JP2011243971A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に第１の金属酸化物膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜及び前記第１の金属酸化物膜を介して、前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素を低減し、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記酸化物半導体膜と、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層との上方に前記酸化物半導体膜に接する領域を有する第２の金属酸化物膜を形成し、
   前記第２の金属酸化物膜上に、化学量論比の１倍より大きく４倍未満の酸素を含有する第２の絶縁膜を形成した後、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、前記第１の金属酸化物膜または前記第２の金属酸化物膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または２において、前記第１の絶縁膜として、前記第１の金属酸化物膜の構成元素とは異なる元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記第２の絶縁膜として、前記第２の金属酸化物膜の構成元素とは異なる元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の金属酸化物膜または前記第２の金属酸化物膜として、酸化ガリウムを含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の絶縁膜を覆うように、窒素を含有する第３の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。