CN202219250U - 太阳能电池硅片的清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽，碱洗槽上设置有进液口和溢流口，进液口上设置有进液管，溢流口上设置有溢流管，进液口的底面的水平位置与溢流口的底面水平位置持平、或低于溢流口的底面水平位置。实用新型所述的太阳能硅片的清洗装置结构简单，能有效将碱洗槽中产生的浮沫排出，降低清洗时的硅片与浮沫接触的概率，从而提高太阳能硅片的质量。本实用新型能广泛应用于太阳能硅片的清洗装置中。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池硅片的清洗装置。
背景技术
太阳能电池硅片在切割过程中表面会残留切割液、硅粉、氧化硅及其它金属离子，故需要将太阳能电池硅片送入清洗装置进行水预洗、碱洗、酸洗以去除其表面上的杂质。如图1所示，传统的清洗装置中的碱洗槽1上设置有进液口2和溢流口3，进液口2上设置有进液管4，溢流口3上设置有溢流管5，进液口2的底面水平位置高于溢流口3的底面水平位置。由于碱洗槽1中的碱液在清洗过程中容易产生浮沫6，而进液口2的底面水平位置高于溢流口3的底面水平位置，由进液口2进入碱洗槽1的水流存在落差且方向杂乱，这样导致产生的浮沫流向分散和容易积聚在进液口2的附近，清洗时浮沫6容易粘附在硅片的表面使硅片表面形成花斑，影响硅片的质量。
实用新型内容
本实用新型所需解决的技术问题是：将提供一种能及时将浮沫排走的太阳能电池硅片的清洗装置。
为解决上述问题，本实用新型采用的技术方案是：太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽，碱洗槽上设置有进液口和溢流口，进液口上设置有进液管，溢流口上设置有溢流管，进液口的底面水平位置与溢流口的底面水平位置持平、或低于溢流口的底面水平位置。
本实用新型的有益效果：结构简单，能有效将碱洗槽中产生的浮沫排出，降低清洗时的硅片与浮沫接触的概率，从而提高太阳能硅片的质量。
附图说明
图1是本实用新型背景技术中所述的太阳能电池硅片的清洗装置的示意图。
图2是本实用新型所述的太阳能电池硅片的清洗装置的示意图。
图1中：1、碱洗槽，2、进液口，3、溢流口，4、进液管，5、溢流管，6、浮沫。
图2中：1、碱洗槽，2、进液口，3、溢流口，4、进液管，5、溢流管，6、浮沫。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
如图2所示，太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽1，碱洗槽1上设置有进液口2和溢流口3，进液口2上设置有进液管4，溢流口3上设置有溢流管5，进液口2的底面水平位置与溢流口3的底面水平位置持平。
工作时，碱液从进液管4进入进液口2然后流进碱洗槽1内，碱液在溢流口3流出至溢流管5中再进入另外的槽中。清洗时在碱液的表面产生的浮沫6，由于进液口2的底面水平位置与溢流口3的底面水平位置持平，碱液进入碱洗槽1内没有落差，故碱洗槽1中碱液的流动方向比较单一，就会在碱洗槽1中水平面上形成从进液口2不断流向溢流口3的较强水流，碱液的流动带着碱液表层的浮沫一起及时流出溢流口3，这样浮沫6就不会积聚在进液口2的附近，清洗时可以减少硅片与浮沫6的接触，减少硅片表面产生花斑的几率。
进液口2的底面水平位置低于溢流口3的底面水平位置，本实用新型不再举例说明，其原理与进液口2的底面水平位置与溢流口3的底面水平位置持平一样，即碱洗槽1内水流方向单一，浮沫6随水流方向流出至溢流口3及时排出。
本实用新型所述的太阳能电池硅片的清洗装置结构简单，能有效将碱洗槽中产生的浮沫排出，降低清洗时硅片与浮沫接触的概率，从而提高太阳能电池硅片的质量。
Claims (1)
1.太阳能电池硅片的清洗装置，包括碱洗槽，碱洗槽上设置有进液口和溢流口，进液口上设置有进液管，溢流口上设置有溢流管，其特征在于：进液口的底面水平位置与溢流口的底面水平位置持平、或低于溢流口的底面水平位置。
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| CN202219250U true CN202219250U (zh) | 2012-05-16 |
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| CN (1) | CN202219250U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102310060A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-01-11 | 苏州赤诚洗净科技有限公司 | 太阳能电池硅片的清洗装置 |
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2011
- 2011-07-07 CN CN2011202369811U patent/CN202219250U/zh not_active Expired - Fee Related
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