JP2012054547A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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  1. 酸化物絶縁層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
    前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成し、
    前記第２の結晶性酸化物半導体層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成し、
    前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 酸化物絶縁層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成し、
    前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
    前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成し、
    前記第２の結晶性酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 酸化物絶縁層上にゲート電極層を形成し、
    前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成し、
    前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
    前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体膜よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 酸化物絶縁層上にゲート電極層を形成し、
    前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
    前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成し、
    前記第２の結晶性酸化物半導体層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
    前記第１の結晶性酸化物半導体層は、亜鉛を含み、Ｃ軸配向をしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
    前記第２の結晶性酸化物半導体層は、亜鉛を含み、Ｃ軸配向をしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
    前記第１の結晶性酸化物半導体層は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法による成膜時における基板温度は２００℃以上４００℃以下とし、成膜後に４００℃以上７５０℃以下の加熱処理を行うことで得ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
    前記第２の結晶性酸化物半導体層は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法による成膜時における基板温度は２００℃以上４００℃以下とし、成膜後に４００℃以上７５０℃以下の加熱処理を行うことで得ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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