CN112547667A - 一种晶片夹具及其清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶片夹具及清洗方法，包括如下步骤：第一步、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡；第二步、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗；第三步、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡；第四步、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉；第五步、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗；第六步、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒；第七步、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃±10℃烘箱内烤30到60分钟，完成夹具清洗。
Description
技术领域
本发明属于夹具清洗技术领域，具体涉及一种晶片夹具及其清洗方法。
背景技术
石英晶体谐振器是用压电石英(即水晶)制成的压电器件。谐振器质量与晶片表面洁净度与镀膜质量有直接关系。现使用的镀膜夹具清洗后表面特别是镀膜孔位附近任残留有银屑，残留银屑，会将晶片顶高影响晶片镀膜效果或者在晶片表面留下划痕。为保证成品质量，提高夹具的清洗效果，现需一种清洗装置与清洗方式对镀膜夹具进行有效的清洗。
发明内容
本发明的目的是解决上述问题，提供一种结构简单，操作方便，清洗效果好的晶片夹具及其清洗方法。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡；
S2、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗，同时冲洗掉附着的物理杂质；
S3、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡；
S4、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉，同时冲洗掉附着的物理杂质；
S5、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗；
S6、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒；
S7、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃±10℃烘箱内烤30到60分钟，完成夹具清洗。
进一步地，所述步骤S1中倒入浸泡池内的硝酸溶液的高度大于夹具的高度，夹具浸入硝酸溶液中，单次浸泡时间15min，并去除表面银屑。
进一步地，所述步骤S2中的冲洗时长为300秒，冲洗使用的去离子水电阻要大于15MΩ。
进一步地，所述步骤S3中倒入浸泡池内溶液高度应保证夹具彻底浸入银铬剥离液中，将夹具表面的顽固银铬全部脱落干净，夹具单次浸泡时间15分钟。
进一步地，所述步骤S2和步骤S4中对用于清洗的去离子水进行实时监控，保证电阻大于15MΩ。
进一步地，所述步骤S5中在超声波清洗的时间为15分钟，重复超声波清洗过程3次，每次需更换超声池内的去离子水。
进一步地，所述夹具包括依次层叠的上盖板、上掩膜板、定位片、骨架、下掩膜板和下盖板，晶片位于骨架内，通过定位片进行固定定位，再通过上掩膜板和下掩膜板进行固定，上掩膜板的另一面与上盖板相连，下掩膜板的另一面与下盖板相连，完成对晶片的固定。
进一步地，所述上掩膜板和下掩膜板结构相同，上盖板和下盖板的结构相同。
本发明的有益效果是：本发明所提供的一种晶片夹具及其清洗方法，夹具结构简单，制造成本较低，一种晶片夹具的清洗方法操作方便，能够对晶片进行充分有效的清洗，清洗干净。
附图说明
图1是本发明一种晶片夹具清洗方法的流程示意图；
图2是本发明夹具的结构示意图；
图3是本发明上盖板的结构示意图；
图4是本发明上掩膜板的结构示意图；
图5是本发明骨架的结构示意图；
图6是本发明定位片的结构示意图；
图7是本发明晶片固定组的结构示意图。
附图标记说明：1、上盖板；2、上掩膜板；3、定位片；4、骨架；5、下掩膜板；6、下盖板；11、上盖板第一通孔；12、上盖板第二通孔；21、上掩膜板第一凸起；22、上掩膜板第二凸起；23、上掩膜板第一通孔；24、上掩膜板第二通孔；25、上掩膜板凹槽；31、定位片第一孔组；32、定位片第二孔；33、定位片第三孔；41、骨架第一通孔；42、骨架第二通孔；43、骨架吸附件。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明：
如图1到图7所示，本发明提供的一种晶片夹具的清洗方法，包括如下步骤：
S1、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡。
步骤S1中倒入浸泡池内的硝酸溶液的高度大于夹具的高度，夹具浸入硝酸溶液中，单次浸泡时间15min，并去除表面银屑。
S2、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗，同时冲洗掉附着的物理杂质。
步骤S2中的冲洗时长为300秒，冲洗使用的去离子水电阻要大于15MΩ。
S3、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡。
步骤S3中倒入浸泡池内溶液高度应保证夹具彻底浸入银铬剥离液中，将夹具表面的顽固银铬全部脱落干净，夹具单次浸泡时间15分钟。
S4、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉，同时冲洗掉附着的物理杂质。
步骤S2和步骤S4中对用于清洗的去离子水进行实时监控，保证电阻大于15MΩ。
S5、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗。
步骤S5中在超声波清洗的时间为15分钟，重复超声波清洗过程3次，每次需更换超声池内的去离子水。
S6、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒。
S7、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃±10℃烘箱内烤30到60分钟，完成夹具清洗。
