JP2015133481A5 - 剥離方法 - Google Patents

Claims (14)

1. 基板上に剥離層を形成する、第１の工程と、
   前記剥離層上に被剥離層を形成する、第２の工程と、
   前記被剥離層の一部を前記剥離層から剥離し、剥離の起点を形成する、第３の工程と、
   前記剥離の起点を用いて、前記被剥離層を前記基板から剥離する、第４の工程と、を有し、
   前記第４の工程では、前記基板の温度が、６０℃以上９０℃以下である、剥離方法。
2. 請求項１において、
   前記第４の工程は、前記基板の少なくとも一部を加熱しながら、前記被剥離層を前記基板から剥離する工程を有する、剥離方法。
3. 基板上に剥離層を形成する、第１の工程と、
   前記剥離層上に被剥離層を形成する、第２の工程と、
   前記被剥離層の一部を前記剥離層から剥離し、剥離の起点を形成する、第３の工程と、
   前記剥離の起点を用いて、前記被剥離層を前記基板から剥離する、第４の工程と、を有し、
   前記第４の工程では、前記被剥離層の少なくとも一部を冷却しながら、前記被剥離層を前記基板から剥離する、剥離方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記被剥離層と前記剥離層の間に液体を供給する、液体供給工程を有し、
   前記液体供給工程は、前記第３の工程と前記第４の工程の間、又は前記第４の工程中に行われる、剥離方法。
5. 請求項４において、
   前記液体の温度は、０℃より高く１００℃未満である、剥離方法。
6. 基板上に剥離層を形成する、第１の工程と、
   前記剥離層上に被剥離層を形成する、第２の工程と、
   前記被剥離層の一部を前記剥離層から剥離し、剥離の起点を形成する、第３の工程と、
   前記剥離の起点を用いて、前記被剥離層を前記基板から剥離する、第４の工程と、
   前記被剥離層と前記剥離層の間に液体を供給する、液体供給工程を有し、
   前記液体供給工程は、前記第３の工程と前記第４の工程の間、又は前記第４の工程中に行われ、
   前記液体の温度は、６０℃以上９０℃以下である、剥離方法。
7. 請求項６において、
   前記第４の工程は、
   前記基板の第１の部分を加熱する工程と、
   前記被剥離層の第２の部分を冷却する工程と、を有する、剥離方法。
8. 請求項７において、
   前記第１の部分は、前記被剥離層と剥離されていない部分を含み、
   前記第２の部分は、前記基板と剥離された部分を含む、剥離方法。
9. 請求項４乃至８のいずれか一項において、
   前記液体は、水を含む、剥離方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、
    前記基板から剥離されて露出した前記被剥離層の表面を除電する、除電工程を有し、
    前記除電工程は、前記第４の工程中又は前記第４の工程より後に行われる、剥離方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    前記基板から剥離されて露出した前記被剥離層の表面を乾燥する、乾燥工程を有し、
    前記乾燥工程は、前記第４の工程より後に行われる、剥離方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項において、
    前記第１の工程は、タングステンを含む層を形成する工程を有する、剥離方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項において、
    前記剥離層を酸化する、酸化工程を有し、
    前記酸化工程は、前記第１の工程と前記第２の工程の間に行われる、剥離方法。
14. 請求項１３において、
    前記酸化工程は、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を含む雰囲気下で行うプラズマ処理工程を有する、剥離方法。