JP2011009719A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 絶縁表面を有する基板の上方のゲート電極と、
   前記ゲート電極の上方の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜の上方の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜の上方のソース電極と、
   前記第２の絶縁膜の上方のドレイン電極と、を有し、
   前記ソース電極は、前記第２の絶縁膜の第１の開口を介して前記酸化物半導体層に電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記第２の絶縁膜の第２の開口を介して前記酸化物半導体層に電気的に接続され、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、窒素を３原子％以上３０原子％以下含む酸化窒化珪素膜を含み、
   前記酸化物半導体層のチャネル形成領域は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに挟まれた領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の絶縁膜は、１×１０^１５ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度でハロゲン元素を含むことを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁表面を有する基板の上方にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極の上方に、窒素を３原子％以上３０原子％以下含む酸化窒化珪素膜を含む第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜の上方に、酸素を５０％以上１００％以下含む雰囲気中で酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層の上方に、窒素を３原子％以上３０原子％以下含む酸化窒化珪素膜を含む第２の絶縁膜を積層し、
   前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングして保護膜を形成し、
   前記保護膜をマスクとして前記酸化物半導体層を選択的にエッチングして島状の半導体層を形成し、
   前記保護膜を選択的にエッチングして開口を形成し、
   前記保護膜の上方に、前記島状の半導体層と電気的に接続する導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。