CN204885104U - 一种二极管腐蚀清洗机 - Google Patents

一种二极管腐蚀清洗机 Download PDF

Info

Publication number
CN204885104U
CN204885104U CN201520457217.5U CN201520457217U CN204885104U CN 204885104 U CN204885104 U CN 204885104U CN 201520457217 U CN201520457217 U CN 201520457217U CN 204885104 U CN204885104 U CN 204885104U
Authority
CN
China
Prior art keywords
station
diode
cleaning
hot water
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201520457217.5U
Other languages
English (en)
Inventor
徐柏林
江玉华
翁平
李小娟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NANTONG HORNBY ELECTRONIC CO Ltd
Original Assignee
NANTONG HORNBY ELECTRONIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NANTONG HORNBY ELECTRONIC CO Ltd filed Critical NANTONG HORNBY ELECTRONIC CO Ltd
Priority to CN201520457217.5U priority Critical patent/CN204885104U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN204885104U publication Critical patent/CN204885104U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种二极管腐蚀清洗机,包括机架以及放在机架上的工艺工位;所述工艺工位包括沿机架长轴方向自前往后依次设置的芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位,所述二极管放置在酸洗板上并依次经过芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位完成清洗。本实用新型的优点在于:本实用新型的二极管腐蚀清洗机,其清洗效果好,能够有效降低二极管反向漏电流及提升二极管产品可靠性。

