JP6005347B2

JP6005347B2 - 半導体装置の作製方法

Info

Publication number: JP6005347B2
Application number: JP2011196867A
Authority: JP
Inventors: 山崎　舜平; 舜平山崎; 野中　裕介; 裕介野中; 卓之井上; 将志津吹; 秋元　健吾; 健吾秋元; 宮永　昭治; 昭治宮永
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2010-09-13
Filing date: 2011-09-09
Publication date: 2016-10-12
Anticipated expiration: 2031-09-09
Also published as: WO2012036104A1; JP2025175014A; JP2023126648A; US20120064664A1; JP7320108B2; JP2021108405A; JP6636591B2; JP7083938B2; US20150024544A1; US10586869B2; CN103155121A; KR101808200B1; JP7584586B2; CN103155121B; JP2019012852A; TW201227833A; US9105668B2; JP6246289B2; US20150325704A1; US8871565B2

Description

トランジスタなどの半導体素子を少なくとも一つの素子として含む回路を有する半導体装置及びその作製方法に関する。例えば、電源回路に搭載されるパワーデバイスや、メモリ、サイリスタ、コンバータ、イメージセンサなどを含む半導体集積回路、液晶表示装置に代表される電気光学装置や発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。

なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置である。

液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等に形成されるトランジスタはアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどによって構成されている。アモルファスシリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対応することができる。また、多結晶シリコンを用いたトランジスタの電界効果移動度は高いが、ガラス基板の大面積化には適していないという欠点を有している。

シリコンを用いたトランジスタに対して、酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば酸化物半導体として、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いてトランジスタを作製し、表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献１及び特許文献２で開示されている。

このようなトランジスタに用いる酸化物半導体について、「酸化物半導体は不純物に対して鈍感であり、膜中にはかなりの金属不純物が含まれていても問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソーダ石灰ガラスも使える」といったことが述べられている（非特許文献１参照。）。

特開２００７−１２３８６１号公報特開２００７−９６０５５号公報

神谷、野村、細野、「アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状」、固体物理、２００９年９月号、Ｖｏｌ．４４、ｐ．６２１−６３３

酸化物半導体はデバイス作製工程において、キャリアの供給源となる水素や水の混入などが生じると、その電気伝導度が変化する恐れがある。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動の要因となる。

また、酸化物半導体を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する恐れがある。

このような問題に鑑み、酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。

また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことのできる半導体装置の作製プロセスを提供することを課題の一とする。

本発明の一態様は、同一のスパッタリング工程において、酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、少なくとも成膜途中の堆積膜表面に亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。なお、亜鉛を含む種結晶は、成膜途中の堆積膜表面に限らず、酸化物絶縁膜の界面から種結晶を形成してもよい。さらには、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。

また、本発明の一態様は、基板上に形成された酸化物絶縁膜上に、スパッタリング法により、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を形成すると共に、該種結晶を核として結晶成長させて、六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜を形成し、該結晶性酸化物半導体膜を用いてトランジスタを作製することを要旨とする。

結晶性酸化物半導体膜は、酸素を含む雰囲気において２５０℃以上３５０℃以下の第１の加熱処理を行いながらスパッタリング法により形成する。従って、この第１の加熱処理は、処理室内で行われる。また、上記成膜に用いるスパッタリング装置において、ターゲットと基板との間隔は、原子量の小さい元素が優先的に基板上に到着することが可能な間隔とする。この結果、酸化物絶縁膜上に、亜鉛が優先的に堆積しつつ、堆積した亜鉛が酸化され、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶、代表的には六方晶構造の酸化亜鉛を有する種結晶が形成される。このため、酸化物絶縁膜の表面から結晶成長した種結晶を形成することができる。また、引き続きスパッタリングを行うことで、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させ、被成膜表面である基板面に平行なａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有している六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜を形成することができる。

ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、基板平面に垂直なｃ軸を有している六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜は、結晶構造の規則性が高い。この結晶性酸化物半導体膜の平面ＴＥＭ写真を図１７に示し、その一部を拡大し、六角形の格子を分かりやすくするため、原子を白線で囲んだ図を図１８に示す。このような結晶性酸化物半導体膜を有するトランジスタは、安定した電気的特性を有し、且つ、信頼性が高い。

結晶性酸化物半導体膜を有するトランジスタの信頼性が高い理由の一つを以下に説明する。

結晶性酸化物半導体は、アモルファス酸化物半導体と比較して、金属と酸素の結合（−Ｍ−Ｏ−Ｍ−、Ｏは酸素原子、Ｍは金属原子）が規則的である。すなわち、酸化物半導体がアモルファス構造の場合は、個々の金属原子によって配位数が異なることも有り得るが、結晶性酸化物半導体ではほぼ一定となる。そのことにより、微視的な酸素の欠損が減少し、後述するような「空間」における水素原子（水素イオンを含む）やアルカリ金属原子の脱着による電荷の移動や不安定性を減少させる効果がある。

一方、アモルファス構造の場合は、個々の金属原子によって配位数が異なるため、金属原子や酸素原子の濃度が微視的に不均一となり、場所によっては原子の存在しない部分（「空間」）が存在することがある。そのような「空間」には、例えば、水素原子（水素イオンを含む）やアルカリ金属原子が捕獲され、場合によっては酸素と結合すると考えられる。また、そのような「空間」をつたって、それらの原子が移動することも起こりえる。

このような原子の移動は酸化物半導体の特性の変動をもたらすこととなるので、これらの原子の存在は信頼性の面で大きな問題となる。特に、そのような原子の移動は高い電界や光エネルギーを印加することにより生ずるので、酸化物半導体をそのような条件で使用する場合には、特性が不安定となる。すなわち、アモルファス酸化物半導体の信頼性は結晶性酸化物半導体より劣ることとなる。

以下に、実際に得られたトランジスタ（サンプル１、２）の異なる信頼性の結果を用いて説明する。ただし、以下で説明し、実際に得たサンプル２は、成膜温度２００℃で第１の材料膜を成膜した後、窒素雰囲気で４５０℃加熱を行い、成膜温度２００℃で第２の材料膜を成膜した後、ドライエアー雰囲気下で４５０℃加熱を行い、結晶性酸化物半導体膜を得たものである。サンプル２は、第１の材料膜と第２の材料膜が同じである結晶性半導体膜についてであるが、異なる場合であっても同様のことが言えることは言うまでもない。比較に用いたサンプル１は、単層の材料膜をＲＴＡによって６５０℃加熱した後、ドライエアー雰囲気下で４５０℃加熱を行い、結晶性酸化物半導体膜を得たものである。

信頼性を調べる検査方法として、光を照射しながらトランジスタのゲート電極とソース電極との間の電圧（Ｖｇ）を変化させたときの、トランジスタのドレイン電極とソース電極との間に流れる電流（Ｉｄ）を測定して得られるトランジスタのＩｄ−Ｖｇ曲線を測定する。なお、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、光を照射しながら−ＢＴ試験を行う、即ちマイナスゲートバイアスを印加するとトランジスタのしきい値が変化する劣化がある。この劣化を光負バイアス劣化とも呼ぶ。

サンプル１、２について、光負バイアス劣化を図１９に示す。

図１９において、サンプル２は、サンプル１よりＶｔｈの変化量が小さい。

次に、サンプル１のトランジスタ（Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍ）に６００秒間の光（波長４００ｎｍ、照射強度３．５ｍＷ／ｃｍ^２）を照射した前後の光応答性を測定した。その結果から作成した光応答性のグラフ（光電流時間依存性グラフ）を図２０（Ａ）に示す。なお、Ｖｄは０．１Ｖである。

また、サンプル２のトランジスタ（Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍ）に６００秒間の光（波長４００ｎｍ、照射強度３．５ｍＷ／ｃｍ^２）を照射した前後の光応答性を測定した。その結果から作成した光応答性のグラフ（光電流時間依存性グラフ）を図２０（Ｂ）に示す。

また、サンプル２と作製条件が同じトランジスタのＷ幅を大きくした条件（Ｌ／Ｗ＝３０μｍ／１００００μｍ）や、サンプル２と作製条件が同じトランジスタのＷ幅を大きくした条件でさらにＶｄを大きくした条件（Ｖｄ＝１５Ｖ）でも測定を行い、フィッティングを行って、それぞれの二種類の緩和時間（τ_１とτ_２）を算出した結果および最大電流値（Ｉｍａｘ）を表１に示す。

なお、二種類の緩和時間（τ_１とτ_２）はトラップ密度に依存している値である。τ_１とτ_２を算出する方法を光応答欠陥評価法と呼ぶ。

表１から、サンプル１に比べ、光負バイアス劣化が小さいサンプル２のいずれも光応答性が早いことがわかる。これらのことから、光負バイアス劣化が小さいほど光応答性も早いという関係を見いだすことができる。

その理由の一つを説明する。もし深いドナー準位が存在し、ドナー準位に正孔がトラップされるならば、光負バイアス劣化においてはゲートに印加されたマイナスバイアスによって固定電荷となり、その結果、光応答においては電流値の緩和時間が大きくなる可能性がある。結晶性酸化物半導体膜を用いたトランジスタで、光負バイアス劣化が小さく、光応答性も早いのは、上記の正孔をトラップするドナー準位の密度が小さくなっていることに起因していると予想される。図２１に予想されるドナー準位の模式図を示す。

また、ドナー準位の深さや密度の変化を調査する為、低温ＰＬによって測定を行った。酸化物半導体膜の成膜時の基板温度が４００℃における場合と酸化物半導体膜の、成膜時の基板温度が２００℃の場合を図２２に示す。

図２２より、酸化物半導体膜の成膜時の基板温度が４００℃である場合では約１．８ｅＶ付近のピーク強度が基板温度２００℃のそれと比較して大幅に減少している。この測定結果は、ドナー準位の深さは変わらず、密度が大幅に減少していることを示唆している。

