JP2011100992A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 基板上の、第１の導電層と、
   前記第１の導電層を覆う、第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の、前記第１の導電層の少なくとも一部と重畳し結晶領域を有する酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層に接する第２の導電層および第３の導電層と、
   前記酸化物半導体層、前記第２の導電層、および前記第３の導電層を覆う絶縁層と、
   前記絶縁層上の、前記酸化物半導体層の少なくとも一部と重畳する第４の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 前記酸化物半導体層の前記結晶領域は、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７の結晶を含んでなる、請求項１に記載の半導体装置。
3. 基板上に、第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層を覆うように、第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に、前記第１の導電層の少なくとも一部と重畳する酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層に熱を加えて、前記酸化物半導体層に結晶領域を形成し、
   前記酸化物半導体層に接する第２の導電層および第３の導電層を形成し、
   前記酸化物半導体層、前記第２の導電層、および前記第３の導電層を覆う絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に、前記酸化物半導体層の少なくとも一部と重畳する第４の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 前記結晶領域の形成は、前記酸化物半導体層の表面が５００℃以上となるように熱を加えることにより行う、請求項３に記載の半導体装置の作製方法。