CN201098688Y - 超声波清洗单晶硅片装置 - Google Patents

Abstract

一种超声波清洗单晶硅片装置，清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒，石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更为简单、用水量大大减少的优点。

Description

超声波清洗单晶硅片装置

【技术领域】

本实用新型涉及一种清洗装置，尤其是属于一种超声波清洗单晶硅片装置。

【背景技术】

在半导体硅片加工过程中，每一道工序都涉及到清洗，由于很多半导体分立器件是在硅研磨片表面直接制造或衬底扩散而成，因此，硅研磨片清洗质量的好坏将直接影响下一道工序，甚至影响器件的成品率和可靠性。目前，常规的半导体硅研磨片的清洗方法有两种：手洗和超声波清洗。手洗效果差，清洗后的研磨硅片上仍然会有许多研磨金刚砂、硅粉末残留。超声波清洗装置的结构包括一清洗槽，槽壁上设有去离子水进出口，使去离子水在保持一定高度的情况下始终处于流动状态，清洗槽的槽底下方设有超声波振子。清洗时，将硅片依次竖插在承载花篮内，一起浸入清洗槽内的去离子水中，经过6～8道工位超声，每道超洗10～15分钟，然后，经去离子纯水冲洗、漂洗、甩干而完成超洗。

但是，上述超声波清洗装置存在如下缺陷：一方面，硅片竖插在承载花篮内，超声波源从底部发生往上发射与硅片表面侧面接触，超洗后硅片表面的污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净；另一方面，用聚四氟材料制成的承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而也会造成硅片表面局部区域清洗不干净现象。

【发明内容】

为克服现有技术存在的上述技术问题，本实用新型旨在提供一种结构新颖的超声波清洗单晶硅片装置，该装置结构简单，用其清洗单晶硅片不会出现局部区域清洗不干净的现象。

为达到上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案：这种超声波清洗单晶硅片装置的结构包括清洗槽，清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，其要点是：清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒，石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。

如上所述的超声波清洗单晶硅片装置，其特征是：石英棒距离清洗槽底壁为15厘米。

有益效果：本实用新型用底壁为栅栏状石英棒的框架替代用聚四氟材料制成的承载硅片的软体花篮后，清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，不但消除了单晶硅片在竖超洗状态下，超声波源从底部发生往上发射与硅片表面侧面接触，超洗后硅片表面的污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及用聚四氟材料制成的承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而也会造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，而且结构更为简单、用水量也可以大大减少。

为加深理解，下面通过实施例并结合附图对本实用新型作进一步说明。

【附图说明】

图1为本实用新型一个实施例的立体结构示意图。

图中序号分别表示：框架侧壁1，清洗槽侧壁2，进水口3，超声波振子安装框4，石英棒5，单晶硅片6。

【具体实施方式】

参见图1。清洗槽侧壁2用UPVC板制成，它是一个矩形无顶的箱体，进水口3和出水口既可以确保清洗槽内具有一定的去离子水高度，又能使去离子水处于流动状态。槽底部下方设有超声波振子安装框4。搁置单晶硅片6的框架，底壁为栅栏状的石英棒5，多根石英棒5形成一个平面，该平面低于去离子水水平面，并确保放置单晶硅片后也浸没在水中，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。

为达到最好的清洗效果，申请人作了反复试验，石英棒所在的平面距离清洗槽底壁最好为15厘米。

Claims (2)

1、一种超声波清洗单晶硅片装置，包括清洗槽，清洗槽的槽壁上设有进水口(3)和出水口，槽底部下方设有超声波振子，其特征是：清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片(6)的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒(5)，石英棒(5)形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。

2、如权利要求1所述的一种超声波清洗单晶硅片装置，其特征是：石英棒(5)距离清洗槽底壁为15厘米。

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