また、酸化物半導体膜の成膜時の基板温度の条件を変えて、それぞれ比較し、単膜での評価を行った。

サンプルＡは、石英基板（厚さ０．５ｍｍ）上に５０ｎｍの膜厚の酸化物半導体膜を成膜したものである。なお、酸化物半導体膜の成膜条件は、酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］）を用いて、基板とターゲットの間との距離を６０ｍｍ、基板温度２００℃、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、アルゴン（３０ｓｃｃｍ）及び酸素（１５ｓｃｃｍ）の混合雰囲気下である。

ＥＳＲ（電子スピン共鳴）を室温（３００Ｋ）で測定し、マイクロ波（周波数９．５ＧＨｚ）の吸収の起こる磁場の値（Ｈ_０）から式ｇ＝ｈｖ／βＨ_０を用いてｇ値というパラメータが得られる。なお、ｈはプランク定数であり、βはボーア磁子であり、どちらも定数である。

サンプルＡのｇ値を示すグラフを図２３（Ａ）に示す。

また、サンプルＡと同じ条件で成膜を行った後、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間加熱を行い、サンプルＢとする。サンプルＢのｇ値を示すグラフを図２３（Ｂ）に示す。

また、サンプルＡと同じ条件で成膜を行った後、窒素と酸素の混合雰囲気下、４５０℃、１時間加熱を行い、サンプルＣとする。サンプルＣのｇ値を示すグラフを図２３（Ｃ）に示す。

サンプルＢのｇ値のグラフにおいて、ｇ＝１．９３のシグナルが確認でき、スピン密度は１．８×１０^１８［ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３］となっている。一方、サンプルＣのＥＳＲの結果では、ｇ＝１．９３のシグナルが確認できないことから、ｇ＝１．９３のシグナルは、酸化物半導体膜中のメタルのダングリングボンドに起因する。

また、サンプルＤ、Ｅ、Ｆ、Ｇは、石英基板（厚さ０．５ｍｍ）上に膜厚１００ｎｍの酸化物半導体膜を成膜したものである。なお、酸化物半導体膜の成膜条件は、酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］））を用いて、基板とターゲットの間との距離を６０ｍｍ、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、アルゴン（３０ｓｃｃｍ）及び酸素（１５ｓｃｃｍ）の混合雰囲気下である。また、サンプルＤ、Ｅ、Ｆ、Ｇは、それぞれ成膜時の基板温度が異なっており、サンプルＤは室温、サンプルＥは２００℃、サンプルＦは３００℃、サンプルＧは４００℃である。

サンプルＤ、Ｅ、Ｆ、ＧのＥＳＲスペクトルを図２４に示した。

成膜時の基板温度（Ｔｓｕｂと示す。）が４００℃であるサンプルＧでは、ｇ＝１．９３のシグナルが確認でき、スピン密度は１．３×１０^１８［ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３］となっている。そのスピン密度は、サンプルＢで得られたｇ＝１．９３のシグナルのスピン密度と同程度である。

サンプルＢのＥＳＲ測定を行った結果である図２５では、磁場を基板表面に対して垂直に印加した場合（実線で示したスペクトル）と基板表面に対して平行に印加した場合（点線で示したスペクトル）でのｇ値の違い（異方性）を表す。

また、サンプルＧと同じ条件で成膜を行った後、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間の加熱を行ったサンプルＨのＥＳＲ測定を行った結果を図２６に示す。図２６では、磁場を基板表面に対して垂直に印加した場合（実線で示したスペクトル）と基板表面に対して平行に印加した場合（点線で示したスペクトル）でのｇ値の違い（異方性）を表す。

図２５と図２６を比較した結果、基板温度２００℃では異方性によるｇ値の変化Δｇが０．００１以下であったのに対し、基板温度４００℃ではΔｇ〜０．００３と大きくなることがわかる。一般に、結晶性が良い（軌道の向きがそろっている）ほど、異方性が大きくなるということが知られており、基板温度４００℃の膜は基板温度２００℃の膜に比べて、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間の加熱で生じるメタルのダングリングボンドの向きがそろっている、すなわち結晶性が良いということが結論される。

また、酸化物半導体膜の膜厚を変えてＥＳＲ測定を行った。得られたＥＳＲスペクトルにおいてｇ＝１．９３シグナルの強度変化を図２７に、全スピン数を図２８に示す。図２７及び図２８の結果から、ｇ＝１．９３シグナルの強度は酸化物半導体膜の膜厚が増えるに従って増加することが確認された。このことはｇ＝１．９３シグナルの起因となるダングリングボンドは石英基板と酸化物半導体膜の界面や酸化物半導体膜表面ではなくバルクに存在していることを示唆している。

これらの結果から、メタルのダングリングボンドは異方性を持ち、その異方性は成膜温度が高いほうが、結晶性が良いため大きくなることがわかる。また、メタルのダングリングボンドは界面や表面ではなくバルクに存在するということがわかる。

これらの結果から、成膜時の基板温度が高くなると結晶性の向上が原因と考えられるｇ値の異方性の増大が確認された。また、ｇ＝１．９３シグナルの起因となるダングリングボンドは膜厚依存性を持ち、ＩＧＺＯのバルクに存在するダングリングボンドによるものであることが示唆される。

なお、結晶性酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。結晶性酸化物半導体膜を形成した後、第２の加熱処理することにより、酸化物絶縁膜に含まれる酸素が、結晶性酸化物半導体膜中、または酸化物絶縁膜と結晶性酸化物半導体膜との界面に拡散し、結晶性酸化物半導体膜の酸素欠損を低減することができる。第２の加熱処理は、１５０℃以上基板の歪み点未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下とする。

また、スパッタリング装置の処理室の圧力を０．４Ｐａ以下とすることで、被成膜面及び被成膜物への、アルカリ金属、水素等の不純物の混入を低減することができる。なお、被成膜物に含まれる水素は、水素原子の他、水素分子、水、水酸基、または水素化物として含まれる場合もある。

また、ターゲットの間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を４０ｍｍ以上３００ｍｍ以下（好ましくは６０ｍｍ以上）とする。Ｔ−Ｓ間距離が大きければ大きいほど、酸化物半導体用のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素のうちもっとも原子量の小さい亜鉛が、他の原子量の大きい元素より優先的に基板側へ堆積して、六角形の格子を有する結合を形成する。従って、Ｔ−Ｓ間距離は大きい方が好ましい。

また、スパッタリング法による成膜時において、被成膜面の温度は２５０℃以上好ましくは基板の熱処理上限温度以下とする。２５０℃は、水、水素などの不純物の被成膜物中への混入を防ぎ、チャンバー内の気相へ不純物を放出する温度である。また、スパッタリング法による成膜時における被成膜面の温度の上限は、基板の熱処理上限温度、或いは成膜物の上限温度（その温度を超えると大きく成膜中の成分が変化する温度）とする。

また、スパッタリング装置の処理室のリークレートを１×１０^−１０Ｐａ・ｍ^３／秒以下とすることで、スパッタリング法による成膜途中における結晶性酸化物半導体膜への、アルカリ金属、水素化物等の不純物の混入を低減することができる。また、排気系として吸着型の真空ポンプを用いることで、排気系からアルカリ金属、水素原子、水素分子、水、水酸基、または水素化物等の不純物の逆流を低減することができる。

また、ターゲットの純度を、９９．９９％以上とすることで、結晶性酸化物半導体膜に混入するアルカリ金属、水素原子、水素分子、水、水酸基、または水素化物等を低減することができる。また、当該ターゲットを用いることで、結晶性酸化物半導体膜において、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属の濃度を低減することができる。

以上の成膜条件により、結晶性酸化物半導体膜を形成することで、成膜中に材料の精製が行われ、アルカリ金属の濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、水素の濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である、不純物を極めて低減した結晶性酸化物半導体膜を形成することができる。結晶性酸化物半導体膜の不純物を低減することで、種結晶及び結晶性酸化物半導体膜の結晶成長がより促進され、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することができる。

また、トランジスタの構造としては、トップゲート型のトランジスタ、ボトムゲート型のトランジスタを適宜適用することができる。トップゲート型のトランジスタを作製する場合、絶縁表面上に形成された酸化物絶縁膜上に、スパッタリング法により、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を形成すると共に、種結晶を核として結晶成長させて、六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜を形成し、結晶性酸化物半導体膜を加熱処理した後、加熱処理した結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、選択的にエッチングされた結晶性酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、選択的にエッチングされた結晶性酸化物半導体膜及び一対の電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴の一つとする。また、ボトムゲート型のトランジスタを作製する場合、絶縁表面上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に酸化物絶縁膜を含むゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にスパッタリング法により、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を形成すると共に、種結晶を核として結晶成長させて、六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜を形成し、結晶性酸化物半導体膜を加熱処理した後、加熱処理した結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、選択的にエッチングされた結晶性酸化物半導体膜上に一対の電極を形成することを特徴の一つとする。

ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有している六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタを作製することで、トランジスタに光照射が行われ、またはバイアス−熱ストレス（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減でき、安定した電気的特性を有するトランジスタを作製することができる。さらに、第１の加熱処理及び第２の加熱処理を４５０℃以下とすることで、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことができる。

本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する断面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する上面図である。スパッタリング装置を説明する模式図である。種結晶の結晶構造を説明する模式図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する断面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する上面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する断面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する上面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する断面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する上面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する断面図である。本発明の一態様を示す半導体装置の作製工程を説明する断面図である。本発明の一態様を作製する製造装置の上面図の一例である。本発明の一態様を示す断面図、上面図及び回路図である。本発明の一態様を示すブロック図及び回路図である。本発明の一態様を示す電子機器の外観図である。平面ＴＥＭ写真である。図１７の一部を拡大し、六角形の一つを白線で示した図である。光負バイアス劣化を説明する図である。光電流時間依存性グラフを説明する図である。ドナー準位を説明する模式図である。低温ＰＬの測定結果を説明する図である。ＥＳＲの測定結果を説明する図である。ＥＳＲの測定結果を説明する図である。ＥＳＲの測定結果を説明する図である。ＥＳＲの測定結果を説明する図である。ＥＳＲの測定結果を説明する図である。ＥＳＲの測定結果を説明する図である。

