CN101968610A - 一种全湿刻蚀后去胶的方法 - Google Patents

一种全湿刻蚀后去胶的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101968610A
CN101968610A CN 201010251833 CN201010251833A CN101968610A CN 101968610 A CN101968610 A CN 101968610A CN 201010251833 CN201010251833 CN 201010251833 CN 201010251833 A CN201010251833 A CN 201010251833A CN 101968610 A CN101968610 A CN 101968610A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alkaline solution
wet etching
photoresist
wafer
optical resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 201010251833
Other languages
English (en)
Inventor
曹歆
郑如定
张建宝
周武
刘榕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Semitek Corp
Original Assignee
HC Semitek Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Semitek Corp filed Critical HC Semitek Corp
Priority to CN 201010251833 priority Critical patent/CN101968610A/zh
Publication of CN101968610A publication Critical patent/CN101968610A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

本发明公开一种全湿刻蚀后去胶的方法，属于LED制程工艺中GaN刻蚀后去胶，包括溶液配制和使用方法。采用碱性溶液，添加适量的双氧水，放入晶片，浸泡一段时间后，取出冲水后甩干，其晶片表面的光刻胶即被去除干净。本发明适合任何不与碱性溶液发生反应的衬底的光刻胶的去除，利用双氧水的强氧化性，可将光刻胶在溶液中有效的进行去除，此方法操作简单方便，流程极其简单，适合于大规模生产中光刻胶的去除，并且成本极低。

Description

一种全湿刻蚀后去胶的方法
技术领域
本发明涉及光刻胶去除技术，LED行业的GaN刻蚀后去胶技术，尤其是一种全湿刻蚀后去胶的方法。
背景技术
LED行业是当今高新技术中领域中非常重要的微电子领域之一，而LED制程中需要利用刻蚀技术将部分区域P型氮化镓(GaN)层去除，暴露出N型氮化镓(GaN)层，而作为刻蚀过程中掩膜的光刻胶在刻蚀后的去除中成为比较大的难题，原因在于光刻胶在经过刻蚀后变得比较坚硬，使得用普通的去胶液均难以完全保证将其去除干净，若用干法去胶会对晶片表面的氧化铟锡(ITO)薄膜产生损伤，因此最好选用全湿法去除光刻胶。
去除光刻胶的方法有很多种，常规的湿法去胶有：1、有机溶液去胶(如丙酮或N甲基砒咯烷酮(NMP)等)，实践证明仅用纯的有机溶液无法保证生产过程中刻蚀后去胶的效果，总会有一定比例的残胶产生；2、硫酸+双氧水，此方法可以去除裸片上的光刻胶，但对于已沉积氧化铟锡薄膜的晶片则不可用酸性溶液，否则会与氧化铟锡发生反应；3、碱性溶液去胶，如显影液及其他各种碱性溶液，均对经刻蚀后的光刻胶去除效果不佳，会有部分残留，影响后续制程。
发明内容
本发明的目的在于提供一种简单、快速的将经刻蚀后的光刻胶去除的方法，该方法利用碱性溶液与双氧水的混合溶液对经刻蚀后的光刻胶去除效果良好。
