JP2012009838A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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  1. 基板上方に、シリコン過酸化ラジカルを含み、２０ｎｍ以上の厚さの第１の絶縁層を形成し、
    前記第１の絶縁層上方に、前記基板の温度を２００℃以上４００℃以下としてスパッタリング法により、酸化物半導体層を前記第１の絶縁層に接するように形成し、
    ２５０℃以上６００℃以下の温度で熱処理をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記酸化物半導体層上方に第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の絶縁層上方に、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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