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。

（実施の形態１）
本実施の形態では、結晶性酸化物半導体の作製方法、及び当該酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方法について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、半導体装置の構成の一形態であるトランジスタの作製工程を示す断面図であり、図２の一点破線Ａ−Ｂの断面図は図１（Ｅ）に相当する。本実施の形態では、トップゲート構造のトランジスタを用いて説明する。

図１（Ａ）に示すように、基板５１上に酸化物絶縁膜５３を形成する。

基板５１は、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。基板５１としてガラス基板を用いる場合、歪み点が７３０℃以上のものを用いることが好ましい。ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられる。なお、Ｂ_２Ｏ_３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。基板５１がマザーガラスの場合、基板の大きさは、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（４００ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍまたは１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等を用いることができる。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して大量生産を行う場合、作製工程の加熱処理は、６００℃以下、好ましくは４５０℃以下とすることが望ましい。

なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いることができる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。さらには、シリコンウェハ等の半導体基板の表面や金属材料よりなる導電性の基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いることもできる。

酸化物絶縁膜５３は、加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜を用いて形成する。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜は、加熱により結晶性酸化物半導体膜に酸素を拡散させることができる。酸化物絶縁膜５３は、代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等で形成することができる。

化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部を放出する。このときの酸素の放出量は、ＴＤＳ（ＴｈｅｒｍａｌＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）分析にて、酸素原子に換算しての酸素の放出量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは３．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。

ここで、ＴＤＳ分析による、酸素原子に換算したときの酸素の放出量の測定方法について、以下に説明する。

ＴＤＳ分析したときの気体の放出量は、スペクトルの積分値に比例する。このため、酸化物絶縁膜のスペクトルの積分値と、標準試料の基準値に対する比とにより、気体の放出量を計算することができる。標準試料の基準値とは、所定の原子を含む試料の、スペクトルの積分値に対する原子の密度の割合である。

例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのＴＤＳ分析結果、および酸化物絶縁膜のＴＤＳ分析結果から、酸化物絶縁膜の酸素分子の放出量（Ｎ（Ｏ_２））は、数式１で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量数３２で検出されるスペクトルの全てが酸素分子由来と仮定する。質量数３２のものとしてＣＨ_３ＯＨがあるが、存在する可能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の酸素原子および質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比率が極微量であるため考慮しない。

Ｎ（Ｏ_２）＝Ｎ（Ｈ_２）／Ｓ（Ｈ_２）×Ｓ（Ｏ_２）×α （数１）

Ｎ（Ｈ_２）は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。Ｓ（Ｈ_２）は、標準試料をＴＤＳ分析したときのスペクトルの積分値である。ここで、標準試料の基準値を、Ｎ（Ｈ_２）／Ｓ（Ｈ_２）とする。Ｓ（Ｏ_２）は、酸化物絶縁膜をＴＤＳ分析したときのスペクトルの積分値である。αは、ＴＤＳ分析におけるスペクトル強度に影響する係数である。数式１の詳細に関しては、特許第３２９８９７４号公報を参照する。なお、上記酸化物絶縁膜の酸素の放出量は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定する。

また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量についても見積もることができる。

なお、Ｎ（Ｏ_２）は酸素分子の放出量である。酸化物絶縁膜においては、酸素原子に換算したときの酸素の放出量は、酸素分子の放出量の２倍となる。

酸化物絶縁膜５３は、５０ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。酸化物絶縁膜５３を厚くすることで、酸化物絶縁膜５３からの酸素放出量を増加させることができると共に、その増加によって酸化物絶縁膜５３及び後に形成される酸化物半導体膜との界面における欠陥を低減することが可能である。

酸化物絶縁膜５３は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。なお、加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜は、スパッタリング法を用いることで形成しやすいため好ましい。

加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜をスパッタリング法により形成する場合は、成膜ガス中の酸素量が高いことが好ましく、酸素、または酸素及び希ガスの混合ガス等を用いることができる。代表的には、成膜ガス中の酸素濃度を６％以上１００％以下にすることが好ましい。

加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜の代表例として酸化シリコン膜を形成する場合、石英（好ましくは合成石英）をターゲットに用い、基板温度３０℃以上４５０℃以下（好ましくは７０℃以上２００℃以下）、基板とターゲットの間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を２０ｍｍ以上４００ｍｍ以下（好ましくは４０ｍｍ以上２００ｍｍ以下）、圧力を０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下（好ましくは０．２Ｐａ以上１．２Ｐａ以下）、高周波電源を０．５ｋＷ以上１２ｋＷ以下（好ましくは１ｋＷ以上５ｋＷ以下）、成膜ガス中のＯ_２／（Ｏ_２＋Ａｒ）割合を１％以上１００％以下（好ましくは６％以上１００％以下）として、ＲＦスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成することが好ましい。なお、石英（好ましくは合成石英）ターゲットに代えてシリコンターゲットを用いることもできる。なお、成膜ガスとしては、酸素のみを用いてもよい。

なお、アルカリ金属などの不純物を含むガラス基板を用いる場合、アルカリ金属の侵入防止のため、基板５１及び酸化物絶縁膜５３の間に窒化物絶縁膜として窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などを形成してもよい。窒化物絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法等で形成することができる。リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属は、不純物であるため含有量を少なくすることが好ましい。

次に、酸化物絶縁膜５３上に、スパッタリング装置を用いたスパッタリング法により、厚さ３０ｎｍ以上５０μｍ以下の酸化物半導体膜を成膜する。

ここで、スパッタリング装置の処理室について、図３（Ａ）を用いて説明する。処理室３１には、排気手段３３及びガス供給手段３５が接続される。また、処理室３１内には、基板支持体４０及びターゲット４１が設けられる。ターゲット４１は、電源装置３７に接続される。

処理室３１は、接地されている。また、処理室３１のリークレートを１×１０^−１０Ｐａ・ｍ^３／秒以下とすることで、スパッタリング法により成膜する膜への不純物の混入を低減することができる。

リークレートを低くするには、外部リークのみならず内部リークを低減する必要がある。外部リークとは、微小な穴やシール不良などによって真空系の外から気体が流入することである。内部リークとは、真空系内のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の部材からの放出ガスに起因する。リークレートを１×１０^−１０Ｐａ・ｍ^３／秒以下とするためには、外部リーク及び内部リークの両面から対策をとる必要がある。

外部リークを減らすには、処理室の開閉部分はメタルガスケットでシールするとよい。メタルガスケットは、フッ化鉄、酸化アルミニウム、または酸化クロムによって被覆された金属材料を用いると好ましい。メタルガスケットはＯリングと比べ密着性が高く、外部リークを低減できる。また、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態によって被覆された金属材料を用いることで、メタルガスケットから生じる水素を含む放出ガスが抑制され、内部リークも低減することができる。

処理室３１の内壁を構成する部材として、水素を含む放出ガスの少ないアルミニウム、クロム、チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の材料を鉄、クロム及びニッケルなどを含む合金材料に被覆して用いてもよい。鉄、クロム及びニッケルなどを含む合金材料は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで、表面積を小さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガスを低減できる。あるいは、前述の成膜装置の部材をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で被覆してもよい。

処理室３１の内部に設ける部材は、極力金属材料のみで構成することが好ましく、例えば石英などで構成される覗き窓などを設置する場合も、放出ガスを抑制するために表面をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で薄く被覆するとよい。

さらに、スパッタガスを処理室３１に導入する直前に、スパッタガスの精製機を設けることが好ましい。このとき、精製機から処理室までの配管の長さを５ｍ以下、好ましくは１ｍ以下とする。配管の長さを５ｍ以下または１ｍ以下とすることで、配管からの放出ガスの影響を長さに応じて低減できる。

シリンダーから処理室３１まで、スパッタガスを流すための配管にはフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態で内部が被覆された金属配管を用いることが好ましい。前述の配管は、例えばＳＵＳ３１６Ｌ−ＥＰ配管と比べ、水素を含む放出量が少なく、成膜ガスへの不純物の混入を低減できる。また、配管の継手には、高性能超小型メタルガスケット継手（ＵＰＧ継手）を用いるとよい。また、配管の材料を全て金属材料で構成することで、樹脂等を用いた場合と比べ、生じる放出ガス及び外部リークの影響を低減できるため好ましい。

処理室３１の内側に存在する吸着物は、内壁に吸着しているために処理室の圧力に影響しないが、処理室を排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に相関はないが、排気能力の高いポンプを用いて、処理室に存在する吸着物をできる限り脱離し、予め排気しておくことが重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、処理室をベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を１０倍程度大きくすることができる。ベーキングは１００℃以上４５０℃以下で行えばよい。このとき、不活性ガスを導入しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しにくい水などの脱離速度をさらに大きくすることができる。

排気手段３３は、処理室３１内の不純物を排気すると共に、処理室３１内の圧力を制御することができる。排気手段３３は、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。上記吸着型の真空ポンプを用いることで、酸化物半導体膜に含まれる水素の量を低減することができる。

処理室３１の排気は、ドライポンプなどの粗引きポンプと、スパッタイオンポンプ、ターボ分子ポンプ及びクライオポンプなどの高真空ポンプとを適宜組み合わせて行うとよい。ターボ分子ポンプは大きいサイズの分子の排気が優れる一方、水素や水の排気能力が低い。そこで、水の排気能力の高いクライオポンプ及び水素の排気能力の高いスパッタイオンポンプを組み合わせることが有効となる。

なお、酸化物半導体膜に含まれる水素は、水素原子の他、水素分子、水、水酸基、または水素化物として含まれる場合もある。

ガス供給手段３５は、ターゲットをスパッタリングするためのガスを処理室３１内に供給する手段である。ガス供給手段３５は、ガスが充填されたシリンダー、圧力調整弁、ストップバルブ、マスフローコントローラ等で構成されている。なお、ガス供給手段３５に精製機を設けることで、処理室３１内に導入するガスに含まれる不純物を低下することができる。ターゲットをスパッタリングするガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガスを用いる。または、上記希ガスの一と、酸素との混合ガスを用いることができる。

