CN102310060A - 太阳能电池硅片的清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽，碱洗槽上设置有进液口和溢流口，进液口上设置有进液管，溢流口上设置有溢流管，进液口的底面的水平位置与溢流口的底面水平位置持平、或低于溢流口的底面水平位置。发明所述的太阳能硅片的清洗装置结构简单，能有效将碱洗槽中产生的浮沫排出，降低清洗时的硅片与浮沫接触的概率，从而提高太阳能硅片的质量。本发明能广泛应用于太阳能硅片的清洗装置中。

Description

太阳能电池硅片的清洗装置
技术领域
本发明涉及太阳能电池硅片的清洗装置。
背景技术
太阳能电池硅片在切割过程中表面会残留切割液、硅粉、氧化硅及其它金属离子，故需要将太阳能电池硅片送入清洗装置进行水预洗、碱洗、酸洗以去除其表面上的杂质。如图1所示，传统的清洗装置中的碱洗槽1上设置有进液口2和溢流口3，进液口2上设置有进液管4，溢流口3上设置有溢流管5，进液口2的底面水平位置高于溢流口3的底面水平位置。由于碱洗槽1中的碱液在清洗过程中容易产生浮沫6，而进液口2的底面水平位置高于溢流口3的底面水平位置，由进液口2进入碱洗槽1的水流存在落差且方向杂乱，这样导致产生的浮沫流向分散和容易积聚在进液口2的附近，清洗时浮沫6容易粘附在硅片的表面使硅片表面形成花斑，影响硅片的质量。
发明内容
本发明所需解决的技术问题是：将提供一种能及时将浮沫排走的太阳能电池硅片的清洗装置。
为解决上述问题，本发明采用的技术方案是：太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽，碱洗槽上设置有进液口和溢流口，进液口上设置有进液管，溢流口上设置有溢流管，进液口的底面水平位置与溢流口的底面水平位置持平、或低于溢流口的底面水平位置。
本发明的有益效果：结构简单，能有效将碱洗槽中产生的浮沫排出，降低清洗时的硅片与浮沫接触的概率，从而提高太阳能硅片的质量。
附图说明
图1是本发明背景技术中所述的太阳能电池硅片的清洗装置的示意图。
图2是本发明所述的太阳能电池硅片的清洗装置的示意图。
图1中：1、碱洗槽，2、进液口，3、溢流口，4、进液管，5、溢流管，6、浮沫。
图2中：1、碱洗槽，2、进液口，3、溢流口，4、进液管，5、溢流管，6、浮沫。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
如图2所示，太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽1，碱洗槽1上设置有进液口2和溢流口3，进液口2上设置有进液管4，溢流口3上设置有溢流管5，进液口2的底面水平位置与溢流口3的底面水平位置持平。
工作时，碱液从进液管4进入进液口2然后流进碱洗槽1内，碱液在溢流口3流出至溢流管5中再进入另外的槽中。清洗时在碱液的表面产生的浮沫6，由于出液口2的底面水平位置与溢流口3的底面水平位置持平，碱液进入碱洗槽1内没有落差，故碱洗槽1中碱液的流动方向比较单一，就会在碱洗槽1中水平面上形成从进液口2不断流向溢流口3的较强水流，碱液的流动带着碱液表层的浮沫一起及时流出溢流口3，这样浮沫6就不会积聚在进液口2的附近，清洗时可以减少硅片与浮沫6的接触，减少硅片表面产生花斑的几率。
进液口2的底面水平位置低于溢流口3的底面水平位置，本发明不再举例说明，其原理与进液口2的底面水平位置与溢流口3的底面水平位置持平一样，即碱洗槽1内水流方向单一，浮沫6随水流方向流出至溢流口3及时排出。
本发明所述的太阳能电池硅片的清洗装置结构简单，能有效将碱洗槽中产生的浮沫排出，降低清洗时硅片与浮沫接触的概率，从而提高太阳能电池硅片的质量。

Claims (1)

1.太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽，碱洗槽上设置有进液口和溢流口，进液口上设置有进液管，溢流口上设置有溢流管，其特征在于：进液口的底面水平位置与溢流口的底面水平位置持平、或低于溢流口的底面水平位置。
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PB01 Publication
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