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  1. 基板上に酸化物絶縁膜を形成し、
    前記基板を２００℃以上４００℃以下で加熱しながら、前記酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
    前記酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、且つ基板平面に概略垂直なｃ軸を有する六方晶構造の結晶を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 基板上に酸化物絶縁膜を形成する工程と、
    前記基板を２００℃以上４００℃以下で加熱しながら、前記酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する工程と、
    前記酸化物半導体膜を不活性ガス雰囲気で加熱する工程と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、且つ基板平面に概略垂直なｃ軸を有する六方晶構造の結晶を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 請求項２において、
    前記酸化物半導体膜を加熱する工程において、前記酸化物絶縁膜から前記酸化物半導体膜に酸素が供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項２または請求項３において、
    前記酸化物半導体膜を加熱する工程における加熱温度は、前記酸化物半導体膜を形成する工程での前記基板の加熱温度よりも、高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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