電源装置３７は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜用いることができる。なお、図示しないがターゲットを支持するターゲット支持体の内部または外側にマグネットを設けると、ターゲット周辺に高密度のプラズマを閉じこめることができ、成膜速度の向上及び基板へのプラズマダメージを低減できる。当該方法は、マグネトロンスパッタリング法とよばれる。更には、マグネトロンスパッタリング法において、マグネットを回転可能にすると、磁界の偏りを低減できるため、ターゲットの使用効率が高まり、かつ基板の面内における膜質のばらつきを低減できる。

基板支持体４０は、接地されている。基板支持体４０にはヒータが設けられている。ヒータとしては、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置があり、例えば、電気炉や、ＧＲＴＡ（ＧａｓＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（ＬａｍｐＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。

ターゲット４１としては、亜鉛を含む金属酸化物ターゲットを用いることができる。ターゲット４１の代表例としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などのターゲットを用いることができる。

ターゲット４１の一例として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む金属酸化物ターゲットを、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比とする。また、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、またはＩｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲットを用いることもできる。

なお、ターゲット４１と基板５１との間隔（Ｔ−Ｓ間距離）は、原子量の小さい元素が優先的に基板５１上の酸化物絶縁膜５３に到着することが可能な間隔とする。

次に、酸化物絶縁膜上に結晶性酸化物半導体膜を成膜する方法について、説明する。

図３（Ａ）に示すように、基板支持体４０上に酸化物絶縁膜５３が形成された基板５１を、スパッタリング装置の処理室３１内に設置する。次に、ガス供給手段３５から処理室３１にターゲット４１をスパッタリングするガスを導入する。ターゲット４１の純度は、９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上のものを用いる。次に、ターゲット４１に接続される電源装置３７に電力を供給する。この結果、ガス供給手段３５から処理室３１に導入されたスパッタリングガスのイオン４３及び電子が、ターゲット４１をスパッタリングする。本実施の形態では、ターゲット４１及び基板５１の間隔が、原子量の小さい元素が優先的に基板５１上の酸化物絶縁膜５３に到着し堆積することが可能な間隔である。このため、図３（Ｂ）に示すように、ターゲット４１に含まれる元素において、原子量の少ない元素４５が、原子量の大きい元素４７より優先的に基板側へ移動する。

本実施の形態で示すターゲット４１においては、亜鉛は、スズ及びインジウムよりも原子量が小さい。このため、亜鉛が優先的に酸化物絶縁膜５３上に堆積する。また、成膜時の雰囲気に酸素を含み、基板支持体４０には、成膜時に基板及び堆積膜を加熱するヒータが設けられるため、酸化物絶縁膜５３上に堆積した亜鉛が酸化され、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶５５ａ、代表的には六方晶構造の酸化亜鉛を有する種結晶が形成される。

なお、ターゲット４１にアルミニウム等の亜鉛より原子量の小さい原子が含まれる場合、亜鉛と共に、アルミニウムも優先的に酸化物絶縁膜５３上に堆積する。

種結晶５５ａは、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有している亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する。ここで、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有している亜鉛を含む六方晶構造の結晶について、図４を用いて説明する。ここでは、亜鉛を含む六方晶構造の結晶の代表例として、酸化亜鉛を用いて説明し、黒丸が亜鉛、白丸が酸素を示す。図４（Ａ）は、ａ−ｂ面における、六方晶構造の酸化亜鉛の模式図であり、図４（Ｂ）は、ｃ軸方向を縦方向とした、六方晶構造の酸化亜鉛の模式図である。図４（Ａ）に示すように、ａ−ｂ面における上平面において、亜鉛及び酸素が六角形をなす結合をしている。また、図４（Ｂ）に示すように、亜鉛及び酸素がなす六角形の格子を有する結合を有する層が積層され、ｃ軸方向はａ−ｂ面に垂直である。

種結晶５５ａは、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有する層をｃ軸方向に１原子層以上有する。

なお、スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、希ガス及び酸素の混合ガスを適宜用いる。また、スパッタリングガスには、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。

引き続き、ターゲット４１をスパッタリングガスでスパッタリングすることで、種結晶５５ａ上にターゲットに含まれる原子が堆積するが、このとき種結晶５５ａを核として結晶成長するため、種結晶５５ａ上に六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜５５ｂを形成することができる。なお、基板５１は、基板支持体４０に設けられるヒータによって加熱されるため、種結晶５５ａを核とし、被表面に堆積する原子が酸化されつつ結晶成長し、結晶性酸化物半導体膜を作製方法することができる。

このときのヒータによる基板の加熱温度は２００℃以上４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下である。２００℃以上４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下に基板を加熱しながら成膜をすることによって第１の加熱処理がなされる。なお、スパッタリング時における被成膜面の温度は、２５０℃以上基板の熱処理上限温度以下とする。

結晶性酸化物半導体膜５５ｂは、種結晶５５ａを核とし、ターゲット４１の表面における原子量の重い原子、及び種結晶５５ａの形成の後にスパッタリングされた原子量の軽い原子が酸化されつつ結晶成長するため、種結晶５５ａと同様に、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有している亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する。即ち、種結晶５５ａ及び結晶性酸化物半導体膜５５ｂで構成される結晶性酸化物半導体膜５５は、酸化物絶縁膜５３表面に平行なａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有している亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する。本実施の形態で示す結晶性酸化物半導体膜５５は、非晶質構造ではなく、結晶性構造、理想的には単結晶構造であり、基板平面に概略垂直なｃ軸を有している結晶性酸化物半導体（ＣＡｘｉｓＡｌｉｇｎｅｄＣｒｙｓｔａｌ；ＣＡＡＣＯＳともよぶ。）である。

なお、基板支持体４０及びターゲット４１を有する処理室の圧力を０．４Ｐａ以下とすることで、結晶性酸化物半導体膜の表面及び膜中への、アルカリ金属、水素等の不純物の混入を低減することができる。

また、スパッタリング装置の処理室のリークレートを１×１０^−１０Ｐａ・ｍ^３／秒以下とすることで、スパッタリング法による成膜途中における結晶性酸化物半導体膜への、アルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等の不純物の混入を低減することができる。また、排気系として吸着型の真空ポンプを用いることで、排気系からアルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等の不純物の逆流を低減することができる。

また、ターゲット４１の純度を、９９．９９％以上とすることで、結晶性酸化物半導体膜に混入するアルカリ金属、水素、水、水酸基または水素化物等を低減することができる。また、当該ターゲットを用いることで、結晶性酸化物半導体膜５５において、リチウムの濃度を５×１０^１５ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、ナトリウムの濃度を５×１０^１６ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１６ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、カリウムの濃度を５×１０^１５ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下とすることができる。

アルカリ金属、及びアルカリ土類金属は結晶性酸化物半導体にとっては悪性の不純物であり、少ないほうがよい。特にアルカリ金属のうち、ナトリウムは結晶性酸化物半導体に接する酸化物絶縁膜に拡散し、ナトリウムイオン（Ｎａ^＋）となる。また、結晶性酸化物半導体内において、金属と酸素の結合を分断し、あるいは結合中に割り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化（例えば、ノーマリオン化（しきい値の負へのシフト）、移動度の低下等）をもたらす。加えて、特性のばらつきの原因ともなる。このような問題は、特に結晶性酸化物半導体中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著となる。したがって、結晶性酸化物半導体中の水素の濃度が５×１０^１９ｃｍ^−３以下、特に５×１０^１８ｃｍ^−３以下である場合には、アルカリ金属の濃度を上記の値にすることが強く求められる。

以上の条件により、結晶性酸化物半導体膜を形成することで、アルカリ金属の濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、水素の濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とした、不純物を極めて低減した結晶性酸化物半導体膜を形成することができる。結晶性酸化物半導体膜の不純物を低減することで、種結晶及び結晶性酸化物半導体膜の結晶成長が促進され、さらに単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することができる。

結晶性酸化物半導体において金属元素と結合する酸素は、非晶質酸化物半導体と比較して水素と反応性が低いため、欠陥の生成が低減される。このため、結晶性酸化物半導体膜をチャネル領域とするトランジスタは、光照射やＢＴ試験前後でのしきい値電圧の変化量が少なく、安定した電気的特性を有する。

さらに、結晶性酸化物半導体膜の成膜工程において、処理室の圧力、被成膜面の温度、処理室のリークレート、及びターゲットの純度のうち、一以上、好ましくは全てを上記条件とすることで、酸化物絶縁膜及び結晶性酸化物半導体膜に含まれる水素及びアルカリ金属の混入を低減することができる。また、酸化物絶縁膜から結晶性酸化物半導体膜への水素及びアルカリ金属の拡散を低減することができる。酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（あるいは酸素が脱理した部分）には欠陥が形成されてしまう。

このため、結晶性酸化物半導体膜の成膜工程において、不純物を極めて減らすことにより、結晶性酸化物半導体膜の欠陥を低減することが可能である。これらのことから、結晶性酸化物半導体膜をチャネル領域とするトランジスタは、光照射やＢＴ試験前後でのしきい値電圧の変化量が少なく、安定した電気的特性を有する。

本実施の形態では、同一のスパッタリング工程において、ターゲットに含まれる原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させるため、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することができる。さらには、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶とし、六方晶構造の酸化物半導体を堆積するため、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性の酸化物半導体膜を形成することができる。

なお、結晶性酸化物半導体膜５５に用いることが可能な金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である。このように、バンドギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

本実施の形態では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物ターゲットを用い、スパッタリングガスとして、アルゴン及び酸素の混合ガスを用いたスパッタリング法により結晶性酸化物半導体膜５５を形成する。

次に、基板５１に加熱処理を施して、結晶性酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、酸化物絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を、結晶性酸化物半導体膜５５と、酸化物絶縁膜５３における結晶性酸化物半導体膜５５の界面近傍とに拡散させる。

