JP2012216796A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上に酸素を含む第１の下地膜を形成し、
   前記第１の下地膜上に第２の下地膜を形成し、
   前記基板に第１の加熱処理を行って、前記第１の下地膜及び前記第２の下地膜の水及び水素を除去し、
   前記第１の加熱処理後、前記第２の下地膜上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記基板に第２の加熱処理を行って、前記第１の下地膜から前記第２の下地膜を介して前記酸化物半導体膜に酸素を供給し、
   前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記第２の下地膜における酸素の拡散係数が、前記第１の下地膜における酸素の拡散係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に酸素を含む第１の下地膜を形成し、
   前記第１の下地膜上に第２の下地膜を形成し、
   前記基板に２５０℃以上３５０℃以下で第１の加熱処理を行い、
   前記第１の加熱処理後、前記第２の下地膜上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記基板に前記第１の加熱処理よりも高温且つ４５０℃以下の温度で第２の加熱処理を行い、
   前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記第２の下地膜における酸素の拡散係数が、前記第１の下地膜における酸素の拡散係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の下地膜の厚さが、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の下地膜が、酸化シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第２の下地膜が、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウム膜のいずれか一を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。