本发明中的夹具包括依次层叠的上盖板1、上掩膜板2、定位片3、骨架4、下掩膜板5和下盖板6，晶片位于骨架4内，通过定位片3进行固定定位，再通过上掩膜板2和下掩膜板5进行固定，上掩膜板2的另一面与上盖板1相连，下掩膜板5的另一面与下盖板6相连，完成对晶片的固定。
上掩膜板2和下掩膜板5结构相同，上盖板1和下盖板6的结构相同。在使用过程中，上掩膜板2和下掩膜板5将安装有晶片的定位片和骨架夹紧固定。同时在通过上盖板1和下盖板6分别对上掩膜板2和下掩膜板5进行夹紧固定，从而使晶片固定牢固。
上盖板1呈长方体的片状结构，上盖板1上设有上盖板第一通孔11和上盖板第二通孔12，上盖板第一通孔11的截面为矩形结构，上盖板第二通孔12的截面为椭圆形结构，上盖板第一通孔11呈阵列状分布在上盖板1上。上盖板1呈长方体状的片状结构，上盖板第一通孔11的数量和分布状况根据实际使用过程中的设计要求而定，增加了本发明的实用性和使用范围，同时根据需要固定晶片的大小及距离，调整上盖板第一通孔11的大小和距离。上盖板第二通孔12的数量为四个，分别位于上盖板1上，上盖板第二通孔12的椭圆状位置根据实际使用情况而定。同时上盖板第二通孔12与上盖板第一通孔11的相对位置固定均由不同使用需求而定，以便能够对晶片完成固定。
上掩膜板2呈长方形的片状结构，上掩膜板2上设有上掩膜板第一凸起21、上掩膜板第二凸起22、上掩膜板第一通孔23和上掩膜板第二通孔24，上掩膜板第一凸起21和上掩膜板第二凸起22构成晶片固定组，晶片固定组呈阵列状分布在上掩膜板2上。上掩膜板第一通孔23的截面为椭圆状，上掩膜板第二通孔24的截面为矩形状，上掩膜板第二通孔24呈线性分布在晶片固定组的四周。
上掩膜板2上设有上掩膜板凹槽25，上掩膜板凹槽25分布在上掩膜板2的四边上。
上掩膜板第一凸起21的截面为两个矩形相连通状，上掩膜板第二凸起22的截面为矩形结构，上掩膜板第一凸起21和上掩膜板第二凸起22均由上掩膜板2内凹形成。上掩膜板第一凸起21和上掩膜板第二凸起22的大小和高度，均由设计要求和使用环境而定。
定位片3上设有定位片第一孔组31、定位片第二孔32和定位片第三孔33，定位片第一孔组31的截面结构与晶片固定孔组的截面结构相同，定位片第二孔32的结构与上掩膜板第三通孔23的结构相同，数量为四个的定位片第三孔33组成定位片第三孔组，定位片第三孔组与定位片第一孔组31交叉分布在定位片3上。
在实际使用过程中，定位片第一孔组31的数量和晶片固定组的数量相同，且一一对应。定位片第二孔32的位置和数量与上盖板第二通孔12和上掩膜板第一通孔23对应。
骨架4上设有骨架第一通孔41、骨架第二通孔42和骨架吸附件43，骨架第一通孔41的截面为矩形状，骨架第二通孔42的截面为椭圆状，骨架吸附件43呈矩形状，骨架第一通孔41阵列状分布在骨架4上，骨架吸附件43与骨架第一通孔41交叉布置。骨架吸附件43的数量和位置，根据设计要求和使用需求而定。
骨架吸附件43为磁铁，骨架吸附件43将上盖板1、上掩膜板2、定位片3、骨架4、下掩膜板5和下盖板6吸附在一起并固定，防止上盖板1、上掩膜板2、定位片3、骨架4、下掩膜板5和下盖板6产生相对滑动。通过更换不同磁铁，从而达到不同的吸力大小，便于晶片的固定，增加晶片的使用范围。
骨架第二通孔42的数量和位置与定位片第二孔32对应。
上掩膜板2与下掩膜板5合并时，上掩膜板2上的上掩膜板第一凸起21、上掩膜板第二凸起22与下掩膜板5上对应的部分将晶片进行固定。同时位于上掩膜板2与下掩膜板之间的定位片3和骨架4将晶片进行固定，使晶片不会发生移动和翻转，完成对晶片的夹持作业。本发明能同时对多个晶片进行固定，增加了使用范围和实用性，大大降低了成本。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡；
S2、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗，同时冲洗掉附着的物理杂质；
S3、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡；
S4、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉，同时冲洗掉附着的物理杂质；
S5、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗；
S6、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒；
S7、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃±10℃烘箱内烤30到60分钟，完成夹具清洗。
2.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述步骤S1中倒入浸泡池内的硝酸溶液的高度大于夹具的高度，夹具浸入硝酸溶液中，单次浸泡时间15min，并去除表面银屑。
3.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述步骤S2中的冲洗时长为300秒，冲洗使用的去离子水电阻要大于15MΩ。
4.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述步骤S3中倒入浸泡池内溶液高度应保证夹具彻底浸入银铬剥离液中，将夹具表面的顽固银铬全部脱落干净，夹具单次浸泡时间15分钟。
5.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述步骤S2和步骤S4中对用于清洗的去离子水进行实时监控，保证电阻大于15MΩ。
6.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述步骤S5中在超声波清洗的时间为15分钟，重复超声波清洗过程3次，每次需更换超声池内的去离子水。
7.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述夹具包括依次层叠的上盖板(1)、上掩膜板(2)、定位片(3)、骨架(4)、下掩膜板(5)和下盖板(6)，晶片位于骨架(4)内，通过定位片(3)进行固定定位，再通过上掩膜板(2)和下掩膜板(5)进行固定，上掩膜板(2)的另一面与上盖板(1)相连，下掩膜板(5)的另一面与下盖板(6)相连，完成对晶片的固定。
8.根据权利要求7所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述上掩膜板(2)和下掩膜板(5)结构相同，上盖板(1)和下盖板(6)的结构相同。
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