JP2012009836A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に接して酸化物半導体層を形成し、
   熱処理を行うことで、前記第１の絶縁層から前記酸化物半導体層に酸素を供給し、
   前記酸化物半導体層上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に第１のゲート電極を形成し、
   前記第１のゲート電極上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に接して酸化物半導体層を形成し、
   熱処理を行うことで、前記第１の絶縁層から前記酸化物半導体層に酸素を供給し、
   前記酸化物半導体層上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層上に第２のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記熱処理は、１００℃以上６５０℃以下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記熱処理は、不活性ガス雰囲気で行う第１の期間と、前記第１の期間の後、酸化性ガスを含む雰囲気で行う第２の期間とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 加熱により酸素を放出する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に接して設けられた酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上のゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記第１の絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項５又は請求項６おいて、
   前記第１の絶縁層は、昇温脱離ガス分光法において、酸素分子の放出量が１×１０^１８個／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項５至請求項７いずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、チャネル領域と、前記酸化物半導体層を低抵抗化したソース領域及びドレイン領域と、を有し、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、それぞれソース電極及びドレイン電極と電気的に接続することを特徴とする半導体装置。