KR100662790B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (34)
- 화소부와 구동회로부로 구분되는 기판을 제공하는 단계;상기 기판의 화소부에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 기판 위에 차례대로 제 1 절연막과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 구동회로부의 n+ 비정질 실리콘 박막을 활성화시키는 단계;상기 기판 전면에 제 1 도전막을 형성한 후, 상기 제 1 도전막과 n+ 비정질 실리콘 박막 및 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 패터닝하여 상기 기판의 화소부와 구동회로부에 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브패턴을 각각 형성하고 그 상부에 상기 제 1 도전막으로 이루어진 소오스/드레인전극을 형성하는 단계;상기 구동회로부의 액티브패턴을 구성하는 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 단계;상기 기판 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및상기 기판의 화소부에 화소전극을 형성하며, 상기 기판의 구동회로부에 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막은 100~200nm 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 쉐도우 마스크를 이용하여 구동회로부의 n+ 비정질 실리콘 박막에만 선택적으로 레이저를 조사함으로써 상기 n+ 비정질 실리콘 박막내의 도펀트를 활성화하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 화소부와 구동회로부에 액티브패턴 및 소오스/드레인전극을 형성하는 단계는상기 기판 전면에 제 1 도전막과 감광막을 형성하는 단계;광을 모두 투과시키는 제 1 투과영역과 광의 일부만 투과시키는 제 2 투과영역 및 광을 차단하는 차단영역이 마련된 마스크를 적용하여, 상기 화소부의 제 1 영역에 제 1 두께를 갖는 제 1 감광막패턴을 형성하고 제 2 영역에 제 2 두께를 갖는 제 2 감광막패턴을 형성하며, 상기 구동회로부의 제 3 영역에 제 1 두께를 갖는 제 3 감광막패턴을 형성하고 제 4 영역에 제 2 두께를 갖는 제 4 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막패턴 내지 제 4 감광막패턴을 마스크로 하여 그 하부의 제 1 도전막과 n+ 비정질 실리콘 박막 및 비정질 실리콘 박막을 패터닝함으로써, 화소부와 구동회로부에 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 제 1 액티브패턴과 제 2 액티브패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 감광막패턴과 제 4 감광막패턴을 제거하는 단계; 및상기 남아있는 제 1 감광막패턴과 제 3 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 패터닝된 제 1 도전막패턴과 n+ 비정질 실리콘 박막패턴을 다시 패터닝하여 상기 제 1 액티브패턴과 제 2 액티브패턴 상부에 상기 제 1 도전막으로 이루어진 소오스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 포지티브 타입의 감광막을 사용하는 경우에는 상기 마스크의 차단영역은 화소부의 제 1 영역을 정의하고 구동회로부의 제 2 영역을 정의하며, 상기 제 2 투과영역은 화소부의 제 3 영역을 정의하고 구동회로부의 제 4 영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 화소부의 소오스/드레인전극영역을 의미하고 상기 제 2 영역은 구동회로부의 소오스/드레인전극영역을 의미하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 3 영역은 상기 화소부의 소오스전극영역과 드레인전극영역 사이의 제 1 액티브패턴의 채널영역을 의미하고 상기 제 4 영역은 상기 구동회로부의 소오스전극영역과 드레인전극영역 사이의 제 2 액티브패턴의 채널영역을 의미하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 마스크는 광의 일부만 투과시키는 제 2 투광영역에 회절패턴이 형성되어 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 2 감광막패턴과 제 4 감광막패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 감광막패턴과 제 4 감광막패턴은 애슁공정을 통해 제거되며, 상기 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴은 상기 제 2 감광막패턴과 제 4 감광막패턴의 제 2 두께만큼만 제거된 제 3 두께로 남아있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 화소부와 구동회로부에 소오스/드레인전극 형성시, 상기 n+ 비정질 실리콘 박막패턴도 패터닝되어 상기 소오스/드레인전극과 제 1, 제 2 액티브패턴의 소정영역 사이를 접속시키는 오믹-콘택층을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 n+ 비정질 실리콘 박막패턴의 패터닝시, 그 하부의 비정질 실리콘 박막의 표면 일부를 오버 에치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 오버 에치되는 영역의 비정질 실리콘 박막은 최종 두께가 30~100nm 정도로 남아있게 되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 레이저를 선택적으로 조사하여 상기 구동회로부의 액티브패턴을 구성하는 비정질 실리콘 박막만을 결정화하여 다결정 실리콘 박막을 형성하 는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 화소부의 화소전극 및 구동회로부의 게이트전극을 형성하는 단계는상기 화소부의 제 2 절연막의 일부 영역을 제거하여 화소부 드레인전극의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 투명한 제 2 도전막을 형성하는 단계; 및상기 제 2 도전막을 패터닝하여, 화소부에 상기 제 1 콘택홀을 통해 드레인전극과 연결되는 화소전극을 형성하며 구동회로부의 액티브패턴 상부에 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 화소부에 제 1 콘택홀 형성시, 상기 구동회로부의 제 2 절연막의 일부 영역을 제거하여 구동회로부 소오스전극의 일부를 노출시키는 제 2 콘택홀 및 구동회로부 드레인전극의 일부를 노출시키는 제 3 콘택홀을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 