JP2011077510A5 - 表示装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１のトランジスタと第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１のゲート電極層と、
   前記第１のゲート電極層上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第１のソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、
   第２のゲート電極層と、
   前記第２のゲート電極層上の前記第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の前記第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第２のソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
   前記第１のゲート電極層と前記第２のゲート電極層とは、同一面上に設けられ、
   前記第１のソース電極層及びドレイン電極層上、並びに前記第２のソース電極層及びドレイン電極層上の第３の絶縁層を有し、
   前記第３の絶縁層上に、前記第１のソース電極層及びドレイン電極層の一方と電気的に接続される第１の電極を有し、
   前記第１の電極上に接するＥＬ層を有し、
   前記第３の絶縁層上に、前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する導電層を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の酸化物半導体層の端部を覆う第１の領域と、前記第１の酸化物半導体層を介して前記第１のゲート電極層と重なる第２の領域と、前記第２の酸化物半導体層の端部を覆う第３の領域と、前記第２の酸化物半導体層を介して前記第２のゲート電極層と重なる第４の領域と、を有し、
   前記第１のソース電極層及びドレイン電極層は、前記第２の絶縁層の前記第１の領域と前記第２の領域との間において、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、
   前記第２のソース電極層及びドレイン電極層は、前記第２の絶縁層の前記第３の領域と前記第４の領域との間において、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の酸化物半導体層の昇温脱離ガス分析法による２００℃以上３５０℃以下の温度範囲に示されるスペクトルには、水分に由来する脱離成分のピークが示されないことを特徴とする表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウムを含むことを特徴とする表示装置。