加熱処理温度は、結晶性酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、酸化物絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を放出させ、さらには結晶性酸化物半導体膜５５に拡散させる温度が好ましく、代表的には、１５０℃以上基板５１の歪み点未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下とする。なお、加熱処理温度は、結晶性酸化物半導体膜の成膜温度より高くすることで、酸化物絶縁膜５３に含まれる酸素の一部をより多く放出させることができる。

加熱処理は、不活性ガス雰囲気で行うことが好ましく、代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガス、または窒素雰囲気で行うことが好ましい。また、減圧雰囲気にて行っても良い。

当該加熱処理により、結晶性酸化物半導体膜５５から水素を放出させると共に、酸化物絶縁膜５３に含まれる酸素の一部を、結晶性酸化物半導体膜５５と、酸化物絶縁膜５３における結晶性酸化物半導体膜５５の界面近傍とに拡散させることができる。当該工程により、結晶性酸化物半導体膜５５中に含まれる酸素欠損を低減することができると共に、酸化物絶縁膜における結晶性酸化物半導体膜５５の近傍に拡散させることで、酸化物半導体膜及び酸化物絶縁膜の界面における欠陥を低減することができる。この結果、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を形成することができる。

次に、加熱処理された結晶性酸化物半導体膜上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて加熱処理された結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、結晶性酸化物半導体膜５９を形成する。この後、マスクを除去する（図１（Ｃ）参照。）。

結晶性酸化物半導体膜５５をエッチングするためのマスクは、フォトリソグラフィ工程、インクジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。また、結晶性酸化物半導体膜５５のエッチングはウエットエッチングまたはドライエッチングを適宜用いることができる。

次に、図１（Ｄ）に示すように、結晶性酸化物半導体膜５９に接する一対の電極６１を形成する。

一対の電極６１は、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

一対の電極６１は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、一対の電極６１は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。

また、一対の電極６１は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。

一対の電極６１は、印刷法またはインクジェット法により形成する。若しくは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で導電膜を形成した後、該導電膜上にマスクを形成して導電膜をエッチングして形成する。導電膜上に形成するマスクは印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を適宜用いることができる。

ここでは、結晶性酸化物半導体膜５９及び酸化物絶縁膜５３上に導電膜を形成した後、導電膜を所定の形状にエッチングして一対の電極６１を形成する。

なお、加熱処理された結晶性酸化物半導体膜上に導電膜を形成した後、多階調フォトマスクによって、凹凸状のマスクを形成し、当該マスクを用いて加熱処理された結晶性酸化物半導体膜及び導電膜をエッチングした後、アッシングにより凹凸状のマスクを分離し、当該分離されたマスクにより導電膜を選択的にエッチングすることで、結晶性酸化物半導体膜及び一対の電極を形成することができる。当該工程により、フォトマスク数及びフォトリソグラフィ工程数を削減することができる。

次に、結晶性酸化物半導体膜５９及び一対の電極６１上にゲート絶縁膜６３を形成する。

次に、ゲート絶縁膜６３上であって、結晶性酸化物半導体膜５９と重畳してゲート電極６５を形成する。

この後、保護膜として絶縁膜６９を形成してもよい（図１（Ｅ）参照。）。また、ゲート絶縁膜６３及び絶縁膜６９にコンタクトホールを形成した後、一対の電極６１に接続する配線を形成してもよい。

ゲート絶縁膜６３は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または酸化ガリウムを単層でまたは積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁膜６３は、結晶性酸化物半導体膜５９と接する部分が酸素を含むことが好ましく、特に好ましくは酸化物絶縁膜５３と同様に加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜により形成する。酸化シリコン膜を用いることで、結晶性酸化物半導体膜５９に酸素を拡散させることができ、特性を良好にすることができる。

また、ゲート絶縁膜６３として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ_ｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでゲートリークを低減できる。さらには、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、及び酸化ガリウムのいずれか一以上との積層構造とすることができる。ゲート絶縁膜６３の厚さは、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とするとよい。

なお、ゲート絶縁膜６３を形成する前に、結晶性酸化物半導体膜５９の表面を、酸素、オゾン、一酸化二窒素等の酸化性ガスのプラズマに曝し、結晶性酸化物半導体膜５９の表面を酸化し、酸素欠損を低減してもよい。

ゲート電極６５は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極６５は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。

また、ゲート電極６５は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。

絶縁膜６９は、ゲート絶縁膜６３に列挙した絶縁膜を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜６９としてスパッタリング法またはＣＶＤ法で成膜される窒化シリコン膜を形成すると、外部からの水分やアルカリ金属の侵入を防止することが可能であり、結晶性酸化物半導体膜の不純物の含有量を低減することができる。

なお、ゲート絶縁膜６３の形成の後、または絶縁膜６９の形成の後、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理によって、ゲート絶縁膜６３から結晶性酸化物半導体積膜へ酸素が拡散する。この結果、加熱処理の温度が高いほど、光を照射しながら−ＢＴ試験によるしきい値の変化量は抑制される。

以上の工程により、結晶性酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタ１２０を作製することができる。ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有する六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタ１２０は、光照射やＢＴ試験前後でのしきい値電圧の変化量が少ないため、安定した電気的特性を有するトランジスタを作製することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１と異なる構造のトランジスタの作製方法について、図５及び図６を用いて説明する。本実施の形態では、酸化物絶縁膜及び結晶性酸化物半導体膜の間に一対の電極が設けられる点が実施の形態１と異なる。なお、図６の一点破線Ｃ−Ｄの断面図は図５（Ｄ）に相当する。

図５（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、基板５１上に酸化物絶縁膜５３を形成する。次に、酸化物絶縁膜５３上に一対の電極７１を形成する。次に、一対の電極７１及び酸化物絶縁膜５３上に、結晶性酸化物半導体膜７３を形成する。

一対の電極７１は、実施の形態１に示す一対の電極６１と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

結晶性酸化物半導体膜７３は、実施の形態１に示す結晶性酸化物半導体膜５５と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

次に、実施の形態１と同様に基板５１を加熱して、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を形成した後、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜上にマスクを形成し、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、結晶性酸化物半導体膜７５を形成する。この後、マスクを除去する（図５（Ｂ）参照。）。

次に、図５（Ｃ）に示すように、一対の電極７１及び結晶性酸化物半導体膜７５上にゲート絶縁膜７７を形成する。次に、ゲート絶縁膜７７上であって、結晶性酸化物半導体膜７５と重畳してゲート電極７９を形成する。次に、ゲート絶縁膜７７及びゲート電極７９上に保護膜として絶縁膜８１を形成してもよい。

ゲート絶縁膜７７は、実施の形態１に示すゲート絶縁膜６３と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

ゲート電極７９は、実施の形態１に示すゲート電極６５と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

絶縁膜８１は、実施の形態１に示す絶縁膜６９と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

次に、絶縁膜８１上にマスクを形成した後、ゲート絶縁膜７７及び絶縁膜８１の一部をエッチングしてコンタクトホールを形成する。次に、コンタクトホールを介して、一対の電極７１に接続する配線８３を形成する。

配線８３は、一対の電極７１と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

以上の工程により、結晶性酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタを作製することができる。ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、ａ−ｂ面に概略平行な基板平面に概略垂直なｃ軸を有している六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタは、光照射やＢＴ試験前後でのしきい値電圧の変化量が少ないため、安定した電気的特性を有するトランジスタを作製することができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２と異なるトランジスタについて、図７及び図８を用いて説明する。本実施の形態では、ゲート電極が基板側に設けられるボトムゲート構造のトランジスタである点が実施の形態１及び実施の形態２と異なる。なお、図８の一点破線Ｅ−Ｆの断面図は図７（Ｃ）に相当する。

図７（Ａ）に示すように、基板５１上に酸化物絶縁膜５３を形成する。次に、酸化物絶縁膜５３上にゲート電極９１を形成する。次に、酸化物絶縁膜５３及びゲート電極９１上にゲート絶縁膜９３を形成する。次に、ゲート絶縁膜９３上に、実施の形態１と同様に結晶性酸化物半導体膜９５を形成する。

ゲート電極９１は、実施の形態１に示すゲート電極６５と同様に形成することができる。

ゲート絶縁膜９３は、実施の形態１に示すゲート絶縁膜６３と同様に形成することができる。

結晶性酸化物半導体膜９５は、実施の形態１に示す結晶性酸化物半導体膜５５と同様に形成することができる。

次に、実施の形態１と同様に、結晶性酸化物半導体膜９５を加熱して、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を形成する。

次に、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜上にマスクを形成して、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、結晶性酸化物半導体膜９９を形成する。この後マスクを除去する（図７（Ｂ）参照。）。

次に、図７（Ｃ）に示すように、結晶性酸化物半導体膜９９上に一対の電極１０１を形成する。次に、結晶性酸化物半導体膜９９及び一対の電極１０１上に絶縁膜１０３を形成する。

一対の電極１０１は、実施の形態１に示す一対の電極６１と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

絶縁膜１０３は、実施の形態１に示すゲート絶縁膜６３と同様に形成することができる。

この後、加熱処理を行ってもよい。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態３とは異なるボトムゲート型のトランジスタについて、図９及び図１０を用いて説明する。本実施の形態では、ゲート絶縁膜及び酸化物半導体膜の間に一対の電極が設けられる点が実施の形態３と異なる。なお、図１０の一点破線Ｇ−Ｈの断面図は図９（Ｄ）に相当する。

図９（Ａ）に示すように、基板５１上に酸化物絶縁膜５３を形成する。次に、酸化物絶縁膜５３上にゲート電極９１を形成する。次に、酸化物絶縁膜５３及びゲート電極９１上にゲート絶縁膜９３を形成する。次に、ゲート絶縁膜９３上に、一対の電極１０５を形成する。

一対の電極１０５は、実施の形態１に示す一対の電極６１と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。

次に、図９（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜９３上に、実施の形態１と同様に結晶性酸化物半導体膜１０７を形成する。

