JP2011071493A5 - 半導体基板の再生方法 - Google Patents

Claims (7)

1. イオンの照射および熱処理を経て一部が半導体層として分離することにより、周縁部に損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が残存した半導体基板に対し、
   前記絶縁層が除去されるエッチング処理と、
   前記半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、前記酸化された半導体材料を溶解する物質、および、前記半導体材料の酸化の速度および前記酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域よりも前記損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理と、
   前記半導体基板の表面に酸化膜の形成と、
   前記酸化膜の表面からの研磨処理により、前記半導体基板の表面の露出と共に前記半導体基板の表面の平坦化と、
   を行うことを特徴とする半導体基板の再生方法。
2. 請求項１において、
   オゾンを含む水溶液を用いて、前記酸化膜の形成を行うことを特徴とする半導体基板の再生方法。
3. イオンの照射および熱処理を経て一部が半導体層として分離することにより、周縁部に損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が残存した半導体基板に対し、
   前記絶縁層が除去されるエッチング処理と、
   前記半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、前記酸化された半導体材料を溶解する物質、および、前記半導体材料の酸化の速度および前記酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域よりも前記損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理と、
   前記損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理において部分的に残存した第１の酸化膜が除去されるエッチング処理と、
   前記半導体基板の表面に第２の酸化膜の形成と、
   前記第２の酸化膜の表面からの研磨処理により、前記半導体基板の表面の露出と共に前記半導体基板の表面の平坦化と、
   を行うことを特徴とする半導体基板の再生方法。
4. 請求項３において、
   オゾンを含む水溶液を用いて、前記第２の酸化膜の形成を行うことを特徴とする半導体基板の再生方法。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記第１の酸化膜が除去されるエッチング処理と、前記第２の酸化膜の形成を繰り返し行うことを特徴とする半導体基板の再生方法。
6. 請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
   フッ酸を含む溶液を用いて、前記第１の酸化膜が除去されるエッチング処理を行うことを特徴とする半導体基板の再生方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記イオンは、水素ガスから生成されるイオン種の総量に対してＨ _３ ^＋ の割合を５０％以上とすることを特徴とする半導体基板の再生方法。