本发明的技术方案为：一种全湿刻蚀后去胶的方法，其步骤为：配制碱性溶液，将碱与水混合成浓度20％-50％的碱性溶液；使用前加入1％-10％碱性溶液体积的双氧水；放入晶片，浸泡时间5-20分钟；浸泡后取出冲水并甩干。碱性溶液采用KOH溶液。全湿刻蚀后去胶是在20℃-80℃下完成的。配制碱性溶液及冲水甩干过程中使用的水为去离子水，甩干过程中使用的气体为氮(N2)。
本发明的优点在于：本发明适合任何不与碱性溶液发生反应的衬底的光刻胶的去除，利用双氧水的强氧化性，可将光刻胶在溶液中有效的进行去除，此方法操作简单方便，流程极其简单，适合于大规模生产中光刻胶的去除，并且成本极低。
具体实施方式
实例1：一种全湿刻蚀后去胶的方法，包括以下步骤：步骤101：配制KOH溶液，将片状KOH与水以20％比例混合成碱性溶液。步骤102：对步骤101中所配的溶液中加入5％溶液量的双氧水。步骤103：在步骤102所形成的溶液中放入晶片，浸泡5-10分钟即取出冲水并甩干。
实例2：片状KOH与水以35％比例混合成碱性溶液、双氧水为7.5％的溶液量，其它步骤与实例1相同。
实例3：片状KOH与水以50％比例混合成碱性溶液、双氧水为10％的溶液量，其它步骤与实例1相同。
需要说明的是步骤101中的KOH溶液可以替换为任何比例或任何种类的碱性溶液，步骤102中的双氧水可根据实际情况调整添加比例，步骤103中的浸泡时间可根据实际情况进行调节，能去除干净光刻胶即可。
本领域技术人员应当理解，本发明中所述的KOH、双氧水及光刻胶可选用现有市售的任意一款。
本发明利用碱性溶液与双氧水形成的混合溶液对经刻蚀后的光刻胶进行了有效的去除，并且操作方便，成本低廉，适用于任何耐碱性溶液的衬底。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种全湿刻蚀后去胶的方法，其步骤为：配制碱性溶液，将碱与水混合成均匀的碱性溶液；使用前加入双氧水；放入晶片，浸泡后取出冲水并甩干。
2.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：碱性溶液的浓度为20％-50％。
3.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：双氧水的添加量为碱性溶液体积的1％-10％。
4.根据权利要求1、2或3所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：碱性溶液采用KOH溶液。
5.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：浸泡时间为5-20分钟。
6.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：全湿刻蚀后去胶是在20℃-80℃下完成的。
7.据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：配制碱性溶液及冲水甩干过程中使用的水为去离子水，甩干过程中使用的气体为N2。
CN 201010251833 2010-08-12 2010-08-12 一种全湿刻蚀后去胶的方法 Pending CN101968610A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010251833 CN101968610A (zh) 2010-08-12 2010-08-12 一种全湿刻蚀后去胶的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010251833 CN101968610A (zh) 2010-08-12 2010-08-12 一种全湿刻蚀后去胶的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101968610A true CN101968610A (zh) 2011-02-09

