JP2012084867A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 六方晶の結晶構造を有する第１の材料膜と、
   前記第１の材料膜上に接する領域を有する、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜と、
   前記第２の材料膜上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極層と、を有し、
   前記第２の材料膜は、前記第１の材料膜よりも厚い膜厚を有し、
   前記第２の材料膜は、酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜は、結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、六方晶の結晶構造を有する第１の材料膜と、
   前記第１の材料膜上に接する領域を有する、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜と、を有し、
   前記第２の材料膜は、前記第１の材料膜よりも厚い膜厚を有し、
   前記第２の材料膜は、酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜は、結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
3. 六方晶の結晶構造を有する第１の材料膜と、
   前記第１の材料膜上に接する領域を有する、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜と、を有し、
   前記第２の材料膜は、前記第１の材料膜よりも厚い膜厚を有し、
   前記第２の材料膜は、酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜は、結晶性を有し、
   前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 第１の材料膜と、
   前記第１の材料膜上に接する領域を有する、第２の材料膜と、を有し、
   前記第２の材料膜は、前記第１の材料膜よりも厚い膜厚を有し、
   前記第２の材料膜は、酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜は、結晶性を有し、
   前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
   前記結晶性を有する酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有し、前記ａ−ｂ面に概略平行な平面に概略垂直なｃ軸を有する結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
5. 第１の材料膜と、
   前記第１の材料膜上に接する領域を有する、第２の材料膜と、を有し、
   前記第２の材料膜は、前記第１の材料膜よりも厚い膜厚を有し、
   前記第２の材料膜は、酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜は、結晶性を有し、
   前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
   前記結晶性を有する酸化物半導体膜は、アモルファス酸化物半導体膜と比較して、金属と酸素の結合が秩序化した結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。