Description

一种二极管腐蚀清洗机
技术领域
本实用新型涉及一种二极管腐蚀清洗机,具体涉及一种能够有效降低二极管反向漏电流及提升二极管产品可靠性的二极管腐蚀清洗机。
背景技术
二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。随着科技的进步,电器行业朝着大集成、大功率方向高速发展,这给二极管的品质提出了更高的质量要求。传统二极管腐蚀清洗机包括腐蚀工位;钝化工位;钝化表面杂质清洗工位;超声清洗工位。该传统的二极管腐蚀清洗机资源消耗大;仪表自动化管控程度低;同时导致产品反向漏流,产品的稳定降低,使得该产品使用失效率上升。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够有效降低二极管反向漏电流及提升二极管产品可靠性的二极管腐蚀清洗机。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:一种二极管腐蚀清洗机,其创新点在于:包括机架以及放在机架上的工艺工位;所述工艺工位包括沿机架长轴方向自前往后依次设置的芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位,所述二极管放置在酸洗板上并依次经过芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位完成清洗。
进一步地,所述芯片腐蚀工位包括一水槽A,所述酸洗板浸渍在水槽A内,其长轴方向的两侧支撑在水槽A长轴方向两侧侧壁A上。
进一步地,所述杂质清洗工位包括一水槽B以及水槽B上方的冲水管,所述酸洗板倾斜支撑在水槽B长轴方向两侧的侧壁B上,所述冲水管上开有若干正对水槽B内的冲水孔。
进一步地,所述热水冲洗浸泡工位包括一支架以及支架上方的热水冲淋管,所述支架呈U型,由一底板以及底板长轴方向两侧上端面的支撑脚组成;所述酸洗板长轴方向的两侧支撑在支架两侧的支撑脚上,所述热水冲淋管上开有若干正对酸洗板上端面的冲淋孔。
进一步地,所述热水冲淋管的内壁呈螺旋型结构。
进一步地,所述酸洗板为一上表面均匀分布有若干引线孔的石墨板体,所述二极管的引脚放置在对应的引线孔内。
本实用新型的优点在于:
(1)本实用新型的二极管腐蚀清洗机,包括机架以及放在机架上的工艺工位,二极管放置在酸洗板上并依次经过芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位完成清洗,其清洗效果好,能够有效降低二极管反向漏电流及提升二极管产品可靠性;
(2)本实用新型的杂质清洗工位包括一水槽B以及水槽B上方的冲水管,酸洗板倾斜支撑在水槽B长轴方向两侧的侧壁B上,便于将二极管杂质清洗干净并落下,提高了二极管杂质清洗效率;
(3)本实用新型的热水冲洗浸泡工位,通过支架支撑酸洗板,然后通过热水冲淋管对酸洗板上的二极管进行热水浸泡冲洗,使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解,提升后续超声清洗效果,从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流,提升产品的良率及可靠性;
(4)本实用新型的热水冲淋管的内壁呈螺旋型结构,提噶了热水冲淋速度和效率。
附图说明
图1为本实用新型二极管腐蚀清洗机中芯片腐蚀工位的结构示意图。
图2为图1上A部的放大图。
图3为本实用新型二极管腐蚀清洗机中杂质清洗工位的结构示意图。
图4为本实用新型二极管腐蚀清洗机中热水冲洗浸泡工位的结构示意图。
具体实施方式
如图1至4所示,一种二极管2腐蚀清洗机,包括机架以及放在机架上的工艺工位;工艺工位包括沿机架长轴方向自前往后依次设置的芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位,二极管2放置在酸洗板1上并依次经过芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位完成清洗;酸洗板1为一上表面均匀分布有若干引线孔的石墨板体,二极管2的引脚放置在对应的引线孔内;其中芯片腐蚀工位包括一水槽A3,酸洗板1浸渍在水槽A3内,其长轴方向的两侧支撑在水槽A3长轴方向两侧侧壁A9上;其中杂质清洗工位包括一水槽B4以及水槽B4上方的冲水管5,酸洗板1倾斜支撑在水槽B4长轴方向两侧的侧壁B10和侧壁B11上,其中侧壁B10的高度高于侧壁B11的高度,冲水管5上开有若干正对水槽B4内的冲水孔;其中热水冲洗浸泡工位包括一支架以及支架上方的热水冲淋管8,支架呈U型,由一底板6以及底板6长轴方向两侧上端面的支撑脚7组成;酸洗板1长轴方向的两侧支撑在支架两侧的支撑脚7上,热水冲淋管8上开有若干正对酸洗板1上端面的冲淋孔;热水冲淋管8的内壁呈螺旋型结构。
使用方法:首先将二极管2放置在酸洗板1上,然后依次经过芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位完成清洗,其清洗效果好,能够有效降低二极管2反向漏电流及提升二极管2产品可靠性,具体步骤如下:
第一步,腐蚀:在芯片腐蚀工位选取以下材料的混合液作为腐蚀液,具体HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=9:9:12:4,然后在温度为25℃±5℃腐蚀浸泡一次;
第二步,钝化:在芯片钝化工位,钝化工艺所用原材料及配比为:H3PO4:H2O2:H2O=1:1:3,然后在温度65℃±10℃钝化一次;
第三步,钝化杂质清洗:在杂质清洗工位,清洗液为NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5,在温度为25℃±3℃清洗一次;
第四步,热水冲洗浸泡:在热水冲洗浸泡工位,腐蚀温度为55-70℃,冲洗浸泡30S;
第五步,超声清洗:在超声清洗工位,常温下,按以下标准清洗一次即可:高纯水流量为3吨/小时,超声频率控制在50-150赫兹;清洗时间为240-600秒。
本实用新型的设计思路:杂质清洗工位包括一水槽B4以及水槽B4上方的冲水管5,酸洗板1倾斜支撑在水槽B4长轴方向两侧的侧壁B上,便于将二极管2杂质清洗干净并落下,提高了二极管2杂质清洗效率;热水冲洗浸泡工位,通过支架支撑酸洗板1,然后通过热水冲淋管8对酸洗板1上的二极管2进行热水浸泡冲洗,使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解,提升后续超声清洗效果,从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流,提升产品的良率及可靠性;本实用新型的热水冲淋管8的内壁呈螺旋型结构,提高了热水冲淋速度和效率。

Claims (6)