結晶性酸化物半導体膜１０７は、実施の形態１に示す結晶性酸化物半導体膜５５と同様に形成することができる。

次に、実施の形態１と同様に、結晶性酸化物半導体膜１０７を加熱して、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を形成する。

次に、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜上にマスクを形成して、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、結晶性酸化物半導体膜１０９を形成する。この後マスクを除去する（図９（Ｃ）参照。）。

次に、図９（Ｄ）に示すように、結晶性酸化物半導体膜１０９及び一対の電極１０５上に保護膜１１１を形成する。

保護膜１１１は、実施の形態１に示すゲート絶縁膜６３と同様に形成することができる。

この後、加熱処理を行ってもよい。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態４において、複数のゲート電極を有するトランジスタについて説明する。ここでは、実施の形態３に示すトランジスタを用いて説明するが、実施の形態１、実施の形態２及び実施の形態４に適宜適用することができる。

実施の形態３と同様に、図１１に示すように、基板５１上に酸化物絶縁膜５３を形成し、酸化物絶縁膜５３上に、ゲート電極９１、ゲート絶縁膜９３を形成し、ゲート絶縁膜９３上に、結晶性酸化物半導体膜９９、一対の電極１０１、及び絶縁膜１０３を形成する。

次に、絶縁膜１０３上であって、結晶性酸化物半導体膜９９と重畳してバックゲート電極１１３を形成する。次に、絶縁膜１０３及びバックゲート電極１１３上に保護膜として絶縁膜１１５を形成してもよい。

バックゲート電極１１３は、実施の形態１に示すゲート電極６５と同様に形成することができる。

絶縁膜１０３は、バックゲート電極１１３側のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜１１５は、実施の形態１に示す絶縁膜６９と同様に形成することができる。

ゲート電極９１及びバックゲート電極１１３は接続されていてもよい。この場合、ゲート電極９１及びバックゲート電極１１３は同電位となるため、チャネル領域が結晶性酸化物半導体膜９９のゲート絶縁膜９３側、及び絶縁膜１０３側に形成されるため、トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。

または、ゲート電極９１及びバックゲート電極１１３は接続されず、異なる電位が印加されてもよい。この場合、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。

なお、本実施の形態では、一対の電極１０１を結晶性酸化物半導体膜９９及び絶縁膜１０３の間に形成したが、ゲート絶縁膜９３及び結晶性酸化物半導体膜９９の間に形成してもよい。

以上の工程により、ゲート電極を複数有するトランジスタを作製することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態５と比較して、結晶性酸化物半導体膜及び一対の電極の接触抵抗を低減できるトランジスタの作製方法について、説明する。

実施の形態１と同様に、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）の工程により酸化物絶縁膜５３上に結晶性酸化物半導体膜５５を形成する。次に、結晶性酸化物半導体膜５５を加熱して、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜を形成する。次に、図１２（Ａ）に示すように、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜５７上に、ｎ型の導電型を有するバッファ８４を形成する。

ｎ型の導電型を有するバッファ８４としては、インジウム酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、錫酸化物、亜鉛酸化物、錫亜鉛酸化物から選ばれた一つの金属酸化物であるか、または該金属酸化物にアルミニウム、ガリウム、シリコンから選ばれた元素が一つ以上含まれている材料を用いることができる。この構成とすることで、後に形成されるソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極及び結晶性酸化物半導体膜の接触抵抗を低減することができる。

ここでは、結晶性酸化物半導体膜を加熱して結晶性酸化物半導体膜から水素を放出させると共に、酸化物絶縁膜から結晶性酸化物半導体膜に酸素を拡散させた後、当該結晶性酸化物半導体膜上にｎ型の導電型を有するバッファ８４を形成するため、結晶性酸化物半導体膜からの水素の放出を十分に行うことができる。この結果、結晶性酸化物半導体膜中の水素濃度及び酸素欠損を低減することが可能であり、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。

次に、ｎ型の導電型を有するバッファ８４上にマスクを形成した後、水素濃度及び酸素欠損が低減された結晶性酸化物半導体膜及びｎ型の導電型を有するバッファ８４をエッチングして、結晶性酸化物半導体膜５９及びｎ型の導電型を有するバッファ８５を形成する。この後、マスクを除去する（図１２（Ｂ）参照。）。

次に、図１２（Ｃ）に示すように、結晶性酸化物半導体膜５９及びｎ型の導電型を有するバッファ８５上に一対の電極６１を形成する。ここでは、ゲート絶縁膜の膜質を保つため、一対の電極６１として、ゲート絶縁膜から、酸素を引き抜かない材料を用いることが好ましい。このような一対の電極６１の材料として、タングステン、モリブデン等がある。しかしながら、タングステン及びモリブデンは結晶性酸化物半導体膜及びゲート絶縁膜と接する領域において抵抗の高い金属酸化物が形成されてしまう。そこで、結晶性酸化物半導体膜５９及び一対の電極６１の間に、ｎ型の導電型を有するバッファを設けることで、結晶性酸化物半導体膜５９及び一対の電極６１の接触抵抗を低減することができる。

次に、一対の電極６１上に形成されるマスク（図示しない）を用いて、ｎ型の導電型を有するバッファ８５の露出部をエッチングして、一対のｎ型の導電型を有するバッファ８７を形成する（図１２（Ｄ）参照）。

なお、一対の電極６１上に形成されるマスクを除去した後、一対の電極６１をマスクとして、ｎ型の導電型を有するバッファ８５の露出部をエッチングして、一対のｎ型の導電型を有するバッファ８７を形成してもよい。

ｎ型の導電型を有するバッファ８５をエッチングする際には、結晶性酸化物半導体膜５９がエッチングされず、選択的にｎ型の導電型を有するバッファ８５をエッチングする条件（エッチング選択比の高い条件）を用いることが好ましい。なお、結晶性酸化物半導体膜５９及びｎ型の導電型を有するバッファ８５のエッチング選択比が低い場合は、ｎ型の導電型を有するバッファ８５のエッチングの際に結晶性酸化物半導体膜５９の一部もエッチングされ、溝部（凹部）を有する形状となることもある。

本実施の形態により、結晶性酸化物半導体膜５９及び一対の電極６１の間にｎ型の導電型を有するバッファ８７を有するため、結晶性酸化物半導体膜５９及び一対の電極６１の接触抵抗を低減することができる。この結果、トランジスタのオン電流の低減を抑えることができる。また、ＢＴ試験においてマイナスゲートバイアスストレスを印加する前後のオン電流の変化量（Ｉｏｎ劣化）を抑えることができる。

次に、実施の形態１と同様に、ゲート絶縁膜６３、ゲート電極６５、及び絶縁膜６９を形成する（図１２（Ｅ）参照）。また、ゲート絶縁膜６３及び絶縁膜６９にコンタクトホールを形成した後、一対の電極６１に接続する配線を形成してもよい。

以上の工程により、結晶性酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタを作製することができる。

本実施の形態により、酸化物半導体膜及び一対の配線の間に接触抵抗を低減するｎ型の導電型を有するバッファを形成するため、トランジスタのオン電流の低減を抑えると共に、ＢＴ試験においてマイナスゲートバイアスストレスを印加する前後のオン電流の変化量（Ｉｏｎ劣化）を抑えることができる。

本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態１に示した酸化物絶縁膜５３の形成から加熱処理を行い、ソース電極またはドレイン電極となる導電膜を形成するまでの工程を大気に触れることなく連続的に行う製造装置の一例を図１３に示す。

図１３に示す製造装置は、枚葉式マルチチャンバー装置であり、３つのスパッタ装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、被処理基板を収容するカセットポート１４を３つ有する基板供給室１１、ロードロック室１２ａ、１２ｂ、搬送室１３、基板加熱室１５などを有している。なお、基板供給室１１及び搬送室１３には、被処理基板を搬送するための搬送ロボットがそれぞれ配置されている。スパッタ装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、搬送室１３、及び基板加熱室１５は、水素及び水分をほとんど含まない雰囲気（不活性雰囲気、減圧雰囲気、乾燥空気雰囲気など）下に制御することが好ましく、例えば、水分については露点−４０℃以下、好ましくは露点−５０℃以下の乾燥窒素雰囲気とする。

図１３の製造装置を用いた作製工程の手順の一例は、まず、基板供給室１１から被処理基板を搬送し、ロードロック室１２ａと搬送室１３を経て基板加熱室１５に移動させ、基板加熱室１５で被処理基板に付着している水分を真空雰囲気での加熱処理などで除去し、その後、搬送室１３を経てスパッタリング装置１０ｃに被処理基板を移動させ、スパッタリング装置１０ｃ内で酸化物絶縁膜５３を成膜する。そして、大気に触れることなく、搬送室１３を経てスパッタリング装置１０ａに被処理基板を移動させ、スパッタリング装置１０ａ内で酸化物絶縁膜５３上に亜鉛を優先的に堆積させた後、酸化させて亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶５５ａを形成し、引き続き、同一スパッタリング装置内でスパッタリングすることで、種結晶５５ａを核として結晶成長した、種結晶５５ａ上に六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜５５ｂを形成する。そして、大気に触れることなく、搬送室１３を経て基板加熱室１５に被処理基板を移動させ、加熱処理を行う。そして、大気に触れることなく、搬送室１３を経てスパッタリング装置１０ｂに被処理基板を移動させ、スパッタリング装置１０ｂ内で金属ターゲットを用いてソース電極およびドレイン電極を形成するための導電膜を結晶性酸化物半導体膜５５ｂ上に成膜する。

このように、図１３の製造装置を用いることによって大気に触れることなく、トランジスタの作製プロセスの一部を進めることができる。

また、本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態１乃至７に示す酸化物半導体を用いたトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置の一例を示す。

実施の形態１乃至７に示す酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が極めて小さいため、これを用いることにより極めて長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作が不要となるか、または、リフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となるため、消費電力を十分に低減することができる。また、電力の供給がない場合であっても、長期にわたって記憶内容を保持することが可能である。