Family

ID=43547783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010251833 Pending CN101968610A (zh) 2010-08-12 2010-08-12 一种全湿刻蚀后去胶的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101968610A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102626699A (zh) * 2012-04-25 2012-08-08 华灿光电股份有限公司 一种提高芯片亮度的方法
CN102854761A (zh) * 2012-08-08 2013-01-02 华灿光电股份有限公司 一种刻蚀后去胶的溶液和方法
CN105023841A (zh) * 2014-04-23 2015-11-04 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶圆表面撕金去胶方法
CN106935685A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 无锡华润华晶微电子有限公司 一种led芯片的去胶方法
CN111014161A (zh) * 2019-12-09 2020-04-17 东莞市日和自动化设备有限公司 一种料盘脱胶摆盘工艺
CN112521183A (zh) * 2020-11-30 2021-03-19 合肥微睿光电科技有限公司 一种干式刻蚀工艺用陶瓷件的熔射方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1291347A (zh) * 1998-11-12 2001-04-11 三菱电机株式会社 光刻胶膜去除方法及其所用装置
CN1302452A (zh) * 1998-03-30 2001-07-04 Fsi国际股份有限公司 去除有机物的方法
CN1659481A (zh) * 2002-06-07 2005-08-24 马林克罗特贝克公司 包含氧化剂和有机溶剂的微电子清洁组合物
CN1920673A (zh) * 2005-08-26 2007-02-28 大日本网目版制造株式会社 抗蚀剂除去方法以及抗蚀剂除去装置
CN101044602A (zh) * 2004-09-17 2007-09-26 Fsi国际公司 使用臭氧处理类晶片物体
CN101093363A (zh) * 2006-06-23 2007-12-26 天津晶岭电子材料科技有限公司 一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液
CN101169596A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 上海华虹Nec电子有限公司 全湿法去胶方法
US20090082240A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Fujifilm Corporation Stripping liquid for semiconductor device, and stripping method
US20090241988A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Intel Corporation Photoresist and antireflective layer removal solution and method thereof
CN101673062A (zh) * 2008-09-09 2010-03-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种全湿法去胶的装置及方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1302452A (zh) * 1998-03-30 2001-07-04 Fsi国际股份有限公司 去除有机物的方法
CN1291347A (zh) * 1998-11-12 2001-04-11 三菱电机株式会社 光刻胶膜去除方法及其所用装置
CN1659481A (zh) * 2002-06-07 2005-08-24 马林克罗特贝克公司 包含氧化剂和有机溶剂的微电子清洁组合物
CN101044602A (zh) * 2004-09-17 2007-09-26 Fsi国际公司 使用臭氧处理类晶片物体
CN1920673A (zh) * 2005-08-26 2007-02-28 大日本网目版制造株式会社 抗蚀剂除去方法以及抗蚀剂除去装置
CN101093363A (zh) * 2006-06-23 2007-12-26 天津晶岭电子材料科技有限公司 一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液
CN101169596A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 上海华虹Nec电子有限公司 全湿法去胶方法
US20090082240A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Fujifilm Corporation Stripping liquid for semiconductor device, and stripping method
US20090241988A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Intel Corporation Photoresist and antireflective layer removal solution and method thereof
CN101673062A (zh) * 2008-09-09 2010-03-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种全湿法去胶的装置及方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102626699A (zh) * 2012-04-25 2012-08-08 华灿光电股份有限公司 一种提高芯片亮度的方法
CN102854761A (zh) * 2012-08-08 2013-01-02 华灿光电股份有限公司 一种刻蚀后去胶的溶液和方法
CN105023841A (zh) * 2014-04-23 2015-11-04 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶圆表面撕金去胶方法
CN105023841B (zh) * 2014-04-23 2017-12-26 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶圆表面撕金去胶方法
CN106935685A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 无锡华润华晶微电子有限公司 一种led芯片的去胶方法
CN111014161A (zh) * 2019-12-09 2020-04-17 东莞市日和自动化设备有限公司 一种料盘脱胶摆盘工艺
CN112521183A (zh) * 2020-11-30 2021-03-19 合肥微睿光电科技有限公司 一种干式刻蚀工艺用陶瓷件的熔射方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103627400B (zh) 钼合金膜与氧化铟膜液体腐蚀剂组成物质
CN101968610A (zh) 一种全湿刻蚀后去胶的方法
KR101746879B1 (ko) 고급 반도체 적용을 위한 이온 주입 후 스트리퍼
JP2007526653A5 (zh)
JP2007531006A5 (zh)
TW200404921A (en) Etching pastes for silicon surfaces and layers
KR101983202B1 (ko) 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물
CN102227687A (zh) 光致抗蚀剂剥离剂组合物、层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法和制造方法
CN101295144A (zh) 光刻胶剥离液
CN104377119B (zh) 一种锗单晶抛光片的清洗方法
CN105723284A (zh) 抗蚀剂剥离液
CN101789371B (zh) 半导体元器件的清洗方法
CN104465369A (zh) 锗的刻蚀方法
CN113736584A (zh) 一种晶圆用聚酰亚胺除胶剂组合物及其制备方法
KR20080051250A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법
CN103242985B (zh) 一种有机发光微型显示器抗反射层清洗工艺
KR20080031565A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법
US20210157242A1 (en) Photoresist-removing liquid and photoresist-removing method
CN102085517A (zh) 栅氧控片清洗方法及装置
CN107359108A (zh) 一种半导体晶圆清洗方法
CN112143573A (zh) 硅片碱抛后清洗用添加剂及其应用
CN103137463A (zh) 深沟槽刻蚀工艺针刺状缺陷的解决方法
JP4244734B2 (ja) 枚葉式洗浄装置の基板工程用レジスト剥離液及びそれを用いた剥離方法
CN103773626A (zh) 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
KR20090038590A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110209