1.一种二极管腐蚀清洗机,其特征在于:包括机架以及放在机架上的工艺工位;所述工艺工位包括沿机架长轴方向自前往后依次设置的芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位,二极管放置在酸洗板上并依次经过芯片腐蚀工位、芯片钝化工位、杂质清洗工位、热水冲洗浸泡工位以及超声清洗工位完成清洗。
2.根据权利要求1所述的二极管腐蚀清洗机,其特征在于:所述芯片腐蚀工位包括一水槽A,所述酸洗板浸渍在水槽A内,其长轴方向的两侧支撑在水槽A长轴方向两侧侧壁A上。
3.根据权利要求1所述的二极管腐蚀清洗机,其特征在于:所述杂质清洗工位包括一水槽B以及水槽B上方的冲水管,所述酸洗板倾斜支撑在水槽B长轴方向两侧的侧壁B上,所述冲水管上开有若干正对水槽B内的冲水孔。
4.根据权利要求1所述的二极管腐蚀清洗机,其特征在于:所述热水冲洗浸泡工位包括一支架以及支架上方的热水冲淋管,所述支架呈U型,由一底板以及底板长轴方向两侧上端面的支撑脚组成;所述酸洗板长轴方向的两侧支撑在支架两侧的支撑脚上,所述热水冲淋管上开有若干正对酸洗板上端面的冲淋孔。
5.根据权利要求4所述的二极管腐蚀清洗机,其特征在于:所述热水冲淋管的内壁呈螺旋型结构。
6.根据权利要求1所述的二极管腐蚀清洗机,其特征在于:所述酸洗板为一上表面均匀分布有若干引线孔的石墨板体,所述二极管的引脚放置在对应的引线孔内。
CN201520457217.5U 2015-06-30 2015-06-30 一种二极管腐蚀清洗机 Active CN204885104U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520457217.5U CN204885104U (zh) 2015-06-30 2015-06-30 一种二极管腐蚀清洗机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520457217.5U CN204885104U (zh) 2015-06-30 2015-06-30 一种二极管腐蚀清洗机

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204885104U true CN204885104U (zh) 2015-12-16

Family

ID=54829452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520457217.5U Active CN204885104U (zh) 2015-06-30 2015-06-30 一种二极管腐蚀清洗机

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN204885104U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107442498A (zh) * 2017-09-26 2017-12-08 南通华林科纳半导体设备有限公司 一种节能水流冲刷的单腔腐蚀清洗机
CN107626670A (zh) * 2017-09-26 2018-01-26 南通华林科纳半导体设备有限公司 一种超声波单腔腐蚀清洗机

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107442498A (zh) * 2017-09-26 2017-12-08 南通华林科纳半导体设备有限公司 一种节能水流冲刷的单腔腐蚀清洗机
CN107626670A (zh) * 2017-09-26 2018-01-26 南通华林科纳半导体设备有限公司 一种超声波单腔腐蚀清洗机

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103199005B (zh) 一种晶体硅片的清洗工艺方法
CN101876088B (zh) 多晶硅片制绒方法
CN102412173B (zh) 切割、研磨硅片表面清洗设备
CN103480598B (zh) 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备
CN204885104U (zh) 一种二极管腐蚀清洗机
CN104377119A (zh) 一种锗单晶抛光片的清洗方法
CN106711248A (zh) 一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法
CN103233228A (zh) 一种太阳能电池锗衬底片的腐蚀方法
CN105047538A (zh) 一种硅片清洗方法、及清洗装置
CN205442658U (zh) 一种节能环保硅料清洗机
CN104277944A (zh) 一种tft液晶玻璃基板清洗液及其清洗方法
CN201082421Y (zh) 超声波清洗槽
CN208116272U (zh) 一种超声波清洗装置
CN109326538A (zh) 一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法
CN104157739A (zh) 对不合格硅片的处理方法
CN109047168A (zh) 一种规整填料脱脂工艺
CN202162156U (zh) 太阳电池硅片残酸碱水清洗装置
CN206356315U (zh) 一种多槽超声波清洗装置
CN103021937B (zh) 化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的装置及方法
CN205008343U (zh) 洗罐器翻笼装置
CN203389887U (zh) 硅片多级循环清洗设备
CN106653600A (zh) 一种gpp芯片电泳法制作工艺
CN103230894A (zh) 锗酸铋晶片的清洗工艺
CN207250469U (zh) 一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽
CN207839498U (zh) 太阳能硅片清洗设备

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant