JP2012134467A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 絶縁表面上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成した後に、加熱処理を行って、前記第１の酸化物半導体膜を第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜とし、前記第２の酸化物半導体膜を第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜とし、
   前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜及び前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を選択的にエッチングして酸化物半導体積層体を形成し、
   前記第１の結晶構造は非ウルツ鉱構造、ＹｂＦｅ_２Ｏ_４型構造、Ｙｂ_２Ｆｅ_３Ｏ_７型構造及びその変形型構造のいずれか一種から選ばれた結晶構造であり、
   前記第２の結晶構造はウルツ鉱型の結晶構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記加熱処理により、前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として結晶成長し、前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜となることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または２において、
   前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜、および前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜は、非単結晶であり、且つ層全体が非晶質状態ではなく、ｃ軸配向の結晶領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜は、亜鉛、インジウム、またはガリウムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記加熱処理は、１５０度以上６５０度以下の加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜は、酸化亜鉛、または酸窒化物半導体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。