図１４は、半導体装置の構成の一例である。図１４（Ａ）には、半導体装置の断面を、図１４（Ｂ）には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図１４（Ａ）は、図１４（Ｂ）のＥ１−Ｅ２およびＦ１−Ｆ２における断面に相当する。図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示す半導体装置は、下部に酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタ２６０を有し、上部に酸化物半導体を用いたトランジスタ１２０を有するものである。トランジスタ１２０は、実施の形態１と同一であるため、図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において図１（Ｅ）と同じ箇所は、同じ符号を用いて説明する。

トランジスタ２６０は、半導体材料（例えば、シリコンなど）を含む基板２００に設けられたチャネル形成領域２１６と、チャネル形成領域２１６を挟むように設けられた不純物領域２１４および高濃度不純物領域２２０（これらをあわせて単に不純物領域とも呼ぶ）と、チャネル形成領域２１６上に設けられたゲート絶縁膜２０８と、ゲート絶縁膜２０８上に設けられたゲート電極２１０と、不純物領域と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極２３０ａ、およびソース電極またはドレイン電極２３０ｂを有する。

ここで、ゲート電極２１０の側面にはサイドウォール絶縁膜２１８が設けられている。また、基板２００の、表面に垂直な方向から見てサイドウォール絶縁膜２１８と重ならない領域には、高濃度不純物領域２２０を有し、高濃度不純物領域２２０に接する金属化合物領域２２４が存在する。また、基板２００上にはトランジスタ２６０を囲むように素子分離絶縁膜２０６が設けられており、トランジスタ２６０を覆うように、層間絶縁膜２２６および層間絶縁膜１２８が設けられている。ソース電極またはドレイン電極２３０ａ、およびソース電極またはドレイン電極２３０ｂは、層間絶縁膜２２６および層間絶縁膜１２８に形成された開口を通じて、金属化合物領域２２４と電気的に接続されている。つまり、ソース電極またはドレイン電極２３０ａ、およびソース電極またはドレイン電極２３０ｂは、金属化合物領域２２４を介して高濃度不純物領域２２０および不純物領域２１４と電気的に接続されている。なお、トランジスタ２６０の集積化などのため、サイドウォール絶縁膜２１８が形成されない場合もある。

図１４に示すトランジスタ１２０は、結晶性酸化物半導体膜５９、ソース電極またはドレイン電極として機能する一対の電極６１、ゲート絶縁膜６３、ゲート電極６５を含む。トランジスタ１２０は、実施の形態１に示す工程で得ることができる。

図１４において、結晶性酸化物半導体膜５９の被形成面である層間絶縁膜１２８の平坦性を高めることで、結晶性酸化物半導体膜５９の膜厚分布を均一にすることができるため、トランジスタ１２０の特性を向上させることができる。ただし、チャネル長は、短いものとし、例えば０．８μｍや３μｍとする。また、層間絶縁膜１２８は、酸化物絶縁膜５３に相当し、同じ材料で形成する。

また、図１４に示す容量素子２６５は、一対の電極６１の一方と、誘電体として機能するゲート絶縁膜６３と、電極２４８とで容量を形成する。

また、トランジスタ１２０および容量素子２６５の上には、絶縁膜６９が設けられており、絶縁膜６９上には保護絶縁膜１１０が設けられている。

また、一対の電極６１と同じ工程で形成される配線２４２ａ、２４２ｂが設けられている。配線２４２ａは、ソース電極またはドレイン電極２３０ａと電気的に接続し、配線２４２ｂは、ソース電極またはドレイン電極２３０ｂと電気的に接続する。

また、図１４（Ｃ）に回路構成を示す。なお、回路図においては、酸化物半導体を用いたトランジスタであることを示すために、ＯＳの符号を併せて付す場合がある。

図１４（Ｃ）において、第１の配線（１ｓｔＬｉｎｅ）とトランジスタ２６０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線（２ｎｄＬｉｎｅ）とトランジスタ２６０のドレイン電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄＬｉｎｅ）とトランジスタ１２０のソース電極またはドレイン電極の一方とは、電気的に接続され、第４の配線（４ｔｈＬｉｎｅ）と、トランジスタ１２０のゲート電極とは、電気的に接続されている。そして、トランジスタ２６０のゲート電極と、トランジスタ１２０のソース電極またはドレイン電極の他方は、容量素子２６５の電極の一方と電気的に接続され、第５の配線（５ｔｈＬｉｎｅ）と、容量素子２６５の電極の他方は電気的に接続されている。

図１４（Ｃ）に示す半導体装置では、トランジスタ２６０のゲート電極の電位が保持可能という特徴を生かすことで、次のように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。

はじめに、情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、第４の配線の電位を、トランジスタ１２０がオン状態となる電位にして、トランジスタ１２０をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位が、トランジスタ２６０のゲート電極、および容量素子２６５に与えられる。すなわち、トランジスタ２６０のゲート電極には、所定の電荷が与えられる（書き込み）。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷（以下Ｌｏｗレベル電荷、Ｈｉｇｈレベル電荷という）のいずれかが与えられるものとする。その後、第４の配線の電位を、トランジスタ１２０がオフ状態となる電位にして、トランジスタ１２０をオフ状態とすることにより、トランジスタ２６０のゲート電極に与えられた電荷が保持される（保持）。

トランジスタ１２０のオフ電流は極めて小さい、具体的には、室温でのオフ電流（ここでは、単位チャネル幅（１μｍ）あたりの値）は１００ｚＡ／μｍ（１ｚＡ（ゼプトアンペア）は１×１０^−２１Ａ）以下、望ましくは１０ｚＡ／μｍ以下であるから、トランジスタ２６０のゲート電極の電荷は長時間にわたって保持される。また、実施の形態５に示したようにバックゲート電極を設けてもよく、バックゲート電極に電圧を印加することによってトランジスタ１２０のノーマリーオフ化を確実なものとすることが好ましい。

また、基板２００としてはシリコン・オン・インシュレータと呼ばれる半導体基板（ＳＯＩ基板）を用いることもできる。また、基板２００として、ガラスなどの絶縁基板にＳＯＩ層を形成した基板を用いてもよい。ガラス基板上にＳＯＩ層を形成したＳＯＩ基板の一例として、水素イオン注入剥離法を用いて、ガラス基板上に薄い単結晶シリコン層を形成する方法がある。具体的には、イオンドーピング装置を用いてＨ_３ ^＋を照射することで、シリコン基板の表面から所定の深さに分離層を形成し、表面に絶縁膜を有するガラス基板をシリコン基板の表面に押しつけて接着させ、分離層の層内または界面を境界として分離する温度未満であり、且つ分離層が脆弱となる温度で熱処理を行う。その結果、分離層の層内または界面を境界として半導体基板の一部をシリコン基板から分離させて、ガラス基板にＳＯＩ層を形成する。

本実施の形態は、実施の形態１乃至７のいずれか一と組み合わせることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置するトランジスタを作製する例について以下に説明する。

画素部に配置するトランジスタは、実施の形態１乃至７のいずれか一に従って形成する。また、実施の形態１乃至７に示すトランジスタはｎチャネル型ＴＦＴであるため、駆動回路のうち、ｎチャネル型ＴＦＴで構成することができる駆動回路の一部を画素部のトランジスタと同一基板上に形成する。

アクティブマトリクス型表示装置のブロック図の一例を図１５（Ａ）に示す。表示装置の基板５３００上には、画素部５３０１、第１の走査線駆動回路５３０２、第２の走査線駆動回路５３０３、信号線駆動回路５３０４を有する。画素部５３０１には、複数の信号線が信号線駆動回路５３０４から延伸して配置され、複数の走査線が第１の走査線駆動回路５３０２、及び走査線駆動回路５３０３から延伸して配置されている。なお走査線と信号線との交差領域には、各々、表示素子を有する画素がマトリクス状に設けられている。また、表示装置の基板５３００はＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）等の接続部を介して、タイミング制御回路（コントローラ、制御ＩＣともいう）に接続されている。

図１５（Ａ）では、第１の走査線駆動回路５３０２、第２の走査線駆動回路５３０３、信号線駆動回路５３０４は、画素部５３０１と同じ基板５３００上に形成される。そのため、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、コストの低減を図ることができる。また、基板５３００外部に駆動回路を設けた場合、配線を延伸させる必要が生じ、配線間の接続数が増える。同じ基板５３００上に駆動回路を設けた場合、その配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、又は歩留まりの向上を図ることができる。

また、画素部の回路構成の一例を図１５（Ｂ）に示す。ここでは、ＶＡ型液晶表示パネルの画素構造を示す。

この画素構造は、一つの画素に複数の画素電極が有り、それぞれの画素電極にトランジスタが接続されている。各トランジスタは、異なるゲート信号で駆動されるように構成されている。すなわち、マルチドメイン設計された画素において、個々の画素電極に印加する信号を、独立して制御する構成を有している。

トランジスタ６２８のゲート配線６０２と、トランジスタ６２９のゲート配線６０３には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ線として機能するソース電極又はドレイン電極６１６は、トランジスタ６２８とトランジスタ６２９で共通に用いられている。トランジスタ６２８とトランジスタ６２９は実施の形態１乃至７のいずれか一のトランジスタを適宜用いることができる。

トランジスタ６２８と電気的に接続する第１の画素電極と、トランジスタ６２９と電気的に接続する第２の画素電極の形状は異なっており、スリットによって分離されている。Ｖ字型に広がる第１の画素電極の外側を囲むように第２の画素電極が形成されている。第１の画素電極と第２の画素電極に印加する電圧のタイミングを、トランジスタ６２８及びトランジスタ６２９により異ならせることで、液晶の配向を制御している。トランジスタ６２８はゲート配線６０２と接続し、トランジスタ６２９はゲート配線６０３と接続している。ゲート配線６０２とゲート配線６０３は異なるゲート信号を与えることで、トランジスタ６２８とトランジスタ６２９の動作タイミングを異ならせることができる。

