JP2011135063A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 絶縁表面を有する基板上の、表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、
   前記第２の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、前記第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、
   を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記結晶領域から成長させた結晶を有する層であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記結晶領域は、前記第１の酸化物半導体層の前記第２の酸化物半導体層と接する界面を含む領域であって、該界面に略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶を有する領域であることを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁表面を有する基板上に第１の酸化物半導体層を形成し、
   第１の熱処理を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長し、該表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を形成し、
   前記第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層を形成し、
   第２の熱処理を行うことにより、前記結晶領域から結晶成長させて前記第２の酸化物半導体層を結晶化し、
   前記第２の酸化物半導体層上に導電層を形成し、
   前記導電層をエッチングすることにより、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
   前記第２の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うようにゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上の前記第２の酸化物半導体層と重畳する領域にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。