法 |
| CN103762155A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-30 | 上海申和热磁电子有限公司 | 硅片清洗工艺 |
-
2015
- 2015-10-14 CN CN201510664241.0A patent/CN105405743A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
| US20090044843A1 (en) * | 2005-03-14 | 2009-02-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate cleaning system |
| CN101974785A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-02-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅多晶原料的清洗方法 |
| CN102698983A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种太阳能级硅片的清洗方法 |
| CN103762155A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-30 | 上海申和热磁电子有限公司 | 硅片清洗工艺 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107884856A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-06 | 中国科学院上海技术物理研究所杭州大江东空间信息技术研究院 | 一种基于紫外固化的新型光栅复制方法 |
| CN111554564A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-08-18 | 山东九思新材料科技有限责任公司 | 一种清除硅片表面污染杂质的方法 |
| CN112547667A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-26 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种晶片夹具及其清洗方法 |
| CN113130301A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种解决单晶perc电池片碱抛el气流印的方法 |
| CN113130301B (zh) * | 2021-04-15 | 2023-09-22 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种解决单晶perc电池片碱抛el气流印的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105405743A (zh) | 一种电子硅片的清洗方法 | |
| CN100428406C (zh) | 半导体管芯总成晶粒表面的处理方法 | |
| CN102343352B (zh) | 一种太阳能硅片的回收方法 | |
| CN100571900C (zh) | 一种阳极氧化零件表面的清洗方法 | |
| CN106373862A (zh) | 适于异质结电池片湿法清洗的处理方法 | |
| CN103464415A (zh) | 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法 | |
| CN103087850A (zh) | 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法 | |
| CN105914137B (zh) | 一种湿法硅片清洗方法 | |
| CN111446188A (zh) | 一种半导体硅片表面清洗机构及其清洗工艺 | |
| CN103013711A (zh) | 一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺 | |
| CN104218122A (zh) | 一种降低金刚线切割的多晶硅反射率的制绒方法 | |
| CN104752551A (zh) | 一种太阳能硅片的清洗方法 | |
| CN107706089A (zh) | 铝线干法刻蚀后湿法清洗方法 | |
| CN104505425A (zh) | 一种制备太阳能单晶背抛光电池片的方法 | |
| CN102364697B (zh) | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 | |
| CN112251233B (zh) | 一种去磨纹的硅蚀刻液 | |
| CN114361272A (zh) | 一种太阳能电池片制绒后酸洗添加剂及使用方法 | |
| CN108511316A (zh) | 半导体晶片的清洗方法 | |
| CN105206709A (zh) | 一种用于优化黑硅表面结构的处理方法 | |
| CN108384667A (zh) | 一种硅片清洗液及硅片清洗方法 | |
| CN112143573B (zh) | 硅片碱抛后清洗用添加剂及其应用 | |
| CN108766869A (zh) | 一种太阳能电池硅片槽式清洗方法 | |
| CN114613697A (zh) | 降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法 | |
| CN101246316A (zh) | 组份可回收式集成电路清洗液 | |
| CN211929444U (zh) | 一种半导体硅片表面清洗机构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160316 |