도전막을 패터닝하여 구동회로부에 상기 제 2 콘택홀을 통해 구동회로부의 소오스전극과 연결되어 외부로 노출시키는 제 1 연결전극 및 상기 제 3 콘택홀을 통해 구동회로부의 드레인전극과 연결되어 외부로 노출시키는 제 2 연결전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 영역과 제 2 영역으로 이루어진 화소부 및 구동회로부로 구분되는 기판을 제공하는 단계;상기 화소부의 제 1 영역에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 기판 위에 차례대로 제 1 절연막과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 화소부의 제 2 영역과 구동회로부의 n+ 비정질 실리콘 박막을 활성화시키는 단계;상기 기판 전면에 제 1 도전막을 형성한 후, 상기 제 1 도전막과 n+ 비정질 실리콘 박막 및 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 패터닝하여 상기 화소부 및 구동회로부에 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브패턴을 각각 형성하고 그 상부에 상기 제 1 도전막으로 이루어진 소오스/드레인전극을 형성하는 단계;상기 화소부의 제 2 영역과 구동회로부의 액티브패턴을 구성하는 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 단계;상기 기판 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및상기 화소부의 제 1 영역에 화소전극을 형성하며, 상기 화소부의 제 2 영역과 구동회로부에 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 화소부의 제 1 영역에는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 화소부의 제 2 영역과 구동회로부에는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 화소부와 구동회로부로 구분되는 기판;상기 기판의 화소부에 형성되되, 게이트전극과 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 화소전극으로 이루어진 비정질 실리콘 박막 트랜지스터; 및상기 기판의 구동회로부에 형성되되, 상기 화소부의 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 화소전극이 형성된 각각의 층에 형성된 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 게이트전극으로 이루어진 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 화소부의 액티브패턴은 비정질 실리콘 박막으로 이루어지고 상기 구동회로부의 액티브패턴은 다결정 실리콘 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 구동회로부의 소오스/드레인전극은 상기 화소부의 소오스/드레인전극과 동일한 제 1 도전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 도전물질은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴 등과 같은 저저항 도전물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 구동회로부의 게이트전극은 상기 화소부의 화소전극과 동일한 제 2 도전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 제 2 도전물질은 인듐-틴-옥사이드, 인듐-징크-옥사이드 등과 같은 투명한 도전물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 화소부의 게이트전극과 액티브패턴 사이에 형성되어 화소부 박막 트랜지스터의 게이트절연막으로 사용되는 제 1 절연막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 24 항에 있어서, 상기 제 1 절연막을 이용하여 상기 구동회로부의 액티브패턴 하부에 형성되는 버퍼층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 19 항에 있어서, n+ 비정질 실리콘 박막으로 형성되되, 상기 화소부와 구동회로부의 액티브패턴의 소정영역과 소오스/드레인전극 사이를 접속시키는 오믹-콘택층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 26 항에 있어서, 상기 구동회로부의 n+ 비정질 실리콘 박막은 선택적 레이저 조사로 도펀트가 활성화되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 화소부의 소오스/드레인전극과 화소전극 사이에 형성되는 제 2 절연막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 28 항에 있어서, 상기 제 2 절연막을 이용하여 상기 구동회로부의 액티브패턴과 게이트전극 사이에 형성되는 구동회로부 게이트절연막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 제 2 도전물질을 이용하여 상기 화소전극과 동일한 층에 형성되되, 상기 구동회로부의 소오스전극과 연결되어 외부로 노출시키는 제 1 연결전극 및 상기 구동회로부의 드레인전극과 연결되어 외부로 노출시키는 제 2 연결전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 삭제
- 기판의 제 1 영역에 형성되되, 게이트전극과 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 화소전극으로 이루어진 비정질 실리콘 박막 트랜지스터; 및상기 기판의 제 2 영역에 형성되되, 상기 제 1 영역의 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 화소전극이 형성된 각각의 층에 형성된 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 게이트전극으로 이루어진 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 제 1 영역의 액티브패턴은 비정질 실리콘 박막으로 이루어지고 상기 제 2 영역의 액티브패턴은 다결정 실리콘 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 화소부이며, 상기 제 2 영역은 구동회로부인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 화소부의 제 3 영역이며, 상기 제 2 영역은 상기 화소부의 나머지 제 4 영역과 구동회로부인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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