JP2013110425A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
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- 酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に酸化物絶縁層を有し、
酸化物半導体層は、ｃ軸が表面に対して垂直方向に沿うように配向された結晶領域を有し、
前記酸化物半導体層は、
前記酸化物半導体層から水素又は水を脱離する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、酸化物絶縁層を加熱し、前記酸化物絶縁層から前記酸化物半導体層へ酸素が供給する第２の工程と、
を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。 - ＩｎとＭ（Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ、又はＣｏ）とＺｎとを有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に酸化物絶縁層を有し、
酸化物半導体層は、ｃ軸が表面に対して垂直方向に沿うように配向された結晶領域を有し、
前記酸化物半導体層は、
前記酸化物半導体層から水素又は水を脱離する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、酸化物絶縁層を加熱し、前記酸化物絶縁層から前記酸化物半導体層へ酸素が供給する第２の工程と、
を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
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