JP6286988B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施例として、図1に示す薄膜トランジスタ10を作製した。
基板1として厚さ0.7mmの無アルカリガラスを使用した。基板1上に、DCマグネトロンスパッタ法を用いてMo合金を200nmの膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングを行った。具体的には、感光性ポジ型フォトレジストを塗布後、マスク露光、アルカリ現像液による現像を行い、所望の形状のレジストパターンを形成した。さらにエッチング液によりエッチングを行い、不要なMo合金を溶解させた。その後、レジスト剥離液によりフォトレジストを除去し、所望の形状のMo合金の電極を形成し、ゲート電極2を形成した。以下、このようなパターニング方法をフォトリソグラフィ法とだけ記載して詳細な説明は省略する。
2・・・ゲート電極
3・・・ゲート絶縁層
4・・・ソース電極
5・・・ドレイン電極
6・・・半導体活性層
7・・・保護層
10・・薄膜トランジスタ
Claims (1)
- 薄膜トランジスタの製造方法であって、
基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層とを順次形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に、非晶質な状態の金属酸化物導電材料を用いて成膜しフォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に、金属酸化物材料からなる半導体活性層の前駆体を塗布し焼成を行い、前記金属酸化物材料膜の形成と前記ソース電極及び前記ドレイン電極に用いられた金属酸化物導電材料の結晶化とを行う工程と、
前記金属酸化物材料膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして前記半導体活性層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPWO2010038566A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-03-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US8367486B2 (en) * | 2009-02-05 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the transistor |
WO2011027656A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
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