また、容量配線６９０と、誘電体として機能するゲート絶縁膜と、第１の画素電極または第２の画素電極と電気的に接続する容量電極とで保持容量を形成する。

第１の画素電極と液晶層と対向電極が重なり合うことで、第１の液晶素子６５１が形成されている。また、第２の画素電極と液晶層と対向電極が重なり合うことで、第２の液晶素子６５２が形成されている。また、一画素に第１の液晶素子６５１と第２の液晶素子６５２が設けられたマルチドメイン構造である。

なお、図１５（Ｂ）に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図１５（Ｂ）に示す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ、センサ、又は論理回路などを追加してもよい。

また、画素部の回路構成の一例を図１５（Ｃ）に示す。ここでは、有機ＥＬ素子を用いた表示パネルの画素構造を示す。

有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。

図１５（Ｃ）は、半導体装置の例としてデジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す図である。

デジタル時間階調駆動を適用可能な画素の構成及び画素の動作について説明する。ここでは酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるｎチャネル型のトランジスタを１つの画素に２つ用いる例を示す。

画素６４００は、スイッチング用トランジスタ６４０１、駆動用トランジスタ６４０２、発光素子６４０４及び容量素子６４０３を有している。スイッチング用トランジスタ６４０１は、ゲート電極が走査線６４０６に接続され、第１電極（ソース電極及びドレイン電極の一方）が信号線６４０５に接続され、第２電極（ソース電極及びドレイン電極の他方）が駆動用トランジスタ６４０２のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ６４０２は、ゲート電極が容量素子６４０３を介して電源線６４０７に接続され、第１電極が電源線６４０７に接続され、第２電極が発光素子６４０４の第１電極（画素電極）に接続されている。発光素子６４０４の第２電極は共通電極６４０８に相当する。共通電極６４０８は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。

なお、発光素子６４０４の第２電極（共通電極６４０８）には低電源電位が設定されている。なお、低電源電位とは、電源線６４０７に設定される高電源電位を基準にして低電源電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖなどが設定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子６４０４に印加して、発光素子６４０４に電流を流して発光素子６４０４を発光させるため、高電源電位と低電源電位との電位差が発光素子６４０４の順方向しきい値電圧以上となるようにそれぞれの電位を設定する。

なお、容量素子６４０３は駆動用トランジスタ６４０２のゲート容量を代用して省略することも可能である。駆動用トランジスタ６４０２のゲート容量については、チャネル形成領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。

ここで、電圧入力電圧駆動方式の場合には、駆動用トランジスタ６４０２のゲート電極には、駆動用トランジスタ６４０２が十分にオンするか、オフするかの二つの状態となるようなビデオ信号を入力する。つまり、駆動用トランジスタ６４０２は線形領域で動作させる。駆動用トランジスタ６４０２は線形領域で動作させるため、電源線６４０７の電圧よりも高い電圧を駆動用トランジスタ６４０２のゲート電極にかける。なお、信号線６４０５には、（電源線電圧＋駆動用トランジスタ６４０２のＶｔｈ）以上の電圧をかける。

また、デジタル時間階調駆動に代えて、アナログ階調駆動を行う場合、信号の入力を異ならせることで、図１５（Ｃ）と同じ画素構成を用いることができる。

アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ６４０２のゲート電極に発光素子６４０４の順方向電圧＋駆動用トランジスタ６４０２のＶｔｈ以上の電圧をかける。発光素子６４０４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なくとも順方向しきい値電圧を含む。なお、駆動用トランジスタ６４０２が飽和領域で動作するようなビデオ信号を入力することで、発光素子６４０４に電流を流すことができる。駆動用トランジスタ６４０２を飽和領域で動作させるため、電源線６４０７の電位は、駆動用トランジスタ６４０２のゲート電位よりも高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子６４０４にビデオ信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。

なお、図１５（Ｃ）に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図１５（Ｃ）に示す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサ、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。

（実施の形態１０）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。

図１６（Ａ）は、携帯型の情報端末であり、本体３００１、筐体３００２、表示部３００３ａ、３００３ｂなどによって構成されている。表示部３００３ｂはタッチパネルとなっており、表示部３００３ｂに表示されるキーボードボタン３００４を触れることで画面操作や、文字入力を行うことができる。勿論、表示部３００３ａをタッチパネルとして構成してもよい。実施の形態１で示したトランジスタをスイッチング素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部３００３ａ、３００３ｂに適用することにより、信頼性の高い携帯型の情報端末とすることができる。

図１６（Ａ）は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。

また、図１６（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。

図１６（Ｂ）は、携帯音楽プレイヤーであり、本体３０２１には表示部３０２３と、耳に装着するための固定部３０２２と、スピーカ、操作ボタン３０２４、外部メモリスロット３０２５等が設けられている。実施の形態１で示したトランジスタをスイッチング素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部３０２３に適用することにより、より信頼性の高い携帯音楽プレイヤーとすることができる。

さらに、図１６（Ｂ）に示す携帯音楽プレイヤーにアンテナやマイク機能や無線機能を持たせ、携帯電話と連携させれば、乗用車などを運転しながらワイヤレスによるハンズフリーでの会話も可能である。

図１６（Ｃ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成されている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子２８０８などを備えている。また、筐体２８００には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８０１内部に内蔵されている。実施の形態１で示したトランジスタを表示パネル２８０２に適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。

また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図１６（Ｃ）には映像表示されている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。

例えば、昇圧回路などの電源回路に用いられるパワートランジスタも実施の形態１に示したトランジスタ１２０の結晶性酸化物半導体膜５９の膜厚を２μｍ以上５０μｍ以下とすることで形成することができる。

表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、図１６（Ｃ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。

外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。

また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。

図１６（Ｄ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置９６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、ＣＰＵを内蔵したスタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。実施の形態１で示したトランジスタを表示部９６０３に適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置９６００とすることができる。

テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

また、テレビジョン装置９６００は、外部接続端子９６０４や、記憶媒体再生録画部９６０２、外部メモリスロットを備えている。外部接続端子９６０４は、ＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、パーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。記憶媒体再生録画部９６０２では、ディスク状の記録媒体を挿入し、記録媒体に記憶されているデータの読み出し、記録媒体への書き込みが可能である。また、外部メモリスロットに差し込まれた外部メモリ９６０６にデータ保存されている画像や映像などを表示部９６０３に映し出すことも可能である。

また、実施の形態８で示した半導体装置を外部メモリ９６０６やＣＰＵに適用することにより、消費電力が十分に低減された信頼性の高いテレビジョン装置９６００とすることができる。

１１基板供給室
１３搬送室
１４カセットポート
１５基板加熱室
３１処理室
３３排気手段
３５ガス供給手段
３７電源装置
４０基板支持体
４１ターゲット
４３イオン
５１基板
５３酸化物絶縁膜
５５結晶性酸化物半導体膜
５７結晶性酸化物半導体膜
５９結晶性酸化物半導体膜
６１電極
６３ゲート絶縁膜
６５ゲート電極
６９絶縁膜
７１電極
７３結晶性酸化物半導体膜
７５結晶性酸化物半導体膜
７７ゲート絶縁膜
７９ゲート電極
８１絶縁膜
８３配線
８４バッファ
８５バッファ
８７バッファ
９１ゲート電極
９３ゲート絶縁膜
９５結晶性酸化物半導体膜
９９結晶性酸化物半導体膜
１０１電極
１０３絶縁膜
１０５電極
１０７結晶性酸化物半導体膜
１０９結晶性酸化物半導体膜
１０ａスパッタ装置
１０ｂスパッタ装置
１０ｃスパッタ装置
１１０保護絶縁膜
１１１保護膜
１１３バックゲート電極
１１５絶縁膜
１２０トランジスタ
１２８層間絶縁膜
１２ａロードロック室
２００基板
２０６素子分離絶縁膜
２０８ゲート絶縁膜
２１０ゲート電極
２１４不純物領域
２１６チャネル形成領域
２１８サイドウォール絶縁膜
２２０高濃度不純物領域
２２４金属化合物領域
２２６層間絶縁膜
２４８電極
２６０トランジスタ
２６５容量素子
５５ａ種結晶
５５ｂ結晶性酸化物半導体膜
６０２ゲート配線
６０３ゲート配線
６１６ソース電極またはドレイン電極
６２８トランジスタ
６２９トランジスタ
６５１液晶素子
６５２液晶素子
６９０容量配線
２３０ａソース電極またはドレイン電極
２３０ｂソース電極またはドレイン電極
２４２ａ配線
２４２ｂ配線
２８００筐体
２８０１筐体
２８０２表示パネル
２８０３スピーカー
２８０４マイクロフォン
２８０５操作キー
２８０６ポインティングデバイス
２８０７カメラ用レンズ
２８０８外部接続端子
２８１０太陽電池セル
２８１１外部メモリスロット
３００１本体
３００２筐体
３００４キーボードボタン
３０２１本体
３０２２固定部
３０２３表示部
３０２４操作ボタン
３０２５外部メモリスロット
５３００基板
５３０１画素部
５３０２走査線駆動回路
５３０３走査線駆動回路
５３０４信号線駆動回路
６４００画素
６４０１スイッチング用トランジスタ
６４０２駆動用トランジスタ
６４０３容量素子
６４０４発光素子
６４０５信号線
６４０６走査線
６４０７電源線
６４０８共通電極
９６００テレビジョン装置
９６０１筐体
９６０２記憶媒体再生録画部
９６０３表示部
９６０４外部接続端子
９６０５スタンド
９６０６外部メモリ
３００３ａ表示部
３００３ｂ表示部

Claims

基板上に酸化物絶縁膜を形成する工程と、
前記基板を２００℃以上４００℃以下で加熱しながら、前記酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜を不活性ガス雰囲気で加熱する工程と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムとを有し、
前記酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、且つ前記基板の平面に概略垂直なｃ軸を有する六方晶構造の結晶を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１において、
前記酸化物半導体膜を加熱する工程において、前記酸化物絶縁膜から前記酸化物半導体膜に酸素が供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜を加熱する工程における加熱温度は、前記酸化物半導体膜を形成する工程での前記基板の加熱温度よりも、高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。